JPH0129068B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 この発明は半導体チツプに対するパツケージ、
更に具体的に云えば、電力半導体チツプから熱を
運び去る為に熱伝導度の大きい要素を用いたパツ
ケージに関する。

従来技術の記載 動作中に約１ワツトを越える熱を発生する半導
体チツプは、消費電力が通常はずつと小さい「信
号」チツプと区別して、「電力」チツプと呼ばれ
ている。この熱は主にチツプに於けるI²Rの導電
損失又は切換え損失によつて起る。熱による損傷
を避ける為、この熱を電力チツプから取去つて、
例えば金属の熱拡散板又は放熱部に伝達しなけれ
ばならない。然し、例えばバイポーラ・トランジ
スタでは、エミツタ接地電流利得H_FE、及び装置
の飽和時のコレクタ・エミツタ電圧V_CE（SAT）
の様な重要な特性を判定する為に、電力チツプは
定格電流で電気的に試験しなければならない。こ
の様な特性は、チツプを同じバツチで製造して
も、チツプ毎に大幅に変化するのが典型的であ
る。この電気試験では、熱発生レベルが高い状態
でチツプを動作させることを必要とし、電力チツ
プから熱を取去る熱伝導度の大きい要素を取入れ
たパツケージにチツプを取付けることを必要とす
る。

市場で入手し得る典型的な電力チツプ・パツケ
ージは、アルミナの様な熱伝導度の大きい誘電体
基板を含み、その上面には基板の大きな面積を覆
うはんだ付け可能な金属の単一層がある。熱を除
去し易くする為、基板は金属の熱拡散板に取付け
る。電力チツプの内、１つの大面積電気端子、例
えば典型的なバイポーラ・トランジスタのコレク
タ端子しか持たない側は、下向きになる様に配置
して、誘電体基板の上のはんだ付け可能な層には
んだ付けする。この後、電力チツプの反対側又は
上側にある１つ又は更に多くの端子に１本又は更
に多くの導線を結合して、外部回路に接続するの
に適した電力チツプの電気的に隔離された区域に
接続する。

チツプの上側に結合された導線が存在すること
により、この上側に熱導電度の大きい要素を取付
けることが出来なくなつて望ましくない。更に、
チツプの上側に結合された導線は試験回路に直接
に接続するには脆すぎるので、こういう導線は最
初は頑丈な導線構造に取付けなければならない。
この導線構造は試験回路に直接的に接続すること
が出来る。大電流の電力チツプでは、この様な頑
丈な導線構造は非常に大きいので、電力チツプを
取付けた誘電体基板だけによつて支持することは
出来ず、誘電体基板もその上に取付けてある金属
の熱拡散板によつて付加的に機械的な支持をしな
ければならない。頑丈な導線構造の個別の導線は
適当な電気絶縁を施さなければならないので、チ
ツプの試験が出来る様にする前に、完全な（そし
て費用のかゝる）パツケージを組立てなければな
らない。パツケージを併せた特性が望ましくない
チツプは廃棄される惧れがあるから、同じ様な特
性を持つ１群のチツプを選択するのに、チツプを
試験する為、この様な電力チツプ・パツケージを
使うことは、特に費用がかゝる。

発明の目的 この発明の目的は、構造が簡単であつて、従つ
て現在利用し得る電力チツプ・パツケージよりも
コストが安い電力チツプ・パツケージを提供する
ことである。

この発明の別の目的は、現在入手し得る電力チ
ツプ・パツケージよりも、電力チツプからずつと
多くの熱を取去ることが出来る電力チツプ・パツ
ケージを提供することである。

発明の概要 この発明の好ましい実施例では、電力チツプ・
パツケージが好ましくは酸化ベリリウムの誘電体
基板と、好ましくは共晶結合方法によつて、前記
誘電体基板の第１の側面に取付けられた、好まし
くは銅の複数個の板金導線とを有する。板金導線
は電力チツプ、例えばダーリントン形電力トラン
ジスタの片側にある複数個の端子に対して鏡像関
係のパターンを持つ。電力チツプを板金導線には
んだ付け等によつて取付けた後、電力チツプ内で
発生される熱は板金導線を介して誘電体基板に通
し、基板を放熱部の上に取付けることにより、こ
の放熱部へ伝達することが出来る。電力チツプの
反対側は、少なくとも１つの端子を持つ所で、露
出した端子に対して大面積の導体を圧接するだけ
のことによつて、試験用の外部回路に容易に接続
することが出来る。

この発明の更に好ましい実施例では、これまで
説明した電力チツプ・パツケージの他に、板金導
線を取付けた第２の誘電体基板を設ける。この導
線が電力チツプの大面積の１個の端子に接続され
る様になつている。この電力チツプ・パツケージ
は、第２の誘電体基板が電力チツプからの熱を吸
収する為に、現在利用し得る電力チツプ・パツケ
ージよりも、熱除去能力が更に大きい。

この発明の更に好ましい実施例では、これまで
に述べた電力チツプ・パツケージの他に、第２の
誘電体基板から第１の誘電体基板へ熱を伝達する
熱伝達手段を設ける。この熱伝達手段は、例えば
パツケージを組立てた時、他方の基板に接する一
方の誘電体基板の突起で構成することが出来る。
この電力チツプ・パツケージは、電力チツプの両
側から１対の基板によつて取去つた熱を放熱部に
伝達することが出来る為、現在利用し得る電力チ
ツプ・パツケージよりも、ずつと多くの熱を電力
チツプから取去ることが出来る。

この発明の要旨は特許請求の範囲に具体的に且
つ明確に記載してあるが、この発明並びにその他
の目的及び利点は、以下図面について説明する所
から、更によく理解されよう。図面全体にわた
り、同様な部分には同じ参照数字を用いている。

実施例の記載 第１図は、部品部分１０と、１例としてダーリ
ントン形電力トランジスタの様な電力チツプ１４
とから成る電力チツプ・パツケージを分解図で示
している。電力チツプ１４は、ウエーハ形のシリ
コンの様な半導体材料で構成され、厚さを誇張し
て示す様に、上側にコレクタ端子１６、そして下
側にエミツタ端子１８、第１のベース端子２０及
び第２のベース端子２２を有する。これと比較し
て、電力ダイオードは片側に１つの端子しか持た
ない。

電力チツプ・パツケージの部分１０，１２は誘
電体基板２６と、この基板の上面に取付けられた
複数個の板金導線２８，３０，３２とで構成され
ている。誘電体基板２６は、好ましい材料として
の酸化ベリリウム・セラミツクが持つ様な、少な
くとも約2.2ワツト／cm・℃の熱伝導度を持つこ
とが好ましい。更に誘電体基板２６は熱膨張係数
が電力チツプ１４の熱膨張係数と近くて、両者の
間の熱によつて誘起される膨張並びに収縮の応力
を最小限にすべきである。チツプ１４がシリコン
で構成される場合、基板２６は酸化ベリリウムで
構成するのが適している。酸化ベリリウムの熱膨
張係数はシリコンの熱膨張係数に所望の近さであ
る。誘電体基板２６の別の適当な材料はアルミ
ナ・セラミツクである。

板金導線２８，３０，３２は約３ミル（0.0076
cm）乃至15ミル（0.038cm）の範囲内の厚さを持
つ銅で構成することが好ましいが、この代りにア
ルミニウム又は銀の様な好ましくは導電度の高い
他の金属で構成してもよい。板金導線２８，３
０，３２は、電力チツプ１４の下側の端子１８，
２０，２２と鏡像関係又は逆の像の関係を持つ様
なパターンにし、電力チツプ１４を電力チツプの
支持部分１０の上にのせた時、これらの端子が板
金導線２８，３０，３２と夫々接する様にする。

この発明では、共晶結合方法によつて板金導線
２８，３０，３２を誘電体基板２６に取付けるこ
とが好ましい。これは、各々の板金導線２８，３
０，３２と誘電体基板２６の間に溶融した共晶合
金を形成する方法である。溶融した共晶合金が基
板２６をぬらし、こうして基板２６に対する強力
な結合部を保証する。適当な共晶結合方法の詳細
は公知であり、例えば米国特許第3766634号、及
び同第3994430号に記載されている。板金導線２
８，３０，３２を誘電体基板２６に取付ける為に
共晶結合方法を使う代りの方法は、誘電体基板２
６の上面を、この面に銅を蒸着する等により、は
んだ付け可能な金属（図に示してない）で金属化
し、その後このはんだ付け可能な金属層に板金導
線２８，３０，３２をはんだ付けすることであ
る。この別の方法は、種々の板金導線２８，３
０，３２を電気的に短絡しない様に、はんだ付け
可能な金属層のパターンを定めることを必要とす
る。この様にパターンを定めるのは、誘電体基板
２６の上面にはんだ付け可能な金属層を形成する
間、普通の写真製版マスク方法を用いて適当に行
なわれる。

この発明では誘電体基板２６の下側にはんだ付
け可能な金属層４０を設けることが好ましい。こ
の金属層は、基板２６に板金導線２８，３０，３
２が接着するのと同様に、基板２６に接着する銅
の様な板金で構成することが好ましい。はんだ付
け可能な層４０は、この代りに、基板２６の下面
に金属を蒸着すると云う様な手段によつて、この
面を金属化することによつて形成してもよい。然
し、電力チツプ１４が発生する熱量が少ない場合
には、はんだ付け可能な層４０を省略し、例えば
エポキシの熱伝導度を高くする為の金属粒子を含
むエポキシ接着剤に置き換えることが出来る。

電力チツプ・パツケージの部分１２は誘電体基
板４２、この基板４２の下面に取付けられた板金
導線４４、及び基板４２の上面に取付けられたは
んだ付け可能な金属層４６で構成される。これら
の部分４２，４４，４６は、電力チツプ・パツケ
ージの部分１０にある誘電体基板２６、板金導線
２８，３０，３２及びはんだ付け可能な金属層４
０に夫々対応して、前に述べたその判断基準に従
つて選ばれる。

電力チツプ・パツケージの部分１２の板金導線
４４は、電力チツプ・パツケージ１０，１２を組
立てた時、電力チツプ１４のコレクタ端子１６に
接する様になつている。導線４４は、コレクタ１
６が導線４４と向い合う電力チツプ１４の唯一の
端子であるから、例えば導線２８の場合の様に或
るパターンにする必要はない。

電力チツプ・パツケージ１０，１２内に電力チ
ツプ１４を取付ける時、電力チツプ１４の下側端
子１８，２０，２２にはんだの盛上げをし（即
ち、はんだの「隆起部」を設け）、単に、電力チ
ツプ１４を板金導線２８，３０，３２の上にの
せ、端子と導線の間にはんだの結合部を完成する
のに十分な温度まで、チツプ１４及びパツケージ
の部分１０を加熱することによつて、これらの端
子が夫々の板金導線２８，３０，３２にはんだ付
けされる様にすることが好ましい。コレクタ端子
１６ははんだを被覆することが好ましく、今述べ
たはんだ付け作業が完了する前、或いはその間或
いは好ましくはその後に、支持部分１２の導線４
４にはんだ付けすることが出来る。

第２図は、電力チツプ１４をその間に取付け
た、組立てた時の電力チツプ・パツケージ１０，
１２を第１図の線２―２で切つた断面を示す。電
力チツプ・パツケージ１０，１２の一方又は両方
のはんだ付け可能な金属層４０，４６を１枚又は
１対の熱拡散板（図に示してない）に夫々はんだ
付けすることが出来る。何れか一方の層４０又は
４６が熱拡散板にはんだ付けした時、希望に応じ
て、コレクタ１６側を上側又はコレクタ１６側を
下側にして電力チツプ１４を取付けることが出来
る。はんだ付け可能な金属層（１つ又は複数）が
熱拡散板に結合する為に必要ではない場合、この
一方又は両方の金属層は省略することが出来る。
例えば、パツケージ１０，１２が、前に述べた様
に、エポキシ接着剤等により、熱拡散板に結合さ
れる場合、両方の層４０，４６を省略することが
出来る。

この発明の別の実施例では、電力チツプ１４を
電力チツプ・パツケージの部分１０だけの上に取
付け、上側のコレクタ端子１６にはんだを付け
る。この後、試験の為に、上側の電力チツプ・パ
ツケージ部分１２を使う代りに、面積の広い電気
接点（図に示してない）を単純に電力チツプ１４
の上面の唯一の端子である電力チツプ１４のコレ
クタ端子１６に押付けて、コレクタ端子１６との
精密な整合を不要にする。この実施例では、高い
熱伝導度の点で選んだ誘電体基板２６が、チツプ
１４が電気試験を受ける間、電力チツプ１４から
容易に熱を運び去る。

再び電力チツプ・パツケージ部分１２を含む第
２図の実施例を考えると、図示の様に、電力チツ
プ１４は、前に述べた別の実施例の場合又は現在
利用し得る電力チツプ・パツケージの場合より
も、一層高い熱発生レベルで試験することが出来
る。これは、誘電体基板２６，４２の内、熱拡散
板に取付けられていない一方が、少なくとも過渡
的には、その熱容量の限界まで、電力チツプ１４
から熱を吸収するからである。

電力チツプ・パツケージ１０，１２は、現在利
用し得る電力チツプ・パツケージより、構成が著
しく簡単であり、従つてコストが一層安い。この
為、所望の特性を持たない電力チツプ並びにその
パツケージは廃棄されることが多いので、同じ様
な特性を持つ電力チツプを選択する経費が大幅に
減少する。板金導線２８，４４を十字形の向きに
すると、各々この発明の夫々の電力チツプ支持体
に取付けられた１対のバイポーラ・トランジスタ
電力チツプのエミツタとコレクタの間の相互接続
が出来、残りのエミツタ及びコレクタ導線は互い
に隔たつていて、外部回路（図に示してない）と
の接近が容易になるので有利である。更に板金導
線２８，４４は、漂遊インダクタンスが僅かしか
ないという利点があり、これによつて電力チツプ
１４が大電流を高速で切換える時、望ましくない
電圧が発生する惧れが小さくなる。

第３図にはこの発明の好ましい電力チツプ・パ
ツケージ３１０，３１２が電力チツプ３１４と共
に分解図で示されている。電力チツプ・パツケー
ジ３１０，３１２は第１図の電力チツプ・パツケ
ージ１０，１２と同様であるが、電力チツプ・パ
ツケージ３１０，３１２が誘電体基板３２６，３
４２の間で熱を伝達する熱伝達手段を持つている
点が異なる。この熱伝達手段は誘電体基板３２６
の突起３２６ａ，３２６ｂを含む。これらの突起
が誘電体基板３２６の本体から上向きに伸びてい
て、好ましくは夫々の突起３２６ａ，３２６ｂの
上面にはんだ付け可能な金属層３５０ａ，３５０
ｂが共晶結合方法により、又は蒸着した銅の様な
金属層（図に示してない）に対するはんだ付けに
よつて設けられている。はんだ付け可能な層３５
０ａ，３５０ｂは、電力チツプ・パツケージ３１
０，３１２を組立てた時、誘電体基板３４２の下
側にある板金導線３４４に接して、それにはんだ
付けされる様になつている。熱伝達手段が突起３
４２ａ，３４２ｂをも含むことが好ましい。これ
らの突起は誘電体基板３４２の本体から下向きに
伸びて、電力チツプ・パツケージ３１０，３１２
を組立てた時、誘電体基板３２６の隅の上面に
夫々好ましくは共晶結合部によつて取付けられた
はんだ付け可能な金属層３５２ａ，３５２ｂ，３
５２ｃ，３５２ｄと接する。突起３２６ａ，３２
６ｂ，３４２ａ，３４２ｂの熱伝導度が高ければ
高い程、電力チツプ・パツケージ３１０，３１２
の熱除去能力が高くなる。従つて、これらの突起
が、電力チツプ・パツケージ３１０，３１２を組
立てた時、チツプ３１４の周りの連続的なリング
を形成することが好ましい。更に、この各々の突
起が、突起３２６ｂの厚さＴで表わす様な大きな
厚さを持つことが望ましい。

誘電体基板３２６，３４２の間に上に述べた熱
伝達手段を設けたことの利点は、完全に組立てた
電力チツプ・パツケージ３１０，３１２と電力チ
ツプ３１４を第３図の線４―４で切つた断面図を
示す第４図を見れば、更によく理解されよう。一
方の誘電体基板３２６，３４２からの熱が熱伝達
手段３２６ａ，３２６ｂ，３４２ａ，３４２ｂを
介して他の基板に流れることが出来るので、電力
チツプ３１４に於ける意味のある全ての熱発生レ
ベルに対し、電力チツプ・パツケージ３１０，３
１２の熱除去容量は現在利用し得る電力チツプ・
パツケージより著しく高くなる。電力チツプ・パ
ツケージ３１０，３１２はかなり容易に気密封じ
することが出来る。例えば、電力チツプ・パツケ
ージの部分３１０，３１２の内、互いに結合すべ
き部分の上に、SILICA―SEAL（登録商標）1161
の封じ硝子ペーストの様な熱で変形し得る接着性
誘電体層を設けるのが有利である。この様な変形
し得る接着剤の層は、はんだ付けの温度で硬化出
来る様にするのが有利であり、こうして電力チツ
プ３１４が所定位置にはんだ付けされる間に、基
板３２６，３４２を気密に結合する。その代り
に、エポキシ、ポリイミド又はシリコーンの様な
重合体封じ剤を使つて誘電体基板を互いに結合す
ることが出来る。

第５図には、電力チツプ・パツケージ５１０，
５１２と電力チツプ５１４の分解図が示されてい
る。電力チツプ・パツケージ５１０，５１２は、
第３図の電力チツプ・パツケージ３１０，３１２
の熱伝達手段とは構成の異なる熱伝達手段を含ん
でいる。即ち、電力チツプ・パツケージ５１０，
５１２の熱伝達手段は、誘電体基板５２６に設け
られた板金層５２８ａ，５２８ｂと、誘電体基板
５４２に設けられた相補形の層５２８a′，５２８
b′とで構成される。層５２８ａ，５２８a′は、銅
の様な金属の次々と折畳んだ層によつて形成する
のが適当である。これらの層が共晶合金組成物等
を用いて、基板５２６，５４２に取付けられる。
層５２８ａ，５２８a′は、電力チツプ支持体５１
０，５１２を組立てる際、はんだ付けすることが
好ましい。層５２８ｂ，５２８b′は層５２８ａ，
５２８a′と構成並びに形が対称的であるのが適当
である。

第６図は電力チツプ・パツケージ５１０，５１
２と電力チツプ５１４を組立てた状態で第５図の
線６―６で切つた断面を示すが、この図に一番よ
く示されている様に、対の板金層５２８ａ，５２
８a′、及び５２８ｂ，５２８b′はきつく締付けら
れていて、各対が誘電体基板５２６の上面と誘電
体基板５４２の下面の間を伸び、これらの基板の
間に熱伝導度の高い通路を作る。板金導線５２
８，５３０，５３２，５４４の形及び向きが違う
ことを別とすれば、電力チツプ・パツケージ５１
０，５１２は第１図の電力チツプ・パツケージ１
０，１２と本質的に同じである。

要約すれば、この発明の電力チツプ・パツケー
ジは、現在利用し得る電力チツプ・パツケージよ
りも構成がずつと簡単で、コストがずつと安い。
従つて、同じ様な特性を持つ電力チツプを選ぶの
が一層容易になる。１対の誘電体基板を持つてい
て、その間に電力チツプを取付けたこの発明の実
施例の電力チツプ・パツケージは、現在利用し得
る電力チツプ・パツケージより熱除去能力が一層
大きい。熱伝達手段が、その間に電力チツプを取
付けた１対の誘電体基板の間の熱伝導度の高い通
路（１つ又は複数）を作る様なこの発明の好まし
い実施例では、電力チツプの問題となる全ての熱
発生レベルに於ける熱除去容量が、現在利用し得
る電力チツプ・パツケージよりかなり高い。

この発明を特定の実施例について説明したが、
当業者にはいろいろな変更が考えられよう。従つ
て、特許請求の範囲は、この発明の範囲内で可能
な全ての変更を包括するものと承知されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の電力チツプ・パツケージ及
び電力チツプの分解図、第２図は第１図の電力チ
ツプ・パツケージを組立てた時の、第１図の線２
―２で切つた断面図、第３図は第１図と同様な図
であるが、この発明の別の実施例の電力チツプ・
パツケージを示す。第４図は第３図の電力チツ
プ・パツケージを組立てた時の、第３図の線４―
４で切つた断面図、第５図は第１図と同様な図で
あるが、この発明の別の実施例の電力チツプ・パ
ツケージを示す。第６図は第５図の電力チツプ・
パツケージを組立てた時の、第５図の線６―６で
切つた断面図である。 主な符号の説明、１４：電力チツプ、１６，１
８，２０，２２：端子、２６，４２：誘電体基
板、２８，３０，３２，４４：板金導線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ その片側に第１の端子を持つと共にその反対
   側に第２の端子を持つ電力チツプと、 第１の誘電体基板と、 該第１の誘電体基板の片側に取付けられてい
   て、前記第１の端子と鏡像関係のパターンを持ち
   且つ該第１の端子に取付けられている第１の板金
   導線と、 第２の誘電体基板と、 該第２の誘電体基板の片側に取付けられてい
   て、前記第２の端子と鏡像関係のパターンを持ち
   且つ該第２の端子に取付けられている第２の板金
   導線と、 前記第１及び第２の誘電体基板と熱の流れの連
   通関係を持つていて、前記第１及び第２の誘電体
   基板の間で熱を伝達する熱伝達手段とを有し、該
   熱伝達手段が前記第１及び第２の誘電体基板の間
   に介在配置された板金の複数個の圧縮した折畳み
   で構成されている電力チツプ・パツケージ。 ２ 特許請求の範囲１に記載した電力チツプ・パ
   ツケージに於て、前記第１及び第２の誘電体基板
   が何れもアルミナ及び酸化ベリリウムから成る群
   から選ばれている電力チツプ・パツケージ。 ３ 特許請求の範囲１に記載した電力チツプ・パ
   ツケージに於て、前記第１及び第２の誘電体基板
   が何れも酸化ベリリウムで構成されている電力チ
   ツプ・パツケージ。 ４ 特許請求の範囲１に記載した電力チツプ・パ
   ツケージに於て、前記第１及び第２の板金導線が
   何れも銅で構成されている電力チツプ・パツケー
   ジ。 ５ 特許請求の範囲１に記載した電力チツプ・パ
   ツケージに於て、 前記第１の板金導線及び前記第１の誘電体基板
   の間にあつて両者を一体に結合する第１の共晶組
   成物と、 前記第２の板金導線及び前記第２の基板の間に
   あつて両者を一体に結合する第２の共晶組成物と
   を有する電力チツプ・パツケージ。 ６ 特許請求の範囲１に記載した電力チツプ・パ
   ツケージに於て、前記第１の誘電体基板の別の側
   面にはんだ付け可能な金属層が取付けられている
   電力チツプ・パツケージ。 ７ 特許請求の範囲１に記載した電力チツプ・パ
   ツケージに於て、前記第２の誘電体基板の別の側
   面にはんだ付け可能な金属層が取付けられている
   電力チツプ・パツケージ。 ８ 特許請求の範囲１に記載した電力チツプ・パ
   ツケージに於て、電力チツプが第３の端子を持
   ち、該第３の端子は前記電力チツプの前記片側に
   形成されており、更に、前記第１の誘電体基板の
   前記片側に取付けられていて前記第３の端子と鏡
   像関係のパターンを持ち且つ該第３の端子に取付
   けられている第３の板金導線を有する電力チツ
   プ・パツケージ。 ９ 特許請求の範囲８に記載した電力チツプ・パ
   ツケージに於て、 前記第１及び第２の誘電体基板が何れもアルミ
   ナ及び酸化ベリリウムから成る群から選ばれてお
   り、 前記第１、第２及び第３の板金導線が何れも銅
   で構成されている電力チツプ・パツケージ。 １０ 特許請求の範囲９に記載した電力チツプ・
   パツケージに於て、 前記第１の板金導線及び前記第１の誘電体基板
   の間にあつて両者を一体に結合する第１の共晶組
   成物と、 前記第２の板金導線及び前記第２の誘電体基板
   の間にあつて両者を一体に結合する第２の共晶組
   成物と、 前記第３の板金導線及び前記第１の誘電体基板
   の間にあつて両者を一体に結合する第３の共晶組
   成物とを有する電力チツプ・パツケージ。 １１ 特許請求の範囲１に記載した電力チツプ・
   パツケージに於て、前記第１及び第２の誘電体基
   板の間に介在配置された、板金導線の複数個の圧
   縮した折畳みが電力チツプ・パツケージの導線で
   構成されている電力チツプ・パツケージ。 １２ 第１の誘電体基板と、 該第１の誘電体基板の片側に取付けられていて
   電力チツプの片側にある端子パターンと鏡像関係
   のパターンを持つ複数個の板金導線と、 第２の誘電体基板と、 該第２の誘電体基板の片側に取付けられていて
   電力チツプの別の側に設けられた端子と鏡像関係
   のパターンを持つ別の板金導線と、 前記第１及び第２の誘電体基板の間で熱を伝達
   する熱伝達手段とを有し、該熱伝達手段が前記第
   １及び第２の誘電体基板の間に介在配置された板
   金の複数個の圧縮した折畳みで構成されている電
   力チツプ・パツケージ。 １３ 特許請求の範囲１２に記載した電力チツ
   プ・パツケージに於て、前記複数個の板金導線の
   各々と前記第１の誘電体基板の間に夫々あつて両
   者を一体に結合する複数個の共晶組成物と、前記
   別の板金導線と第２の誘電体基板の間にあつて両
   者を一体に結合する別の共晶組成物とを有する電
   力チツプ・パツケージ。 １４ 特許請求の範囲１３に記載した電力チツ
   プ・パツケージに於て、前記第１及び第２の誘電
   体基板が何れもアルミナ及び酸化ベリリウムから
   成る群から選ばれている電力チツプ・パツケー
   ジ。 １５ 特許請求の範囲１２に記載した電力チツ
   プ・パツケージに於て、前記第１及び第２の誘電
   体基板の間に介在配置された、板金導線の複数個
   の圧縮した折畳みが電力チツプ・パツケージの導
   線で構成されている電力チツプ・パツケージ。