FR2673765A1 - Boitier de circuit integre a connexion de puissance. - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne les boîtiers d'encapsulation de circuits intégrés nécessitant des connexions dites "de puissance". Le boîtier de l'invention est du type formé à l'aide de feuilles (7, 8, 9) de céramique cocuites, à l'interface desquelles passent des pistes conductrices imprimées (P1 à Pn). Suivant une caractéristique de l'invention, au moins un conducteur massif (CM1 à CM5) rapporté est solidarisé à une piste conductrice (PF1 à PF5) afin de réaliser une liaison dite "de puissance". L'invention s'applique de façon avantageuse aux boîtiers pour circuits intégrés associant des circuits de puissance à des circuits analogiques ou logiques à faible consommation en énergie.
Description
BOITIER DE CIRCUIT INTEGRE A
CONNEXION DE PUISSANCE
L'invention concerne les boîtiers d'encapsulation de circuits intégrés, et plus particulièrement les boîtiers pour circuits intégrés exigeant des connexions de puissance.
CONNEXION DE PUISSANCE
L'invention concerne les boîtiers d'encapsulation de circuits intégrés, et plus particulièrement les boîtiers pour circuits intégrés exigeant des connexions de puissance.
L'encapsulation des circuits intégrés est une opération relativement couteuse, et le choix de la technique d'encapsulation est lié à l'application envisagée.
Pour les applications les plus courantes, on utilise des boîtiers en matière plastique moulée, mais cette technique présente certaines faiblesses, notamment: risque de pénétration d'humidité, par infiltration aux interfaces entre la matière plastique et les broches métalliques de connexion extérieures au boîtier ; gamme de température de fonctionnement correct limitée, la conductivité thermique de la matière plastique étant relativement mauvaise.
Pour des applications plus délicates, on encapsule les circuits intégrés dans des boîtiers de céramique. Cette technique consiste à réaliser, par sérigraphie notamment, des pistes conductrices formant des conducteurs intérieurs (par exemple en tungstène), sur des feuilles de céramique crue dont une au moins comporte une ouverture centrale destinée à constituer une cavité de réception d'une puce de circuit intégré ; puis à cuire ensemble les feuilles de céramique pour constituer un substrat de céramique, à souder à l'extérieur du boîtier des pattes de sortie ou broches de connexion venant en contact avec des extrémités affleurantes des pistes conductrices sérigraphiées ; puis a coller ou souder la puce et à la relier aux conducteurs sérigraphiés qui l'entourent (par des fils aériens), puis à fermer la cavité de réception par un capot scellé hermétiquement.
Ce type de boîtier permet de réduire fortement les infiltrations d'humidité. Il présente une herméticité insensible aux contraintes mécaniques et aux chocs thermiques grâce aux feuilles de céramiques cocuites, et grâce à la soudure très étanche du capot (en général une soudure de métal sur céramique). Enfin, la dissipation thermique est améliorée car la conduction thermique de la céramique est bien meilleure que celle de la matière plastique.
Cependant, du fait de la forte résistivité des pistes ou conducteurs sérigraphiés, cette technique ne convient pas dans le cas des puces de circuit intégré qui exigent une ou plusieurs connexions dites "de puissance": : par exemple les connexions d'alimentation en énergie ou les connexions de sortie de commande, dans les circuits intégrés remplissant des fonctions telles que par exemple, régulation, commande de moteur, et d'une manière générale tout circuit intégré associant un ou des circuits de puissance à des circuits logiques ou analogiques .
Aussi, pour l'alimentation de telles puces de circuits intégrés, on utilise de façon générale des boîtiers dits boîtiers de puissance du type verre-métal, du modèle notamment
T0220, ou T0254, ou encore à plus grand nombre d'entrées/sorties.
T0220, ou T0254, ou encore à plus grand nombre d'entrées/sorties.
Les boîtiers de ce type sont métalliques de telle sorte qu'ils assurent une bonne dissipation de la chaleur. Les entrées/sorties sortent du boîtier par des conducteurs à fortes sections, à l'aide de traversées isolantes du type perle de verre. Ceci permet de transporter sans problèmes des courants importants
En contrepartie, ces boîtiers type verre-métal présentent les inconvénients suivants
- Dégradation de l'hermicité procurée par les perles de verre.Ces pertes d'hermicité sont imputables notamment à des déformations et des contraintes mécaniques, ainsi qu'à des chocs thermiques ; il faut rappeler entre autre que le verre est déjà contraint, et qu'en soudant des fils de fort diamètre sur les broches de connexion extérieures par des méthodes ultrasoniques (très courantes), on engendre des vibrations qui provoquent des fissures localisées
- Difficultés à reconfigurer les broches de connexion extérieures (souvent en Fer Nickel ou Fer-Nickel-Cuivre) pour réaliser des montages dits "montage à plat"
- Dans ces boîtiers type verre-métal, la cavité de réception est mal adaptée à loger des puces de silicium de faible surface ayant des contacts entrée/sortie périmé triques.
En contrepartie, ces boîtiers type verre-métal présentent les inconvénients suivants
- Dégradation de l'hermicité procurée par les perles de verre.Ces pertes d'hermicité sont imputables notamment à des déformations et des contraintes mécaniques, ainsi qu'à des chocs thermiques ; il faut rappeler entre autre que le verre est déjà contraint, et qu'en soudant des fils de fort diamètre sur les broches de connexion extérieures par des méthodes ultrasoniques (très courantes), on engendre des vibrations qui provoquent des fissures localisées
- Difficultés à reconfigurer les broches de connexion extérieures (souvent en Fer Nickel ou Fer-Nickel-Cuivre) pour réaliser des montages dits "montage à plat"
- Dans ces boîtiers type verre-métal, la cavité de réception est mal adaptée à loger des puces de silicium de faible surface ayant des contacts entrée/sortie périmé triques.
La présente invention propose un boîtier d'encapsulation, pour une ou plusieurs puces de circuits intégrés exigeant une ou plusieurs liaisons électriques dites "de puissance" jusqu'aux broches de connexion. Le boîtier conforme à l'invention est particulièrement indiqué dans le cas où des connexions électriques dites "de puissance" doivent voisiner avec des connexions de puissance relativement faible, avec avecdes connexions dites "de signal".
Ceci est obtenu de manière simple, en réalisant dans un boîtier du type comportant des feuilles céramiques, des pistes conductrices sur les feuilles de céramique crue, par sérigraphie notamment. Certaines de ces pistes conductrices sont destinées à constituer des liaisons électriques de faible puissance dites "de signal", entre la puce et les broches de connexion, et les autres pistes sérigraphiées peuvent servir à fixer des conducteurs rapportés, conducteurs qui sont appelés "conducteurs massifs": ces conducteurs massifs ont une section plus forte que les conducteurs sérigraphiés et présentent une résistivité beaucoup plus faible que ces derniers.
Suivant l'invention, un boîtier d'encapsulation du type boîtier de céramique, comportant au moins deux feuilles de céramique, une cavité intérieure de réception d'au moins une puce de circuit intégré, des broches de connexion extérieures reliées à des contacts de connexion de la puce par des conducteurs intérieurs, chaque conducteur intérieur comportant au moins une piste conductrice imprimée sur une face de l'une des feuilles de céramique, est caractérisé en ce qu au moins un conducteur intérieur comporte en outre un conducteur massif rapporté mécaniquement solidarisé à la piste conductrice correspondante, afin de réaliser au moins un conducteur intérieur dit "de puissance".
Cet arrangement permet de réaliser une ou des connexions dites t'de puissance" avec des boîtiers du type boîtier de céramique, tout en conservant pour les connexions dites "de signal" les avantages que procure la sérigraphie des conducteurs, à savoir notamment
- facilite et souplesse de réalisation;
- parfaite herméticité;
- faible distance exigée entre deux conducteurs voisins d'où résulte un faible pas des broches de connexions extérieures correspondantes, etc
Le ou les conducteurs intérieurs pour connexions dites "de puissance peuvent sortir du boîtier dans sensiblement un même plan, c' est-à-dire à un même niveau que les conducteurs intérieurs pour connexions dites "de signal" ; dans ce cas le boîtier peut comporter seulement deux couches céramiques cocuites, à l'interface desquelles passent les différents conducteurs. Mais ces conducteurs "de puissance" et "de signal" peuvent aussi sortir à des niveaux différents : le boîtier peut comporter dans ce cas trois couches (ou plus) céramiques cocuites formant deux interfaces, une interface étant réservée aux conducteurs dits "de signal", et l'autre interface étant réservé aux conducteurs dits "de puissance". Les sorties de boîtier réalisées suivant des niveaux différents pour ces deux types de conducteur, peuvent faciliter la répartition de ces conducteurs autour de la puce, et permettre notamment de réduire la longueur de la ou des connexions aériennes (par fils) qui doivent être réalisées avec les contacts de connexion de la puce.
- facilite et souplesse de réalisation;
- parfaite herméticité;
- faible distance exigée entre deux conducteurs voisins d'où résulte un faible pas des broches de connexions extérieures correspondantes, etc
Le ou les conducteurs intérieurs pour connexions dites "de puissance peuvent sortir du boîtier dans sensiblement un même plan, c' est-à-dire à un même niveau que les conducteurs intérieurs pour connexions dites "de signal" ; dans ce cas le boîtier peut comporter seulement deux couches céramiques cocuites, à l'interface desquelles passent les différents conducteurs. Mais ces conducteurs "de puissance" et "de signal" peuvent aussi sortir à des niveaux différents : le boîtier peut comporter dans ce cas trois couches (ou plus) céramiques cocuites formant deux interfaces, une interface étant réservée aux conducteurs dits "de signal", et l'autre interface étant réservé aux conducteurs dits "de puissance". Les sorties de boîtier réalisées suivant des niveaux différents pour ces deux types de conducteur, peuvent faciliter la répartition de ces conducteurs autour de la puce, et permettre notamment de réduire la longueur de la ou des connexions aériennes (par fils) qui doivent être réalisées avec les contacts de connexion de la puce.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels
- la figure 1 représente schématiquement un boîtier conforme à l'invention, par une vue de dessus
- la figure 2 est une vue en perspective de deux feuilles de céramique montrées à la figure 1
- la figure 3 est une vue en coupe du boîtier montré à la figure 1 ;
La figure 1 est une vue de dessus d'un boîtier 1 d'encapsulation conforme à l'invention.
- la figure 1 représente schématiquement un boîtier conforme à l'invention, par une vue de dessus
- la figure 2 est une vue en perspective de deux feuilles de céramique montrées à la figure 1
- la figure 3 est une vue en coupe du boîtier montré à la figure 1 ;
La figure 1 est une vue de dessus d'un boîtier 1 d'encapsulation conforme à l'invention.
Dans l'exemple non limitatif décrit, le boîtier 1 comporte un empilement de trois couches isolantes 9, 8, 7 en céramique sur une plaque d'embase 2. La plaque d'embase 2 est située dans le plan le plus profond et elle n'apparaît que par ses côtés qui, dans exemple, sont munis de trous oblong 3 de fixation. La plaque d'embase 2 porte dans sa partie centrale une puce 5 de circuit intégré qui se trouve ainsi logée dans une cavité centrale 6 formée dans le boîtier 1. La plaque d'embase peut être constituée par exemple en un alliage de cuivre et tungstène, particulièrement si la puce 5 est destinée à dissiper une énergie importante ; mais cette embase peut aussi être constituée en tout autres matériaux, et notamment en alumine et nitrure d'aluminium qui sont bons conducteurs thermiques et isolants électriques.
La plaque d'embase 2 porte la première couche isolante 7, formée d'une feuille en alumine ; cette première feuille 7 est munie d'une ouverture centrale en vue de constituer la cavité centrale 6. La première feuille 7 est partiellement masquée par les seconde et troisième couches isolantes 8, 9 et elle n'apparaît sur la figure l que par une partie centrale qui entoure la puce 5. La première feuille 7 porte des pistes électriquement conductrices Pi à Pn réalisées par exemple par sérigraphie ou par photogravure ; ces pistes conductrices apparaissent à leur extrémité situées vers la puce 5, c'est-à-dire sur la partie visible de la première feuille 7.
La première feuille céramique 7 est couverte par la seconde couche isolante 8, en alumine, qui elle aussi comporte une ouverture centrale destinée à réaliser la cavité centrale 6.
La seconde feuille 8 entoure aussi la puce 5, mais en étant en retrait par rapport à la première feuille 7, de manière à libérer l'accès aux extrémités de pistes conductrices Pi à Pn.
Ces pistes conductrices sont destinées à être raccordées à des contacts de connexion 19 de la puce 5, contacts qui correspondent à des connexions dites "de signal". Les pistes conductrices Pi à Pn constituent des conducteurs intérieurs qui aboutissent à l'extérieur du boîtier l, en passant entre les deux feuilles céramiques 7, 8 d'une façon (non représentée) en elle-même classique. En effet, comme expliqué déjà dans le préambule, les deux feuilles 7, 8 étant en alumine crue au moment où elles sont superposées, elles sont ensuite cuites ensemble (à une température de l'ordre de 16000 C, avec éventuellement la plaque d'embase 2, si cette dernière est également formée en alumine), ce qui assure une parfaite étanchéité.A l'extérieur du boîtier, on soude ensuite de façon traditionnelle des broches de connexion extérieures Bl à Bn sur des extrémités affleurantes (non visibles sur la figure l) des pistes conductrices Pi à Pn.
Suivant une caractéristique de l'invention, le boîtier 1 comporte en outre au moins un conducteur intérieur formé à l'aide d'une piste conductrice à laquelle est solidarisé un conducteur massif rapporté, en vue de réaliser une connexion dite "de puissance
Dans l'exemple non limitatif montré à la figure 1, cinq telles connexions de puissance sont réalisées à l'aide de cinq conducteurs massifs CM1 à CM5, mais le nombre de ces connexions de puissance peut être différent, plus faible ou plus grand.
Dans l'exemple non limitatif montré à la figure 1, cinq telles connexions de puissance sont réalisées à l'aide de cinq conducteurs massifs CM1 à CM5, mais le nombre de ces connexions de puissance peut être différent, plus faible ou plus grand.
Dans l'exemple non limitatif décrit, la troisième couche isolante 9 constituée par une feuille d'alumine, est appliquée contre la seconde feuille 8, et les conducteurs massifs CM1 à CM5 sont disposés entre ces deux feuilles isolantes 8, 9. A cet effet, des rainures sont réalisées dans l'une ou l'autre des deux feuilles 8, 9 ou partiellement dans les deux pour permettre le passage des conducteurs massifs.
La figure 2 illustre un exemple de réalisation des rainures par une vue en perspective, d'une part de la seconde feuille 8 d'alumine vue de dessus, c'est-à-dire par sa face 10 orientée vers la troisième feuille 9 et à l'opposé de la plaque d'embase 2, et d'autre part de la troisième feuille d'alumine 9 vue de dessous, c'est-à-dire par sa face 11 orientée vers la seconde feuille 8.
Dans exemple représenté, des rainures Ri à R5 sont réalisées dans la face 11 de la troisième feuille 9, entre un côté extérieur 12 et une ouverture centrale 14 de cette dernière. Chacune de ces rainures est prévue pour le passage d'un conducteur massif CM1 à CM5 (non représentés sur la figure 2). Les rainures Ri à R5 sont réalisées dans la troisième feuille 9 avant la cuisson de cette dernière, et le positionnement des conducteurs massifs est accompli après cette cuisson.
La fixation des conducteurs massifs CM1 à CM5 dans les rainures RI à R5 est opérée (après cuisson des feuilles 7, 8, 9), en les brasant à des pistes conductrices PF1 à PF5 imprimées, par sérigraphie par exemple, sur la face 10 de la seconde feuille 8, en regard des rainures Ri à R9. Ces pistes conductrices PFI à PF5 constituent ainsi des pistes de fixation qui peuvent être réalisées d'une même manière que les pistes conductrices pi à Pn destinées aux connexions dites "de signal".
Mais bien entendu, il n'est pas nécessaire que ces pistes de fixation parcourent toute la distance entre le bord extérieur 42 et le bord de l'ouverture centrale 13 de la seconde feuille 8, du fait que les liaisons électriques dites "de puissance" sont réalisées par les conducteurs massifs CMI à CM5 et non par ces pistes. Il est à noter également que ltouverture centrale 14, réalisée dans la troisième feuille 9 est plus grande que l'ouverture 13 de la seconde feuille 8, ce qui permet d'accéder aux extrémités des conducteurs massifs CMI à CM5.
En référence à nouveau à la figure I qui montre les couches ou feuilles 7, 8, 9 superposées, avec des conducteurs massifs CM1 à CM5 disposés entre la seconde et la troisième feuille 8, 9, on peut voir que dans l'exemple représenté, ces conducteurs massifs comportent trois parties
i) les premières parties situées à l'extérieur du boîtier I constituent des broches de connexion BP1 à BP5 de puissance;
2) les secondes parties sont représentées en traits pointillés et constituent des zones de fixation 15 ; elles sont maintenues dans les rainures (non montrées sur la figure 1) entre les deux feuilles 8, 9, par brasure avec les pistes de fixation PEI à PF5 ;
3) enfin les troisièmes parties sont les extrémités 16 de ces conducteurs massifs, extrémités qui arrivent à proximité des contacts de connexion 20 de la puce 5 ; ces contacts de connexion 20 correspondent à des contacts de puissance, par exemple pour l'alimentation en énergie de la puce 5, ou la sortie de signaux de puissance.
i) les premières parties situées à l'extérieur du boîtier I constituent des broches de connexion BP1 à BP5 de puissance;
2) les secondes parties sont représentées en traits pointillés et constituent des zones de fixation 15 ; elles sont maintenues dans les rainures (non montrées sur la figure 1) entre les deux feuilles 8, 9, par brasure avec les pistes de fixation PEI à PF5 ;
3) enfin les troisièmes parties sont les extrémités 16 de ces conducteurs massifs, extrémités qui arrivent à proximité des contacts de connexion 20 de la puce 5 ; ces contacts de connexion 20 correspondent à des contacts de puissance, par exemple pour l'alimentation en énergie de la puce 5, ou la sortie de signaux de puissance.
Les liaisons électriques entre les différents contacts 19, 20 de la puce 5 et les extrémités des conducteurs massifs et des pistes conductrices CMI à CM5 et PI à Pn sont réalisées par des fils de connexion 21, 22 soudés, qui si nécessaire peuvent avoir une plus forte section pour les contacts 20 dits "de puissance" .
Ces contacts 20 dits "de puissance" de la puce 5 sont ainsi ramenés à l'extérieur du boîtier I à l'aide des conducteurs massifs CMI à CM5, qui sont chacun formés d'une seule pièce avec les broches de connexion BPi à BP5 pour contacts de puissance ; ceci constitue une caractéristique avantageuse à la fois pour la robustesse et la simplicité de montage.
Dans l'exemple montré à la figure I, les broches de connexion B1 à Bn et BPI à BP5 sortent toutes d'un même côté du boîtier I, mais rien n'empêche si besoin est de réaliser ces sorties sur plusieurs côtés du boîtier ; par exemple en vue de faciliter la répartition des conducteurs intérieurs, notamment si la puce 5 comporte plus de sorties que celles montrées à la figure ; ou encore si plusieurs puces, dont de préférence des puces (non représentées) dissipant peu, sont montées dans le boîtier. Dans ce dernier cas, la puce qui comporte des contacts de puissance est de préférence placée en position centrale comme la puce 5, pour faciliter la répartition des différents conducteurs.
Dans l'exemple non limitatif montré à la figure I, les conducteurs intérieurs PI à Pn pour connexion "de signal" et les conducteurs massifs CMI à CM5 pour connexion "de puissance" sont disposés dans des plans différents, de telle sorte que ces conducteurs sortent du boîtier I à des niveaux différents. Mais il est possible de disposer ces différents conducteurs sur un même niveau.
Les broches de connexion extérieures BI à Bn pour connexion "de signal" sont montées de façon classique. Elles sont constituées par des pièces métalliques individuelles ou bien comme dans l'exemple montré, par des pièces dont les extrémités opposées au boîtier I sont reliées entre elles par une languette 25, et constituent ainsi une grille de connexion.
De telles grilles de connexion sont faites classiquement par estampage d'une plaque métallique, et sont d'un usage courant.
Quand la grille de connexion est en place, les pièces métalliques ou broches de connexion B1 à Bn qui la constituent sont brasées à l'extérieur du boîtier 1, à des extrémités affleurantes (non représentées à la figure i) des pistes conductrices Pi à Pn. La languette 25 peut ensuite être otée pour séparer les broches qui peuvent ensuite rester droites ou être pliées, suivant le mode de montage envisagé du boîtier I de circuit intégré.
Les broches de connexion extérieures BPI à BP5, pour connexions dites "de puissance", sont chacune constituées d'une même pièce avec le conducteur massif CM1 à CM5, et ces derniers sont engagés entre les couches céramiques 8, 9, c'est-à-dire dans les rainures après cuisson de ces couches ou feuilles 8, 9.
L'étanchéité du boîtier, au niveau de chacune de ces broches BPI à BP5, est obtenue en brasant une pièce d'obturation 30 à l'extérieur du boîtier 1, en vis à vis de chaque rainure pour former ces dernières. Dans l'exemple non limitatif décrit, ces pièces d'obturation 30 ont une forme sensiblement carrée ou rectangulaire dans laquelle est réalisée une ouverture pour le passage du conducteur massif CMI à CM5.
Les pièces de connexion massives BC1 à BC5 que constituent les conducteurs massifs prolongés par la broche de connexion, peuvent être enfilées dans l'ouverture de la pièce d'obturation 30, puis poussées dans la rainure pour amener l'extrémité 16 à souder du conducteur massif CMI à CM5 à l'emplacement désiré à proximité de la puce 5. A cet effet, dans l'exemple représenté, un épaulement 31 faisant office de butée est réalisé à la jonction de la partie constituant la broche de connexion extérieure BPI à BP5 avec la partie formant conducteur massif
CM1 à CM5. Ces butées sont réalisées, dans l'exemple non limitatif décrit, en conférant une section plus faible (largeur par exemple) aux conducteurs massifs CMI à CM5 qu'aux broches de connexion. Dans cette configuration, toutes ces pièces de connexion massives étant poussées au maximum, les broches de connexion BPI à BP5 sont en appui sur les pièces d'obturation 30 qui elles-mêmes sont plaquées contre les côtés des deux couches céramique 8, 9 ; le plan des pièces d'obturation 30 étant sensiblement perpendiculaire aux conducteurs massifs.
CM1 à CM5. Ces butées sont réalisées, dans l'exemple non limitatif décrit, en conférant une section plus faible (largeur par exemple) aux conducteurs massifs CMI à CM5 qu'aux broches de connexion. Dans cette configuration, toutes ces pièces de connexion massives étant poussées au maximum, les broches de connexion BPI à BP5 sont en appui sur les pièces d'obturation 30 qui elles-mêmes sont plaquées contre les côtés des deux couches céramique 8, 9 ; le plan des pièces d'obturation 30 étant sensiblement perpendiculaire aux conducteurs massifs.
Ensuite, les pièces d'obturation 30 sont brasées à la fois avec la céramique des couches 8, 9 et avec les broches de connexion BP1 à BP5, de façon à fermer les rainures RI à R5 de manière étanche, pendant que simultanément les conducteurs massifs CM1 à CM5 sont solidarisés mécaniquement par brasure aux pistes de fixation PFi à PF5. Ces soudures ou brasures peuvent s'opérer d'une manière en elle-même classique, par exemple en utilisant un matériau d'apport ou brasure en un alliage argent-cuivre, dans un four sous atmosphère réductrice.
Une quantité d'un tel matériau d'apport peut être placée dans chaque rainure RI à R5 à proximité ou sur la piste de fixation PFI à PF3 correspondante, avant l'introduction des conducteurs massifs CMI à CM5 dans ces rainures.
Les pièces de connexion massives BP1 à BP5 qui constituent les broches de connexions extérieures prolongées par les conducteurs massifs CM1 à CM5, peuvent être des pièces individuelles ou bien être assemblées pour constituer une grille de connexion comme représentée à la figure 1, afin de faciliter leur montage. Après séparation des broches de connexion, celles-ci peuvent être éventuellement pliées en fonction de la configuration du montage envisagé.
Dans le boîtier I, les conducteurs massifs CM1 à CM5 sont plus encombrants que les conducteurs intérieurs formés de pistes conductrices imprimées, par sérigraphie par exemple, et il peut être nécessaire de disposer les broches de connexion extérieures de "puissance" BPI à BP5 avec un pas pi plus grand que le pas p2 des broches de connexion dites "de signal" B1 à Bn.Pour augmenter la distance entre ces deux types de broches de connexion quand ils sont à des niveaux différents, ces broches de connexion peuvent éventuellement être disposées en alternance ; dans ce cas comme représenté à la figure I, une broche de connexion B1 à Bn "de signal" apparaît entre deux broches BPI à BP5 de puissance, c'est-à-dire localement avec un même pas pi.
La figure 3 est une vue en coupe du boîtier I parallèlement à un axe X montré à la figure I (pour plus de clarté de la figure l'échelle des dimensions n'est pas respectée).
La plaque d'embase 2 porte l'empilement constitué par les première, seconde et troisième couches ou feuilles 7, 8, 9 qui, au départ, sont des feuilles d'alumine crue, découpées à la forme et aux dimensions désirées, sur lesquelles sont imprimées des pistes conductrices par exemple en tungstène, par sérigraphie
- La première feuille 7 porte (sur sa face opposée à l'embase 2) les pistes conductrices Pi à Pn (représentées par la piste P2) qui réalisent les conducteurs intérieurs pour connexion "de signal"
- La seconde feuille 8 recouvre la première feuille 7 à l'exception d'une partie centrale de cette dernière, afin de laisser libre l'accès aux extrémités des pistes Pi à Pn.
- La première feuille 7 porte (sur sa face opposée à l'embase 2) les pistes conductrices Pi à Pn (représentées par la piste P2) qui réalisent les conducteurs intérieurs pour connexion "de signal"
- La seconde feuille 8 recouvre la première feuille 7 à l'exception d'une partie centrale de cette dernière, afin de laisser libre l'accès aux extrémités des pistes Pi à Pn.
En fait, la seconde feuille 8 comporte une ouverture centrale plus grande que l'ouverture centrale de la première feuille 7; ceci a pour effet de réaliser une cavité centrale 6 qui, en partant de l'embase 2, s'élargit suivant des gradins qui correspondent aux différentes feuilles ou couches céramiques sueperposées. La seconde feuille 8 porte sur sa face 10 opposée à l'embase 2, des pistes conductrice formant les pistes de fixation PF1 à PE5 (représentées sur la figure par la piste PF3)
- La troisième feuille 9 couvre la seconde feuille 8 à l'exception d'une partie centrale de cette dernière. Sur sa face orientée vers la plaque d'embase 2, la troisième feuille 9 comporte des rainures R3 pour le passage des conducteurs massifs.Sur sa face opposée à l'embase 2, la troisième feuille 9 porte une couche conductrice 40, destinée à la fixation par soudure d'un capot 41 permettant de fermer hermétiquement le boîtier I.
- La troisième feuille 9 couvre la seconde feuille 8 à l'exception d'une partie centrale de cette dernière. Sur sa face orientée vers la plaque d'embase 2, la troisième feuille 9 comporte des rainures R3 pour le passage des conducteurs massifs.Sur sa face opposée à l'embase 2, la troisième feuille 9 porte une couche conductrice 40, destinée à la fixation par soudure d'un capot 41 permettant de fermer hermétiquement le boîtier I.
Les trois feuilles 7, 8, 9 d'alumine crue, telle que ci-dessus définies étant empilées, elles sont cuites ensemble à haute température (cocuisson). Il est à noter qu'une telle disposition est avantageuse sur le plan de l'industrialisation, notamment par le fait qu'elle permet d'imprimer à l'avance des pistes de fixation PF1 à PF5 sur une grande quantité de secondes feuilles 8 crues, sans se préoccuper du nombre exact des conducteurs massifs que doit comporter le boîtier auquel chaque seconde feuille 8 est destinée.Ceci du fait que les pistes effectivement utilisées sont uniquement celles qui sont disposées en face d'une rainure Ri à R5, alors que les autres pistes de fixation sont noyées entre les deux feuilles 8, 9 cocuites (si ces pistes de fixation sont réalisées de manière à s'étendre jusque entre ces deux feuilles) ; les rainures étant elles réalisées dans la troisième feuille 9. En outre ceci permet de réaliser les pistes de fixation PFI à PF5 sensiblement d'une même manière que les pistes conductrices Pi à Pn réalisées sur la première feuille 7. On note en outre qu'une telle disposition permet aisément de réaliser dans un même plan, c'est-à-dire sur une même feuille céramique, les conducteurs massifs et les pistes conductrices pour connexion dites "de signal" .
On peut ensuite procéder à la mise en place des conducteurs massifs (représentés par le troisième conducteur massif CM3), et à la mise en place des broches de connexion extérieures B1 à Bn (représentées par la cinquième broche B5).
Ces deux types d'éléments étant mis en place, ils peuvent être brasés éventuellement dans une même opération, c'est-à-dire d'une part, pour les connexions dites "de signal", brasage des broches de connexion B1 à Bn sur les extrémités affleurantes 50 des pistes conductrices PI à Pn ; d'autre part, pour les connexions dites "de puissance", brasage des broches de connexion BPI à BP5 sur les pièces d'obturation 30, ainsi que brasage des pièces d'obturation 30 sur les côtés des feuilles 8, 9, et ainsi que brasage des conducteurs massifs CMI à CM5 sur les pistes de fixation PF3. Ceci est accompli par exemple dans un four sous atmosphère réductrice.
La plaque d'embase est fixée par exemple par brasure effectuée en même temps que pour les conducteurs si elle est métallique, ou si elle est en une céramique d'un type différent des feuilles 7, 8, 9; si elle est d'un même type que ces feuilles 7, 8, 9 elle peut être cocuite avec ces dernières.
La puce 5 est ensuite fixée dans la cavité centrale 6, par exemple par collage ou par soudure, puis les contacts de connexion 19, 20 de la puce 5 sont raccordés aux pistes conductrices et aux conducteurs massifs par des fils respectivement 21 et 22.
Le boîtier 1 peut ensuite être fermé par le capot 41.
Le boîtier d'encapsulation de l'invention permet de relier un ou des contacts de connexion dits "de puissance" d'une puce de circuit intégré, à des broches de connexion extérieures par des conducteurs intérieurs présentant une faible résistivité, avec des qualités d'hermiticité très supérieures à celles d'un boîtier type verre-métal, et avec tous les avantages présentés par les pistes conductrices imprimées (sérigraphiées ou autres) et les boîtiers céramiques pour les connexions dites "de signal".
Claims (6)
1. Boîtier d'encapsulation du type boîtier de céramique, comportant au moins deux feuilles de céramique (7, 8, 9), une cavité intérieure (6) de réception d'au moins une puce (5) de circuit intégré, des broches de connexion extérieures (B1 à Bn) reliées à des contacts de connexion (19, 20) de la puce (5) par des conducteurs intérieurs (PI à Pn, 21, 22, CMI à CM5), chaque conducteur intérieur comportant au moins une piste conductrice (P1 à Pn, PF1 à PF5) imprimée sur une face de l'une des feuilles (7, 8, 9) de céramique, caractérisé en ce que au moins un conducteur intérieur comporte en outre un conducteur massif (CMI à CM5) rapporté solidarisé mécaniquement à la piste conductrice correspondante, afin de réaliser une liaison électrique dite "de puissance" présentant une résistivité plus faible que les liaisons électriques dites tde signal" réalisées par les autrès conducteurs intérieurs.
2. Boîtier d'encapsulation suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le conducteur massif (CM1 à CM5) est disposé dans une rainure (Ri à R5) réalisée sensiblement à l'interface entre deux feuilles (8, 9) de céramique.
3. Boîtier d'encapsulation suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le conducteur massif (CMI à CM3) est prolongé à l'extérieur du boîtier (I) pour constituer une broche de connexion extérieure (BP1 à BP5) formée d'une seule pièce avec le conducteur massif.
4. Boîtier d'encapsulation suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'à l'extérieur du boîtier (I), la rainure (RI à R5) contenant un conducteur massif (CMI à CM5) est fermée de manière étanche par une pièce d'obturation (30) plaquée contre le boîtier (i), et comportant une ouverture pour le passage du conducteur massif (CMI à CM5) .
5. Boîtier d'encapsulation suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte au moins trois feuilles (7, 8, 9) de céramique, les pistes conductrices (B1. à Bn) des liaisons électriques dites "de signal" passant à l'interface entre la première et la seconde feuille (7, 8), et en ce que les conducteurs massifs (CMI à CM5) passent dans un plan différent, à l'interface entre la seconde et une troisième feuilles (8, 9) de céramique.
6. Boîtier d'encapsulation suivant la revendication 2, caractérisé en ce que chaque conducteur massif (CM1 à CM5) est solidarisé à une piste conductrice dite de fixation (PF1 à PF5), imprimée sur une feuille de céramique (8, 9) dans l'alignemenent d'une rainure (RI à R5).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9102603A FR2673765A1 (fr) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | Boitier de circuit integre a connexion de puissance. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9102603A FR2673765A1 (fr) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | Boitier de circuit integre a connexion de puissance. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2673765A1 true FR2673765A1 (fr) | 1992-09-11 |
Family
ID=9410340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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FR9102603A Withdrawn FR2673765A1 (fr) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | Boitier de circuit integre a connexion de puissance. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2673765A1 (fr) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1548068A (fr) * | 1967-01-26 | 1968-11-29 | ||
GB2132413A (en) * | 1982-12-24 | 1984-07-04 | Plessey Co Plc | Microwave device package |
EP0115000A2 (fr) * | 1983-01-03 | 1984-08-08 | General Electric Company | Empaquetage pour puce de puissance |
EP0190077A2 (fr) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Fujitsu Limited | Structure d'empaquetage pour une puce semi-conductrice |
EP0235504A1 (fr) * | 1986-02-05 | 1987-09-09 | Hewlett-Packard Company | Méthode d assembler une empaquetage à haute fréquence scellé hermétiquement pour composants à état solide |
-
1991
- 1991-03-05 FR FR9102603A patent/FR2673765A1/fr not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1548068A (fr) * | 1967-01-26 | 1968-11-29 | ||
GB2132413A (en) * | 1982-12-24 | 1984-07-04 | Plessey Co Plc | Microwave device package |
EP0115000A2 (fr) * | 1983-01-03 | 1984-08-08 | General Electric Company | Empaquetage pour puce de puissance |
EP0190077A2 (fr) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Fujitsu Limited | Structure d'empaquetage pour une puce semi-conductrice |
EP0235504A1 (fr) * | 1986-02-05 | 1987-09-09 | Hewlett-Packard Company | Méthode d assembler une empaquetage à haute fréquence scellé hermétiquement pour composants à état solide |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ELECTRONIC DESIGN. vol. 34, no. 6, 13 mars 1986, HASBROUCK HEIGHTS, N pages 55 - 58; B.McGill: "Ceramic chip carriers surface as VLSI design demands mount" * |
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