DE1212638C2 - Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement - Google Patents
Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen HalbleiterelementInfo
- Publication number
- DE1212638C2 DE1212638C2 DE1963L0044199 DEL0044199A DE1212638C2 DE 1212638 C2 DE1212638 C2 DE 1212638C2 DE 1963L0044199 DE1963L0044199 DE 1963L0044199 DE L0044199 A DEL0044199 A DE L0044199A DE 1212638 C2 DE1212638 C2 DE 1212638C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- housing
- semiconductor
- electrode
- pick
- cover plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
PATENTSCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsehe Kl.: 21g-11/02
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
L 44199 VIII c/21g
23. Februar 1963
17. März 1966
29. September 1%6
Auslegetag:
Ausgabetag:
Patentschrift stimmt mit der Auslegeschrift überein
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement, bei der eine gute
Wärmeableitung der in dem Halbleiterbauelement erzeugten Verlustwärme erzielt wird, zu schaffen.
Die bei Halbleiterlementen an den Sperrschichten
während des Betriebes auftretende hohe Verlustwärme macht es notwendig, besonders günstige
Wärmeleitbedingungen zu schaffen. Zur Erzielung . solcher gewünschten günstigen Wärmeleitbedingungen
ist es erforderlich, daß der thermische Widerstand gering und damit die Wärmeleitfähigkeit groß
ist. Bei den üblichen Halbleiteranordnungen wird die Verlustwärme über den Gehäuseboden, der eine
Elektrode des Halbleiterelementes bildet, geführt.
Zur Verbesserung der Wärmeableitung ist auch / bekanntgeworden, eine zweite, der ersten gegenüber-.
liegende Elektrode zur Wärmeableitung heranzuziehen. Bei diesen bekannten Halbleiteranordnungen
befindet sich das Halbleiterelement zwischen zwei elektrisch voneinander isolierten Deckplatten.
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement,
bei der das Gehäuse aus einer metallischen Grundplatte, einer metallischen Deckplatte
und einem hohlzylinderförmigen Abstandskörper aus Isoliermaterial besteht und bei der das Halbleiterelement
auf der Grundplatte befestigt ist und auf der der Grundplatte gegenüberliegenden Seite eine zylinderförmige
massive Abnahmeelektrode aufweist.
Die Erfindung besteht darin, daß die Abnahmeelektrode in einen an der Deckplatte vorgesehenen,
gut elektrisch und thermisch leitenden Hohlzylinder so eingepaßt ist, daß sie sich bei gutem Wärmeübergang
gleitend bewegen kann, und daß eine zustäzliche mechanisch elastische elektrische Verbindung
zwischen der den Hohlzylinder abschließenden Deckplatte und der Abnahmeelektrode besteht.
An Hand eines in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels werden die Erfindung und ihre
Wirkungsweise dargestellt und erläutert.
Das eigentliche Halbleiterelement ist mit 1 bezeichnet. Auf der einen Anschlußseite des Halbleiterelementes
1 ist eine massive zylinderförmig ausgebildete Abnahmeelektrode 2 angebracht; während sich
auf der anderen Anschlußseite die Grundplatte 3 befindet, die beispielsweise aus Kupfer besteht und zur
günstigen Wärmeableitung und damit Kühlung dient. Über die Abnahmeelektrode 2 wird ein hohlzylinderförmiger
Körper 4 gebracht, in dem sich die Abnahmeelektrode 2 gleitend bewegen kann. Der Körper
4 ist mit einer gut wärmeleitenden und elektrisch
Halbleiteranordnung mit einem in einem
Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement
Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement
Patentiert für:
Licentia Patent-Verwaltungs-G. m. b. H.,
Frankfurt/M., Theodor-Stern-Kai 1
Als Erfinder benannt:
Dr. rer. nat. Ulrich Birkholz, Kronberg (Taunus)
leitenden Deckplatte 6 fest verbunden. Diese Deckplatte 6 bildet mit dem Körper 4 eine Einheit und
ist mittels einer elastisch biegsamen metallischen Verbindung 7 gut leitend mit der Abnahmeelektrode 2
des Halbleiterelementes verbunden. Sowohl die Deckplatte 6 als auch die Grundplatte 3 bilden einen Teil
des Gehäuses für das Halbleiterelement und dienen gleichzeitig als Anschlußkontakte, beispielsweise als
Kathode und Anode beim Gleichrichter oder als Kollektor und Emitter beim Transistor.
Zwischen der Grundplatte 3 und der Deckplatte 6 besteht die Gehäusewand aus einem isolierenden
Hohlzylinder 5. Die metallische Verbindung zwischen der Abnahmeelektrode 2 und der' Deckplatte 6 ist
elastisch und kann beispielsweise aus einer Litze bestehen. Ein Teil des Stromes und der Verlustwärme
wird aber über die Abnahmeelektrode 2 und den Körper 4 zur Deckplatte 6 fließen.
Bei steuerbaren Halbleitergleichrichtern, Transistoren oder anderen mit einer dritten Elektrode
versehenen Halbleiteranordnungen ist die dritte Elektrode 8 direkt durch die isolierende Gehäusewand 5
oder in isolierter Weise durch einen der Metallkörper nach außen geführt. Der im Gehäuse des Halbleiterelementes
verbleibende Hohlraum 9 ist mit einem Gas, beispielsweise Wasserstoff oder Helium, gefüllt,
das eine gute thermische Leitfähigkeit aufweist. An die Deckplatte 3 und an die Grundplatte 6 können
in bekannter Weise sogenannte Rippenkörper als Wärmeaustauscher, im Bedarfsfall auch elektrisch
isoliert, angebracht werden.
Tritt nun auf Grund der während des Betriebes auftretenden hohen Verlustwärme eine mechanische
Ausdehnung des Halbleiterkörpers 1 auf, so wird diese Ausdehnung durch die in dem Hohlzylinder 4
des Körpers gleitende Abnahmeelektrode aufgefangen. Entsprechend der durch die Verlustwärme be-
609 693/278
wirkten Ausdehnung des Halbleiterelementes wird" die Abnahmeelektrode in dem Hohlzylinder bewegt,
so daß keine mechanischen Spannungen und damit auch keine mechanische Beanspruchung am Halbleiterelement
auftreten können.
Mti Hilfe dieser einfachen Anordnung werden in vorteilhafter Weise sowohl die durch die auftretenden
Betriebstemperaturen hervorgerufene Ausdehnung des Halbleiterelementes aufgefangen und damit
mechanische Spannungen vermieden als auch eine günstige Wärmeableitung erzielt.
Claims (4)
1. Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement, bei
der das Gehäuse aus einer metallischen Grundplatte, einer metallischen Deckplatte und einem
hohlzylinderförmigeri Abstandskörper aus Isoliermaterial besteht und bei der das Halbleiter: jrrrnt
auf der Grundplatte befestigt ist und auf der ζ Grundplatte gegenüberliegenden Seite eine zjl:; derförmige,
massive Abnahmeelektrode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Abnahmeelektrode
in einen an der ,Deckplatte yqrj.esehenen,
gut elektrisch und thermisch leitenden Hohlzylinder so eingepaßt ist, daß sie sich
bei gutem Wärmeübergang gleitend bewegen kann, und daß eine zusätzliche mechanisch
elastische elektrische Verbindung zwischen der den Hohlzylinder abschließenden Deckplätte und
der Abnahmeelektrode besteht.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Gehäuse mit, einem thermisch gut leitenden Gas gefüllt ist.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse mit
Wasserstoff oder Helium gefüllt ist.·
4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß an
die beiden das Gehäuse abschließenden Platten Wärmeaustauscher direkt oder elektrisch isoliert
angebracht sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschrift Nr. 1 306 203;
USA.-Patentschrift Nr. 2 956 214.
Französische Patentschrift Nr. 1 306 203;
USA.-Patentschrift Nr. 2 956 214.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 538/304 3.66 O Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1963L0044199 DE1212638C2 (de) | 1963-02-23 | 1963-02-23 | Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1963L0044199 DE1212638C2 (de) | 1963-02-23 | 1963-02-23 | Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1212638B DE1212638B (de) | 1966-03-17 |
DE1212638C2 true DE1212638C2 (de) | 1966-09-29 |
Family
ID=7270574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1963L0044199 Expired DE1212638C2 (de) | 1963-02-23 | 1963-02-23 | Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1212638C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0115000A3 (en) * | 1983-01-03 | 1986-11-26 | General Electric Company | Power chip package |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1174146A (en) * | 1967-08-09 | 1969-12-10 | Ass Elect Ind | Improvements in or relating to Semiconductor Devices |
BE757968A (fr) * | 1969-10-25 | 1971-04-23 | Philips Nv | Dispositif a micro-ondes |
DE19856332A1 (de) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | Bosch Gmbh Robert | Gehäuse für eletronisches Bauelement |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2956214A (en) * | 1955-11-30 | 1960-10-11 | Bogue Elec Mfg Co | Diode |
FR1306203A (fr) * | 1960-09-30 | 1962-10-13 | Siemens Ag | Dispositif semiconducteur perfectionné |
-
1963
- 1963-02-23 DE DE1963L0044199 patent/DE1212638C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2956214A (en) * | 1955-11-30 | 1960-10-11 | Bogue Elec Mfg Co | Diode |
FR1306203A (fr) * | 1960-09-30 | 1962-10-13 | Siemens Ag | Dispositif semiconducteur perfectionné |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0115000A3 (en) * | 1983-01-03 | 1986-11-26 | General Electric Company | Power chip package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1212638B (de) | 1966-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2109116C3 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterbauelement und einem Kühlmittelbehälter | |
DE2847853C2 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1068816B (de) | ||
DE1961042C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1212638C2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement | |
DE1170079B (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1439909B2 (de) | Gehaeuse fuer ein halbleiterbauelement | |
DE2638909A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2013684A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2825682C2 (de) | Halbleiterbauelement mit Isoliergehäuse | |
DE2336878B2 (de) | Elektrisches Gerät | |
DE3205650A1 (de) | Leistungsgleichrichteranordnung | |
DE2855265A1 (de) | Thyristor | |
DE1789139C3 (de) | Stapelbare Halbleiteranordnung. Ausscheidung aus: 1439160 | |
DE2749359A1 (de) | Anschlussfertiges halbleiterbauelement | |
DE112017008000B4 (de) | Federelektrode | |
DE1439132C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1514406C (de) | Halbleiteranordnung | |
AT227840B (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1110320B (de) | Elektrische Isolierung fuer Halbleiteranordnungen | |
DE2724589A1 (de) | Thyristorbauelement | |
DE1489097B1 (de) | Halbleiter-Gleichrichterzelle | |
DE1514839C3 (de) | Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen | |
DE7733886U (de) | Anschlußfertiges Halbleiterbauelement | |
DE1514393C (de) | Halbleiterbauelement |