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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Federelektrode für ein Press-Pack-Leistungs-Halbleitermodul, die einen erregten Zustand aufrechterhält, während sie Flexibilität im vertikalen Weg von Press-Pack-Leistungs-Halbleiterchips hat.
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Hintergrundtechnik
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Patentdokument 1 offenbart beispielsweise ein Press-Pack-IGBT-Modul, das ein Press-Pack-Leistungs-Halbleitermodul ist (worauf im Folgenden als „Halbleitermodul“ verwiesen werden kann). Das Press-Pack-IGBT-Modul enthält eine Vielzahl von IGBTs, die Press-Pack-Leistungs-Halbleiterchips sind (worauf im Folgenden als „Halbleiterchips“ verwiesen werden kann). Die Halbleiterchips erreichen eine elektrische Verbindung, indem sie durch eine obere Elektrode und eine untere Elektrode vertikal komprimiert werden.
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Da auf die Vielzahl von Halbleiterchips gleichmäßig Druck angewendet wird, benötigt jeder der Halbleiterchips eine Federstruktur und ein Spiel in einer Leiterbahn. Der Halbleiterchip enthält ein Druckpad, um dieses Spiel bereitzustellen und die elektrische Verbindung sicherzustellen. Obgleich der Halbleiterchip normalerweise ein Druckpad enthält, um die Stromtragfähigkeit des Stroms zu erhöhen, kann der Halbleiterchip zwei Druckpads enthalten. Da eine Feder im Druckpad als Induktivität selbst mit der elektrischen Leitfähigkeit fungiert, zeigt die Feder eine hohe Impedanz insbesondere in Bezug auf einen Hochfrequenzstrom. Außerdem fließt ein Kurzschlussstrom, der ein Hochfrequenzstrom ist, nicht durch die Feder.
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Dokument nach dem Stand der Technik
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Patentdokument
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[Patentdokument 1] Ungeprüfte japanische Patentanmeldungsveröffentlichung
JP 2004- 528 724 A
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Zusammenfassung
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Durch die Erfindung zu lösendes Problem
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Es wird befürchtet, dass die Press-Pack-IGBT-Module bei einem Kurzschluss in den Halbleiterchips geschädigt werden können. Die Press-Pack-IGBT-Module werden geschädigt, da ein elektrischer Pfad in einem Modul unterbrochen wird und eine in der Unterbrechung auftretende Lichtbogenbildung das Modul erwärmt, was zu einer Ausdehnung einer Atmosphäre oder Verdampfung eines festen Objekts führt und eine Explosion verursacht.
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Die Gründe, warum der elektrische Pfad im Modul bei einem Kurzschluss in einem Halbleiterchip unterbrochen wird, sind die Folgenden. Bei einem Kurzschluss im Halbleiterchip fließt der Kurzschlussstrom durch ein Druckpad. Da der Kurzschlussstrom ein hoher Strom ist, zersetzt die durch den Kurzschlussstrom hervorgerufene Joulesche Erwärmung das Druckpad und unterbricht den elektrischen Pfad, so dass eine Lichtbogenbildung hervorgerufen wird. Da der Kurzschlussstrom ein Hochfrequenzstrom ist, wird insbesondere befürchtet, dass sich der Kurzschlussstrom aufgrund des Skin-Effekts an einem Kanten- bzw. Randteil des Druckpads konzentriert und dieser Teil heiß wird und dessen Zersetzung beginnt.
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Folglich erfordern die Press-Pack-IGBT-Module robuste explosionssichere Strukturen, welche die Miniaturisierung und niedrige Preise der Press-Pack-IGBT-Module beeinträchtigen. Einige Press-Pack-IGBT-Module müssen Nutzstrombereiche einschränken und benötigen separat einen Kurzschlussschutz.
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Die
US 2 927 953 A betrifft einen Gleichrichter, bei dem ein Halbleiter-Gleichrichterelement in einem gasdichten Gehäuse montiert ist und eine Verbindung zwischen dem Element und einem externen Anschluss mittels einer hohlen Blechverbindung hergestellt wird, z. B. aus Silber oder Kupfer, mit einem Zwischenteil, der durch eine oder mehrere Reihen paralleler Schlitze in nach außen gewölbte flexible Streifen unterteilt ist. Die Schlitze können geneigt oder in zwei Reihen angeordnet sein. Der Anschluss und der Steckverbinder werden durch einen Kupferstab verbunden, der in einem Keramikkragen eingeschlossen ist, der im Gehäuse abgedichtet ist und mit einem Anschluss oder Montagebolzen versehen ist.
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Die
DE 3 531 471 A1 zeigt ein Halbleiterbauelement vom Druckkontakttyp, mit einem Halbleiterelement, an dessen einen Hauptoberfläche eine erste Hauptelektrode und an dessen anderen Hauptoberfläche eine zweite Hauptelektrode mit gegenüber der ersten Hauptelektrode entgegengesetzten Polarität ausgebildet ist, und mit einem ersten Hauptelektrodenleiter, mit dem die erste Hauptelektrode des Halbleiterelements mit der entsprechenden Hauptoberfläche in Druckkontakt steht, sowie mit einem zweiten Hauptelektrodenleiter mit einem scheibenförmigen Teil, dessen eine Hauptoberfläche in Druckkontakt mit der zweiten Hauptelektrode des Halbleiterelements steht, und an dessen anderen Hauptoberfläche eine zweite stabartige Hauptelektrodenleitung ausgebildet ist. Ausgebildet sind ferner eine Isolierscheibe, die über die stabartige zweite Hauptelektrodenleitung des zweiten Hauptelektrodenleiters geschoben ist unter Anlage an die entsprechend zugewandte Hauptoberfläche des scheibenförmigen Teils des zweiten Hauptelektrodenleiters, ein zylindrisches elastisches Element, das um die stabförmige zweite Hauptelektrodenleitung des zweiten Hauptelektrodenleiters herum angeordnet ist, und zwar ohne Kontakt mit der stabartigen Leitung und unter Anlage an die Isolierscheibe, ein aus Metall hergestellter zylindrischer Körper, der mit seinem unteren Ende an der Hauptoberfläche des ersten Hauptelektrodenleiters befestigt ist, und zwar unter Einschluss des Halbleiterelements, des zweiten Hauptelektrodenleiters, der Isolierscheibe und des elastischen Elements, und ein nach innen ragender Vorsprung, der durch Eindrücken der Seitenwandung des zylindrischen Körpers von außen nach innen erhalten ist und der mit dem äußeren Umfangsrand des elastischen Elementes unter Zusammendrückung bzw. im zusammengedrückten Zustand desselben in Eingriff steht.
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Die
US 3 231 795 A offenbart eine Patrone mit niedriger Induktivität und Kapazität für eine Halbleiterdiode, die zwei leitende Elemente umfasst, die durch einen isolierenden Zylinder voneinander getrennt sind. Das Diodenelement ist leitend auf einem der Elemente montiert und greift über ein Balgfederlager auf seiner gegenüberliegenden Seite in das andere ein. In der Ausführungsform bestehen die leitenden Elemente aus Tellurkupfer und der Zylinder aus Aluminiumoxid. Die Patrone wird zusammengebaut, nachdem die Silizium-Mesa-Diode an das Element angelötet wurde, indem der vergoldete Nickelbalg über die Nabe geschoben, die Teile wie gezeigt mit Lötringen in Nuten zusammengebaut und in einem Wasserstoffstrom erhitzt werden. Die Baugruppe wird im Vakuum gekühlt, um die Bildung von Lunkern im Lot beim Abkühlen zu vermeiden.
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Technologie bereitzustellen, die verhindern kann, dass eine Federelektrode bei einem Kurzschluss in einem Halbleiterchip zersetzt und unterbrochen wird.
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Mittel zum Lösen des Problems
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Die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe wird bei einer Federelektrode erfindungsgemäß mit den Merkmalen des Anspruchs 1, alternativ bei einer Federelektrode erfindungsgemäß mit den Merkmalen des Anspruchs 2 und weiter alternativ bei einer Federelektrode erfindungsgemäß mit den Merkmalen des Anspruchs 4 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
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Eine Federelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst unter anderem einen Hauptkörper, der ein rohrförmiger Leiter ist und sich in einer longitudinalen Richtung im Durchmesser so ändert, dass eine seitliche Oberfläche einen Balg aufweist.
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Effekte der Erfindung
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Eine Federelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst einen Hauptkörper, der ein rohrförmiger Leiter ist und sich in einer longitudinalen Richtung im Durchmesser so ändert, dass eine seitliche Oberfläche einen Balg aufweist. Da der Hauptkörper der Federelektrode keinen Randteil enthält, kann die lokale Konzentration eines Kurzschlussstroms, der bei einem Kurzschluss in einem Halbleiterchip durch die Federelektrode fließt, reduziert werden. Dies kann verhindern, dass die Federelektrode zersetzt und unterbrochen wird.
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Die Aufgabe, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung und den beiliegenden Zeichnungen ersichtlicher werden.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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- 1 ist eine perspektivische Ansicht, die veranschaulicht, dass eine Federelektrode gemäß einer Ausführungsform 1 auf einem Halbleiterchip angeordnet ist.
- 2 ist eine perspektivische Ansicht der Federelektrode gemäß der Ausführungsform 1.
- 3 ist eine perspektivische Ansicht einer Federelektrode gemäß einer Ausführungsform 2.
- 4 ist eine perspektivische Ansicht einer Federelektrode gemäß einer Ausführungsform 3.
- 5 ist eine perspektivische Ansicht einer Federelektrode gemäß einer Ausführungsform 4.
- 6 ist eine perspektivische Ansicht einer Federelektrode gemäß einer Ausführungsform 5.
- 7 ist eine perspektivische Ansicht, die veranschaulicht, dass eine Federelektrode gemäß einer Ausführungsform 6 über einem Halbleiterchip angeordnet ist.
- 8 ist eine perspektivische Ansicht der Federelektrode gemäß der Ausführungsform 6.
- 9 ist eine perspektivische Ansicht, die veranschaulicht, dass eine Federelektrode gemäß einer grundlegenden Technologie zwischen einer oberen Elektrode und einer unteren Elektrode angeordnet ist.
- 10 ist eine Vorderansicht, die veranschaulicht, dass die Federelektrode gemäß der grundlegenden Technologie zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode angeordnet ist.
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Beschreibung von Ausführungsformen
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[Grundlegende Technologie]
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Zuerst wird eine Federelektrode 101 gemäß einer grundlegenden Technologie beschrieben. 9 ist eine perspektivische Ansicht, die veranschaulicht, dass die Federelektrode 101 gemäß der grundlegenden Technologie zwischen einer oberen Elektrode 103 und einer unteren Elektrode 104 angeordnet ist. 10 ist eine Vorderansicht, die veranschaulicht, dass die Federelektrode 101 zwischen der oberen Elektrode 103 und der unteren Elektrode 104 angeordnet ist.
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Wie in 9 und 10 veranschaulicht ist, ist die Federelektrode 101 ein Leiter und wird in einer Vorderansicht in beispielsweise ein Sechseck geformt, indem eine Blattfeder in einer Richtung orthogonal zu einer longitudinalen Richtung gefaltet wird. Mit anderen Worten ist die Federelektrode 101 in einer Vorderansicht sechseckig. Die obere Elektrode 103 ist mit einer Oberseite der Federelektrode 101 auf einer oberen Oberfläche angeordnet. Die untere Seite der Federelektrode 101 ist auf einer oberen Oberfläche eines auf der unteren Elektrode 104 montierten Halbleiterchips 102 angeordnet. Mit anderen Worten ist die Federelektrode 101 zwischen der oberen Elektrode 103 und der unteren Elektrode 104 angeordnet.
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Da die Federelektrode 101 gebildet wird, indem wie oben beschrieben die Blattfeder gefaltet wird, enthält sie einen Randteil 101a. Der Randteil 101a ist hier eine Kante bzw. ein Rand, der die Hauptoberfläche mit der seitlichen Oberfläche der Blattfeder verbindet. Bei einem Kurzschluss im Halbleiterchip 102 fließt der Kurzschlussstrom in durch Pfeile in 10 veranschaulichte Richtungen. Da der Kurzschlussstrom ein Hochfrequenzstrom ist, konzentriert sich der Kurzschlussstrom aufgrund des Skin-Effekts auf dem Randteil 101a der Federelektrode. Dieser Randteil 101a wird gemäß der grundlegenden Technologie heiß und zersetzt.
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Eine Federelektrode 1 gemäß einer Ausführungsform 1 löst solch ein Problem und wird im Folgenden im Detail beschrieben.
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[Ausführungsform 1]
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Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen wird eine Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die veranschaulicht, dass die Federelektrode 1 gemäß der Ausführungsform 1 auf einem Halbleiterchip 10 angeordnet ist. 2 ist eine perspektivische Ansicht der Federelektrode 1 gemäß der Ausführungsform 1.
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Wie in 1 veranschaulicht ist, ist die Federelektrode 1 auf einer oberen Oberfläche des Halbleiterchips 10, das in einem Halbleitermodul enthalten ist (siehe die Veranschaulichung), angeordnet und zwischen einer (nicht dargestellten) oberen Elektrode und einer (nicht dargestellten) unteren Elektrode angeordnet.
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Wie in 1 und 2 veranschaulicht ist, umfasst die Federelektrode 1 einen Hauptkörper 2. Der Hauptkörper 2 ist ein elastischer rohrförmiger Leiter. Der Hauptkörper 2 ändert sich in einer longitudinalen Richtung im Durchmesser so, dass die seitliche Oberfläche einen Balg aufweist. Konkret weist der Hauptkörper 2 der Reihe nach von oben einen Teil 2a mit kleinem Durchmesser, einen Teil 2b mit großem Durchmesser, den Teil 2a mit kleinem Durchmesser, den Teil 2b mit großem Durchmesser und den Teil 2a mit kleinem Durchmesser auf. Mit anderen Worten ist der Hauptkörper 2 in zwei aufeinander folgende laternenartige Leiter geformt. Da der Hauptkörper 2 rohrförmig ist, ist der Hauptkörper 2 im Querschnitt kreisförmig oder oval.
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Der Hauptkörper 2 kann einen oder drei oder mehr laternenartige Leiter umfassen. Darüber hinaus kann der Hauptkörper 2 der Reihe nach von oben den Teil 2b mit großem Durchmesser, den Teil 2a mit kleinem Durchmesser und den Teil 2b mit großem Durchmesser aufweisen. Ein Einsetzen isolierender oder leitfähiger Ringe in Verbindungsstellen des Hauptkörpers 2, das heißt die Teile 2a mit kleinem Durchmesser und die Teile 2b mit großem Durchmesser, kann die Belastbarkeit des Hauptkörpers 2 erhöhen.
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Da der Hauptkörper 2 auf der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 10 angeordnet und zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode angeordnet ist, erhält der Halbleiterchip 10 eine elektrische Verbindung. Außerdem kann, da der Hauptkörper 2 ein elastischer rohrförmiger Leiter ist und einen Balg aufweist, er vertikal gestreckt werden und erhält seine Leitfähigkeit aufrecht. Da der Hauptkörper 2 vertikal gestreckt wird, bewegt sich der Halbleiterchip 10 vertikal.
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Da der Kurzschlussstrom ein Hochfrequenzstrom ist, wird befürchtet, dass sich gemäß der grundlegenden Technologie der Strom auf insbesondere dem Randteil 101a der Federelektrode 101 konzentriert und dieser Randteil heiß wird. Da der Hauptkörper 2 der Federelektrode 1 rohrförmig ist, ist der Hauptkörper 2 gemäß der Ausführungsform 1 im Querschnitt kreisförmig oder oval. Folglich umfasst der Hauptkörper 2 keinen Randteil, und der Kurzschlussstrom fließt gleichmäßig durch die Oberfläche des Hauptkörpers 2. Folglich vermeidet der Hauptkörper 2 die Konzentration des Kurzschlussstroms, reduziert die Stromdichte und verhindert eine Erhöhung der Temperaturen. Somit kann die Zersetzung der Federelektrode 1 vermieden werden.
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Wie oben beschrieben wurde, umfasst die Federelektrode 1 gemäß der Ausführungsform 1 den Hauptkörper 2, der ein rohrförmiger Leiter ist und sich in der longitudinalen Richtung im Durchmesser so ändert, dass die seitliche Oberfläche einen Balg aufweist. Da der Hauptkörper 2 der Federelektrode 1 keinen Randteil enthält, kann die lokale Konzentration des Kurzschlussstroms, der bei einem Kurzschluss im Halbleiterchip 10 durch die Federelektrode 1 fließt, reduziert werden. Dies kann verhindern, dass die Federelektrode 1 zersetzt und unterbrochen wird.
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Folglich ist es möglich, die durch eine Unterbrechung in der Federelektrode 1 bei einem Kurzschluss hervorgerufene Lichtbogenbildung zu verhindern und eine Explosion zu verhindern, die durch eine Ausdehnung einer Atmosphäre oder Verdampfung eines festen Objekts aufgrund der Lichtbogenbildung hervorgerufen wird. Folglich benötigen Halbleitermodule keine robuste explosionssichere Struktur, was die Miniaturisierung und niedrigere Preise der Halbleitermodule begünstigen kann.
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Der Hauptkörper 2 kann geflochtene Drähte enthalten. Dies erhöht weiter die vertikale Beweglichkeit des Halbleiterchips 10.
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[Ausführungsform 2]
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Als Nächstes wird eine Federelektrode 1A gemäß einer Ausführungsform 2 beschrieben. 3 ist eine perspektivische Ansicht der Federelektrode 1A gemäß der Ausführungsform 2. In der Ausführungsform 2 sind die gleichen Bezugsziffern den gleichen, in der Ausführungsform 1 beschriebenen Bestandteilen zugeordnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
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Wie in 3 veranschaulicht ist, umfasst die Federelektrode 1A in der Ausführungsform 2 den Hauptkörper 2 und eine Feder 4. Die Feder 4 ist im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnet. Die Feder 4 kann in der longitudinalen Richtung so lang wie der Hauptkörper 2 oder kürzer als er sein. Die Anzahl der Feder 4 kann eins betragen. Eine Vielzahl der Federn 4 kann in der vertikalen Richtung gestapelt angeordnet sein. Die Feder 4 ist wünschenswerterweise eine Spiral- bzw. Schraubenfeder.
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Wie oben beschrieben wurde, kann, da die Federelektrode 1A gemäß der Ausführungsform 2 ferner die im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnete Feder 4 enthält, die elastische Kraft der Federelektrode 1A erhöht werden.
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[Ausführungsform 3]
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Als Nächstes wird eine Federelektrode 1B gemäß einer Ausführungsform 3 beschrieben. 4 ist eine perspektivische Ansicht der Federelektrode 1B gemäß der Ausführungsform 3. In der Ausführungsform 3 sind die gleichen Bezugsziffern den gleichen, in den Ausführungsformen 1 und 2 beschriebenen Bestandteilen zugeordnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
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Wie in 4 veranschaulicht ist, umfasst die Federelektrode 1B in der Ausführungsform 3 den Hauptkörper 2, die Feder 4 und einen isolierenden Block 5. Der isolierende Block 5 ist zylindrisch und im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnet. Die Feder 4 ist über dem isolierenden Block 5 im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnet. Die Feder 4 kann unter dem isolierenden Block 5 im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnet sein.
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Wie oben beschrieben wurde, kann, da die Federelektrode 1B gemäß der Ausführungsform 3 im Inneren des Hauptkörpers 2 ferner den isolierenden Block 5 enthält, der über oder unter der Feder 4 angeordnet ist, der Weg der Feder 4 verkürzt werden. Folglich kann als die Feder 4 eine konische Tellerfeder verwendet werden.
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[Ausführungsform 4]
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Als Nächstes wird eine Federelektrode 1C gemäß einer Ausführungsform 4 beschrieben. 5 ist eine perspektivische Ansicht der Federelektrode 1C gemäß der Ausführungsform 4. In der Ausführungsform 4 sind die gleichen Bezugsziffern den gleichen, in den Ausführungsformen 1 bis 3 beschriebenen Bestandteilen zugeordnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
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Wie in 5 veranschaulicht ist, umfasst die Federelektrode 1C in der Ausführungsform 4den Hauptkörper 2 und einen leitfähigen Block 6. Der leitfähige Block 6 ist zylindrisch und im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnet. Der leitfähige Block 6 ist in der longitudinalen Richtung kürzer als der Hauptkörper 2. Über dem leitfähigen Block 6 ist innerhalb des Hauptkörpers 2 ein Raum vorgesehen. Im Innern des Hauptkörpers 2 kann unter dem leitfähigen Block 6 ein Raum vorgesehen sein, wobei der obere Teil des leitfähigen Blocks 6 mit dem oberen Teil des Hauptkörpers 2 verbunden ist.
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Wie durch die weißen Pfeile in 5 angegeben ist, werden, da der Strom vollständig in der gleichen Richtung durch die Federelektrode 1C fließt, die nach innen ziehenden Kräfte als Ganzes erzeugt. Die nach innen ziehenden Kräfte können die Federelektrode 1C unterbrechen und eine elektrische Unterbrechung hervorrufen, was zu einer Lichtbogenbildung führen kann. Ein Anordnen des leitfähigen Blocks 6 innerhalb des Hauptkörpers 2 ermöglicht, dass aufgrund des Proximity-Effekts ein Wirbelstrom durch die Oberfläche des leitfähigen Blocks 6 in einer Richtung entgegengesetzt zu derjenigen des Kurzschlussstroms fließt, wie die weißen Pfeile in 5 angegeben ist, und reduziert die nach innen ziehenden Kräfte. Somit kann die Schädigung der Federelektrode 1C verhindert werden.
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Wie oben beschrieben wurde, fließt, da die Federelektrode 1C gemäß der Ausführungsform 4 ferner den im Innern des Hauptkörpers 2 angeordneten leitfähigen Block 6 enthält, der Wirbelstrom durch den leitfähigen Block 6 in der Richtung, die derjenigen des Kurzschlussstroms entgegengesetzt ist. Dies entspannt eine in der Federelektrode 1C erzeugte elektromagnetische Kraft, was die Schädigung der Federelektrode 1C verhindern kann.
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[Ausführungsform 5]
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Als Nächstes wird eine Federelektrode 1D gemäß einer Ausführungsform 5 beschrieben. 6 ist eine perspektivische Ansicht der Federelektrode 1D gemäß der Ausführungsform 5. In der Ausführungsform 5 sind die gleichen Bezugsziffern den gleichen, in den Ausführungsformen 1 bis 4 beschriebenen Bestandteilen zugeordnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
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Wie in 6 veranschaulicht ist, umfasst die Federelektrode 1D in der Ausführungsform 5 den Hauptkörper 2, den leitfähigen Block 6 und die Feder 4. Der leitfähige Block 6 ist im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnet. Der leitfähige Block 6 ist in der longitudinalen Richtung kürzer als der Hauptkörper 2. Über dem leitfähigen Block 6 ist innerhalb des Hauptkörpers 2 ein Raum vorgesehen. Die Feder 4 ist in dem Raum über dem leitfähigen Block 6 im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnet. Die Feder 4 kann in dem Raum unter dem leitfähigen Block 6 im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnet sein, wobei der obere Teil des leitfähigen Blocks 6 mit dem oberen Teil des Hauptkörpers 2 verbunden ist.
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Wie oben beschrieben wurde, kann, da die Federelektrode 1D gemäß der Ausführungsform 5 ferner die über oder unter dem leitfähigen Block 6 im Inneren des Hauptkörpers 2 angeordnete Feder 4 enthält, die elastische Kraft der Federelektrode 1D weiter erhöht werden.
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[Ausführungsform 6]
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Als Nächstes wird eine Federelektrode 1 E gemäß einer Ausführungsform 6 beschrieben. 7 ist eine perspektivische Ansicht, die veranschaulicht, dass die Federelektrode 1 E gemäß der Ausführungsform 6 über dem Halbleiterchip 10 angeordnet ist. 8 ist eine perspektivische Ansicht der Federelektrode 1E. In der Ausführungsform 6 sind die gleichen Bezugsziffern den gleichen, in den Ausführungsformen 1 bis 5 beschriebenen Elementen zugeordnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
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Wie in 7 und 8 veranschaulicht ist, umfasst die Federelektrode 1E in der Ausführungsform 6 den Hauptkörper 2 und eine leitfähige Platte 7. Die leitfähige Platte 7 ist am unteren Ende des Hauptkörpers 2 angeordnet und kann mit dem Halbleiterchip 10 in Kontakt sein. Die Kontaktoberfläche der leitfähigen Platte 7 mit dem Halbleiterchip 10, das heißt die untere Oberfläche der leitfähigen Platte 7, ist rechtwinklig. Da die obere Oberfläche des Halbleiterchips 10 rechtwinklig ist, ist die untere Oberfläche der leitfähigen Platte 7 in der Form der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 10 identisch. Die untere Oberfläche der leitfähigen Platte 7 ist in Draufsicht in der Kontur mit dem Halbleiterchip 10 identisch. Die leitfähige Platte 7 kann am oberen Ende des Hauptkörpers 2 angeordnet sein, und der Halbleiterchip 10 kann auf der oberen Oberfläche der leitfähigen Platte 7 angeordnet sein.
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Wie oben beschrieben wurde, ist die Federelektrode 1E gemäß der Ausführungsform 6 an dem oberen Ende oder dem unteren Ende des Hauptkörpers 2 angeordnet und umfasst ferner die leitfähige Platte 7, welche mit dem Halbleiterchip 10 in Kontakt sein kann und deren Kontaktoberfläche mit dem Halbleiterchip 10 rechtwinklig ist. Da die Kontaktoberfläche der leitfähigen Platte 7 mit dem Halbleiterchip 10 in der Form mit dem Halbleiterchip 10 identisch ist, wird die Federelektrode 1E leicht mit dem Halbleiterchip 10 verbunden.
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Die Kontaktoberfläche der leitfähigen Platte 7 mit dem Halbleiterchip 10 ist in Draufsicht in der Kontur mit dem Halbleiterchip 10 identisch. Da die Größe der leitfähigen Platte 7 optimiert ist und somit die Größe der Federelektrode 1E optimiert ist, kann der Raum im Halbleitermodul effektiv genutzt werden.
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Erläuterung der Bezugszeichen
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1, 1A, 1B, 1C, 1 D, 1E Federelektrode, 2 Hauptkörper, 4 Feder, 5 isolierender Block, 6 leitfähiger Block, 7 leitfähige Platte, 10 Halbleiterchip.