DE112016007212T5 - Halbleitermodul - Google Patents

Halbleitermodul Download PDF

Info

Publication number
DE112016007212T5
DE112016007212T5 DE112016007212.0T DE112016007212T DE112016007212T5 DE 112016007212 T5 DE112016007212 T5 DE 112016007212T5 DE 112016007212 T DE112016007212 T DE 112016007212T DE 112016007212 T5 DE112016007212 T5 DE 112016007212T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plate spring
conductive block
spring member
semiconductor module
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112016007212.0T
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeto Fujita
Tetsuya Matsuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE112016007212T5 publication Critical patent/DE112016007212T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleitermodul vorzusehen, das eine Unterbrechung in einem Strompfad und ein Auftreten einer Bogenentladung unterdrückt, wenn ein Halbleiterchip kurzgeschlossen wird. Ein Halbleitermodul (100) gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst zumindest einen Halbleiterchip (2), ein Gehäuse (5), in welchem der Halbleiterchip (2) untergebracht ist, und zumindest ein unter Druck setzendes Bauteil, das zwischen einer oberen Elektrode (2a) des Halbleiterchips (2) und einer oberseitigen Elektrode (3), die im Gehäuse (5) vorgesehen ist, platziert ist und die obere Elektrode (2a) und die oberseitige Elektrode (3) elektrisch verbindet, wobei das unter Druck setzende Bauteil (10) elastisch ist und das unter Druck setzende Bauteil (10) einen leitfähigen Block (12) und ein Plattenfederbauteil (11) umfasst, das Strompfade (11a) und (11b) enthält, die einander gegenüberliegen, wobei zumindest ein Teil des leitfähigen Blocks (12) zwischen dem Strompfaden (11a) und (11b) gelegen ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleitermodul.
  • Stand der Technik
  • Bekannt ist ein Halbleitermodul, in welchem eine Vielzahl von Halbleiterchips in einem Gehäuse platziert ist und Drücke mittels Elastizität bzw. Federkraft gleichmäßig auf die Halbleiterchips angewendet werden, während jeder der Halbleiterchips mit einer Elektrode elektrisch verbunden gehalten wird (siehe zum Beispiel Patentdokument 1). Falls solch ein Halbleitermodul wie beschrieben zur Leistungssteuerung oder dergleichen verwendet wird, sollte jeder der Halbleiterchips EIN/AUS eines großen Stroms steuern. Um eine Strombelastbarkeit zu erhöhen, ist für einen einzelnen Halbleiterchip eine Vielzahl von Strompfaden vorgesehen.
  • Dokumente nach dem Stand der Technik
  • Patentdokumente
  • Patentdokument 1: Japanische Übersetzung der internationalen PCT-Anmeldung Veröffentlichungsnr. 2004-528724
  • Zusammenfassung
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • Wenn ein Halbleiterchip aufgrund einer Fehlfunktion oder dergleichen kurzgeschlossen wird, fließen Ströme, welche größer als jene sind, die unter normalen Betriebsbedingungen fließen, über eine Vielzahl von Strompfaden in die gleiche Richtung. Zwischen den Strompfaden wird dann eine elektromagnetische Kraft erzeugt, so dass ein die Strompfade bildendes Teil geschädigt werden kann, so dass eine Unterbrechung in den Strompfaden heraufbeschwört wird. Aufgrund einer Unterbrechung in den Strompfaden kann in einem Gehäuse eines Halbleitermoduls eine Bogenentladung auftreten.
  • Daher besteht ein Bedarf daran, ein Gehäuse eines Halbleitermoduls zu entwerfen, wobei eine Widerstandsfähigkeit gegen eine Bogenentladung berücksichtigt wird, wenn man unterstellt, dass eine Bogenentladung auftritt. Somit werden Größe und Gewicht eines Gehäuses erhöht, was Probleme einer erhöhten Größe und eines erhöhten Gewichts eines Halbleitermoduls und erhöhter Herstellungskosten verursacht.
  • Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleitermodul vorzusehen, das eine Unterbrechung in einem Strompfad und ein Auftreten einer Bogenentladung unterdrückt, wenn ein Halbleiterchip kurzgeschlossen wird.
  • Mittel, um das Problem zu lösen
  • Ein Halbleitermodul gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst: zumindest einen Halbleiterchip; ein Gehäuse, in welchem der Halbleiterchip untergebracht ist; und zumindest ein unter Druck setzendes Bauteil, das zwischen einer oberen Elektrode des Halbleiterchips und einer oberseitigen Elektrode, die im Gehäuse vorgesehen ist, platziert und dafür konfiguriert ist, die obere Elektrode und die oberseitige Elektrode elektrisch zu verbinden, wobei das unter Druck setzende Bauteil elastisch ist und das unter Druck setzende Bauteil umfasst: einen leitfähigen Block; und ein Teller- bzw. Plattenfederbauteil, das Strompfade enthält, die einander gegenüberliegen sind, wobei zumindest ein Teil des leitfähigen Blocks zwischen den Strompfaden gelegen ist.
  • Effekte der Erfindung
  • In dem Halbleitermodul gemäß der vorliegenden Erfindung ist der leitfähige Block zwischen den gegenüberliegenden Strompfaden des Plattenfederbauteils platziert, so dass ein in einer zu einem Kurzschlussstrom entgegengesetzten Richtung fließender Strom im leitfähigen Block erzeugt wird, wenn ein Kurzschlussstrom durch die Strompfade fließt. Dementsprechend wird eine zwischen den gegenüberliegenden Strompfaden erzeugte Anziehungskraft entspannt. Daher wird eine Trennung der Strompfade aufgrund einer Schädigung am Plattenfederbauteil unterdrückt, so dass ein Auftreten einer Bogenentladung im Gehäuse des Halbleitermoduls unterdrückt wird. Folglich wird eine Stärke, die vom Gehäuse des Halbleitermoduls gefordert wird, reduziert, so dass eine Erhöhung einer Größe und eines Gewichts des Halbleitermoduls und ein Anstieg der Herstellungskosten unterdrückt werden können.
  • Die Aufgabe, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer ersten Ausführungsform.
    • 2 ist ein schematisches Diagramm, das eine Art und Weise zeigt, in der Ströme durch ein unter Druck setzendes Bauteil des Halbleitermoduls gemäß der ersten Ausführungsform fließen.
    • 3 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer ersten Modifikation der ersten Ausführungsform.
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer zweiten Modifikation der ersten Ausführungsform.
    • 5 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer zweiten Ausführungsform.
    • 6 ist ein schematisches Diagramm, das eine Art und Weise zeigt, in der Ströme durch ein unter Druck setzendes Bauteil des Halbleitermoduls gemäß der zweiten Ausführungsform fließen.
    • 7 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer ersten Modifikation der zweiten Ausführungsform.
    • 8 ist eine perspektivische Ansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer zweiten Modifikation der zweiten Ausführungsform.
    • 9 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer dritten Ausführungsform.
    • 10 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer Basistechnik.
  • Beschreibung von Ausführungsformen
  • <Basistechnik>
  • Bevor Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, wird eine Technik, auf der die vorliegende Erfindung basiert, beschrieben. 10 ist Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls gemäß einer Basistechnik. Wie in 10 gezeigt ist, umfasst das Halbleitermodul gemäß der Basistechnik einen Halbleiterchip 2, ein Gehäuse 6 und ein unter Druck setzendes Bauteil 1. Der Halbleiterchip 2 und das unter Druck setzende Bauteil 1 sind im Gehäuse 6 untergebracht.
  • Es wird besonders erwähnt, dass der Halbleiterchip 2 ein Leistungs-Halbleiterchip wie etwa beispielsweise ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) ist. Der Halbleiterchip 2 umfasst eine obere Elektrode 2a, welche als Hauptelektrode dient und in einer oberen Oberfläche des Halbleiterchips 2 platziert ist, und eine untere Elektrode 2b, welche als Hauptelektrode dient und in einer unteren Oberfläche des Halbleiterchips 2 platziert ist. Falls der Halbleiterchip 2 ein Schaltelement ist, enthält der Halbleiterchip 2 ferner auch eine in den Zeichnungen nicht dargestellte Steuerelektrode. Der Halbleiterchip 2 ist auf ein Substrat 4 montiert, in welchem eine Schaltkreisstruktur bzw. ein Schaltungsmuster 41 in einer Oberfläche eines isolierenden Substrats 42 ausgebildet ist. Die untere Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 ist mit dem Schaltungsmuster 41 verbunden.
  • Das Gehäuse 6 ist eine Hülle, in der der Halbleiterchip 2, das unter Druck setzende Bauteil 1 und das Substrat 4 untergebracht sind. Eine oberseitige Elektrode 3 ist auf einer oberen Seite des Gehäuses 6 vorgesehen.
  • Wie in 10 gezeigt ist, ist das unter Druck setzende Bauteil 1 zwischen der oberen Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 und der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 6 platziert. Das unter Druck setzende Bauteil 1 verbindet die obere Elektrode 2a und die oberseitige Elektrode 3 elektrisch.
  • Das unter Druck setzende Bauteil 1 enthält ein Plattenfederbauteil 11. Wie in 10 dargestellt ist, umfasst das Plattenfederbauteil 11 zwei Strompfade 11a und 11b, welche einander gegenüberliegen. Aufgrund einer Einbeziehung der beiden Strompfade 11a und 11b kann eine Strombelastbarkeit des Plattenfederbauteils 11 erhöht werden.
  • In dem Halbleitermodul gemäß der Basistechnik mit der oben beschriebenen Konfiguration kann, wenn der Halbleiterchip 2 aufgrund einer Fehlfunktion oder dergleichen des Halbleiterchips 2 kurzgeschlossen wird, das Plattenfederbauteil 11 getrennt werden. Eine Trennung des Plattenfederbauteils 11 kann ein Auftreten einer Bogenentladung in einem Abschnitt, wo eine Trennung stattfindet, heraufbeschwören, so dass das Halbleitermodul weiter beschädigt werden kann.
  • Eine Trennung des Plattenfederbauteils 11 findet in der folgenden Art und Weise statt. Während der Halbleiterchip 2 kurzgeschlossen wird, fließen Kurzschlussströme durch die beiden gegenüberliegenden Strompfade 11a und 11b in der gleichen Richtung. Obwohl auch unter normalen Betriebsbedingungen des Halbleiterchips 2 Ströme durch die beiden Strompfade 11a und 11b in der gleichen Richtung fließen, ist ein Betrag von unter normalen Betriebsbedingungen fließenden Strömen verhältnismäßig klein, und es wird kein Problem verursacht. Ein Betrag von Kurzschlussströmen ist weitaus größer als ein Betrag von Strömen unter normalen Betriebsbedingungen, so dass eine elektromagnetische Kraft (eine durch Pfeile A1 in 10 angegebene Anziehungskraft) zwischen den gegenüberliegenden Strompfaden 11a und 11b erzeugt wird. Aufgrund der Anziehungskraft wird das Plattenfederbauteil 11 beschädigt, und die Strompfade 11a und 11b werden unterbrochen, so dass eine Bogenentladung auftritt.
  • In der Basistechnik ist es notwendig, das Gehäuse 6 des Halbleitermoduls unter Berücksichtigung einer Widerstandsfähigkeit gegen Bogenentladung zu entwerfen, wenn man unterstellt, dass eine Bogenentladung auftritt. Daher werden Größe und Gewicht des Gehäuses 6 erhöht, was Probleme einer erhöhten Größe und eines erhöhten Gewichts des Halbleitermoduls und gestiegener Herstellungskosten verursacht. Es ist auch notwendig, einen tolerierbaren Strombetrag des Halbleitermoduls zu begrenzen und zum Beispiel eine Kurzschluss-Schutzschaltung hinzuzufügen. Jede von Ausführungsformen, die im Folgenden beschrieben werden, ist dazu bestimmt, die vorhergehenden Probleme zu lösen.
  • <Erste Ausführungsform>
  • <Konfiguration>
  • 1 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls 100 gemäß einer ersten Ausführungsform. Wie in 1 dargestellt ist, umfasst das Halbleitermodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform einen Halbleiterchip 2, ein Gehäuse 5 und ein unter Druck setzendes Bauteil 10. Der Halbleiterchip 2 und das unter Druck setzende Bauteil 10 sind im Gehäuse 5 untergebracht.
  • Es wird besonders erwähnt, dass der Halbleiterchip 2 zum Beispiel ein IGBT ist. Der Halbleiterchip 2 umfasst eine obere Elektrode 2a und eine untere Elektrode 2b, welche als Hauptelektrode dienen und in einer oberen Oberfläche bzw. einer unteren Oberfläche des Halbleiterchips 2 platziert sind. Falls der Halbleiterchip 2 ein Schaltelement ist, enthält der Halbleiterchip 2 ferner auch eine in den Zeichnungen nicht dargestellte Steuerelektrode. Der Halbleiterchip 2 ist auf ein Substrat 4 montiert, in welchem ein Schaltungsmuster 41 in einer Oberfläche eines isolierenden Substrats 42 ausgebildet ist. Die untere Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 ist mit dem Schaltungsmuster 41 verbunden.
  • Das Gehäuse 5 ist eine Hülle, in der der Halbleiterchip 2, das unter Druck setzende Bauteil 10 und das Substrat 4 untergebracht sind. Eine oberseitige Elektrode 3 ist auf einer oberen Seite des Gehäuses 5 vorgesehen.
  • Das unter Druck setzende Bauteil 10 ist in einer Richtung (-z-Richtung), in welcher die obere Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 gedrückt wird, elastisch. Mit anderen Worten dehnt und kontrahiert sich das unter Druck setzende Bauteil 10 in ±z-Richtungen. In der ersten Ausführungsform wird mittels Elastizität eines Plattenfederbauteils 11, das eine ringförmige Form aufweist, eine Elastizität des unter Druck setzenden Bauteils 10 realisiert.
  • Wie in 1 dargestellt ist, ist das unter Druck setzende Bauteil 10 zwischen der oberen Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 und der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 platziert. Das unter Druck setzende Bauteil 10 verbindet elektrisch die obere Elektrode 2a und die oberseitige Elektrode 3.
  • Das unter Druck setzende Bauteil 10 umfasst einen leitfähigen Block 12 und das Plattenfederbauteil 11. Wie in 1 gezeigt ist, hat das Plattenfederbauteil 11 eine ringförmige Form. Das ringförmige Plattenfederbauteil 11 ist zum Beispiel in eine hexagonale Form geformt. Es wird besonders erwähnt, dass ein Begriff „ringförmig“ nicht notwendigerweise meint, dass das Plattenfederbauteil 21 einen durchgehenden Ring bildet. Das Plattenfederbauteil 11 kann beispielsweise in einer Oberfläche, wo das Plattenfederbauteil 11 mit der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 in Kontakt ist, unterbrochen vorgesehen sein.
  • Ein oberer Abschnitt des ringförmigen Plattenfederbauteils 11 ist mit der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 in Kontakt. Ein unterer Abschnitt des ringförmigen Plattenfederbauteils 11 ist mit der oberen Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 in Kontakt. Das ringförmige Plattenfederbauteil 11 enthält zwei Strompfade 11a und 11b, die einander gegenüberliegen.
  • Der leitfähige Block 12 ist ein aus Metall bestehender Block und ist beispielsweise ein Kupferblock. Der leitfähige Block 12 ist zwischen den beiden Strompfaden 11a und 11b, welche einander gegenüberliegen, platziert. Der leitfähige Block 12 ist mit einer Innenwand des Plattenfederbauteils 11 in Kontakt. In der ersten Ausführungsform ist der leitfähige Block 12 mit einer Innenwand des ringförmigen Plattenfederbauteils 11 in Kontakt, wobei die Innenwand nahe dem Halbleiterchip 2 gelegen ist.
  • <Betrieb>
  • 2 ist ein schematisches Diagramm, das eine Art und Weise zeigt, in der Ströme durch das unter Druck setzende Bauteil 10 des Halbleitermoduls 100 in der ersten Ausführungsform fließen.
  • Wie durch Pfeile C1 in 2 angegeben ist, fließen, wenn der Halbleiterchip 2 aufgrund einer Fehlfunktion oder dergleichen des Halbleiterchips 2 kurzgeschlossen ist, Kurzschlussströme durch die gegenüberliegenden Strompfade 11a und 11b des Plattenfederbauteils 11 in der -z-Richtung. Somit werden Wirbelströme in einer Oberfläche des leitfähigen Blocks 12 aufgrund eines Nahheits- bzw. Proximity-Effekts erzeugt. Wie durch Pfeile C2 in 2 angegeben ist, werden in jeder von Oberflächen des leitfähigen Blocks 12, wobei die Oberflächen den Strompfaden 11a und 11b jeweils zugewandt sind (das heißt, Oberflächen, die in einer y-Richtung und einer -y-Richtung gelegen sind), Ströme, die in eine zu einem Kurzschlussstrom entgegengesetzte Richtung (das heißt, die z-Richtung) fließen, erzeugt. Durch Pfeile C2 angegebene Ströme werden dann durch eine Oberfläche des leitfähigen Blocks 12 umgekehrt, wobei die Oberfläche in der z-Richtung gelegen ist, und fließen in der -z-Richtung, wie durch Pfeile C3 angegeben ist. Durch Pfeile C3 angegebene Ströme fließen durch Oberflächen des leitfähigen Blocks 12, wobei die Oberflächen den Strompfaden 11a und 11b nicht zugewandt sind (das heißt, Oberflächen, die in einer x-Richtung und einer -x-Richtung gelegen sind).
  • Auf diese Weise wird, da ein Strom durch den leitfähigen Block 12 in einer Richtung entgegengesetzt zu einer Richtung eines durch jeden der Strompfade 11a und 11b des Plattenfederbauteils 11 fließenden Kurzschlussstroms fließt, eine zwischen den beiden gegenüberliegenden Strompfaden 11a und 11b im Plattenfederbauteil 11 erzeugte Anziehungskraft entspannt. Dementsprechend ist es möglich, eine Trennung aufgrund einer Schädigung am Plattenfederbauteil 11 zu unterdrücken.
  • Obwohl ein einziger Halbleiterchip 2 und ein einziges unter Druck setzendes Bauteil 10 in 1 dargestellt sind, können außerdem eine Vielzahl von Halbleiterchips 2 und eine Vielzahl von unter Druck setzenden Bauteilen 10 in einem Gehäuse 5 untergebracht sein. Eine Konfiguration, in der eine Vielzahl von Halbleiterchips 2 und eine Vielzahl von unter Druck setzenden Bauteilen 10 in einem einzigen Gehäuse 5 untergebracht sind, wird in einer dritten Ausführungsform beschrieben.
  • <Effekt>
  • Das Halbleitermodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform enthält zumindest einen Halbleiterchip 2, das Gehäuse 5, in welchem der Halbleiterchip 2 untergebracht ist, und zumindest ein unter Druck setzendes Bauteil 10, das zwischen der oberen Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 und der oberseitigen Elektrode 3, die im Gehäuse 5 vorgesehen ist, platziert und dafür konfiguriert ist, die obere Elektrode 2a und die oberseitige Elektrode 3 elektrisch zu verbinden, wobei das unter Druck setzende Bauteil 10 elastisch ist und das unter Druck setzende Bauteil 10 den leitfähigen Block 12 und das Plattenfederbauteil 11 umfasst, das die Strompfade 11a und 11b enthält, welche einander gegenüberliegen, wobei zumindest ein Teil des leitfähigen Blocks 12 zwischen den Strompfaden 11a und 11b gelegen ist.
  • In dem Halbleitermodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform ist der leitfähige Block 12 zwischen den gegenüberliegenden Strompfaden 11a und 11b des Plattenfederbauteils 11 platziert, und somit wird, wenn ein Kurzschlussstrom durch die Strompfade 11a und 11b fließt, ein in einer zu einem Kurzschlussstrom entgegengesetzten Richtung fließender Wirbelstrom im leitfähigen Block 12 erzeugt. Infolgedessen wird eine zwischen den gegenüberliegenden Strompfaden 11a und 11b erzeugte Anziehungskraft entspannt. Dementsprechend ist es möglich, eine Trennung aufgrund einer Schädigung am Plattenfederbauteil 11 zu unterdrücken.
  • Wie oben beschrieben wurde, kann im Halbleitermodul 100 eine Schädigung an dem Plattenfederbauteil 11 unterdrückt werden, und somit kann verhindert werden, dass eine Bogenentladung aufgrund einer Unterbrechung in den Strompfaden 11a und 11b auftritt. Dementsprechend wird eine Stärke, die vom Gehäuse 5 des Halbleitermoduls 100 gefordert wird, reduziert, so dass eine Erhöhung einer Größe und eines Gewichts des Halbleitermoduls 100 unterdrückt werden kann. Auch wird eine Stärke, die vom Gehäuse 5 des Halbleitermoduls 100 gefordert wird, reduziert, so dass Herstellungskosten ebenfalls reduziert werden können.
  • Ferner weist in dem Halbleitermodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform das Plattenfederbauteil 11 eine ringförmige Form auf, ist der obere Abschnitt des ringförmigen Plattenfederbauteils 11 mit der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 in Kontakt, ist der untere Abschnitt des ringförmigen Plattenfederbauteils 11 mit der oberen Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 in Kontakt, und der leitfähige Block 12 ist so platziert, dass er mit einer Innenwand des ringförmigen Plattenfederbauteils 11 in Kontakt ist.
  • Indem man den leitfähigen Block 12 so platziert, dass der leitfähige Block 12 mit einer Innenwand des ringförmigen Plattenfederbauteils 11 wie oben beschrieben in Kontakt ist, ist es möglich, eine Trennung aufgrund einer Schädigung am Plattenfederbauteil 11 zu unterdrücken, wenn ein Kurzschlussstrom durch das Plattenfederbauteil 11 fließt.
  • <Erste Modifikation der ersten Ausführungsform>
  • 3 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls 100A gemäß einer ersten Modifikation der ersten Ausführungsform. In der ersten Modifikation enthält ein unter Druck setzendes Bauteil 10A eine Feder 13. Die Feder 13 ist beispielsweise Schraubenfeder.
  • Wie in 3 dargestellt ist, sind in der ersten Modifikation der leitfähige Block 12 und die Feder 13 zwischen einer Innenwand des Plattenfederbauteils 11, wobei die Innenwand nahe dem Halbleiterchip 2 gelegen ist, und einer Innenwand des Plattenfederbauteils 11, wobei die Innenwand nahe der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 gelegen ist, in Reihe miteinander platziert. Mit anderen Worten sind der leitfähige Block 12 und die Feder 13 so platziert, dass sie entlang der z-Richtung gestapelt sind.
  • Wenngleich der leitfähige Block 12 nahe dem Halbleiterchip 2 platziert ist und die Feder 13 nahe der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 in 3 platziert ist, können jeweilige Positionen des leitfähigen Blocks 12 und der Feder 13 vertauscht werden.
  • In der ersten Modifikation ist es, indem die Feder 13 mit dem leitfähigen Block 12 in Reihe platziert wird, möglich, eine Elastizität des unter Druck setzenden Bauteils 10A gemäß einer Eigenschaft der Feder 13 einzustellen. Selbst in einem Fall, in dem die Feder 13 leitfähig ist, fungiert die Feder 13 als Induktivität und bietet insbesondere eine hohe Impedanz bei hohen Frequenzen, so dass kein Strom fließt.
  • <Effekt>
  • In dem Halbleitermodul 100A gemäß der ersten Modifikation der ersten Ausführungsform enthält das unter Druck setzende Bauteil 10A ferner die Feder 13, und der leitfähige Block 12 und die Feder 13 sind zwischen einer Innenwand des ringförmigen Plattenfederbauteils 11, wobei die Innenwand nahe dem Halbleiterchip 2 gelegen ist, und einer Innenwand des Plattenfederbauteils 11, wobei die Innenwand nahe der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 gelegen ist, miteinander in Reihe platziert.
  • Aufgrund einer Konfiguration, in der das unter Druck setzende Bauteil 10A die Feder 13 enthält, kann somit eine Elastizität des unter Druck setzenden Bauteils 10A gemäß einer Eigenschaft der Feder 13 eingestellt werden.
  • <Zweite Modifikation der ersten Ausführungsform>
  • 4 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls 100B gemäß einer zweiten Modifikation der ersten Ausführungsform. Wie in 4 dargestellt ist, umfasst in der zweiten Modifikation der in einem unter Druck setzenden Bauteil 10B enthaltene leitfähige Block 12 Vorsprünge 12a und 12b. Die Vorsprünge 12a und 12b des leitfähigen Blocks 12 ragen aus einer ringförmigen Öffnung des Plattenfederbauteils 11 jeweils in die ±x-Richtungen vor.
  • Wie in 4 dargestellt ist, enthalten Wirbelströme, die durch den leitfähigen Block 12 fließen, einen Teil, der in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom (Pfeil C1) fließt, wie durch Pfeile C3 angegeben ist. In dieser Hinsicht fließen durch Pfeile C3 angegebene Ströme durch Oberflächen des leitfähigen Blocks 12, wobei die Oberflächen den Strompfaden 11a und 11b nicht zugewandt sind (das heißt, Oberflächen, die in der x-Richtung und der -x-Richtung gelegen sind). In der zweiten Modifikation sind dann Oberflächen des leitfähigen Blocks 12, wobei die Oberflächen in der x-Richtung und der -x-Richtung gelegen sind, so ausgebildet, dass sie aus der ringförmigen Öffnung des Plattenfederbauteils 11 vorragen. Infolgedessen können von im leitfähigen Block 12 erzeugten Wirbelströmen Ströme (durch Pfeile C3 angegebene Ströme), die in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom fließen, von einem Kurzschlussstrom (einem durch Pfeil C1 angegebenen Strom), der durch das Plattenfederbauteil 11 fließt, ferngehalten werden.
  • <Effekt>
  • In dem Halbleitermodul 100B gemäß der zweiten Modifikation der ersten Ausführungsform enthält der leitfähige Block 12 die Vorsprünge 12a und 12b, die aus der ringförmigen Öffnung des Plattenfederbauteils 11 vorragen.
  • Infolgedessen fließt von im leitfähigen Block 12 erzeugten Wirbelströmen ein Strom, der in der gleichen Richtung wie ein durch das Plattenfederbauteil 11 fließender Kurzschlussstrom fließt, durch die Vorsprünge 12a und 12b. Dementsprechend kann von im leitfähigen Block 12 erzeugten Wirbelströmen ein Strom, der in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom fließt, von einem durch das Plattenfederbauteil 11 fließenden Kurzschlussstrom ferngehalten werden. Folglich wird eine zwischen den beiden gegenüberliegenden Strompfaden 11a und 11b des Plattenfederbauteils 11 erzeugte Anziehungskraft weiter entspannt, so dass eine Trennung aufgrund einer Schädigung an dem Plattenfederbauteil 11 unterdrückt werden kann.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • <Konfiguration>
  • 5 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls 200 gemäß einer zweiten Ausführungsform. Das Halbleitermodul 200 gemäß der zweiten Ausführungsform ist von demjenigen in der ersten Ausführungsform (1) in einer Konfiguration eines unter Druck setzenden Bauteils 20 verschieden. Konfigurationen der anderen Komponenten sind mit jenen in der ersten Ausführungsform identisch, und deren Beschreibung wird somit unterlassen.
  • Das unter Druck setzende Bauteil 20 ist in einer Richtung (-z-Richtung), in der eine obere Elektrode 2a eines Halbleiterchips 2 gedrückt wird, elastisch. In der zweiten Ausführungsform wird Elastizität des unter Druck setzenden Bauteils 20 durch eine Elastizität bzw. Federkraft einer Feder 23 verwirklicht.
  • Wie in 5 dargestellt ist, ist das unter Druck setzende Bauteil 20 zwischen der oberen Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 und einer oberseitigen Elektrode 3 eines Gehäuses 5 platziert. Das unter Druck setzende Bauteil 20 verbindet die obere Elektrode 2a und die oberseitige Elektrode 3 elektrisch.
  • Das unter Druck setzende Bauteil 20 umfasst einen leitfähigen Block 22 und ein Plattenfederbauteil 21. Wie in 5 dargestellt ist, hat das Plattenfederbauteil 21 eine U-Form. Ein Bodenabschnitt des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 ist mit der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 in Kontakt oder damit verbunden. Das U-förmige Plattenfederbauteil 21 enthält zwei Strompfade 21a und 21b, die einander gegenüberliegen.
  • Der leitfähige Block 22 ist mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil 21 in Kontakt, während er zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 sandwichartig angeordnet ist. Mit anderen Worten ist zumindest ein Teil des leitfähigen Blocks 22 zwischen den beiden gegenüberliegenden Strompfaden 21a und 21b platziert. Das U-förmige Plattenfederbauteil 21 greift den leitfähigen Block 22 von beiden Seiten des leitfähigen Blocks 22, während Druck auf den leitfähigen Block 22 angewendet wird. Dementsprechend werden, selbst wenn sich das unter Druck setzende Bauteil 20 in ±z-Richtungen dehnt oder zusammenzieht und das Plattenfederbauteil 21 und der leitfähige Block 22 in Bezug aufeinander gleiten, das Plattenfederbauteil 21 und der leitfähige Block 22 in Kontakt miteinander gehalten.
  • Eine Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche nahe dem Halbleiterchip 2 gelegen ist (das heißt, eine Oberfläche, die in der -z-Richtung gelegen ist), ist mit der oberen Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 in Kontakt.
  • Das unter Druck setzende Bauteil 20 enthält auch die Feder 23. Die Feder 23 ist beispielsweise eine Schraubenfeder. Wie in 5 dargestellt ist, ist die Feder 23 zwischen einer Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche nahe der oberseitigen Elektrode des Gehäuses 5 gelegen ist (das heißt, einer Oberfläche, die in der z-Richtung gelegen ist), und einer Innenwand eines Bodenabschnitts des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 platziert. Dementsprechend fungiert selbst in einem Fall, in dem die Feder 23 leitfähig ist, die Feder 23 als Induktivität und bietet insbesondere eine hohe Impedanz bei hohen Frequenzen, so dass kein Strom fließt.
  • Auch liegt eine Position P1, wo der leitfähige Block 22 mit dem Plattenfederbauteil 21 in Kontakt ist, während er zwischen Abschnitten des Plattenfederbauteils 21 sandwichartig angeordnet ist, näher zum Halbleiterchip 2 als ein Mittelpunkt P2 in einer Höhenrichtung des leitfähigen Blocks 22.
  • <Betrieb>
  • 6 ist ein schematisches Diagramm, das eine Art und Weise zeigt, in der Ströme durch das unter Druck setzende Bauteil 20 des Halbleitermoduls 200 gemäß der zweiten Ausführungsform fließen.
  • Wie durch Pfeile C4 in 6 angegeben ist, fließen, wenn der Halbleiterchip 2 aufgrund einer Fehlfunktion oder dergleichen des Halbleiterchips 2 kurzgeschlossen wird, Kurzschlussströme durch die gegenüberliegenden Strompfade 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21 in der -z-Richtung. Kurzschlussströme fließen an einem Punkt, wo das Plattenfederbauteil 21 und der leitfähige Block 22 miteinander in Kontakt sind, in den leitfähigen Block 22. Ströme, welche in den leitfähigen Block 22 fließen, fließen dann durch Oberflächen des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberflächen jeweils den Strompfaden 21a und 21b zugewandt sind (das heißt, Oberflächen, die in einer y-Richtung und einer -y-Richtung gelegen sind), in der z-Richtung, wie durch Pfeile C5 angegeben ist. Danach werden durch Pfeile C5 angegebene Ströme durch eine Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberflächen in der z-Richtung gelegen ist, umgekehrt und fließen wie durch Pfeile C5 angegeben in die -z-Richtung. Durch Pfeile C5 angegebene Ströme fließen durch Oberflächen des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberflächen nicht nahe den Strompfaden 21a und 21b liegen (das heißt, Oberflächen, die in einer x-Richtung und einer -x-Richtung gelegen sind). Es wird besonders erwähnt, dass der Grund für einen Fluss von Strömen in der z-Richtung im leitfähigen Block 22, wie durch Pfeile C5 angegeben, darin besteht, Energie von Strömen zu minimieren.
  • Auf diese Weise wird, da ein Strom durch den leitfähigen Block 22 in einer Richtung fließt, die einer Richtung eines durch jeden der Strompfade 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21 fließenden Kurzschlussstroms entgegengesetzt ist, eine zwischen den beiden gegenüberliegenden Strompfaden 21a und 21b im Plattenfederbauteil 21 erzeugte Anziehungskraft entspannt. Dementsprechend ist es möglich, eine Trennung aufgrund einer Schädigung am Plattenfederbauteil 21 zu unterdrücken.
  • <Effekt>
  • In dem Halbleitermodul gemäß der zweiten Ausführungsform weist das Plattenfederbauteil 21 eine U-Form auf, ist ein Bodenabschnitt des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 mit der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 in Kontakt, ist der leitfähige Block 22 mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil 21 in Kontakt, während er zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 sandwichartig angeordnet ist, und eine Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche nahe dem Halbleiterchip 2 gelegen ist, ist mit der oberen Elektrode 2a des Halbleiterchips 2 in Kontakt.
  • Indem man den leitfähigen Block 12 so platziert, dass der leitfähige Block 22 zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 wie oben beschrieben angeordnet ist, ist es möglich, eine Trennung aufgrund einer Schädigung an dem Plattenfederbauteil 21 zu unterdrücken, wenn durch das Plattenfederbauteil 21 ein Kurzschlussstrom fließt.
  • In dem Halbleitermodul gemäß der zweiten Ausführungsform enthält das unter Druck setzende Bauteil 20 ferner auch die Feder 23, die zwischen einer Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche nahe der oberseitigen Elektrode 3 des Gehäuses 5 gelegen ist, und einer Innenwand eines Bodenabschnitts des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 platziert ist. Aufgrund einer Konfiguration, in der das unter Druck setzende Bauteil 20 die Feder 23 enthält, wird somit ermöglicht, dass das unter Druck setzende Bauteil 20 Elastizität aufweist.
  • Auch in dem Halbleitermodul gemäß der zweiten Ausführungsform liegt die Position P1, wo der leitfähige Block 22 mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil 21 in Kontakt ist, während er zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 sandwichartig angeordnet ist, näher zum Halbleiterchip 2 als der Mittelpunkt P2 in der Höhenrichtung des leitfähigen Blocks 22.
  • Dementsprechend sind das Plattenfederbauteil 21 und der leitfähige Block 22 miteinander in Kontakt in einer Position, die näher zum Halbleiterchip 2 als der Mittelpunkt P2 in der Höhenrichtung des leitfähigen Blocks 22 liegt, so dass ein Abschnitt des leitfähigen Blocks 22, wobei der Abschnitt jedem der Strompfade 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21 zugewandt ist, länger gemacht werden kann. Daher kann eine zwischen den Strompfaden 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21 erzeugte Anziehungskraft weiter entspannt werden.
  • <Erste Modifikation der zweiten Ausführungsform>
  • 7 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls 200A gemäß einer ersten Modifikation der zweiten Ausführungsform. Wie in 7 dargestellt ist, weist in der ersten Modifikation der in einem unter Druck setzenden Bauteil 20A enthaltene leitfähige Block 22 eine Form auf, die horizontal verlängert ist. Mit anderen Worten ist eine Breite des leitfähigen Blocks 22 entlang einer Richtung, entlang der der leitfähige Block 22 zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 sandwichartig angeordnet ist (das heißt, der y-Richtung), größer als eine Höhe des leitfähigen Blocks 22.
  • In der ersten Modifikation weist, da der leitfähige Block 22 eine Form hat, die horizontal verlängert ist, auch das Plattenfederbauteil 21 ebenfalls eine Form auf, die horizontal verlängert ist.
  • Wie in 7 gezeigt ist, umfassen durch den leitfähigen Block 22 fließende Ströme einen Teil, der in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom (Pfeile C4) fließt, wie durch Pfeil C6 angegeben ist. In dieser Hinsicht fließt ein durch Pfeil C6 angegebener Strom durch eine Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche keinem der Strompfade 21a und 21b zugewandt ist (das heißt, Oberflächen, die in der x-Richtung und der -x-Richtung) gelegen sind. In der ersten Modifikation ist dann jede der Oberflächen des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberflächen in der x-Richtung und der -x-Richtung gelegen sind, in eine Form ausgebildet, die horizontal verlängert ist. Infolgedessen kann ein Strom (ein durch Pfeil C6 angegebener Strom), der durch den leitfähigen Block 22 in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom fließt, von einem Kurzschlussstrom (einem durch Pfeile C4 angegebenen Strom), der durch das Plattenfederbauteil 21 fließt, ferngehalten werden.
  • <Effekt>
  • In dem Halbleitermodul 200A gemäß der ersten Modifikation der zweiten Ausführungsform ist eine Breite des leitfähigen Blocks 22 entlang einer Richtung, entlang der der leitfähige Block 22 zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 sandwichartig angeordnet ist, größer als eine Höhe des leitfähigen Blocks 22.
  • Indem man sie so auslegt, dass eine Breite des leitfähigen Blocks 22 entlang einer Richtung, entlang welcher der leitfähige Block 22 zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 sandwichartig angeordnet ist, größer ist als eine Höhe des leitfähigen Blocks 22, ist es möglich, einen durch den leitfähigen Block 22 in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom fließenden Strom von einem durch das Plattenfederbauteil 21 fließenden Kurzschlussstrom fernzuhalten. Dementsprechend wird eine zwischen den beiden gegenüberliegenden Strompfaden 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21 erzeugte Anziehungskraft weiter entspannt. Folglich ist es möglich, eine Trennung aufgrund einer Schädigung am Plattenfederbauteil 21 zu unterdrücken.
  • <Zweite Modifikation der zweiten Ausführungsform>
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls 200B gemäß einer zweiten Modifikation der zweiten Ausführungsform.
  • Wie in 8 dargestellt ist, umfasst in der zweiten Modifikation der in einem unter Druck setzenden Bauteil 20B enthaltene leitfähige Block 22 Vorsprünge 22a und 22b.
  • Infolge einer Einbeziehung der Vorsprünge 22a und 22b in dem leitfähigen Block 22 ist eine Breite einer Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche mit dem Plattenfederbauteil 21 in Kontakt ist (das heißt, Oberflächen, die in der y-Richtung und der -y-Richtung gelegen sind), größer als eine Breite von jedem der Strompfade 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21. Mit anderen Worten ragen die Vorsprünge 22a und 22b des leitfähigen Blocks 22 aus dem Plattenfederbauteil 21 jeweils in den ±x-Richtungen vor.
  • Wie in 8 dargestellt ist, umfassen durch den leitfähigen Block 22 fließende Ströme einen Teil, der in der gleichen Richtung wie ein durch das Plattenfederbauteil 21 fließender Kurzschlussstrom (Pfeil C4) fließt, wie durch Pfeile C6 angegeben ist. In dieser Hinsicht fließen durch Pfeile C6 angegebene Ströme durch Oberflächen des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberflächen den Strompfaden 21a und 21b nicht zugewandt sind (das heißt, Oberflächen, die in der x-Richtung und der -x-Richtung gelegen sind). In der zweiten Modifikation sind dann Oberflächen des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberflächen in der x-Richtung und der -x-Richtung gelegen sind, so ausgebildet, dass sie vom Plattenfederbauteil 21 vorragen. Infolgedessen können von durch den leitfähigen Block 22 fließenden Strömen Ströme (durch Pfeile C6 angegebene Ströme), die in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom fließen, von einem durch das Plattenfederbauteil 21 fließenden Kurzschlussstrom (einem durch Pfeil C4 angegebenen Strom) ferngehalten werden.
  • <Effekt>
  • In dem Halbleitermodul 200B gemäß der zweiten Modifikation der zweiten Ausführungsform ist eine Breite einer Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil 21 in Kontakt ist, größer als eine Breite von jedem der Strompfade 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21.
  • Indem man sie so auslegt, dass eine Breite einer Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche mit dem Plattenfederbauteil 21 in Kontakt ist, größer ist als eine Breite von jedem der Strompfade 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21, ist es möglich, einen durch den leitfähigen Block 22 in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom fließenden Strom von einem durch das Plattenfederbauteil 21 fließenden Kurzschlussstrom fernzuhalten. Dementsprechend wird eine zwischen den beiden gegenüberliegenden Strompfaden 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21 erzeugte Anziehungskraft weiter entspannt. Folglich kann eine Trennung aufgrund einer Schädigung am Plattenfederbauteil 21 weiter unterdrückt werden.
  • Es wird besonders erwähnt, dass der leitfähige Block 22 in eine Form ausgebildet sein kann, die sowohl ein Merkmal der ersten Modifikation (7) als auch ein Merkmal der zweiten Modifikation (8) aufweist. Konkreter kann der leitfähige Block 22 auf solch eine Weise ausgestaltet sein, dass eine Breite des leitfähigen Blocks 22 entlang einer Richtung, entlang der der leitfähige Block 22 zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils 21 sandwichartig angeordnet ist, größer als eine Höhe des leitfähigen Blocks 22 ist und eine Breite einer Oberfläche des leitfähigen Blocks 22, wobei die Oberfläche mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil 21 in Kontakt ist, größer als eine Breite von jedem der Strompfade 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21 ist.
  • In der zweiten Ausführungsform können durch Kombination der ersten und zweiten Modifikationen von durch den leitfähigen Block 22 fließenden Strömen Ströme (durch Pfeile C6 in 7 und 8 angegebene Ströme), die in der gleichen Richtung wie ein Kurzschlussstrom hindurch fließen, von einem durch das Plattenfederbauteil 21 fließenden Kurzschlussstrom (einem durch Pfeile C4 in 7 und 8 angegebenen Strom) ferngehalten werden. Dementsprechend wird eine zwischen den beiden gegenüberliegenden Strompfaden 21a und 21b des Plattenfederbauteils 21 erzeugte Anziehungskraft weiter entspannt. Folglich ist es möglich, eine Trennung aufgrund einer Schädigung am Plattenfederbauteil 21 zuverlässiger zu unterdrücken.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • 9 ist eine Seitenansicht eines Inneren eines Gehäuses eines Halbleitermoduls 300 gemäß einer dritten Ausführungsform. Wie in 9 dargestellt ist, sind in dem Halbleitermodul 300 eine Vielzahl von Halbleiterchips 2 und eine Vielzahl von unter Druck setzenden Bauteilen 10 in einem Gehäuse 5 untergebracht.
  • In der dritten Ausführungsform ist jedes der unter Druck setzenden Bauteile 10 für jeden der Halbleiterchips 2 platziert. Eine Konfiguration von jedem der unter Druck setzenden Bauteile 10 ist mit derjenigen in der ersten Ausführungsform (1) identisch, und somit wird deren Beschreibung weggelassen. In der dritten Ausführungsform ist die Vielzahl von Halbleiterchips 2 zwischen einer gemeinsamen oberseitigen Elektrode 3 und einem Schaltungsmuster 41 platziert. Die Vielzahl von Halbleiterchips 2 ist zum Beispiel ein IGBT und eine mit dem IGBT parallel verbundene Freilaufdiode.
  • Es wird besonders erwähnt, dass in der dritten Ausführungsform das unter Druck setzende Bauteil 10 durch jedes beliebige der unter Druck setzenden Bauteile 10A, 10B, 20, 20A und 20B ersetzt werden kann.
  • <Effekt>
  • In dem Halbleitermodul 300 gemäß der dritten Ausführungsform sind die Vielzahl von Halbleiterchips 2 und die Vielzahl von unter Druck setzenden Bauteilen 10 enthalten, ist jedes der unter Druck setzenden Bauteile 10 für jeden in der Vielzahl von Halbleiterchips 2 platziert, und die Vielzahl von Halbleiterchips 2 und die Vielzahl von unter Druck setzenden Bauteilen 10 sind in dem gleichen Gehäuse 5 untergebracht.
  • Falls die Vielzahl von Halbleiterchips 2 im Gehäuse 5 platziert wird, indem jedes der unter Druck setzenden Bauteile 10 für jeden der Vielzahl von Halbleiterchips platziert wird, ist es möglich, Drücke auf die Vielzahl von Halbleiterchips 2 gleichmäßig anzuwenden. Wie in den ersten und zweiten Ausführungsformen beschrieben wurde, kann ferner auch in dem Halbleitermodul 300 eine Schädigung am Plattenfederbauteil 11 unterdrückt werden, so dass ein Auftreten einer Bogenentladung unterdrückt wird. Dementsprechend wird eine Stärke, die vom Gehäuse 5 des Halbleitermoduls 300 gefordert wird, reduziert, so dass eine Erhöhung einer Größe und eines Gewichts des Halbleitermoduls 300 unterdrückt werden kann. Ferner wird eine Stärke, die vom Gehäuse 5 des Halbleitermoduls 300 gefordert wird, reduziert, so dass auch Herstellungskosten reduziert werden können.
  • Außerdem kann in dem Halbleitermodul gemäß jeder der ersten bis dritten Ausführungsformen der Halbleiterchip 2 einen Halbleiter mit breiter Bandlücke enthalten. Ein Halbleiter mit breiter Bandlücke kann auch Siliziumcarbid (SiC) enthalten. Ferner kann im Halbleitermodul gemäß jeder der ersten bis dritten Ausführungsformen der Halbleiterchip 2 ein IGBT sein. Auf der anderen Seite kann der Halbleiterchip ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) sein.
  • Einen Halbleiter mit breiter Bandlücke für den Halbleiterchip 2 zu verwenden, erhöht eine Temperatur, bei der ein Halbleitermodul arbeiten kann. Einen IGBT als den Halbleiterchip 2 zu verwenden verwirklicht ein Hochgeschwindigkeitsschalten mit hoher Leistung. Ferner können in einem aus SiC bestehenden MOSFET eine hohe Nennspannung (hohe Stehspannung), ein Betrieb bei hohen Frequenzen und eine Reduzierung von Schaltverlusten erzielt werden.
  • Obgleich die Erfindung im Detail dargestellt und beschrieben wurde, ist die vorhergehende Beschreibung in allen Aspekten veranschaulichend, und die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorhergehende Beschreibung beschränkt. Es versteht sich daher, dass nicht beschriebene zahlreiche Modifikationen und Variationen konzipiert werden können, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1, 10, 10A, 10B, 20, 20A, 20B:
    unter Druck setzendes Bauteil
    2:
    Halbleiterchip
    2a:
    obere Elektrode
    2b:
    untere Elektrode
    3:
    oberseitige Elektrode
    4:
    Substrat
    41:
    Schaltungsmuster
    42:
    isolierendes Substrat
    5, 6:
    Gehäuse
    11, 21:
    Plattenfederbauteil
    11a, 11b, 21a, 21b:
    Strompfad
    12, 22:
    leitfähiger Block
    12a, 12b, 22a, 22b:
    Vorsprung
    100, 100A, 100B, 200, 200A, 200B, 300:
    Halbleitermodul
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2004528724 [0003]

Claims (15)

  1. Halbleitermodul, umfassend: zumindest einen Halbleiterchip; ein Gehäuse, in welchem der Halbleiterchip untergebracht ist; und zumindest ein unter Druck setzendes Bauteil, das zwischen einer oberen Elektrode des Halbleiterchips und einer oberseitigen Elektrode, die im Gehäuse vorgesehen ist, platziert ist, wobei das unter Druck setzende Bauteil dafür konfiguriert ist, die obere Elektrode und die oberseitige Elektrode elektrisch zu verbinden, wobei das unter Druck setzende Bauteil elastisch ist, und das unter Druck setzende Bauteil umfasst: einen leitfähigen Block; und ein Plattenfederbauteil, das Strompfade enthält, die einander gegenüberliegen, wobei zumindest ein Teil des leitfähigen Blocks zwischen den Strompfaden gelegen ist.
  2. Halbleitermodul nach Anspruch 1, wobei das Plattenfederbauteil eine ringförmige Form aufweist, ein oberer Abschnitt des ringförmigen Plattenfederbauteils mit der oberseitigen Elektrode des Gehäuses in Kontakt ist, ein unterer Abschnitt des ringförmigen Plattenfederbauteils mit der oberen Elektrode des Halbleiterchips in Kontakt ist, und der leitfähige Block so platziert ist, dass er mit einer Innenwand des ringförmigen Plattenfederbauteils in Kontakt ist.
  3. Halbleitermodul nach Anspruch 2, wobei das unter Druck setzende Bauteil ferner eine Feder enthält, und der leitfähige Block und die Feder zwischen einer Innenwand des ringförmigen Plattenfederbauteils, wobei die Innenwand nahe dem Halbleiterchip gelegen ist, und einer Innenwand des ringförmigen Plattenfederbauteils, wobei die Innenwand nahe der oberseitigen Elektrode des Gehäuses gelegen ist, in Reihe miteinander platziert sind.
  4. Halbleitermodul nach Anspruch 2 oder 3, wobei der leitfähige Block einen Vorsprung umfasst, der aus einer ringförmigen Öffnung des Plattenfederbauteils vorragt.
  5. Halbleitermodul nach Anspruch 1, wobei das Plattenfederbauteil eine U-Form hat, ein Bodenabschnitt des U-förmigen Plattenfederbauteils mit der oberseitigen Elektrode des Gehäuses in Kontakt ist, der leitfähige Block mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil in Kontakt ist, während er zwischen Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils sandwichartig angeordnet ist, und eine Oberfläche des leitfähigen Blocks, wobei die Oberfläche nahe dem Halbleiterchip gelegen ist, mit der oberen Elektrode des Halbleiterchips in Kontakt ist.
  6. Halbleitermodul nach Anspruch 5, wobei das unter Druck setzende Bauteil ferner eine Feder enthält, die zwischen einer Oberfläche des leitfähigen Blocks, wobei die Oberfläche nahe der oberseitigen Elektrode des Gehäuses gelegen ist, und einer Innenwand des Bodenabschnitts des U-förmigen Plattenfederbauteils gelegen ist.
  7. Halbleitermodul nach Anspruch 5 oder 6, wobei eine Position, wo der leitfähige Block mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil in Kontakt ist, während er zwischen den Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils sandwichartig angeordnet ist, näher zu dem Halbleiterchip als ein Mittelpunkt in einer Höhenrichtung des leitfähigen Blocks liegt.
  8. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei eine Breite des leitfähigen Blocks entlang einer Richtung, entlang der der leitfähige Block zwischen den Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils sandwichartig angeordnet ist, größer als eine Höhe des leitfähigen Blocks ist.
  9. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei eine Breite einer Oberfläche des leitfähigen Blocks, wobei die Oberfläche mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil in Kontakt ist, größer als eine Breite von jedem der Strompfade des Plattenfederbauteils ist.
  10. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei eine Breite des leitfähigen Blocks entlang einer Richtung, entlang welcher der leitfähige Block zwischen den Abschnitten des U-förmigen Plattenfederbauteils sandwichartig angeordnet ist, größer als eine Höhe des leitfähigen Blocks ist, und eine Breite einer Oberfläche des leitfähigen Blocks, wobei die Oberfläche mit dem U-förmigen Plattenfederbauteil in Kontakt ist, größer ist als eine Breite eines Abschnitts des Plattenfederbauteils, wobei der Abschnitt mit dem leitfähigen Block in Kontakt ist.
  11. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der zumindest eine Halbleiterchip eine Vielzahl von Halbleiterchips umfasst, das zumindest eine unter Druck setzende Bauteil eine Vielzahl von unter Druck setzenden Bauteilen umfasst, jedes der unter Druck setzenden Bauteile für jeden der Vielzahl von Halbleiterchips platziert ist, und die Vielzahl von Halbleiterchips und die Vielzahl von unter Druck setzenden Bauteilen im gleichen Gehäuse untergebracht sind.
  12. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der zumindest eine Halbleiterchip einen Halbleiter mit breiter Bandlücke enthält.
  13. Halbleitermodul nach Anspruch 12, wobei der Halbleiter mit breiter Bandlücke Siliziumcarbid einschließt.
  14. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der zumindest eine Halbleiterchip ein IGBT ist.
  15. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der zumindest eine Halbleiterchip ein MOSFET ist.
DE112016007212.0T 2016-09-13 2016-09-13 Halbleitermodul Pending DE112016007212T5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/076894 WO2018051389A1 (ja) 2016-09-13 2016-09-13 半導体モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112016007212T5 true DE112016007212T5 (de) 2019-06-06

Family

ID=61618686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112016007212.0T Pending DE112016007212T5 (de) 2016-09-13 2016-09-13 Halbleitermodul

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10593633B2 (de)
JP (1) JP6692438B2 (de)
CN (1) CN109690768B (de)
DE (1) DE112016007212T5 (de)
WO (1) WO2018051389A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018129336B4 (de) * 2018-11-21 2021-07-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einem Lastanschlusselement
WO2020235047A1 (ja) * 2019-05-22 2020-11-26 三菱電機株式会社 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004528724A (ja) 2001-06-01 2004-09-16 アーベーベー シュヴァイツ アクチェンゲゼルシャフト 高出力半導体モジュール

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710415Y2 (de) * 1977-12-01 1982-03-01
CA1111099A (en) * 1977-12-07 1981-10-20 Max Schultes Pick-off device for electrostatic copier
JPH0793163B2 (ja) * 1987-04-16 1995-10-09 株式会社東芝 接続器
DE19530264A1 (de) * 1995-08-17 1997-02-20 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
DE19903245A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-03 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul
EP1207553A1 (de) * 2000-11-16 2002-05-22 ABB Schweiz AG Einspannvorrichtung für ein druckkontaktiertes Hochleistungshalbleiterbauelement
EP1475832A1 (de) 2003-05-05 2004-11-10 ABB Technology AG Druckkontaktierbares Leistungshalbleitermodul
JP2009043775A (ja) 2007-08-06 2009-02-26 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
JP5941631B2 (ja) 2011-07-26 2016-06-29 株式会社日立製作所 電力変換装置
EP2560204A3 (de) * 2011-08-17 2016-06-08 ABB Technology AG Leistungshalbleitermodul und Halbleitermodulbaugruppe mit mehreren Leistungshalbleitermodulen
JP2013236035A (ja) * 2012-05-11 2013-11-21 Meidensha Corp 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
US9520344B2 (en) * 2012-05-16 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor module for electric power
JP6149532B2 (ja) * 2013-06-19 2017-06-21 富士電機株式会社 ステッピングモータ駆動装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004528724A (ja) 2001-06-01 2004-09-16 アーベーベー シュヴァイツ アクチェンゲゼルシャフト 高出力半導体モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN109690768A (zh) 2019-04-26
JP6692438B2 (ja) 2020-05-13
JPWO2018051389A1 (ja) 2018-11-15
WO2018051389A1 (ja) 2018-03-22
CN109690768B (zh) 2022-08-16
US20190198459A1 (en) 2019-06-27
US10593633B2 (en) 2020-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009008504B4 (de) Ein Halbleiterbauelement und Verfahren
DE112014006352T5 (de) Leistungshalbleitermodul
DE10251247A1 (de) Halbleiterbaugruppe mit Halbleiterchip, gebildet unter Verwendung eines Halbleiters mit breitem Bandabstand als Basismaterial
DE102019112935B4 (de) Halbleitermodul
DE112017004776T5 (de) Leistungshalbleitermodul und leistungshalbleiteranordnung
DE102015221590A1 (de) Halbleitermodul und Halbleitervorrichtung
DE102017216981A1 (de) Halbleitermodul
DE112020006374T5 (de) Leistungsmodul mit verbesserten elektrischen und thermischen Charakteristiken
DE102016208381A1 (de) Kondensator, insbesondere Zwischenkreiskondensator für ein Mehrphasensystem
DE102018208437A1 (de) Halbleitervorrichtung
EP1291914A1 (de) Druckkontaktierbares Leistungshalbleitermodul
DE112016007212T5 (de) Halbleitermodul
DE102016212032A1 (de) Halbleitermodul
DE112017004401B4 (de) Stromschienenstruktur und leistungswandlervorrichtung unter verwendung der stromschienenstruktur
DE102018126311B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE112017003073T5 (de) Stromwandlungsvorrichtung
DE102010026996B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE60315224T2 (de) Halbleiterbauelement mit Druckkontakt
EP3281507B1 (de) Phasenmodul für einen stromrichter
DE102020122125A1 (de) Halbleitermodul
DE3201296C2 (de) Transistoranordnung
EP2984680B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE112016007205T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112019006720B4 (de) Druckkontakttyp-Halbleitervorrichtung
DE112016006717T5 (de) Leistungs-halbleitereinheit

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R084 Declaration of willingness to licence