DE2847853C2 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

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Description

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Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, mit einem Halbleiterelement mit zwei einander gegenüberliegenden Flächen, mit mehreren Mesas auf einer dieser Flächen, mit mehreren jeweils einer Mesa zugeordneten ersten Elektrode, mit einer der die Mesas aufweisenden Fläche zugeordneten zweiten Elektrode, sowie mit einer dritten Elektrode auf der anderen Fläche des Halbleiterelementes, ferner mit einer die ersten Elektroden berührenden und mit diesen ersten Elektroden in Kontakt stehenden ersten Zwischenplatte, mit einer ersten Scheibenplatte, die elektrisch über die erste Zwischenplatte mit den zuvor erwähnten ersten Elektroden in Verbindung steht, mit einer zweiten Scheibenplatte, welche über eine Stütz- und Halteplatte elektrisch mit der dritten Elektrode in Verbindung steht, mit einem Gehäuse aus Isoliermaterial, das das Halbleiterelement umschließt, und schließlich mit einem an der Außenseite des Gehäuses angebrachten elektrisch leitenden Teil, der über einen elektrisch leitenden Anschluß mit der zweiten Elektrode verbunden ist
Eine derartige Halbleiteranordnung ist aus der US-PS 40 35 831 bekannt Sie kann als Hochleistungsschakvorrichtung für einen Strom von mehr als 100 Ampere verwendet werden. Um das Halbleiterelement gegen den Einfluß hoher Stromkonzentrationen zu schützen, ist es in Form einer Mesa-Struktur konstruiert Durch die Mesa-Struktur wird der Strom, der in der Halbleiteranordnung fließt, derart verteilt, daß mehrere zueinander parallele Strompfade entstehen. Bei der bekannten Ausführung ist die gesamte Oberfläche der Mesa-Strukturen durch eine dicke Zwischenplatte kurzgeschlossen, durch die Wärmespannungen zwischen dem Halbleiterelement und einer ersten elektrisch leitenden Scheibenplatte verringert werden. Die dicke Zwischenplatte ist aus einem Werkstoff mit dem gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten hergestellt, den das Halbleitermaterial hat Das eigentliche Halbleiterelement ist auf einer elektrisch leitenden Stütz- und Halteplatte montiert Darüber hinaus ist das Halbleiterelement von einem Gehäuse umgeben, in das es unter der Einwirkung der ersten Scheibenplatte und einer zweiten Scheibenplatte gepreßt wird.
Bei der bekannten Halbleiteranordnung hat die Zwischtnplatte eine Dicke, die wesentlich größer ist als die halbe Breite der die Mesas in der Halbleiterstruktur trennenden Vertiefungen. Wird nun eine derartige Vorrichtung mit hohem Strom in Betrieb genommen, dann legiert die aus Aluminium bestehende Elektrode auf den Mesas mit der dicken Zwischenplatte. Das wiederum hat zur Folge, daß die dicke Zwischenplatte sich starr und fest mit der Mesa-Struktur verbindet, so daß bei Temperaturunterschieden zwischen dem Halbleiterelement und der Zwischenplatte beträchtliche Spannungen mechanischer Art auf die Mesa-Struktur übertragen werden und eine Veränderung in der Kristallstruktur des Halbleiterelementes entstehen kann, die bis zum Brechen des Halbleiterelementes im Extremfalle deswegen führen kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der die infolge von Temperaturdifferenzen während des Betriebes auftretenden nechanischen Spannungen absorbiert werden, so daß Beschädigungen und Verschlechterungen der elektrischen Eigenschaften vermieden werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Dicke der ersten Zwischenplatte gleich der oder kleiner als die halbe Breite der Vertiefungen ist, die die zum Halbleiterelement gehörenden Mesas voneinander trennen.
Weitere vorteilhafte Ausführungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch eine Halbleiteranordnung, F i g. 2 eine Draufsicht auf das Halbleiterelement,
Fig.3 einen Teilschnitt der mit Fig. 1 dargestellten Halbleiteranordnung,
Fig.4 einen Schnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel der Halbleiteranordnung.
Wie aus F i g. 1 und aus F i g. 2 zu erkennen ist, enthält die Halbleiteranordnung ein Halbleiterelement 21,
beispielsweise einen NPN-Transistor, bei dem eine Mesa-Struktur 22 in einem vorgegebenen Muster in eine Fläche des Halbleiterelementes eingearbeitet ist Dem exponierten N-leitenden Bereich der Mesas 22 ist eine erste oder Emitterelektrode 25 zugeordnet, wohingegen dem P-leitenden Bereich 23 eine zweite oder Basiselektrode 26 und dem N-leitenden Bereich 24, d. h. dem Kollektorbereich, eine dritte oder Kollektorelektrode 31 zugeordnet ist. Das Halbleiterelement ist auf eine Stütz- und Halteplatte 27 montiert, und ζ -/ar durch die Killektorelektrode 31, die zweckmäßigerweise aus Aluminium hergestellt ist. Das Bezugszeichen 28 steht für eine erste Zwischenplatte, die dazu dient die Wärmespannungen, welche auf das Silizium-Halbleiterelement 21 dann übertragen werden, wenn die Halbleiteranordnung arbeitet, zu verringern.
Es ist vorteilhaft, wenn die Zwischenplatte 28 aus einem Material besteht, welches im wesentlichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie die aus Silizium bestehende Halbleiteranordnung hat. Diese Zwischenplatte 28 ist zwischen den Emitterelektroden des Halbleiterelementes und der ersten Scheibenplatte 33 angeordnet, und zwar derart, daß sie unter Druck oder unter Pressung das Halbleiterelement berührt und mit diesem in Kontakt steht. Damit aber sind Molybdän oder Wolfram die für die Zwischenplatte 28 geeigneten Werkstoffe. Von der ersten Scheibenplatte 33 und von einer zweiten Scheibenplatte 34 werden die erste Zwischenplatte 28, die Stütz- und Halteplatte 27 und das Halbleiterelement 21, das dazwischen angeordnet ist, derart zusammengepreßt, daß die Emitterzone 22 !-nd die Kollektorzone 24 des Halbleiterelementes elektrisch kontaktiert werden.
Die Basiselektrode 26 des Halbleiterelementes steht über einen elektrischen Leiter 35 mit einem elektrisch leitenden Flanschabschnitt 36 an der Außenseite des Gehäuses 30 in Verbindung. Das Gehäuse ist aus Isoliermaterial, beispielsweise aus Keramik, hergestellt. Das Bezugszeichen 32 kennzeichnet eine Schutzschicht, beispielsweise aus Silikongummi oder aus Glas, für den Schutz des PN-Überganges zwischen Basis und Kollektor.
Wie nun aus F i g. 3 zu erkennen ist, haben die Vertiefungen zwischen den Mesas eine Breite W, und die erste Zwischenplatte 28 hat eine Dicke f,, die gleich der oder kleiner als die halbe Breite dieser Vertiefungen ist.
Bei der beschriebenen Halbleiteranordnung wird eine zwischen der ersven Zwischenplatte aus Molybdän und den aus Aluminium bestehenden Emitterelektroden angeordnete Aluminium-Molybdän-Legierung kaum verformt, selbst wenn sich innerhalb des Kontaktzonenbereiches eine außergewöhnlich hohe Wärme in Folge eines starken Stromflusses in der Halbleiteranordnung entwickelt.
Fig.4 zeigt eine zweite Ausführungsform der Halbleiteranordnung, die ein GTO-Halbleiterelement 21 mit einer PNPN-Struktur enthält Dieses ebenfalls aus Silizium bestehende Halbleiterelement 21 hat zwei zueinander parallel verlaufende Flächen, wobei eine dieser Flächen eine Mesa-Struktur 22 aufweist Eine erste oder Kathodenelektrode 46 und eine zweite oder Gatelektrode 47 aus Aluminium sind jeweils den Oberflächen der Mesas bzw. der Fläche, von der aus die Mesas hervorstehen, zugeordnet Das Halbleiterelement 21 ist vermittels einer dünnen Aluminiumschicht 31 an einer Stütz- und Halteplatte 27 befestigt Es wird zusammengedrückt durch eine erste Scheibenplatte 33 und durch eine zweite Scheibenplatte 34. Die erste Zwischenplatte 28 schließt die Elektroden 46 auf den Mesas kurz, und eine zweite Zwischenplatte 29 ist beweglich auf der ersten Zwischenplatte 28 angeordnet. Alles zusammen ist dann zwischen dem Halbleiterelement und der ersten Scheibenplatte 33 angeordnet
-u Weil Silizium einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 2,5 · 10-6Grad -' hat, wird die Zwischenplatte 28 zweckmäßigerweise entweder aus Molybdän, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 5,0 · IG-6 Grad -' und eine Wärmeleitfähigkeit von 1,4 W/cm
-^ · Grad hat, oder aus Wolfram, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 4,5 · 10-6 Grad -' und eine Wärmeleitfähigkeit von 1,7 W/cm · Grad hat, hergestellt. Die Dicke der ersten Zwischenplatte 28 ist gleich der halben Breite der Vertiefungen zwischen den Mesas.
μ Diese Breite beträgt für gewöhnlich 100 μηι bis 300 μπι. Die erste Zwischenplatte 28 kann mechanisch sich unter Spannungseinwirkung elastisch deformieren, weil die Dicke dieser ersten Zwischenplatte nicht größer ist als die halbe Breite der zwischen den Mesas vorhandenen Vertiefungen. Die zweite Zwischenplatte 29 besteht vorzugsweise aus dem gleichen Werkstoff wie die erste Zwischenplatte.
Das Halbleiterelement ist auf eine Stütz- und Halteplatte montiert, die einen größeren Durchmesser als das Halbleiterelement hat. Zur Befestigung des Halbleiterelementes auf dieser Stütz- und Halteplatte wird eine Lötverbindung aus einer Gold-Zinn-Legierung verwendet. Damit ist das Halbleiterelement über die dazwischen angeordnete Stütz- und Halteplatte elektrisch und thermisch mit der zweiten Scheibenplatte verbunden. Das Halbleiterelement wird von der ersten Scheibenplatte 33 und von der zweiten Scheibenplatte 34 zusammengepreßt. Es ist in einem Gehäuse untergebracht. Dieses Gehäuse 30 bildet eine zylindri-
5» sehe Umhüllung aus Isoliermaterial, die mit den Scheibenplatten 33 und 34 vermittels einer Nickel-Eisen-Legierung verbunden ist. Die Elektrode 47 ist elektrisch über einen elektrischen Leiter 35 mit einem Flanschabschnitt auf dem Äußeren des Gehäuses verbunden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterelement mit zwei einander gegenüberliegenden Flächen, mit mehreren Mesas auf einer dieser Flächen, mit mehreren jeweils einer Mesa zugeordneten ersten Elektrode, mit einer der die Mesas aufweisenden Fläche zugeordneten zweiten Elektrode, sowie mit einer dritten Elektrode auf der anderen Fläche des Halbleiterelementes, ferner mit einer die ersten ,„ Elektroden berührenden und mit diesen ersten Elektroden in Kontakt stehenden ersten Zwischenplatte, mit einer ersten Scheibenplatte, die elektrisch über die erste Zwischenplatte mit den zuvor erwähnten ersten Elektroden in Verbindung steht, ,5 mit einer zweiten Scheibenplatte, welche über eine Stütz- und Halteplatte elektrisch mit der dritten Elektrode in Verbindung steht, mit einem Gehäuse aus Isoliermaterial, das das Halbleiterelement umschließt, und schließlich mit einem an der 2q Außenseite des Gehäuses angebrachten elektrisch leitenden Teil, der über einen elektrisch leitenden Anschluß mit der zweiten Elektrode verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke (t\) der ersten Zwischenplatte (28) gleich der oder 2s kleiner als die halbe Breite der Vertiefunger. (W) ist, die die zum Halbleiterelement gehörenden Mesas (22) voneinander trennen.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Zwischenplatte (29) zwischen der ersten Zwischenplatte (28) und der ersten Scheibenplatte (33) angeordnet ist.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der zweiten Zwischenplatte (29) größer ist als die halbe Breite der J5 Vertiefungen (W), die die Mesas des Halbleiterelementes voneinander trennen.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zwischenplatte (28) und die zweite Zwischenplatte (29) im wesentlichen w den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten haben.
5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zwischenplatte (28) und die zweite Zwischenpiatte (29) aus dem gleichen Material hergestellt sind.
6. Halbleiteranordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zwischenplatte (28) aus Molybdän besteht.
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DE2847853A 1978-01-07 1978-11-03 Halbleiteranordnung Expired DE2847853C2 (de)

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4402004A (en) * 1978-01-07 1983-08-30 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha High current press pack semiconductor device having a mesa structure
JPS56131955A (en) * 1980-09-01 1981-10-15 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS57100737A (en) * 1980-12-16 1982-06-23 Toshiba Corp Semiconductor device
US4420203A (en) * 1981-06-04 1983-12-13 International Business Machines Corporation Semiconductor module circuit interconnection system
DE3232168A1 (de) * 1982-08-30 1984-03-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit druckkontakt
JPS59134876A (ja) * 1983-01-20 1984-08-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US4604591A (en) * 1983-09-29 1986-08-05 Hazeltine Corporation Automatically adjustable delay circuit having adjustable diode mesa microstrip delay line
JPS60132366A (ja) * 1983-12-21 1985-07-15 Toshiba Corp 半導体装置
JPS61218151A (ja) * 1985-03-23 1986-09-27 Hitachi Ltd 半導体装置
DE3667362D1 (de) * 1985-10-15 1990-01-11 Siemens Ag Leistungsthyristor.
JPS62152464U (de) * 1986-03-19 1987-09-28
CH670334A5 (de) * 1986-09-16 1989-05-31 Bbc Brown Boveri & Cie
US4885630A (en) * 1986-10-27 1989-12-05 Electric Power Research Institute High power multi-layer semiconductive switching device having multiple parallel contacts with improved forward voltage drop
JPH081914B2 (ja) * 1987-03-31 1996-01-10 株式会社東芝 圧接型半導体装置
US4987476A (en) * 1988-02-01 1991-01-22 General Instrument Corporation Brazed glass pre-passivated chip rectifier
GB2215125B (en) * 1988-02-22 1991-04-24 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US4931906A (en) * 1988-03-25 1990-06-05 Unitrode Corporation Hermetically sealed, surface mountable component and carrier for semiconductor devices
JP2678327B2 (ja) * 1991-02-15 1997-11-17 住友金属鉱山株式会社 フレキシブル配線基板およびその製造方法
DE4227063A1 (de) * 1992-08-15 1994-02-17 Abb Research Ltd Abschaltbares Hochleistungs-Halbleiterbauelement
EP0927433B1 (de) * 1997-07-19 2005-11-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Halbleitervorrichtung -anordnung und -schaltungen
JP7395452B2 (ja) * 2020-09-23 2023-12-11 株式会社東芝 半導体装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1564185B2 (de) * 1966-09-22 1972-11-23 International Rectifier Corp., El Segundo, Calif. (V.St A.) Schaltungsanordnung fuer einen steuerbaren halbleitergleichrichter sowie steuerbare halbleitergleichrichter hierzu
DE1614630B2 (de) * 1967-10-13 1974-09-26 Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg Steuerbares Hableiter-Gleichrichterelement für hohe Strombelastbarkeit
US3581163A (en) * 1968-04-09 1971-05-25 Gen Electric High-current semiconductor rectifier assemblies
US3525910A (en) * 1968-05-31 1970-08-25 Westinghouse Electric Corp Contact system for intricate geometry devices
JPS5030428B1 (de) * 1969-03-31 1975-10-01
US3654529A (en) * 1971-04-05 1972-04-04 Gen Electric Loose contact press pack
US4079409A (en) * 1973-11-27 1978-03-14 Licentia Patent-Verwaltungs G.M.B.H. Thyristor with pressure contacting
US4035831A (en) * 1975-04-17 1977-07-12 Agency Of Industrial Science & Technology Radial emitter pressure contact type semiconductor devices
US4127863A (en) * 1975-10-01 1978-11-28 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Gate turn-off type thyristor with separate semiconductor resistive wafer providing emitter ballast
DE2556749A1 (de) * 1975-12-17 1977-06-23 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise
FR2378354A1 (fr) * 1977-01-19 1978-08-18 Alsthom Atlantique Procede de fabrication de semiconducteurs de puissance a contacts presses
US4099201A (en) * 1977-04-11 1978-07-04 General Electric Company Semiconductor rectifier assembly having an insulating material therein that evolves gases when exposed to an arc

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