DE2749359A1 - Anschlussfertiges halbleiterbauelement - Google Patents

Anschlussfertiges halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE2749359A1
DE2749359A1 DE19772749359 DE2749359A DE2749359A1 DE 2749359 A1 DE2749359 A1 DE 2749359A1 DE 19772749359 DE19772749359 DE 19772749359 DE 2749359 A DE2749359 A DE 2749359A DE 2749359 A1 DE2749359 A1 DE 2749359A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ready
semiconductor component
housing
disk
conductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19772749359
Other languages
English (en)
Inventor
Helmut Ing Grad Creutz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BBC Brown Boveri France SA
Original Assignee
BBC Brown Boveri France SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC Brown Boveri France SA filed Critical BBC Brown Boveri France SA
Priority to DE19772749359 priority Critical patent/DE2749359A1/de
Priority to JP10540578A priority patent/JPS5469070A/ja
Priority to GB7842908A priority patent/GB2007431A/en
Priority to FR7831067A priority patent/FR2408219A1/fr
Publication of DE2749359A1 publication Critical patent/DE2749359A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01042Molybdenum [Mo]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01056Barium [Ba]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12036PN diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

BROWN, BOVERI & CIE . AKTIENGESELLSCHAFT [ : J lL)'K-,> !
MANNHEIM BROWN BOVtRI j
Mp.-Nr. 630/77 Mannheim, den 3. November 1977
ZFE/P3-Pn/dr
wAnschlußfertiges Halbleiterbauelement"
Die Erfindung bezieht sich auf ein anschlußfertiges Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen, mindestens einen pn-r Übergang aufweisenden Halbleiterkörper.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement kann bevorzugt bei Leistungsdioden und -thyristoren in Scheibenzellenbauweise Anwendung finden.
Der grundsätzliche Aufbau einer Thyristor-Scheibenzelle ist aus VDI-Z. 107 (1965), Nr. 34, S. 1656 bekannt. Bei der dort beschriebenen Scheibenzelle liegen einer Siliziumscheibe mit Metallisierungen für die Hauptelektroden zu beiden Seiten Molybdänplatten an. über eine Silberfolie werden die beiden Hauptanschlußelektroden des Thyristors, die gleichzeitig als Kühlblöcke dienen, auf die Molybdänplatten gepresst.
Um den hierzu erforderlichen Druck aufzubringen, wird das zusammengesetzte Halbleiterbauelement in ein übliches Druckkontaktgehäuse eingebaut oder als Scheibenzelle zwischen
909819/0155
7749359
zwei Kühlern verspannt· Als geeignete Druckkontaktgehäuse sind I beispielsweise Keramikgehäuse mit und ohne Dichtring, Keramik/ j Metallgehäuse oder auch Silikonharzgehäuse allgemein bekannt. PUr den Druckkontakt sorgen je nach Bauart der Anordnungen unterschiedliche Federn.
Als Nachteil dieser bekannten YerschluStechnik ist der erforderliche große Zeitaufwand zu nennen, ferner sind die benötigten Druckkontaktgehäuse in Relation zum darin eingebauten Halbleiterbauelement teuer.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gehäuse für Halb-' leiterbauelemen-ie zu entwickeln, das als vereinfachtes Gehäuse ! für Bauelemente mit einer Betriebstemperatur bis etwa 4200K Verwendung finden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Halbleiterbauelement ein Gehäuse aus einem Schrumpfschlauch aufweist.
Die mit der Erfindung erzielbaren Torteile bestehen insbesondere darin, daß das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit Schrumpfschlauchgehäuse wesentlich wirtschaftlicher als bisher bekannte Halbleiterbauelemente in Scheibenzellen-Bauweise mit üblichen Druckkontaktgehäusen hergestellt werden kann, d.h. preisgünstiger und weniger zeitaufwendig.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist im folgenden anhand der Zeichnung dargestellt.
Einem scheibenförmigen Halbleiterkörper 1, der aus Silizium besteht und der zur Verbesserung des thermischen und elektrischen Überganges an den Scheibenflächen metallisiert ist, liegen zu beiden Seiten Kontaktplatten 2 an. Diese Kontaktplatten 2 bestehen beispielsweise aus Molybdän. Zwischen Kontaktplatte 2 und metallisiertem Halbleiterkörper 1 können
909819/0155
zweckmäßigerweise Folien aus weichen Kontaktwerkstoffen wie z.B. Silber angeordnet sein.
An die Kontaktplatten 2 schließen sich äußere Anschlußelektroden 3 an. Diese äußeren Anschlußelektroden 3 bestehen aus einem Metall bzw. einer Metallegierung mit einem guten thermischen und elektrischen Leitvermögen, beispielsweise aus Kupfer.
Als Gehäuse für das eben beschriebene Halbleiterbauelement kommt ein Schrumpfschlauch 4 zur Anwendung.
Für das SchrumpfSchlauchgehäuse kommen Schrumpfschläuche handelsüblicher Ausführungen in Betracht, sofern die geforderten thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften, wie beispielsweise maximale Gehäusetemperatur und Durchschlagfestigkeit erfüllt werden.
Der als Formteil Torliegende Schrumpfschlauch wird über das mittels einer zangenförmigen Vorrichtung gehalterte HalBeiterbauelement gestülpt. Zur endgültigen Formgebung wird das so vorbereitete Bauelement in einen Ofen gestellt, bis der Schrumpfschlauch fest aufsitzt. Die hierfür nötigen Ofentemperaturen und Ofenzeiten hängen vom verwendeten Schrumpfschlauch-Material ab.
Das so hergestellte Bauelement wird wie eine Scheibenzelle herkömmlicher Bauart eingesetzt.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit Schrumpfschlauchgehäuse wird hier zwar am Beispiel eines druckkontaktierten ( Systems beschrieben, ist Jedoch nicht darauf beschränkt. ι
909819/0155
7'ΐ/Ρ 4 Γ 1 I67> >f!000/KE)
Das Schrumpfschlauchgehäuse kann mit Vorteil auch für Halbleiterbauelemente mit anlegierten Trägerplatten, mit einzeln verlöteten Schichten, mit Zwischenschichten oder mit duktilen Elektroden verwendet werden.
909819/0155
ΖΓΕ.'Ρ < c 1 !Ei<;SOOO/XEl
Leerseite

Claims (1)

  1. BROWN, BOVERI & CIE . AKTIENGESELLSCHAFT
    MANNHEIM BROWN BOVERI
    Mp.-Nr. 630/77 Mannheim, den 3. November 1977
    ZFE/P3-Pn/dr
    Patentanspruch:
    Anschlußfertiges Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen, mindestens einen pn-übergang aufweisenden Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement (1,2,3) ein Gehäuse aus einem Schrumpfschlauch (4) aufweist.
    909819/0155
DE19772749359 1977-11-04 1977-11-04 Anschlussfertiges halbleiterbauelement Pending DE2749359A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772749359 DE2749359A1 (de) 1977-11-04 1977-11-04 Anschlussfertiges halbleiterbauelement
JP10540578A JPS5469070A (en) 1977-11-04 1978-08-29 Semiconductor element having connecting terminal
GB7842908A GB2007431A (en) 1977-11-04 1978-11-02 Semiconductor component ready for connection
FR7831067A FR2408219A1 (fr) 1977-11-04 1978-11-02 Composant a semi-conducteur pret a etre connecte

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772749359 DE2749359A1 (de) 1977-11-04 1977-11-04 Anschlussfertiges halbleiterbauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2749359A1 true DE2749359A1 (de) 1979-05-10

Family

ID=6022992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772749359 Pending DE2749359A1 (de) 1977-11-04 1977-11-04 Anschlussfertiges halbleiterbauelement

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS5469070A (de)
DE (1) DE2749359A1 (de)
FR (1) FR2408219A1 (de)
GB (1) GB2007431A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3221794A1 (de) * 1982-06-09 1983-12-15 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Scheibenfoermige halbleiterzelle fuer druckkontaktierbare leistungshalbleiterbauelemente
DE19839422A1 (de) * 1998-08-29 2000-03-02 Asea Brown Boveri Explosionsschutz für Halbleitermodule

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3879556A1 (de) * 2020-03-11 2021-09-15 ABB Schweiz AG Leistungskomponente mit einem hauptbauelement und einem detektion- und sende-bauteilgruppe und system mit der leistungskomponente

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3221794A1 (de) * 1982-06-09 1983-12-15 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Scheibenfoermige halbleiterzelle fuer druckkontaktierbare leistungshalbleiterbauelemente
DE19839422A1 (de) * 1998-08-29 2000-03-02 Asea Brown Boveri Explosionsschutz für Halbleitermodule
US6295205B1 (en) 1998-08-29 2001-09-25 Asea Brown Boveri Ag Explosion protection for semiconductor modules

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5469070A (en) 1979-06-02
GB2007431A (en) 1979-05-16
FR2408219A1 (fr) 1979-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19983419B3 (de) Elektrisch isoliertes verpacktes Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10066442B4 (de) Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur
DE60119865T2 (de) Elektrische Energie(um)wandlungsvorrichtung
DE2556749A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise
DE112014006676B4 (de) Leistungsmodulvorrichtung
DE112016000904T5 (de) Leistungsmodul
DE69123298T2 (de) Leistungshalbleiteranordnung, geeignet zur Automation der Herstellung
DE112015000660T5 (de) Leistungsmodul und Herstellungsverfahren dafür
DE2035252A1 (de) Halbleiterbauelement
DE102017200013A1 (de) Halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren
DE102016208029A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102014101261A1 (de) Leistungstransistoranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE1079205B (de) Starkstrom-Gleichrichter
DE2711776A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement
DE102013219959A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE112014001491T5 (de) Halbleitermodul
EP0013707A1 (de) Leistungs-Halbleiterbauelement
DE2632154C2 (de) Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement
DE102020122125A1 (de) Halbleitermodul
DE2749359A1 (de) Anschlussfertiges halbleiterbauelement
DE69030710T2 (de) Kryogene Leistungshalbleitervorrichtung
DE2638909A1 (de) Halbleiteranordnung
DE202019106541U1 (de) Leistungsmodul mit gehäusten Leistungshalbleitern zur steuerbaren elektrischen Leistungsversorgung eines Verbrauchers
DE102019218157A1 (de) Leistungsmodul mit gehäusten Leistungshalbleitern zur steuerbaren elektrischen Leistungsversorgung eines Verbrauchers sowie Verfahren zur Herstellung
EP0014761A1 (de) Kontaktsystem für Leistungs-Thyristor

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
OHN Withdrawal