DE2749359A1 - Anschlussfertiges halbleiterbauelement - Google Patents
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Description
MANNHEIM BROWN BOVtRI j
Mp.-Nr. 630/77 Mannheim, den 3. November 1977
ZFE/P3-Pn/dr
wAnschlußfertiges Halbleiterbauelement"
Die Erfindung bezieht sich auf ein anschlußfertiges Halbleiterbauelement
mit einem scheibenförmigen, mindestens einen pn-r Übergang aufweisenden Halbleiterkörper.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement kann bevorzugt bei Leistungsdioden und -thyristoren in Scheibenzellenbauweise
Anwendung finden.
Der grundsätzliche Aufbau einer Thyristor-Scheibenzelle ist aus VDI-Z. 107 (1965), Nr. 34, S. 1656 bekannt. Bei der dort
beschriebenen Scheibenzelle liegen einer Siliziumscheibe mit Metallisierungen für die Hauptelektroden zu beiden Seiten
Molybdänplatten an. über eine Silberfolie werden die beiden Hauptanschlußelektroden des Thyristors, die gleichzeitig als
Kühlblöcke dienen, auf die Molybdänplatten gepresst.
Um den hierzu erforderlichen Druck aufzubringen, wird das zusammengesetzte Halbleiterbauelement in ein übliches Druckkontaktgehäuse
eingebaut oder als Scheibenzelle zwischen
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zwei Kühlern verspannt· Als geeignete Druckkontaktgehäuse sind I beispielsweise Keramikgehäuse mit und ohne Dichtring, Keramik/ j
Metallgehäuse oder auch Silikonharzgehäuse allgemein bekannt. PUr den Druckkontakt sorgen je nach Bauart der Anordnungen
unterschiedliche Federn.
Als Nachteil dieser bekannten YerschluStechnik ist der erforderliche
große Zeitaufwand zu nennen, ferner sind die benötigten Druckkontaktgehäuse in Relation zum darin eingebauten
Halbleiterbauelement teuer.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gehäuse für Halb-'
leiterbauelemen-ie zu entwickeln, das als vereinfachtes Gehäuse !
für Bauelemente mit einer Betriebstemperatur bis etwa 4200K
Verwendung finden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Halbleiterbauelement ein Gehäuse aus einem Schrumpfschlauch
aufweist.
Die mit der Erfindung erzielbaren Torteile bestehen insbesondere darin, daß das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit
Schrumpfschlauchgehäuse wesentlich wirtschaftlicher als bisher bekannte Halbleiterbauelemente in Scheibenzellen-Bauweise mit
üblichen Druckkontaktgehäusen hergestellt werden kann, d.h. preisgünstiger und weniger zeitaufwendig.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist im folgenden anhand
der Zeichnung dargestellt.
Einem scheibenförmigen Halbleiterkörper 1, der aus Silizium
besteht und der zur Verbesserung des thermischen und elektrischen Überganges an den Scheibenflächen metallisiert ist,
liegen zu beiden Seiten Kontaktplatten 2 an. Diese Kontaktplatten 2 bestehen beispielsweise aus Molybdän. Zwischen
Kontaktplatte 2 und metallisiertem Halbleiterkörper 1 können
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zweckmäßigerweise Folien aus weichen Kontaktwerkstoffen wie z.B. Silber angeordnet sein.
An die Kontaktplatten 2 schließen sich äußere Anschlußelektroden 3 an. Diese äußeren Anschlußelektroden 3 bestehen aus
einem Metall bzw. einer Metallegierung mit einem guten thermischen und elektrischen Leitvermögen, beispielsweise aus
Kupfer.
Als Gehäuse für das eben beschriebene Halbleiterbauelement kommt ein Schrumpfschlauch 4 zur Anwendung.
Für das SchrumpfSchlauchgehäuse kommen Schrumpfschläuche
handelsüblicher Ausführungen in Betracht, sofern die geforderten thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften,
wie beispielsweise maximale Gehäusetemperatur und Durchschlagfestigkeit erfüllt werden.
Der als Formteil Torliegende Schrumpfschlauch wird über das
mittels einer zangenförmigen Vorrichtung gehalterte HalBeiterbauelement
gestülpt. Zur endgültigen Formgebung wird das so vorbereitete Bauelement in einen Ofen gestellt, bis der
Schrumpfschlauch fest aufsitzt. Die hierfür nötigen Ofentemperaturen
und Ofenzeiten hängen vom verwendeten Schrumpfschlauch-Material ab.
Das so hergestellte Bauelement wird wie eine Scheibenzelle herkömmlicher Bauart eingesetzt.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit Schrumpfschlauchgehäuse
wird hier zwar am Beispiel eines druckkontaktierten (
Systems beschrieben, ist Jedoch nicht darauf beschränkt. ι
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7'ΐ/Ρ 4 Γ 1 I67>
>f!000/KE)
Das Schrumpfschlauchgehäuse kann mit Vorteil auch für Halbleiterbauelemente mit anlegierten Trägerplatten, mit einzeln
verlöteten Schichten, mit Zwischenschichten oder mit duktilen Elektroden verwendet werden.
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c 1 !Ei<;SOOO/XEl
Leerseite
Claims (1)
- BROWN, BOVERI & CIE . AKTIENGESELLSCHAFTMANNHEIM BROWN BOVERIMp.-Nr. 630/77 Mannheim, den 3. November 1977ZFE/P3-Pn/drPatentanspruch:Anschlußfertiges Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen, mindestens einen pn-übergang aufweisenden Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement (1,2,3) ein Gehäuse aus einem Schrumpfschlauch (4) aufweist.909819/0155
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Family Applications (1)
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
DE3221794A1 (de) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Scheibenfoermige halbleiterzelle fuer druckkontaktierbare leistungshalbleiterbauelemente |
DE19839422A1 (de) * | 1998-08-29 | 2000-03-02 | Asea Brown Boveri | Explosionsschutz für Halbleitermodule |
Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
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-
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- 1978-11-02 FR FR7831067A patent/FR2408219A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (3)
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DE19839422A1 (de) * | 1998-08-29 | 2000-03-02 | Asea Brown Boveri | Explosionsschutz für Halbleitermodule |
US6295205B1 (en) | 1998-08-29 | 2001-09-25 | Asea Brown Boveri Ag | Explosion protection for semiconductor modules |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS5469070A (en) | 1979-06-02 |
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FR2408219A1 (fr) | 1979-06-01 |
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