DE19856332A1 - Gehäuse für eletronisches Bauelement - Google Patents

Gehäuse für eletronisches Bauelement

Info

Publication number
DE19856332A1
DE19856332A1 DE19856332A DE19856332A DE19856332A1 DE 19856332 A1 DE19856332 A1 DE 19856332A1 DE 19856332 A DE19856332 A DE 19856332A DE 19856332 A DE19856332 A DE 19856332A DE 19856332 A1 DE19856332 A1 DE 19856332A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electronic component
housing
component according
contact spring
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19856332A
Other languages
English (en)
Inventor
Manfred Leiter
Kurt Weiblen
Bernhard Lucas
Frank Schatz
Thomas Beez
Juergen Seiz
Helmut Baumann
Herbert Olbrich
Heinz Eisenschmid
Eberhard Moess
Joachim Dutzi
Andreas Kugler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19856332A priority Critical patent/DE19856332A1/de
Priority to US09/453,267 priority patent/US6271471B1/en
Priority to JP11346738A priority patent/JP2000200979A/ja
Publication of DE19856332A1 publication Critical patent/DE19856332A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode

Abstract

Ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement weist ein Bodenteil (1), ein Wandteil (4) und ein Deckelteil (6) auf, die das elektronische Bauelement (1) umschließen und abdichten. An der Innenseite des Deckelteils (6) ist eine Kontaktfeder (7) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem Anschluß des Bauelementes (1) angebracht, wobei Deckelteil (6) und Kontaktfeder (7) aus einem Stück, vorzugsweise mittels galvanischer Metallabscheidung, hergestellt sind. Die so ausgebildete Mikrokontaktfeder (7) erlaubt einen großen Federweg bei kleinen Abmessungen und eine sichere Kontaktierung des elektronischen Bauelementes auch bei starken Temperaturschwankungen.

Description

Die Erfindung betrifft ein Gehäuse für ein elektro­ nisches Bauelement wie ein Gunn-Element, welches Gehäuse das elektronische Bauelement umschließt.
Stand der Technik
Für ein Abstandsradar bei Kraftfahrzeugen (ACC = Adaptive Cruise Control) werden Radarwellen mit Frequenzen oberhalb 50 Gigaherz eingesetzt. Zur Er­ zeugung dieser Radarwellen kommen Gunn-Elemente zum Einsatz, die aus III-V-Halbleitermaterial wie GaAs oder InP bestehen und bei Anlegen einer Gleichspan­ nung eine hochfrequente elektromagnetische Welle erzeugen. Das Gunn-Element hat beispielsweise einen Durchmesser von 70 µm und eine Dicke von 10 µm und wird auf seiner Ober- und Unterseite kontaktiert.
Der typische Aufbau eines Gunn-Oszillators ist in Fig. 5 schematisch dargestellt. An einem Oszilla­ torblock 16 mit integriertem Rechteckhohlleiter wird ein in einem Gehäuse 12 untergebrachtes Gunn- Element eingebracht und mittels einer Gleichspan­ nungszuführung 17 mit HF-Drossel- und Resonator­ scheibe kontaktiert. Ein Frequenzabstimmstift 18 dient der Frequenzabstimmung, während die Lei­ stungsregelung über einen Hohlleiter- Kurzschlußschieber 19 erfolgt.
Das Gunn-Element ist in Fig. 6a dargestellt. Auf einem Sockel 9 aus Kupfer, der der Wärmeableitung und Kontaktierung der Kontakte des Gunn-Elements dient, liegt das Gehäuse 12 des Gunn-Elements auf. Dieses Gehäuse 12 weist eine Zentrierscheibe 11 aus leitfähigem Material auf, auf der wiederum das Gunn-Element 1 mittels einer Goldscheibe 2 auf­ liegt. Um die Zentrierscheibe 11 wird ein Kerami­ kring 4 gelegt, der den Sockel 9 von dem ebenfalls metallischen Deckel 6 isoliert. Wie erwähnt, wird das Element 1 an der Ober- und Unterseite kontak­ tiert. Während die Unterseite direkt auf der Gold­ scheibe 2 aufliegt und mittels dieser kontaktiert ist, wird die Verbindung zum leitfähigen Deckel 6 durch eine kreuzförmig ausgebildete Goldfolie (Malteserkreuz 15) gebildet, welche Goldfolie in der Mitte auf den Rückkontakt des Bauelements und am Rand auf eine obere Metallisierung des Kerami­ krings 4 gebondet wird, die mit dem Deckel 6 in Kontakt steht. Durch Auflöten des Deckels 6 aus me­ tallisierter Keramik wird das Bauelement 1 herme­ tisch in dem Gehäuse 12 abgeschlossen.
Aufgrund einer starken Erwärmung unterliegt das Gunn-Element einer starken thermischen Ausdehnung beziehungsweise Schrumpfung, was zu einer Relativ­ bewegung zwischen der in Fig. 6 oben dargestellten Rückseite des Gunn-Elements 1 und dem Deckel 6 führt. Dies kann bei Dauerbetrieb zu einer Ablösung der Bond-Kontakte führen, was insbesondere bei ei­ nem der Kraftfahrzeug-Sicherheit dienenden Bauele­ ment unerwünscht ist.
Des weiteren ist die Herstellung des Gehäuses, ins­ besondere aufgrund des Bond-Prozesses aufwendig und teuer.
Vorteile der Erfindung
Das durch Anspruch 1 definierte erfindungsgemäße Gehäuse für ein elektronisches Bauelement weist ein Bodenteil, ein Wandteil und ein Deckelteil auf, die das elektronische Bauelement umschließen, wobei an dem Deckelteil eine Kontaktfeder zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem Anschluß des Bauelementes angebracht ist und Deckelteil und Kontaktfeder aus einem Stück ausgebildet sind. Die Kontaktfeder gleicht die beim Betrieb des elektro­ nischen Bauelementes auftretenden thermischen Bewe­ gungen zwischen Kontaktfläche der Diode und Deckel­ teil aus und sorgt so für eine sichere Kontaktie­ rung des elektronischen Bauelements. Da Kontaktfe­ der und Deckelteil in einem Stück ausgebildet sind, justiert sich der Kontakt beim Anbringen des Dec­ kelteils zum Verschließen des Gehäuses selbst. Da der Bond-Vorgang entfällt, vereinfacht sich der Herstellungsprozeß.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind Deckelteil und Kontaktfeder mittels galvanischer Metallabscheidung ausgebildet. Dieses Verfahren er­ möglicht bei kleiner Baugröße der Kontaktfeder, die durch die kleinen Abmessungen des elektronischen Bauelements bedingt ist, einen großen Federweg.
Vorzugsweise weist die Kontaktfeder an ihrer zu dem Bauelement weisenden Seite einen Kontaktstempel, beispielsweise aus Gold, auf, der einen sicheren Kontakt mit dem Bauelement ermöglicht.
Die Kontaktfeder weist vorzugsweise wenigstens zwei elastische Federarme auf, die die Form einer Torsionsfeder bilden können.
Gemäß einer bevorzugten Variante ist die Federkraft der Kontaktfeder so bemessen, daß eine sichere Kon­ taktierung des elektronischen Bauelementes über dessen gesamte Lebensdauer sichergestellt ist. Da­ bei kann die Kontaktfeder so ausgebildet sein, daß eine einmalige plastische Verformung, beispielswei­ se bei der Montage des Gehäuses, möglich ist. Die Kontaktfeder besteht aus einem elastischen Material, beispielsweise Nickel oder einer Nickel- Legierung. Alternativ können Deckelteil und Kon­ taktfeder ganz aus Nickel oder einer Nickellegie­ rung ausgebildet sein und als Oxidationsschutz mit einer Goldschicht einer Dicke von beispielsweise 2 µm versehen sein.
Die Kontaktfeder ist vorzugsweise so am Deckelteil angeordnet, daß beim Verschließen des Gehäuses durch das Deckelteil das elektronische Bauelement automatisch kontaktiert wird.
Das Gehäuse kann so ausgebildet sein, daß es das elektronische Bauelement hermetisch abschließt.
Das Bodenteil des Gehäuses kann auf einem Kupfer­ sockel angeordnet sein, der der elektrischen Kon­ taktierung und der Wärmeableitung dient. Das elek­ tronische Bauelement kann über eine Unterlagscheibe aus Gold auf dem Bodenteil aufliegen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Variante der Er­ findung ist das Wandteil des Gehäuses als Keramik­ ring ausgebildet. Wandteil und Deckelteil können aus einem Material mit sich entsprechenden thermi­ schen Ausdehnungskoeffizienten ausgebildet sein.
Die Kontaktfedern können mittels galvanisch abge­ schiedener Säulen am Deckelteil angebracht sein, die wiederum über einen Sockel mit dem Deckelteil verbunden sein können.
Die Erfindung liefert des weiteren ein Verfahren zur Herstellung einer Kontaktplatte für ein elek­ tronisches Bauelement, mit einer Kontaktfeder zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem Anschluß des Bauelementes versehen ist, wobei die Kontaktplatte und die Kontaktfeder in einem Prozeß nacheinander mittels photolithographischer Struktu­ rierung galvanisch abgeschieden werden.
Figuren
Weitere Vorteile der Erfindung werden anhand der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen deutlich, in denen
Fig. 1 eine schematische Explosionsdarstellung we­ sentlicher Teile des erfindungsgemäßen Gehäuses für ein elektronisches Bauelement ist;
Fig. 2 Deckelteil und Kontaktfeder eines ersten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Gehäuses in Perspektivansicht zeigt;
Fig. 3 Deckelteil und Kontaktfeder eines zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels in Perspek­ tivansicht zeigt;
Fig. 4 verschiedene Federarmgeometrien zeigt;
Fig. 5 eine schematische Explosionsdarstellung ei­ nes Gunn-Oszillators ist; und
Fig. 6 ein Gehäuse für einen Gunn-Oszillator gemäß dem Stand der Technik zeigt.
Fig. 1 zeigt in Explosionsdarstellung schematisch ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Ge­ häuses für ein elektronisches Bauelement. Das Ge­ häuse umschließt das elektronische Bauelement 1, beispielsweise ein Gunn-Element, vollständig und besteht aus einem Deckelteil 6, einem Wandteil 4 und einem Bodenteil 3, 11. Das Bodenteil wird bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel durch einen Kupfersockel 3 und eine Zentrierscheibe 11 gebildet, auf der das elektronische Hauelement 1 aufliegt. Zwischen Zentrierscheibe 11 und Bauele­ ment 1 kann noch eine Unterlagscheibe 2, beispiels­ weise aus Gold, vorgesehen sein. Unterlagscheibe 2, Zentrierscheibe 11 und Kupfersockel 3 dienen sowohl der Stromversorgung des unteren Kontaktes des Bau­ elements 1 als auch der Ableitung von Wärme. Der Kupfersockel 3 wird daher auch als Heatsink be­ zeichnet, ist für die Erfindung jedoch nicht unbe­ dingt erforderlich. Das Wandteil 4 wird durch einen Keramikring gebildet, der durch die Zentrierscheibe 11 zentriert wird. Verschlossen wird das Gehäuse durch das Deckelteil 6, das auf dem Keramikring 4 beispielsweise durch Kleben fixiert wird.
Wie in den Fig. 2 und 3 gezeigt ist, weist das Deckelteil 6 auf seiner dem Bauelement 1 zugewand­ ten Innenseite eine Kontaktfeder 7 zur Kontaktie­ rung eines weiteren, auf der Oberseite des elektro­ nischen Bauelementes angeordneten Kontaktes auf. Vorzugsweise ist an der Spitze der Feder 7 ein Kon­ taktstempel 5 aus geeignetem Material wie Gold oder dergleichen angeordnet, der den Kontakt mit dem An­ schluß des Bauelementes 1 herstellt. Es ist auch möglich, Deckelteil und Kontaktfeder 7 mit einer Goldbeschichtung zu versehen. Die Kontaktfeder 7 wird durch eine Anzahl von Federarmen 10 gebildet, die an Säulen 8 befestigt sind. Bei dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Säulen 8 wiederum auf einem Sockel 9 angeordnet, während dieser Sockel bei dem in Fig. 3 gezeigten Ausfüh­ rungsbeispiel entfällt. Wesentlich ist, daß das Deckelteil 6 sowie die gesamte Federkonstruktion aus einem Stück ausgebildet sind, wodurch ein selbstjustierender Fügeprozeß ermöglicht wird. Kon­ taktfeder 7 und Deckelteil 6 weisen daher bezüglich der Konzentrizität eine sehr geringe Toleranz auf. Beim Fügen des Deckels auf das Wandteil beziehungs­ weise den Keramikring 4 wird die Kontaktfeder 7 au­ tomatisch richtig auf dem Anschlußkontakt des Bau­ elements justiert. Dadurch entfällt das aufwendige und fehleranfällige Bond-Verfahren. Da der elektri­ sche Kontakt über die Federwirkung der Kontaktfeder 7 hergestellt wird, kann eine große Kontaktsicher­ heit auch bei insbesondere im Impulsbetrieb auftre­ tenden häufigen thermischen Ausdehnungs- und Schrumpfungsvorgängen sichergestellt werden.
Vorzugsweise wird das Deckelteil 6 mit integrierter Kontaktfeder 7 durch galvanische Metallabscheidung in einem Verfahren hergestellt. Dabei werden auf ein Substrat aus Metall, Silicium, Glas oder Kera­ mik in aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten mehrere Metallschichten unterschiedlichen Materials abgeschieden. Die Strukturierung der Metallschich­ ten erfolgt wie bei mikroelektronischen Verfah­ rensprozessen schichtweise durch UV- Tiefenlithographie. Ein lichtempfindlicher Photore­ sist wird aufgetragen, mittels einer Maske, die die gewünschte Struktur der betreffenden Schicht abbil­ det, belichtet und entwickelt, wodurch die Masken­ struktur auf dem Photoresist abgebildet wird. Diese Photoresist-Struktur stellt eine Negativstruktur der späteren Metallstruktur dar. Die entstandenen Photoresistlücken werden durch galvanische Metall­ abscheidung aufgefüllt, so daß wieder eine planare Oberfläche entsteht, die als Grundlage für die nächste Schicht dient. Für jede Schicht kann je nach Funktionszweck ein anderes Material verwendet werden, wobei durch den Galvanisierungsvorgang eine feste Verbindung der Materialien sichergestellt ist. Wenn die gewünschte Anzahl von Schichten auf­ gebracht ist, wird der verbleibende Photoresist aus den Metallstrukturen herausgelöst. Dies kann zum Beispiel durch eine KOH-Behandlung oder durch ein Sauerstoffplasma beziehungsweise mittels Lösungs­ mitteln ermöglicht werden. So lassen sich auch un­ terschnittene Strukturen herstellen, soweit sicher­ gestellt ist, daß keine von außen her unzugängli­ chen Hohlräume im Metallmaterial verbleiben. De­ tails des galvanischen Metallabscheidungsverfahrens sind in der Offenlegungsschrift DE 196 07 288 A1 be­ schrieben.
Die durch galvanische Abscheidung mikromechanisch hergestellten Kontaktfedern erlauben bei sehr klei­ nen Außenabmessungen einen großen Federweg, was mit klassischen feinwerktechnischen Verfahren nicht realisierbar ist. Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß die galvanische Abscheidung von Metall in meh­ reren Ebenen erfolgt und so für verschiedene Ebenen unterschiedliche Materialien verwendet werden kön­ nen. So kann beispielsweise die Feder aus einem hochwertigen Federmaterial wie Nickel oder einer Nickel-Legierung, der Kontaktstempel aus Gold und der Deckel aus einer Metall-Legierung bestehen, de­ ren thermischer Ausdehnungskoeffizient an die Sei­ tenwand angepaßt ist. Darüber hinaus können mit dem Verfahren eine Vielzahl von Deckelteilen mit inte­ grierten Kontaktfedern gleichzeitig hergestellt werden, wodurch sich der Herstellungsprozeß wesent­ lich verbilligt.
Für die Federarme 10 sind verschiedene Geometrien denkbar. In Fig. 2 wird die Kontaktfeder 7 bei­ spielsweise durch drei in Form einer Torsionsfeder angeordnete Federarme 10 gebildet. Bei dem in Fig. 3 gezeigten Ausführungsbeispiel sind vier kreuzför­ mig angeordnete Federarme vorgesehen, die an einem Ring befestigt sind. Fig. 4 zeigt in Aufsicht wei­ tere mögliche Federarmgeometrien.
Die Federarme können so ausgebildet sein, daß sie einmalig plastisch verformbar sind, beispielsweise beim Fügevorgang, jedoch immer noch eine genügende Elastizität zur Gewährleistung eines sicheren Kon­ taktes mit dem Gunn-Element aufweisen.
Ein so im erfindungsgemäßen Gehäuse 12 verpacktes Gunn-Element kann wie ein herkömmliches Gunn- Diodenelement als Herzstück eines in Fig. 5 darge­ stellten Gunn-Oszillators beispielsweise für ein Abstandsradar in einem KFZ eingesetzt werden. Ge­ genüber dem herkömmlichen Diodengehäuse ist die Kontaktsicherheit verbessert, das Herstellungsver­ fahren und die Handhabung wesentlich vereinfacht.

Claims (20)

1. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement, mit einem Bodenteil (3, 11), einem Wandteil (4), und ei­ nem Deckelteil (6), die das elektronische Bauele­ ment (1) umschließen, wobei an dem Deckelteil (6) eine Kontaktfeder (7) zur Herstellung einer elek­ trischen Verbindung mit einem Anschluß des Bauele­ mentes (1) angebracht ist und Deckelteil (6) und Kontaktfeder (7) aus einem Stück ausgebildet sind.
2. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Deckelteil (6) und Kontaktfeder (7) mittels galvanischer Me­ tallabscheidung hergestellt sind.
3. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfeder (7) an ihrer zu dem Bauelement (1) weisenden Seite einen Kontaktstempel (5) aufweist.
4. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kon­ taktstempel (5) aus Gold ausgebildet ist.
5. Gehäuse für elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfeder (7) wenigstens zwei elastische Fe­ derarme (10) aufweist.
6. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Feder­ arme (10) die Form einer Torsionsfeder bilden.
7. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeich­ net, daß die Federkraft der Kontaktfeder (7) so be­ messen ist, daß eine sichere Kontaktierung des Bau­ elements (1) über dessen Lebensdauer sichergestellt ist.
8. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kon­ taktfeder (7) unter Beibehaltung ihrer elastischen Verformbarkeit wenigstens einmalig plastisch ver­ formbar ist.
9. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeich­ net, daß die Kontaktfeder (7) aus Nickel oder einer Nickel-Legierung ausgebildet ist.
10. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeich­ net, daß die Kontaktfeder (7) so an dem Deckelteil (6) positioniert ist, daß beim Verschließen des Ge­ häuses (12) mittels des Deckelteils (6) das elek­ tronische Bauelement (1) kontaktiert wird.
11. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeich­ net, daß das Gehäuse (12) das Bauelement (1) herme­ tisch abschließt.
12. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeich­ net, daß das Bodenteil (3) aus Kupfer ausgebildet ist und der elektrischen Verbindung mit einem wei­ teren Kontakt des elektronischen Bauelementes (1) wie auch der Wärmeableitung dient.
13. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeich­ net, daß das elektronische Bauelement (1) auf einer Unterlagscheibe (2) aus Gold aufliegt.
14. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeich­ net, daß das Wandteil (4) des Gehäuses (12) als Ke­ ramikring oder aus fotostrukturierbarem Glas ausge­ bildet ist.
15. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeich­ net, daß Wandteil (4) und Deckelteil (6) einander entsprechende thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen.
16. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 15, dadurch gekennzeich­ net, daß die Kontaktfeder (7) mittels galvanisch abgeschiedenen Säulen (8) am Deckelteil (6) ange­ bracht ist.
17. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Säulen (8) auf einem ebenfalls galvanisch abgeschiedenen Sockel (9) angebracht sind.
18. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeich­ net, daß das elektronische Bauelement (1) ein Gunn- Element ist.
19. Gehäuse für ein elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeich­ net, daß Deckelteil (6) und Kontaktfeder (7) aus Nickel oder einer Nickellegierung ausgebildet und mit einer Goldschicht versehen sind.
20. Verfahren zur Herstellung einer Kontaktplatte (6) für ein elektronisches Bauelement, mit einer Kontaktfeder (7) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem Anschluß des Bauelementes (1), wobei die Kontaktplatte (6) und die Kontaktfeder (7) in einem Prozeß nacheinander mittels photoli­ thographischer Strukturierung galvanisch abgeschie­ den werden.
DE19856332A 1998-12-07 1998-12-07 Gehäuse für eletronisches Bauelement Withdrawn DE19856332A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19856332A DE19856332A1 (de) 1998-12-07 1998-12-07 Gehäuse für eletronisches Bauelement
US09/453,267 US6271471B1 (en) 1998-12-07 1999-12-02 Housing for electronic component, and method of producing the same
JP11346738A JP2000200979A (ja) 1998-12-07 1999-12-06 電子構造エレメント用のケ―シング

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19856332A DE19856332A1 (de) 1998-12-07 1998-12-07 Gehäuse für eletronisches Bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19856332A1 true DE19856332A1 (de) 2000-06-15

Family

ID=7890210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19856332A Withdrawn DE19856332A1 (de) 1998-12-07 1998-12-07 Gehäuse für eletronisches Bauelement

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6271471B1 (de)
JP (1) JP2000200979A (de)
DE (1) DE19856332A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10038999A1 (de) * 2000-08-10 2002-03-21 Bosch Gmbh Robert Gehäuse für ein elektronisches Bauelement

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1465328A (en) * 1922-05-01 1923-08-21 American Hand Brake Company Holding device for car-brake mechanism
US2728881A (en) * 1950-03-31 1955-12-27 Gen Electric Asymmetrically conductive devices
DE1039645B (de) * 1955-03-24 1958-09-25 Hughes Aircraft Co In ein Metallgehaeuse mit isolierten Leitungsdurchfuehrungen eingeschlossene Halbleiter-Kristallode
DE1068816B (de) * 1955-09-12 1959-11-12
DE1123406B (de) * 1960-09-27 1962-02-08 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen
DE1212638B (de) * 1963-02-23 1966-03-17 Licentia Gmbh Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement
DE19607288A1 (de) * 1995-03-29 1996-10-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Lochscheibe
EP0812014A2 (de) * 1996-06-06 1997-12-10 General Motors Corporation Leistungsgleichrichterzusammenbau

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09245663A (ja) * 1996-03-04 1997-09-19 Hitachi Ltd 陰極線管
DE19623196C1 (de) * 1996-06-11 1998-01-08 Bosch Gmbh Robert Radarsensor für den Einsatz in Kraftfahrzeugen
US5871086A (en) * 1997-07-23 1999-02-16 Bp Holdings, Llc. Miniature momentary contact sliding switch

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1465328A (en) * 1922-05-01 1923-08-21 American Hand Brake Company Holding device for car-brake mechanism
US2728881A (en) * 1950-03-31 1955-12-27 Gen Electric Asymmetrically conductive devices
DE1039645B (de) * 1955-03-24 1958-09-25 Hughes Aircraft Co In ein Metallgehaeuse mit isolierten Leitungsdurchfuehrungen eingeschlossene Halbleiter-Kristallode
DE1068816B (de) * 1955-09-12 1959-11-12
DE1123406B (de) * 1960-09-27 1962-02-08 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen
DE1212638B (de) * 1963-02-23 1966-03-17 Licentia Gmbh Halbleiteranordnung mit einem in einem Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement
DE19607288A1 (de) * 1995-03-29 1996-10-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Lochscheibe
EP0812014A2 (de) * 1996-06-06 1997-12-10 General Motors Corporation Leistungsgleichrichterzusammenbau

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10038999A1 (de) * 2000-08-10 2002-03-21 Bosch Gmbh Robert Gehäuse für ein elektronisches Bauelement
US6580403B2 (en) 2000-08-10 2003-06-17 Robert Bosch Gmbh Housing for an electronic component
EP1179846A3 (de) * 2000-08-10 2003-09-03 Robert Bosch Gmbh Gehäuse für ein elektronisches Bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000200979A (ja) 2000-07-18
US6271471B1 (en) 2001-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0759231B1 (de) Verkapselung für elektronische bauelemente
DE102007038169B4 (de) Verfahren zum Verpacken auf Waferebene unter Verwendung von Waferdurchgangslöchern mit Seitenwänden mit geringem Aspektverhältnis
DE3936322C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines keramischen Substrates mit metallgefüllten Durchgangslöchern für eine Hybrid-Mikroschaltung und derart hergestelltes Substrat
EP0610709B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen Schaltungsanordnung
EP0769209B1 (de) Verfahren zur herstellung einer dreidimensionalen schaltungsanordnung
DE10151125A1 (de) Anschlussstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren sowie die Anschlussstruktur verwendende Prüfanschlussanordnung
WO2007045204A1 (de) Gehäuse mit hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches bauelement und verfahren zur herstellung
EP0865081B1 (de) Verfahren zum Herstellen von elektronischen Elementen
DE19507547C2 (de) Verfahren zur Montage von Chips
EP1595287B1 (de) Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
DE1766879B1 (de) Elektronischer baustein
DE4300516C2 (de) Leistungshalbleitermodul
DE3432449C2 (de)
DE19620940A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2601131A1 (de) Halbleitereinrichtungen vom druckkontakt-typ
DE19856332A1 (de) Gehäuse für eletronisches Bauelement
DE10246101A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur
DE19616014A1 (de) Verfahren zur Herstellung von mikromechanische Strukturen aufweisenden Halbleiterbauelementen
DE10216267B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur
DE102004010703B4 (de) Bauelement mit WLP-fähiger Verkapselung und Herstellverfahren
DE19749987B4 (de) Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leistungshalbleiterbauelemente
DE4008658C2 (de)
DE102018203101A1 (de) Gehäuste halbleitervorrichtungen und verfahren zur herstellung gehäuster halbleitervorrichtungen
DE19729677B4 (de) Gehäuse für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Leistungshalbleiterbauelemente
DE19856331B4 (de) Verfahren zur Eingehäusung elektronischer Bauelemente

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee