JPH01289208A - 電圧依存性非直線抵抗体素子の製造法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体素子の製造法Info
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- JPH01289208A JPH01289208A JP63119522A JP11952288A JPH01289208A JP H01289208 A JPH01289208 A JP H01289208A JP 63119522 A JP63119522 A JP 63119522A JP 11952288 A JP11952288 A JP 11952288A JP H01289208 A JPH01289208 A JP H01289208A
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- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器、電気機器で発生する異常電圧、ノ
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するために、5
rTiO5を主成分とする焼結体を用いた電圧依存性非
直線抵抗体素子の製造法に関するものである。
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するために、5
rTiO5を主成分とする焼結体を用いた電圧依存性非
直線抵抗体素子の製造法に関するものである。
従来の技術
電圧依存性非直線抵抗体素子は、焼結体の表面に設けた
電極間に印加される電圧によって抵抗値が非直線的に変
化し、印加電圧がある一定の電圧を越えると抵抗値が急
激に減少する性質を有している。この性質を利用して、
電子機器の直流モータの火花消去、ノイズ除去、リレー
接点のノイズ除去及び保護、ICやLSIの保護及び誤
動作防止、テレビジョン受像機のブラウン管回路の放電
吸収などに広く用いられている。
電極間に印加される電圧によって抵抗値が非直線的に変
化し、印加電圧がある一定の電圧を越えると抵抗値が急
激に減少する性質を有している。この性質を利用して、
電子機器の直流モータの火花消去、ノイズ除去、リレー
接点のノイズ除去及び保護、ICやLSIの保護及び誤
動作防止、テレビジョン受像機のブラウン管回路の放電
吸収などに広く用いられている。
従来の電圧依存性非直線抵抗体素子としては、ZnO系
、5n02系、Fe2O2系、SiC系、TiO2系な
どのものが知られている。この内、SnO2系とFe2
O2系は焼結体自体は直線性の抵抗体であり、これに特
別な電極を付与することによって焼結体と電極との間に
エネルギー障壁を形成し、バリスタ特性を得ている。ま
た、ZnO系、τi02系は粒子境界でバリスタ特性を
得、SiC系は粒子間の接触面でバリスタ特性を得てい
るので特に電極は選ばない。一方、特性面ではZnO系
、SiC系は非直線性が大きく、比較的高い電圧の吸収
には優れた効果を示すが、誘電率が小さく、比較的低い
電圧の吸収にはほとんど効果を示さず、5n02系、F
e2O3系、TiO2系は非直線性が小さく、エネルギ
ーの吸収が不十分である。そこで、最近になって誘電率
が大きく、比較的低い電圧の吸収に効果のある5rTi
03系が開発されている。
、5n02系、Fe2O2系、SiC系、TiO2系な
どのものが知られている。この内、SnO2系とFe2
O2系は焼結体自体は直線性の抵抗体であり、これに特
別な電極を付与することによって焼結体と電極との間に
エネルギー障壁を形成し、バリスタ特性を得ている。ま
た、ZnO系、τi02系は粒子境界でバリスタ特性を
得、SiC系は粒子間の接触面でバリスタ特性を得てい
るので特に電極は選ばない。一方、特性面ではZnO系
、SiC系は非直線性が大きく、比較的高い電圧の吸収
には優れた効果を示すが、誘電率が小さく、比較的低い
電圧の吸収にはほとんど効果を示さず、5n02系、F
e2O3系、TiO2系は非直線性が小さく、エネルギ
ーの吸収が不十分である。そこで、最近になって誘電率
が大きく、比較的低い電圧の吸収に効果のある5rTi
03系が開発されている。
°発明が解決しようとする課題
しかしながら、前記の従来の電圧依存性非直線抵抗体素
子は、誘電率が小さく、バリスタ電圧が高いため、比較
的低い電圧のサージやノイズの吸収に効果を示さないと
いった焼結体自身の問題と、焼結体と電極の接触が非オ
ーミツク接触になっているため、焼結体と電極の界面で
一種の整流作用が生じることから、焼結体自身の持って
いる優れた非直線性を有効に活用できていないといった
焼結体と電極の組み合わせの問題を有している。また、
用途によっては素子に樹脂などのコーティングをせずに
使用するため、周囲の雰囲気などの影響を受は易く、し
かも比較的大きな電力を流す場合には素子が発熱して電
極が変質しやすくなり、信頼性に劣るといった問題を有
していた。
子は、誘電率が小さく、バリスタ電圧が高いため、比較
的低い電圧のサージやノイズの吸収に効果を示さないと
いった焼結体自身の問題と、焼結体と電極の接触が非オ
ーミツク接触になっているため、焼結体と電極の界面で
一種の整流作用が生じることから、焼結体自身の持って
いる優れた非直線性を有効に活用できていないといった
焼結体と電極の組み合わせの問題を有している。また、
用途によっては素子に樹脂などのコーティングをせずに
使用するため、周囲の雰囲気などの影響を受は易く、し
かも比較的大きな電力を流す場合には素子が発熱して電
極が変質しやすくなり、信頼性に劣るといった問題を有
していた。
本発明はこのような問題点を解決するもので、焼結体の
持つ優れた特性を充分に発揮させ、焼結体に対する電極
の接着力が強く、半田付は性に優れ、耐食性及び信頼性
に富み、しかも材料コストの安価な電極構造を有する電
圧依存性非直線抵抗体素子を提供することを目的とする
ものである。
持つ優れた特性を充分に発揮させ、焼結体に対する電極
の接着力が強く、半田付は性に優れ、耐食性及び信頼性
に富み、しかも材料コストの安価な電極構造を有する電
圧依存性非直線抵抗体素子を提供することを目的とする
ものである。
課題を解決するための手段
前記の問題点を解決するために本発明では、5rTiO
sを主成分とする焼結体にCuを主成分とするペースト
を空気中で乾燥してオーミック性電極を設け、さらにそ
の上に無電解によってNiを主成分とするメッキを施し
たものである。また、Srτ103のSrの一部をCa
、Ha、Mg のうちの一つまたは複数の元素で置き
換えだものを焼結体の主成分とするものである。
sを主成分とする焼結体にCuを主成分とするペースト
を空気中で乾燥してオーミック性電極を設け、さらにそ
の上に無電解によってNiを主成分とするメッキを施し
たものである。また、Srτ103のSrの一部をCa
、Ha、Mg のうちの一つまたは複数の元素で置き
換えだものを焼結体の主成分とするものである。
作用
さて、5rTiO,を主成分とする焼結体に通常の電極
を付与すると、電極が焼結体に対して非オーミツク性接
触となり、焼結体と電極の界面で整流作用が生じ、焼結
体自身の持っている優れたバリスタ特性が鈍化されてし
まい、本来の特性を充分に発揮できなくなる。従って、
電極としては5rTi05との間でオーミック性接触す
るものでなければならない。このオーミック性接触する
電極としては、In−Ga合金によるものが考えられる
。
を付与すると、電極が焼結体に対して非オーミツク性接
触となり、焼結体と電極の界面で整流作用が生じ、焼結
体自身の持っている優れたバリスタ特性が鈍化されてし
まい、本来の特性を充分に発揮できなくなる。従って、
電極としては5rTi05との間でオーミック性接触す
るものでなければならない。このオーミック性接触する
電極としては、In−Ga合金によるものが考えられる
。
しかし、I n −G a合金はコストが高く量産には
適さないし、またIn−Ga合金を焼結体に付けるには
こすり付けるかまたは超音波ろう付けなどの方法しかな
く、焼結体に対する電極の接着力が弱く、電極剥離の不
良が生じ易い。また、In −Ga合金は融点が低く、
リード線の半田付けが困難である。
適さないし、またIn−Ga合金を焼結体に付けるには
こすり付けるかまたは超音波ろう付けなどの方法しかな
く、焼結体に対する電極の接着力が弱く、電極剥離の不
良が生じ易い。また、In −Ga合金は融点が低く、
リード線の半田付けが困難である。
そこで、本発明では電極の形成方法が簡単で、かつ電極
材料のコストが比較的安価なものを検討した結果、電極
形成方法としては空気中乾燥を採用し、電極材料にはC
u を採用した。従来、Cuは空気中で焼成すると容易
に酸化してしまい電極には使用しにくい面があったが、
Ouの粒径など、Cuを主成分とするペーストを適宜選
択使用することにより、Ouを主成分とするオーミック
性電極を簡単に形成することができる。また、電極の耐
食性、信頼性を高めるためにN1メッキを施した。これ
らはIn−Ga合金に比べて著しく安価であり、量産性
に富み、焼結体と電極との接着力が非常に大きく、電極
剥離不良が発生しにくく、耐食性に富み、しかも経時変
化の小さい、信頼性が高く安価な5rTiOB系の電圧
依存性非直線抵抗体素子を提供できることになる。
材料のコストが比較的安価なものを検討した結果、電極
形成方法としては空気中乾燥を採用し、電極材料にはC
u を採用した。従来、Cuは空気中で焼成すると容易
に酸化してしまい電極には使用しにくい面があったが、
Ouの粒径など、Cuを主成分とするペーストを適宜選
択使用することにより、Ouを主成分とするオーミック
性電極を簡単に形成することができる。また、電極の耐
食性、信頼性を高めるためにN1メッキを施した。これ
らはIn−Ga合金に比べて著しく安価であり、量産性
に富み、焼結体と電極との接着力が非常に大きく、電極
剥離不良が発生しにくく、耐食性に富み、しかも経時変
化の小さい、信頼性が高く安価な5rTiOB系の電圧
依存性非直線抵抗体素子を提供できることになる。
実施例
以下に本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
まず、5rCO5、TiO2を5rTi03の比率にな
るように秤量し、ボールミルなどで15時時間式混合し
、脱水乾燥した後、1100℃で4時間仮焼し、再びボ
ールミルなどで20時時間式粉砕し、脱水乾燥し5rT
iO3を合成する。こうして得た5rTi05 100
モル部に対してNb2O5を0.2モル部、CuOを0
.1モル部、MnO2を0.15モル部をそれぞれ秤量
し、ボール5ルなどで20時時間式混合し、脱水乾燥す
る。次に、pv人(ポリビニルアルコール)などの有機
バインダーを10wt1加えて造粒し、中心部に穴の開
いたドーナツ状に成形する。この成形体を空気中で11
00’C。
るように秤量し、ボールミルなどで15時時間式混合し
、脱水乾燥した後、1100℃で4時間仮焼し、再びボ
ールミルなどで20時時間式粉砕し、脱水乾燥し5rT
iO3を合成する。こうして得た5rTi05 100
モル部に対してNb2O5を0.2モル部、CuOを0
.1モル部、MnO2を0.15モル部をそれぞれ秤量
し、ボール5ルなどで20時時間式混合し、脱水乾燥す
る。次に、pv人(ポリビニルアルコール)などの有機
バインダーを10wt1加えて造粒し、中心部に穴の開
いたドーナツ状に成形する。この成形体を空気中で11
00’C。
2時間焼成した後、N2:H2=9:1の還元性雰囲気
中で1400’C,8時間焼成し、さらに空気中で10
00°C112時間焼成して第1図、第2図に示すよう
な焼結体1を作成する。次に、前記焼結体1の電極を形
成する領域(この実施例では3ケ所)にCuを主成分と
し、硼硅酸鉛系ガラスフリット及び樹脂など全含有して
なるペーストをスクリーン印刷などにより塗布した後、
空気中で120’C,5分間乾燥することにより、焼結
体1に011を主成分とするオーミック性の電極2を形
成する。ここで、Cuの平均粒径は3μm のものを使
用した。次に、前記オーミック性電極2の上にパラジウ
ム−銀からなる表面活性剤3をスフ−/印刷などによシ
塗布した後、塩化ニッケル、次亜燐酸ナトリウム、クエ
ン酸ナトリウムなどからなるメッキ液に浸漬し、76〜
90°Cの温度でニッケルーリンの無電解メッキを施し
た後、流水中で洗浄し乾燥する。次に、窒素中で400
’(:’で熱処理する。このようにしてオーミック性
電極2の上にNiメッキ4全施した電圧依存性非直線抵
抗体素子が得られる。
中で1400’C,8時間焼成し、さらに空気中で10
00°C112時間焼成して第1図、第2図に示すよう
な焼結体1を作成する。次に、前記焼結体1の電極を形
成する領域(この実施例では3ケ所)にCuを主成分と
し、硼硅酸鉛系ガラスフリット及び樹脂など全含有して
なるペーストをスクリーン印刷などにより塗布した後、
空気中で120’C,5分間乾燥することにより、焼結
体1に011を主成分とするオーミック性の電極2を形
成する。ここで、Cuの平均粒径は3μm のものを使
用した。次に、前記オーミック性電極2の上にパラジウ
ム−銀からなる表面活性剤3をスフ−/印刷などによシ
塗布した後、塩化ニッケル、次亜燐酸ナトリウム、クエ
ン酸ナトリウムなどからなるメッキ液に浸漬し、76〜
90°Cの温度でニッケルーリンの無電解メッキを施し
た後、流水中で洗浄し乾燥する。次に、窒素中で400
’(:’で熱処理する。このようにしてオーミック性
電極2の上にNiメッキ4全施した電圧依存性非直線抵
抗体素子が得られる。
なお、電極の形成方法としては、メッキの前に有機物か
らなるメッキレジストを電極形成領域以外の部分に塗布
しておき、メッキした後に除去する方法でも同様に可能
である。また、本実施例ではドーナツ状の素子について
のみ示したが、その他の形状(例えば、円板状1円筒状
、角板状など)であってもかまわない。さらに、焼結体
の主成分であるSrの一部をCa、Ba、Mg のうち
の一つまたは複数の元素で置き換えてもよいし、添加物
の成分は何であってもかまわない。
らなるメッキレジストを電極形成領域以外の部分に塗布
しておき、メッキした後に除去する方法でも同様に可能
である。また、本実施例ではドーナツ状の素子について
のみ示したが、その他の形状(例えば、円板状1円筒状
、角板状など)であってもかまわない。さらに、焼結体
の主成分であるSrの一部をCa、Ba、Mg のうち
の一つまたは複数の元素で置き換えてもよいし、添加物
の成分は何であってもかまわない。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、得られた電極は焼
結体に対してオーミック性接触をし、焼結体と電極の界
面での整流作用がないため、焼結体自身の有する電圧非
直線性を充分に発揮させることができる。また、焼結体
と電極との接着力が非常に強いため、電極剥離などの不
良が発生しに<<、信頼性が極めて高い。しかもオーミ
ック性電極の上にNiメッキを施すことにより、耐食性
に優れ、経時変化が小さく安定した特性が得られる。ま
た、In−Ga合金を使用した場合に比べ電極材料費が
大変安く、量産に適していると言う効果が得られる。
結体に対してオーミック性接触をし、焼結体と電極の界
面での整流作用がないため、焼結体自身の有する電圧非
直線性を充分に発揮させることができる。また、焼結体
と電極との接着力が非常に強いため、電極剥離などの不
良が発生しに<<、信頼性が極めて高い。しかもオーミ
ック性電極の上にNiメッキを施すことにより、耐食性
に優れ、経時変化が小さく安定した特性が得られる。ま
た、In−Ga合金を使用した場合に比べ電極材料費が
大変安く、量産に適していると言う効果が得られる。
第1図は本発明の製造法により得られた素子の一実施例
金子す上面図、第2図は同断面図である。 1・・・・・焼結体、2・・・・オーミック性電極、3
・・・・表面活性剤、4・・・・Nエメッキ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図
金子す上面図、第2図は同断面図である。 1・・・・・焼結体、2・・・・オーミック性電極、3
・・・・表面活性剤、4・・・・Nエメッキ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図
Claims (2)
- (1)SrTiO_3を主成分とする焼結体にCuを主
成分とするペーストを空気中で乾燥してなるオーミック
性電極を設け、さらにその上に無電解によりNiを主成
分とするメッキを施したことを特徴とする電圧依存性非
直線抵抗体素子の製造法。 - (2)SrTiO_3のSrの一部をCa,Ba,Mg
のうちの一つまたは複数の元素で置き換えたものを焼結
体の主成分とする特許請求の範囲第1項に記載の電圧依
存性非直線抵抗体素子の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63119522A JPH01289208A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 電圧依存性非直線抵抗体素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63119522A JPH01289208A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 電圧依存性非直線抵抗体素子の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01289208A true JPH01289208A (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=14763361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63119522A Pending JPH01289208A (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 電圧依存性非直線抵抗体素子の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01289208A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03238802A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 |
JP2017504967A (ja) * | 2013-12-24 | 2017-02-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | バリスタ装置の製造方法およびバリスタ装置 |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP63119522A patent/JPH01289208A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03238802A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体磁器素子 |
JP2017504967A (ja) * | 2013-12-24 | 2017-02-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | バリスタ装置の製造方法およびバリスタ装置 |
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