JPH04181702A - チップサーミスタおよびその製造方法 - Google Patents
チップサーミスタおよびその製造方法Info
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- JPH04181702A JPH04181702A JP31078790A JP31078790A JPH04181702A JP H04181702 A JPH04181702 A JP H04181702A JP 31078790 A JP31078790 A JP 31078790A JP 31078790 A JP31078790 A JP 31078790A JP H04181702 A JPH04181702 A JP H04181702A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はテレビジョン受像機、ビデオテープレコーダな
どの電子回路の温度補償用に使用される高密度実装用の
チップサーミスタおよびその製造方法に関するものであ
る。
どの電子回路の温度補償用に使用される高密度実装用の
チップサーミスタおよびその製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
代表的な従来例を第３図を用いて説明する。
第３図は同従来例のチップサーミスタを示す断面図であ
り、その構成はマンガン、コバルト。
り、その構成はマンガン、コバルト。
ニッケル、鋼、鉄などの遷移金属酸化物を所望の割合で
配合して作成した板状素子６の両端部に銀、白金、パラ
ジウムなどの貴金属粉末を１種または２種以上含有して
なるペースト（以下、貴金属ペーストという）を塗布し
、６００℃〜９００℃で焼付けを行い下地端子電極７を
形成し、さらに、上記下地端子電極７上に電解ニッケル
メッキ層８ならびに半田メッキ層９を設けて構成したも
のであった。
配合して作成した板状素子６の両端部に銀、白金、パラ
ジウムなどの貴金属粉末を１種または２種以上含有して
なるペースト（以下、貴金属ペーストという）を塗布し
、６００℃〜９００℃で焼付けを行い下地端子電極７を
形成し、さらに、上記下地端子電極７上に電解ニッケル
メッキ層８ならびに半田メッキ層９を設けて構成したも
のであった。
また、前記板状素子６の製造方法は、前記遷移金属酸化
物を所望の割合で配合して後、湿式混合、仮焼、湿式粉
砕、造粒、成形を行って焼成して大きな素子を作成し、
希望の寸法に切断して前記板状素子６を作成する方法で
あった。
物を所望の割合で配合して後、湿式混合、仮焼、湿式粉
砕、造粒、成形を行って焼成して大きな素子を作成し、
希望の寸法に切断して前記板状素子６を作成する方法で
あった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、前記貴金属ペースト
で形成された下地端子電極７上に電解ニラ）７−ルメッ
キならびに半田メッキを行う際に、前記板状素子６が半
導体特性を持つために電解により板状素子６の表面がエ
ツチングされるという現象が発生し、上記電解ニッケル
メッキならびに半田メッキ後に板状素子６が有する抵抗
値がメッキ前と比較し３０％以上低下するという品質上
の課題を有していた。また、板状素子６の表面が空気中
の水分を吸収し板状素子６が有する抵抗値が低下すると
いう品質上の課題も合わせ持つものであった。
で形成された下地端子電極７上に電解ニラ）７−ルメッ
キならびに半田メッキを行う際に、前記板状素子６が半
導体特性を持つために電解により板状素子６の表面がエ
ツチングされるという現象が発生し、上記電解ニッケル
メッキならびに半田メッキ後に板状素子６が有する抵抗
値がメッキ前と比較し３０％以上低下するという品質上
の課題を有していた。また、板状素子６の表面が空気中
の水分を吸収し板状素子６が有する抵抗値が低下すると
いう品質上の課題も合わせ持つものであった。
本発明は上記品質面の課題解決を図ったチップサーミス
タの提供を目的とするものである。
タの提供を目的とするものである。
課題を解決するための手段
このような課題を解決するために本発明のチップサーミ
スタは、前記板状素子の下地端子電極を除（表面部にガ
ラス層を形成したものである。
スタは、前記板状素子の下地端子電極を除（表面部にガ
ラス層を形成したものである。
作用
上記の構成により板状素子は、表面部に形成されたガラ
ス層により素子表面が絶縁体化され、上記板状素子の両
端部に貴金属ペーストで形成された下地端子電極上に電
解ニッケルメッキならびに半田メッキを行う際に、電解
により板状素子の表面が電解エツチングされるという現
象がなくなると同時に、板状素子の表面全体がカラス層
により覆われるために板状素子の吸湿性が大きく改善さ
れる。
ス層により素子表面が絶縁体化され、上記板状素子の両
端部に貴金属ペーストで形成された下地端子電極上に電
解ニッケルメッキならびに半田メッキを行う際に、電解
により板状素子の表面が電解エツチングされるという現
象がなくなると同時に、板状素子の表面全体がカラス層
により覆われるために板状素子の吸湿性が大きく改善さ
れる。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１図と第２図を用い
て説明する。
て説明する。
第１図は本発明のチップサーミスタを示す断面図であり
、その構成は板状素子１の両端部に貴金属ペーストから
なる下地端子電極２を形成し、さらにこの下地端子電極
２上に電解ニッケルメッキ層３ならびに半田メッキ層４
を設け、前記下地端子電極２を除く板状素子１の表面部
にガラス層５を形成して構成されたものである。
、その構成は板状素子１の両端部に貴金属ペーストから
なる下地端子電極２を形成し、さらにこの下地端子電極
２上に電解ニッケルメッキ層３ならびに半田メッキ層４
を設け、前記下地端子電極２を除く板状素子１の表面部
にガラス層５を形成して構成されたものである。
第２図（ａ）〜（ｅ）は同チップサーミスタの製造方法
を示す斜視図であり、同図（ａ）は板状素子１を示す。
を示す斜視図であり、同図（ａ）は板状素子１を示す。
上記板状素子１はマンガン、コバルト、ニッケル、銅、
鉄などの遷移金属酸化物を所望の割合で配合し、ボール
ミルで２０時間混合粉砕したスラリーを乾燥後８００℃
で仮焼し、さらにこの仮焼物を湿式粉砕したスラリーを
乾燥、造粒、成形工程を経て１２００℃〜１３００℃で
２時間、空気中雰囲気で焼成を行い焼結体を作成し、こ
の焼結体を輻１．９５ｍ、長さ］、 、 ２ ｗｔｍ
、厚み０．６ｍに切断して得たものである。
鉄などの遷移金属酸化物を所望の割合で配合し、ボール
ミルで２０時間混合粉砕したスラリーを乾燥後８００℃
で仮焼し、さらにこの仮焼物を湿式粉砕したスラリーを
乾燥、造粒、成形工程を経て１２００℃〜１３００℃で
２時間、空気中雰囲気で焼成を行い焼結体を作成し、こ
の焼結体を輻１．９５ｍ、長さ］、 、 ２ ｗｔｍ
、厚み０．６ｍに切断して得たものである。
同図（ｂ）は、前記板状素子１の両端部に下地端子電極
２を形成した状態を示す。上記下地端子電極２は板状素
子１に貴金属ペーストを塗布し、６００℃〜９００℃で
焼付けを行い形成するものである。
２を形成した状態を示す。上記下地端子電極２は板状素
子１に貴金属ペーストを塗布し、６００℃〜９００℃で
焼付けを行い形成するものである。
同図（Ｃ）は両端部に前記下地端子電極２を形成した板
状素子１の表面部に図中斜線で示すガラス層５を形成し
た状態を示す。上記ガラス層５は、ホウケイ酸鉛系ある
いはバリウム系などのガラス粉末とビヒクルを混合した
ガラスペーストに上記下地端子電極２を形成した板状素
子１をデイツプして、乾燥および熱処理を行い上記下地
端子電極２を含めた板状素子１の裏面部全体にガラス層
５を形成するものである。
状素子１の表面部に図中斜線で示すガラス層５を形成し
た状態を示す。上記ガラス層５は、ホウケイ酸鉛系ある
いはバリウム系などのガラス粉末とビヒクルを混合した
ガラスペーストに上記下地端子電極２を形成した板状素
子１をデイツプして、乾燥および熱処理を行い上記下地
端子電極２を含めた板状素子１の裏面部全体にガラス層
５を形成するものである。
同図（ｄ）は板状素子ｌの裏面部全体に形成したカラス
層５を板状素子ｌの表面部は残して、両端部に設けた下
地端子電極２上に形成したガラス層５のみを除去する状
態を示す。上記除去方法は、プラスチック製メディアを
用いたボールミルあるいはガラ研磨などの方法で行うも
のである。
層５を板状素子ｌの表面部は残して、両端部に設けた下
地端子電極２上に形成したガラス層５のみを除去する状
態を示す。上記除去方法は、プラスチック製メディアを
用いたボールミルあるいはガラ研磨などの方法で行うも
のである。
同図（ｅ）はガラス層５を除去した下地端子電極２上に
図中斜線で示す電解ニッケルメッキ層３ならびに半田メ
ッキ層４を形成する状態を示す。なお、上記両メッキ層
３ならびに４は、それぞれ１μｍのメッキ厚で形成した
。
図中斜線で示す電解ニッケルメッキ層３ならびに半田メ
ッキ層４を形成する状態を示す。なお、上記両メッキ層
３ならびに４は、それぞれ１μｍのメッキ厚で形成した
。
以上の構成ならびに製造方法で作成した本発明のチップ
サーミスタと、従来例のチップサーミスタ（板状素子表
面にガラス層を形成していないもの）の特性を比較する
目的で、本発明の実施例。
サーミスタと、従来例のチップサーミスタ（板状素子表
面にガラス層を形成していないもの）の特性を比較する
目的で、本発明の実施例。
従来例ともに貴金属ペーストで構成される下地端子電極
の前記貴金属ペーストの材料を何種類か変更したものを
サンプルとして準備し、下地端子電極上に電解ニッケル
メッキならびに半田メッキを行いメッキ前後の板状素子
が有する抵抗値の変化と、６５℃で湿度９５％環境下に
おける湿中放置試験を行いその試験前後の板状素子が有
する抵抗値の変化を確認した結果を第１表に示す。
の前記貴金属ペーストの材料を何種類か変更したものを
サンプルとして準備し、下地端子電極上に電解ニッケル
メッキならびに半田メッキを行いメッキ前後の板状素子
が有する抵抗値の変化と、６５℃で湿度９５％環境下に
おける湿中放置試験を行いその試験前後の板状素子が有
する抵抗値の変化を確認した結果を第１表に示す。
（以 下 余 白）
上記第１表から明らかなように、メッキ後の抵抗値変化
率ならびに湿中放置試験後の抵抗値変化率ともに本発明
による実施例はその効果が顕著である。これは板状素子
１の表面部をガラス層５で覆うことにより上記板状素子
１の表面部が絶縁体化され、電解ニッケルメッキならび
に半田メッキの際に板状素子１が電解の影響をほとんど
受けなくなるために電解エツチングされると（・う現象
がなくなることと、同じくガラス層５によって外気と遮
断された板状素子１は空気中の水分を吸収することがで
きな（なり結果として耐湿性能にほとんどｉ響を与えな
いためである。
率ならびに湿中放置試験後の抵抗値変化率ともに本発明
による実施例はその効果が顕著である。これは板状素子
１の表面部をガラス層５で覆うことにより上記板状素子
１の表面部が絶縁体化され、電解ニッケルメッキならび
に半田メッキの際に板状素子１が電解の影響をほとんど
受けなくなるために電解エツチングされると（・う現象
がなくなることと、同じくガラス層５によって外気と遮
断された板状素子１は空気中の水分を吸収することがで
きな（なり結果として耐湿性能にほとんどｉ響を与えな
いためである。
発明の効果
以上のように本発明によるチップサーミスタは、板状素
子の表面部をガラス層で覆うことにより、板状素子の両
端部に設けた下地端子電極上に電解ニッケルメッキなら
びに半田メッキを行う際に板状素子の表面部が電解エツ
チングされるのを防ぐことができるばかりでな（、耐湿
性能も向上することができ、チップサーミスタの基本特
性である抵抗値を外的な変動要因に対して変動させない
高い信頼性を有するものであり、その工業的価値は大な
るものである。
子の表面部をガラス層で覆うことにより、板状素子の両
端部に設けた下地端子電極上に電解ニッケルメッキなら
びに半田メッキを行う際に板状素子の表面部が電解エツ
チングされるのを防ぐことができるばかりでな（、耐湿
性能も向上することができ、チップサーミスタの基本特
性である抵抗値を外的な変動要因に対して変動させない
高い信頼性を有するものであり、その工業的価値は大な
るものである。
第１図は本発明の一実施例によるチップサーミスタの断
面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は同チップサーミスタの製
造方法を示す斜視図、第３図は従来例のチップサーミス
タの断面図を示すものである。 １・・・・・・板状素子、２・・・・・・下地端子電極
、３・・・・・・電解ニッケルメッキ層、４・・・・・
・半田メッキ層、５・・・・・・ガラス層。 。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名第１図 ／−一一飯状Ｔ、子 ４−半田／ツ大層２−下旭塙
子ｔ′＆ クーガラス層 メッキ層 第２図
面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は同チップサーミスタの製
造方法を示す斜視図、第３図は従来例のチップサーミス
タの断面図を示すものである。 １・・・・・・板状素子、２・・・・・・下地端子電極
、３・・・・・・電解ニッケルメッキ層、４・・・・・
・半田メッキ層、５・・・・・・ガラス層。 。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名第１図 ／−一一飯状Ｔ、子 ４−半田／ツ大層２−下旭塙
子ｔ′＆ クーガラス層 メッキ層 第２図
Claims (2)
- （１）遷移金属酸化物からなる板状素子の両端部に表面
部がニッケルメッキならびに半田メッキで覆われた貴金
属ペーストからなる下地端子電極を有し、前記板状素子
の前記下地端子電極を除く表面部をガラス層で覆ってな
るチップサーミスタ。 - （２）下地端子電極を有した板状素子の表面部にガラス
層を形成し、前記下地端子電極上に形成されたガラス層
を除去してこの下地端子電極上にニッケルメッキならび
に半田メッキを行うチップサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31078790A JPH04181702A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | チップサーミスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31078790A JPH04181702A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | チップサーミスタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181702A true JPH04181702A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=18009460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31078790A Pending JPH04181702A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | チップサーミスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04181702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06231906A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-19 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP31078790A patent/JPH04181702A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06231906A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-19 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
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