JPH01289172A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH01289172A JPH01289172A JP63118947A JP11894788A JPH01289172A JP H01289172 A JPH01289172 A JP H01289172A JP 63118947 A JP63118947 A JP 63118947A JP 11894788 A JP11894788 A JP 11894788A JP H01289172 A JPH01289172 A JP H01289172A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/119—Details of rigid insulating substrates therefor, e.g. three-dimensional details
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光通信システムにおいて光発信モジュール
もしくは光受信モジュールとして使用される光半導体装
置に関する。
もしくは光受信モジュールとして使用される光半導体装
置に関する。
従来よりこの種の光発信モジュールとしては、電気信号
を光信号に変換して光ファイバに送り出す半導体レーザ
（ＬＤ）もしくは発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素
子と、これを駆動する駆動用集積回路（ＩＣ）とを同一
の絶縁基板上に混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）とし
て搭載し、この基板をパッケージ内に収容したものが用
いられている。同様に、光受信モジュールとしては、光
ファイバから受信した光信号を電気信号に変換するフォ
トダイオード（ＰＤ）もしくはフォトトランジスタ等か
らなる受光素子と、その出力信号を増幅する増幅用ＩＣ
とを搭載したノ１イブリッドＩＣ基板をパッケージ内に
収容したものが用いられている。
を光信号に変換して光ファイバに送り出す半導体レーザ
（ＬＤ）もしくは発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素
子と、これを駆動する駆動用集積回路（ＩＣ）とを同一
の絶縁基板上に混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）とし
て搭載し、この基板をパッケージ内に収容したものが用
いられている。同様に、光受信モジュールとしては、光
ファイバから受信した光信号を電気信号に変換するフォ
トダイオード（ＰＤ）もしくはフォトトランジスタ等か
らなる受光素子と、その出力信号を増幅する増幅用ＩＣ
とを搭載したノ１イブリッドＩＣ基板をパッケージ内に
収容したものが用いられている。
ここで、パッケージは、いずれも光ファイバを通す貫通
孔と、電気的入出力のための貫通端子とを備えた構造を
有し、貫通端子の配列状態により、第５図に示すように
パッケージ１１の底面から貫通端子１２がハイブリッド
ＩＣ基板１３の主面に対しほぼ垂直に出ているＤＩＰ形
（デュアルインラインパッケージ）と、第６図に示すよ
うに貫通端子１２がパッケージ１１の側面から、ハイブ
リッドＩＣ基板１３の主面にほぼ平行に出ているバタフ
ライ形とに分けられる。なお、１１１は光フアイバ挿入
用口である。
孔と、電気的入出力のための貫通端子とを備えた構造を
有し、貫通端子の配列状態により、第５図に示すように
パッケージ１１の底面から貫通端子１２がハイブリッド
ＩＣ基板１３の主面に対しほぼ垂直に出ているＤＩＰ形
（デュアルインラインパッケージ）と、第６図に示すよ
うに貫通端子１２がパッケージ１１の側面から、ハイブ
リッドＩＣ基板１３の主面にほぼ平行に出ているバタフ
ライ形とに分けられる。なお、１１１は光フアイバ挿入
用口である。
上記のような従来構成では、光半導体素子やＩＣが搭載
されたハイブリッドＩＣ基板１３は、貫通端子１２の内
側に組み込まれている。つまり、パッケージ底面に基板
台１４を介してハイブリッドＩＣ基板１３が固定され、
これをとり囲むようにその外側に貫通端子１２が配列さ
れている。
されたハイブリッドＩＣ基板１３は、貫通端子１２の内
側に組み込まれている。つまり、パッケージ底面に基板
台１４を介してハイブリッドＩＣ基板１３が固定され、
これをとり囲むようにその外側に貫通端子１２が配列さ
れている。
このため、貫通端子が横に張り出すバタフライ形はもち
ろん、ＤＩＰ形においてもパッケージサイズが大きくな
る欠点がある。
ろん、ＤＩＰ形においてもパッケージサイズが大きくな
る欠点がある。
また、ハイブリッドＩＣ基板１３と貫通端子１２との間
の電気的接続はワイヤー２１等によって行なわれるが、
距離が大きいためにインダクタンス成分が大きくなり、
電気的特性が劣化する。
の電気的接続はワイヤー２１等によって行なわれるが、
距離が大きいためにインダクタンス成分が大きくなり、
電気的特性が劣化する。
さらに、ハイブリッドＩＣ基板１３はパッケージ１１に
対し、貫通端子群とは全く別個独立に固定されるため、
貫通端子に対する位置決めが困難であるという問題があ
った。
対し、貫通端子群とは全く別個独立に固定されるため、
貫通端子に対する位置決めが困難であるという問題があ
った。
この発明の光半導体装置は、ノ＼イブリッドＩＣを搭載
した絶縁基板の主面に、内周面が傾斜した穴を設け、こ
れに、ＤＩＰ形パッケージの貫通端子の頭部を挿入した
状態で接続固定したものである。
した絶縁基板の主面に、内周面が傾斜した穴を設け、こ
れに、ＤＩＰ形パッケージの貫通端子の頭部を挿入した
状態で接続固定したものである。
貫通端子は、絶縁基板主面から外側に出ることがなくそ
の分のスペースが不要になるとともに、絶縁基板と全く
距離を置かずに配置され直接接続される。さらに、各貫
通端子の頭部を絶縁基板の各式に挿入することで自動的
に両者間の位置決めが行なわれ、その際、基板の穴の傾
斜した内周面がガイドの役割を果たす。
の分のスペースが不要になるとともに、絶縁基板と全く
距離を置かずに配置され直接接続される。さらに、各貫
通端子の頭部を絶縁基板の各式に挿入することで自動的
に両者間の位置決めが行なわれ、その際、基板の穴の傾
斜した内周面がガイドの役割を果たす。
以下、添付図面の第１図および第２図を参照して、この
発明の一実施例を説明する。なお、図面の説明において
同一の要素には同一の符号を付し重複する説明を省略す
る。
発明の一実施例を説明する。なお、図面の説明において
同一の要素には同一の符号を付し重複する説明を省略す
る。
第２図はこの発明の一実施例を示す光半導体装置の一部
破断傾斜図である。すなわち同図は、パッケージ１１の
内部がよく見えるようにその上面および側面の一部を除
去して示したもので、１１１は、その半分しか表わされ
ていないが、円筒状の光フアイバ挿入口である。
破断傾斜図である。すなわち同図は、パッケージ１１の
内部がよく見えるようにその上面および側面の一部を除
去して示したもので、１１１は、その半分しか表わされ
ていないが、円筒状の光フアイバ挿入口である。
パッケージ１１は、基本的に、ハイブリッドＩＣ基板１
３の主面に対してほぼ垂直に配置された貫通端子群を備
えたＤＩＰ形の構成をとるが、第５図と比較して明らか
なように、貫通端子１２がハイブリッドＩＣ基板１３の
外側に配置されていた従来のものに対し、本実施例では
、貫通端子１２の列が、ハイブリッドＩＣ基板１３の内
側に位置している。
３の主面に対してほぼ垂直に配置された貫通端子群を備
えたＤＩＰ形の構成をとるが、第５図と比較して明らか
なように、貫通端子１２がハイブリッドＩＣ基板１３の
外側に配置されていた従来のものに対し、本実施例では
、貫通端子１２の列が、ハイブリッドＩＣ基板１３の内
側に位置している。
ここで、ハイブリッドＩＣ基板１３は、図にはその詳細
を示していないが光半導体素子を含むハイブリッドＩＣ
をセラミックからなる絶縁基板に搭載したもので、この
基板１３の周辺部に、第１図（ａ）に示すように表裏主
面を貫通する穴１３１を設け、そのそれぞれに、貫通端
子１２の頭部を挿入しである。
を示していないが光半導体素子を含むハイブリッドＩＣ
をセラミックからなる絶縁基板に搭載したもので、この
基板１３の周辺部に、第１図（ａ）に示すように表裏主
面を貫通する穴１３１を設け、そのそれぞれに、貫通端
子１２の頭部を挿入しである。
穴１３１は、同図（ｂ）に示すように傾斜した内周面を
有している。このような穴１３１は焼成後のセラミック
基板に、例えばＹＡＧレーザを用いたレーザ加工機等で
穴あけ加工することにより比較的容品に作成することが
できる。
有している。このような穴１３１は焼成後のセラミック
基板に、例えばＹＡＧレーザを用いたレーザ加工機等で
穴あけ加工することにより比較的容品に作成することが
できる。
各貫通端子１２は、従来のものにおけると同様に、それ
ぞれパッケージ１１の底面に貫通植設されているが、上
述したようにその頭部をハイブリッドＩＣ基板１３の対
応する穴に挿入する。このとき、穴１３１の傾斜した内
周面がガイドとして作用し、貫通端子１２の挿入作業を
円滑にする。
ぞれパッケージ１１の底面に貫通植設されているが、上
述したようにその頭部をハイブリッドＩＣ基板１３の対
応する穴に挿入する。このとき、穴１３１の傾斜した内
周面がガイドとして作用し、貫通端子１２の挿入作業を
円滑にする。
図示の実施例では、貫通端子１２の頭部にもテーパをつ
けていることから、挿入はさらに円滑となる。
けていることから、挿入はさらに円滑となる。
この状態で、半田３１により貫通端子１２とハイブリッ
ドＩＣ基板１３とを直接固着する。これにより、ハイブ
リッドＩＣ基板１３と各貫通端子１２とが機械的に固定
されるとともに、ハイブリッドＩＣ基板１３の上の回路
と各貫通端子１２とが電気的に接続される。
ドＩＣ基板１３とを直接固着する。これにより、ハイブ
リッドＩＣ基板１３と各貫通端子１２とが機械的に固定
されるとともに、ハイブリッドＩＣ基板１３の上の回路
と各貫通端子１２とが電気的に接続される。
このように貫通端子１２の配列がハイブリッドＩＣ基板
１３の内側を通ることから、従来のようにその外側に配
置されるものに比較して、パッケージ内で必要なスペー
スが削減される。
１３の内側を通ることから、従来のようにその外側に配
置されるものに比較して、パッケージ内で必要なスペー
スが削減される。
また、ハイブリッドＩＣ基板１３と貫通端子１２とが離
間し、その間をワイヤーやリード線等で接続していた従
来のものに対し、両者は直接半田付けされることから、
不要なインダクタンス成分の発生が極力抑えられる。
間し、その間をワイヤーやリード線等で接続していた従
来のものに対し、両者は直接半田付けされることから、
不要なインダクタンス成分の発生が極力抑えられる。
さらに、ハイブリッドＩＣ基板は、その穴１３１に各貫
通端子１２の頭部を挿入するように配置することにより
自動的に貫通端子との間の位置決めが行なわれ、穴１３
１の内周面に傾斜をもたせであることで、位置決めは一
層容易となる。
通端子１２の頭部を挿入するように配置することにより
自動的に貫通端子との間の位置決めが行なわれ、穴１３
１の内周面に傾斜をもたせであることで、位置決めは一
層容易となる。
この発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々
の変形が可能である。
の変形が可能である。
例えば、穴１３１の形状は上記の例に限られるものでな
く、第３図または第４図に示すような形状としてもよい
。
く、第３図または第４図に示すような形状としてもよい
。
また、穴１３１の傾斜した内周面には、プリント配線基
板におけるヴイアホール（ｖｌａｈｏｌｅ ）のように
、金またはアルミニウム等の導電性の良好な金属層（導
電材層）を形成しておけば、貫通端子１２とハイブリッ
ドＩＣ基板１３の上の回路との電気的なコンタクトが向
上する。このような金属層は、ハイブリッドＩＣ基板１
３の主面表面に金属配線層を形成する際に同時に形成す
ることができる。
板におけるヴイアホール（ｖｌａｈｏｌｅ ）のように
、金またはアルミニウム等の導電性の良好な金属層（導
電材層）を形成しておけば、貫通端子１２とハイブリッ
ドＩＣ基板１３の上の回路との電気的なコンタクトが向
上する。このような金属層は、ハイブリッドＩＣ基板１
３の主面表面に金属配線層を形成する際に同時に形成す
ることができる。
さらに、半田３１の代りに、他の接続手段、例えば導電
性接着剤のようなものを用いて貫通端子１２とハイブリ
ッドＩＣ基板１３とを直接固着してもよい。
性接着剤のようなものを用いて貫通端子１２とハイブリ
ッドＩＣ基板１３とを直接固着してもよい。
以上説明したように、この発明によれば、光半導体素子
を含むハイブリッドＩＣを搭載した絶縁基板の主面に、
傾斜した内周面を有する穴を設け、これにパッケージの
貫通端子頭部を挿入した状態で接続固定したことにより
、光半導体装置のパッケージ寸法を小さくし、電気的特
性の劣化を防ぐとともに、ハイブリッドＩＣ基板の位置
決めをきわめて容易にする効果がある。
を含むハイブリッドＩＣを搭載した絶縁基板の主面に、
傾斜した内周面を有する穴を設け、これにパッケージの
貫通端子頭部を挿入した状態で接続固定したことにより
、光半導体装置のパッケージ寸法を小さくし、電気的特
性の劣化を防ぐとともに、ハイブリッドＩＣ基板の位置
決めをきわめて容易にする効果がある。
第１図（ａ）この発明の一実施例を示す光半導体装置を
構成するハイブリッドＩＣ基板の斜視図、同図（ｂ）は
このハイブリッドＩＣ基板とパッケージの貫通端子との
接続状態を示す断面図、第２図はこれらを用いた光半導
体装置の一部破断斜視図、第３図および第４図はそれぞ
れ変形例を示す断面図、第５図および第６図はそれぞれ
従来例を示す一部破断斜視図である。 １１・・・パッケージ、１２・・・貫通端子、１３・・
・ハイブリッドＩＣ基板、１３１・・・穴。 箪 ２ 図 変ｉト陀イ少り 策３図 変形例 第４図 第６図
構成するハイブリッドＩＣ基板の斜視図、同図（ｂ）は
このハイブリッドＩＣ基板とパッケージの貫通端子との
接続状態を示す断面図、第２図はこれらを用いた光半導
体装置の一部破断斜視図、第３図および第４図はそれぞ
れ変形例を示す断面図、第５図および第６図はそれぞれ
従来例を示す一部破断斜視図である。 １１・・・パッケージ、１２・・・貫通端子、１３・・
・ハイブリッドＩＣ基板、１３１・・・穴。 箪 ２ 図 変ｉト陀イ少り 策３図 変形例 第４図 第６図
Claims (1)
- 光半導体素子を含む混成集積回路を搭載した絶縁基板
を、この絶縁基板の主面に対してほぼ垂直に配置した貫
通端子を有するパッケージに収容してなる光半導体装置
において、上記絶縁基板主面に、上記貫通端子挿入用の
傾斜した内周面を有する穴を設け、各貫通端子の頭部を
、それぞれ各穴に挿入した状態で絶縁基板と接続固定し
たことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118947A JP2737151B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 光半導体装置 |
| KR1019890006330A KR930000330B1 (ko) | 1988-05-16 | 1989-05-11 | 광 반도체장치 |
| US07/351,033 US4985597A (en) | 1988-05-16 | 1989-05-12 | Optical semiconductor device |
| CA000599705A CA1303712C (en) | 1988-05-16 | 1989-05-15 | Optical semiconductor device |
| EP89108761A EP0342594B1 (en) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | An optical semiconductor device |
| DE68917367T DE68917367T2 (de) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | Optisches Halbleiterbauelement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118947A JP2737151B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289172A true JPH01289172A (ja) | 1989-11-21 |
| JP2737151B2 JP2737151B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=14749189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63118947A Expired - Fee Related JP2737151B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 光半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4985597A (ja) |
| JP (1) | JP2737151B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093295A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2006132122A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Alps Electric Co., Ltd. | Ｌｅｄランプモジュール |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567984A (en) * | 1994-12-08 | 1996-10-22 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating an electronic circuit package |
| CN104923914B (zh) * | 2014-03-20 | 2017-08-22 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种元器件引脚的焊接方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5041472U (ja) * | 1973-08-15 | 1975-04-26 | ||
| JPS6232556U (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-26 | ||
| JPS62114460U (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-21 | ||
| JPS62157128U (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-06 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3482198A (en) * | 1964-10-29 | 1969-12-02 | Gen Electric | Photosensitive device |
| FR2322465A1 (fr) * | 1975-08-29 | 1977-03-25 | Doloise Metallurgique | Dispositif de raccordement pour composants munis de fiches |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63118947A patent/JP2737151B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-12 US US07/351,033 patent/US4985597A/en not_active Expired - Fee Related
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| JPS6232556U (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-26 | ||
| JPS62114460U (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-21 | ||
| JPS62157128U (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-06 |
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| WO2006132122A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Alps Electric Co., Ltd. | Ｌｅｄランプモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4985597A (en) | 1991-01-15 |
| JP2737151B2 (ja) | 1998-04-08 |
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