JPH01273361A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01273361A JPH01273361A JP10193288A JP10193288A JPH01273361A JP H01273361 A JPH01273361 A JP H01273361A JP 10193288 A JP10193288 A JP 10193288A JP 10193288 A JP10193288 A JP 10193288A JP H01273361 A JPH01273361 A JP H01273361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guard ring
- type
- diffusion layer
- semiconductor substrate
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ペレット内に例えば二つのダイオードを直列
に接続して設けた構造の半導体装置に関する。
に接続して設けた構造の半導体装置に関する。
周知のように、ペレット内に二つのダイオードを並列に
設けて、双方のアノード電極又はカソード電極を共通と
した三端子の半導体装置は、比較的簡単に製造すること
ができ、しかも回路を組む上で便利であるため、広く使
用されている。
設けて、双方のアノード電極又はカソード電極を共通と
した三端子の半導体装置は、比較的簡単に製造すること
ができ、しかも回路を組む上で便利であるため、広く使
用されている。
けれども、第2図に示すように、ペレット内に二つのダ
イオードD、、Dbを直列に接続して設け、両者の間か
ら共通電極を引き出した構造の半導体装置は、その製造
が容易でないため、回路を組む上で便利であるにも拘ら
ず、現在のところ未開発にちかい状態であり、従来例と
して第4図に示すような構造のものが存在・する程度で
ある。
イオードD、、Dbを直列に接続して設け、両者の間か
ら共通電極を引き出した構造の半導体装置は、その製造
が容易でないため、回路を組む上で便利であるにも拘ら
ず、現在のところ未開発にちかい状態であり、従来例と
して第4図に示すような構造のものが存在・する程度で
ある。
この第4図に示す直列接続型の半導体装置はリニアIC
の製造技術を応用して製造したもので、p形のサブスト
レート100の表面にn形のエピタキシャル層101を
形成し、このエピタキシャル層101に二つのp形ガー
ドリング102a。
の製造技術を応用して製造したもので、p形のサブスト
レート100の表面にn形のエピタキシャル層101を
形成し、このエピタキシャル層101に二つのp形ガー
ドリング102a。
102bを互いに外接状態で形成しである。そして、一
方のガードリング102a内例のエビタキシャル層表面
にp形の拡散層103を形成して第一のダイオードを組
立てると共に、他方のガードリング102b内側のエピ
タキシャル層表面にp形の拡散層104と、n゛形の高
濃度拡散層105を順次形成して第二のダイオードを組
立て、第一のダイオードのカソード電極106と第二の
ダイオードのアノード電極107をアルミニウムの配線
パターン等で連結することによって双方のダイオードを
直列接続しである。尚、108は第一のダイオードのア
ノード電極、109は第二のダイオードのカソード電極
、110は絶縁酸化膜である。
方のガードリング102a内例のエビタキシャル層表面
にp形の拡散層103を形成して第一のダイオードを組
立てると共に、他方のガードリング102b内側のエピ
タキシャル層表面にp形の拡散層104と、n゛形の高
濃度拡散層105を順次形成して第二のダイオードを組
立て、第一のダイオードのカソード電極106と第二の
ダイオードのアノード電極107をアルミニウムの配線
パターン等で連結することによって双方のダイオードを
直列接続しである。尚、108は第一のダイオードのア
ノード電極、109は第二のダイオードのカソード電極
、110は絶縁酸化膜である。
しかしながら、上記の半導体装置は耐圧性に劣るという
問題があった。即ち、耐圧を向上させるためにはエピタ
キシャル層101を厚く形成する必要があるが、厚いエ
ピタキシャル層101を形成することは、多大の時間を
要し、極めて非能率的であり、現実に充分な耐圧を発揮
し得る厚さとすることは困難であった。しかも、直列接
続用の配線パターンを表面に形成するための余分なスペ
ースが必要となるので、半導体装置の小型化を図ること
が難しいという問題があり、また、不純物を拡散する工
程が多いので製造面やコスト面でも不利であった。
問題があった。即ち、耐圧を向上させるためにはエピタ
キシャル層101を厚く形成する必要があるが、厚いエ
ピタキシャル層101を形成することは、多大の時間を
要し、極めて非能率的であり、現実に充分な耐圧を発揮
し得る厚さとすることは困難であった。しかも、直列接
続用の配線パターンを表面に形成するための余分なスペ
ースが必要となるので、半導体装置の小型化を図ること
が難しいという問題があり、また、不純物を拡散する工
程が多いので製造面やコスト面でも不利であった。
本発明の半導体装置は、上記課題を解決することを目的
としてなされたもので、一導電形の半導体基板に、該基
板を貫通する他導電形の第一ガードリングと第二ガード
リングを形成し、第一ガードリングで囲まれた半導体基
板の第−囲繞部の表面側に他導電形の第一拡散層を形成
すると共に、第二ガードリングで囲まれた半導体基板の
第二囲繞部の裏面側に他導電形の第二拡散層をその周縁
部が第二ガードリングと重なるように形成し、第一拡散
層の表面にアノード電極を、第二囲繞部の表面にカソー
ド電極を、半導体基板の裏面に共通電極をそれぞれ形成
したことを要旨とする。
としてなされたもので、一導電形の半導体基板に、該基
板を貫通する他導電形の第一ガードリングと第二ガード
リングを形成し、第一ガードリングで囲まれた半導体基
板の第−囲繞部の表面側に他導電形の第一拡散層を形成
すると共に、第二ガードリングで囲まれた半導体基板の
第二囲繞部の裏面側に他導電形の第二拡散層をその周縁
部が第二ガードリングと重なるように形成し、第一拡散
層の表面にアノード電極を、第二囲繞部の表面にカソー
ド電極を、半導体基板の裏面に共通電極をそれぞれ形成
したことを要旨とする。
本発明の半導体装置においては、p形の第一拡散層とn
形半導体基板の第−囲繞部とのpn接合によって第一の
ダイオードが構成されると共に、p形の第二拡散層とn
形半導体基板の第二囲繞部とのpn接合によって第二の
ダイオードが構成され、双方のダイオードが半導体基板
裏面の共通電極によって直列に接続される。
形半導体基板の第−囲繞部とのpn接合によって第一の
ダイオードが構成されると共に、p形の第二拡散層とn
形半導体基板の第二囲繞部とのpn接合によって第二の
ダイオードが構成され、双方のダイオードが半導体基板
裏面の共通電極によって直列に接続される。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体装置を示す概略
断面図、第2図は同装置の等価回路図である。
断面図、第2図は同装置の等価回路図である。
第1図に於て、1はn形の半導体基板であり、該基板1
にはp形の第一ガードリング2aと第二ガードリング2
bが互いに外接状態で形成されている。双方のガードリ
ング2a、2bは、基板1を貫通するように基板1の厚
み全体にわたって連続して形成されており、従って、基
板1の第一ガードリング2aで囲まれた第−囲繞部3a
と第一ガードリング2aで囲まれた第二囲繞部3bは完
全に隔離状態となっている。上記の半導体基板1は、耐
圧向上の観点から不純物濃度が低い高比抵抗のものを使
用することが望ましく、また、その厚さは180〜22
0μ程度であることが望ましい。このような範囲に設定
する理由は、180μmより薄い場合は、基板の強度が
弱く割れやすいため、取扱い性が悪くなるといった不都
合を生じ、逆に220μより厚くなると、後述のように
p形不純物を基板1両面から拡散してガードリング2a
、2bを形成するのに時間を要するといった不都合が生
じるからである。
にはp形の第一ガードリング2aと第二ガードリング2
bが互いに外接状態で形成されている。双方のガードリ
ング2a、2bは、基板1を貫通するように基板1の厚
み全体にわたって連続して形成されており、従って、基
板1の第一ガードリング2aで囲まれた第−囲繞部3a
と第一ガードリング2aで囲まれた第二囲繞部3bは完
全に隔離状態となっている。上記の半導体基板1は、耐
圧向上の観点から不純物濃度が低い高比抵抗のものを使
用することが望ましく、また、その厚さは180〜22
0μ程度であることが望ましい。このような範囲に設定
する理由は、180μmより薄い場合は、基板の強度が
弱く割れやすいため、取扱い性が悪くなるといった不都
合を生じ、逆に220μより厚くなると、後述のように
p形不純物を基板1両面から拡散してガードリング2a
、2bを形成するのに時間を要するといった不都合が生
じるからである。
第−囲繞部3aの表面にはp形の第一拡散N4aが形成
され、この第一拡散層4aと第−囲繞部3aとのpn接
合によって第一ダイオードD1が構成されている。また
、第二囲繞部3bの裏面にもp形の第二拡散JW4bが
形成され、この第二拡散層4bと第二囲繞部3bとのp
n接合によって第二ダイオードD、が構成されている。
され、この第一拡散層4aと第−囲繞部3aとのpn接
合によって第一ダイオードD1が構成されている。また
、第二囲繞部3bの裏面にもp形の第二拡散JW4bが
形成され、この第二拡散層4bと第二囲繞部3bとのp
n接合によって第二ダイオードD、が構成されている。
この第二拡散層4bは、第二ダイオードD、のカソード
電極7と共通電極8のショートを防止するため、拡散層
周縁部が第二ガードリング2bと重なるように形成する
必要がある。更に、第−囲繞部3aの裏面と第二囲繞部
3bの表面には、不純物濃度が高い第一のn膨拡散層5
aと第二のn膨拡散層5bが形成されている。これらの
n膨拡散層5a。
電極7と共通電極8のショートを防止するため、拡散層
周縁部が第二ガードリング2bと重なるように形成する
必要がある。更に、第−囲繞部3aの裏面と第二囲繞部
3bの表面には、不純物濃度が高い第一のn膨拡散層5
aと第二のn膨拡散層5bが形成されている。これらの
n膨拡散層5a。
5bは、電極に対するオーミックコンタクトをとってV
F特性を向上させるため、及び、層厚の調節によって必
要な耐圧特性を得るために形成されたものである。
F特性を向上させるため、及び、層厚の調節によって必
要な耐圧特性を得るために形成されたものである。
p形の第一拡散層4aの表面と第二囲繞部3bの表面に
は、第一ダイオードD、のアノード電極6と第二ダイオ
ードD、のカソード電極7がそれぞれ設けられており、
また、半導体基板1の裏面には共通電極8が設けられて
いる。アノード電極6とカソード電極7はアルミニウム
等で形成されるが、共通電極8はクロム、ニッケル、錫
、銀等で形成された単層又は複層構造をしており、この
共通電極8によって双方のダイオードD、、Dbが直列
接続されている。尚、9は半導体基板1の表面に形成さ
れた絶縁酸化膜である。
は、第一ダイオードD、のアノード電極6と第二ダイオ
ードD、のカソード電極7がそれぞれ設けられており、
また、半導体基板1の裏面には共通電極8が設けられて
いる。アノード電極6とカソード電極7はアルミニウム
等で形成されるが、共通電極8はクロム、ニッケル、錫
、銀等で形成された単層又は複層構造をしており、この
共通電極8によって双方のダイオードD、、Dbが直列
接続されている。尚、9は半導体基板1の表面に形成さ
れた絶縁酸化膜である。
次に、第3図を参照しながら、上記構成の半導体装置の
製法を概説する。尚、第3図においては図面を簡素化す
るため絶縁酸化膜やフォトレジスト膜等を省略しである
。
製法を概説する。尚、第3図においては図面を簡素化す
るため絶縁酸化膜やフォトレジスト膜等を省略しである
。
先ず、低濃度のn形半導体基板を研磨して第3図(イ)
に示すように180〜220μの厚さのn形半導体基板
1を得る。次いで、この基板1の両面の対向部分にガー
ドリング形成用の窓開けをし、第3図(ロ)に示すよう
に基板1の両面がらp形不純物を注入し第−及び第二ガ
ードリング予定層2a、2b′を形成する。そして、第
3図(ハ)に示すようにp形不純物を両面に深く押し込
んで連結し、互いに外接する第一ガードリング2aと第
二ガードリング2bを形成する。このガードリングの形
成は、基板1の厚さが180〜220μと比較的薄いの
で、それほど時間を要しないガードリングの形成が終わ
ると、第一ガードリング2aで囲まれた第−囲繞部3a
の表面と、第二ガードリング2bで囲まれた第二囲繞部
3bの裏面に窓開けをし、第3図(ニ)に示すようにp
形不純物をそれぞれ注入、拡散して、p形の第一拡散層
4aと第二拡散層4bを形成する。このとき、第二拡散
層4bの周縁部が第二ガードリング2bに重なるように
、第二囲繞部3bの裏面の窓開けは大きく行う。次いで
、第−囲繞部3aの裏面と第二囲繞部3bの表面に窓開
けを行い、第3図(ホ)に示すようにn形不純物を高濃
度で注入、拡散して第一のn膨拡散層5aと第二のn膨
拡散層5bを形成する。尚、これらのn膨拡散層5a、
5bを形成するとき、及び上記のp膨拡散層4a、4b
を形成するときには、必要な耐圧特性が得られるように
層厚を適当に調節するのが好ましい。
に示すように180〜220μの厚さのn形半導体基板
1を得る。次いで、この基板1の両面の対向部分にガー
ドリング形成用の窓開けをし、第3図(ロ)に示すよう
に基板1の両面がらp形不純物を注入し第−及び第二ガ
ードリング予定層2a、2b′を形成する。そして、第
3図(ハ)に示すようにp形不純物を両面に深く押し込
んで連結し、互いに外接する第一ガードリング2aと第
二ガードリング2bを形成する。このガードリングの形
成は、基板1の厚さが180〜220μと比較的薄いの
で、それほど時間を要しないガードリングの形成が終わ
ると、第一ガードリング2aで囲まれた第−囲繞部3a
の表面と、第二ガードリング2bで囲まれた第二囲繞部
3bの裏面に窓開けをし、第3図(ニ)に示すようにp
形不純物をそれぞれ注入、拡散して、p形の第一拡散層
4aと第二拡散層4bを形成する。このとき、第二拡散
層4bの周縁部が第二ガードリング2bに重なるように
、第二囲繞部3bの裏面の窓開けは大きく行う。次いで
、第−囲繞部3aの裏面と第二囲繞部3bの表面に窓開
けを行い、第3図(ホ)に示すようにn形不純物を高濃
度で注入、拡散して第一のn膨拡散層5aと第二のn膨
拡散層5bを形成する。尚、これらのn膨拡散層5a、
5bを形成するとき、及び上記のp膨拡散層4a、4b
を形成するときには、必要な耐圧特性が得られるように
層厚を適当に調節するのが好ましい。
拡散工程が終わると、アルミニウムの蒸着やスパッタリ
ング等によって、第3図(へ)に示すように第一拡散層
4aの表面にアノード電極6を形成すると共に、第二囲
繞部3bの表面にカソード電極7を形成し、更に半導体
基板1の裏面に、クロム、ニッケル、錫、銀等を蒸着又
はスパッタリングして裏面電極を形成する。電極の形成
が終わると、ダイシング等の手段で最終的にペレットに
分割される。
ング等によって、第3図(へ)に示すように第一拡散層
4aの表面にアノード電極6を形成すると共に、第二囲
繞部3bの表面にカソード電極7を形成し、更に半導体
基板1の裏面に、クロム、ニッケル、錫、銀等を蒸着又
はスパッタリングして裏面電極を形成する。電極の形成
が終わると、ダイシング等の手段で最終的にペレットに
分割される。
上記のように、本発明の半導体装置を製造する場合は、
エピタキシャル層を形成する必要がなく、ガードリング
2a、2bの形成も比較的簡単に行うことができ、不純
物の拡散工程も6エ程と少ないので、従来装置に比べて
逼かに箔単且つ安価に製造することができる。また、最
初から高比抵抗のn形半導体基板1を用いて、その内部
に二個のダイオードを組立てるので、従来装置のように
薄いn形エピタキシャル層内にp膨拡散層とn膨拡散層
を順次重ねてダイオードを組み立てる場合に比べると、
耐圧性が温かに優れており、しかも、p膨拡散層4a、
4bとn膨拡散層5a、5bの厚みを調節することによ
って容易に耐圧特性を変えることができるので極めて好
都合である。また、双方のダイオードは裏面の共通電極
8で直列に接続されるので、従来装置のように表面に配
線パターンを形成する必要がなくなり、従って、配線パ
ターン形成用のスペースが不要となる分だけ装置を小型
化することができる。
エピタキシャル層を形成する必要がなく、ガードリング
2a、2bの形成も比較的簡単に行うことができ、不純
物の拡散工程も6エ程と少ないので、従来装置に比べて
逼かに箔単且つ安価に製造することができる。また、最
初から高比抵抗のn形半導体基板1を用いて、その内部
に二個のダイオードを組立てるので、従来装置のように
薄いn形エピタキシャル層内にp膨拡散層とn膨拡散層
を順次重ねてダイオードを組み立てる場合に比べると、
耐圧性が温かに優れており、しかも、p膨拡散層4a、
4bとn膨拡散層5a、5bの厚みを調節することによ
って容易に耐圧特性を変えることができるので極めて好
都合である。また、双方のダイオードは裏面の共通電極
8で直列に接続されるので、従来装置のように表面に配
線パターンを形成する必要がなくなり、従って、配線パ
ターン形成用のスペースが不要となる分だけ装置を小型
化することができる。
向上記実施例では、二つのダイオードを直列接続する場
合を説明したが、本発明では、二つ以上を直併列組合せ
て設けるようにしてもよいことは勿論、同様な効果があ
る。また、上記実施例では、第−及び第二ガードリング
は、全部が半導体装置の一素子内に形成された場合であ
るが、本発明では、必ずしも全部でなく、例えば−素子
内に各ガードリングの約半分が素子端縁部に設けられる
ように設定、してもよい。
合を説明したが、本発明では、二つ以上を直併列組合せ
て設けるようにしてもよいことは勿論、同様な効果があ
る。また、上記実施例では、第−及び第二ガードリング
は、全部が半導体装置の一素子内に形成された場合であ
るが、本発明では、必ずしも全部でなく、例えば−素子
内に各ガードリングの約半分が素子端縁部に設けられる
ように設定、してもよい。
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体装置に
よれば、耐圧性が大幅に向上し、製造も簡単且つ安価に
行うことができ、小型化も容易に行え、特性改善と実用
性向上とを併せて得られる効果を奏する。
よれば、耐圧性が大幅に向上し、製造も簡単且つ安価に
行うことができ、小型化も容易に行え、特性改善と実用
性向上とを併せて得られる効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例にかかる半導体装置の概略断
面図、第2図は同装置の等価シンボル図、第3図(イ)
〜(へ)は同装置の製法を順次説明するための説明図、
第4図は従来の半導体装置の概略断面図である。 1・・・半導体基板、 2a・・・第一ガードリング、 2b・・・第二ガードリング、 3a・・・第−囲繞部、 3b・・・第二囲繞部、 4a・・・第一拡散層、 4b・・・第二拡散層、 6・・・アノード電極、 7・・・カソード電極、 8・・・共通電極、 D、・・・第一ダイオード、 Db・・・第二ダイオード。 ^ ^
へ+l−1−1−(
面図、第2図は同装置の等価シンボル図、第3図(イ)
〜(へ)は同装置の製法を順次説明するための説明図、
第4図は従来の半導体装置の概略断面図である。 1・・・半導体基板、 2a・・・第一ガードリング、 2b・・・第二ガードリング、 3a・・・第−囲繞部、 3b・・・第二囲繞部、 4a・・・第一拡散層、 4b・・・第二拡散層、 6・・・アノード電極、 7・・・カソード電極、 8・・・共通電極、 D、・・・第一ダイオード、 Db・・・第二ダイオード。 ^ ^
へ+l−1−1−(
Claims (1)
- (1)一導電形の半導体基板に、該基板を貫通する他導
電形の第一ガードリングと第二ガードリングを形成し、
第一ガードリングで囲まれた半導体基板の第一囲繞部の
表面側に他導電形の第一拡散層を形成すると共に、第二
ガードリングで囲まれた半導体基板の第二囲繞部の裏面
側に他導電形の第二拡散層をその周縁部が第二ガードリ
ングと重なるように形成し、第一拡散層の表面にアノー
ド電極を、第二囲繞部の表面にカソード電極を、半導体
基板の裏面に共通電極をそれぞれ形成して成る半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10193288A JPH01273361A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10193288A JPH01273361A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01273361A true JPH01273361A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14313686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10193288A Pending JPH01273361A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01273361A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7511316B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-03-31 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device resistive to high voltage and capable of controlling leakage current |
JP2016092335A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 株式会社デンソー | ダイオード |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10193288A patent/JPH01273361A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7511316B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-03-31 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device resistive to high voltage and capable of controlling leakage current |
JP2016092335A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 株式会社デンソー | ダイオード |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5367188A (en) | Photodiode array device and method for producing same | |
JPH07263714A (ja) | 集積回路 | |
JP2824882B2 (ja) | 太陽電池装置 | |
US6653176B2 (en) | Method for manufacturing x-ray detector | |
JP2000164894A (ja) | 半導体構成素子並びに該半導体構成素子の製造方法 | |
JPH01273361A (ja) | 半導体装置 | |
US3584266A (en) | Depletion layer capacitor in particular for monolithic integrated circuits | |
US4011578A (en) | Photodiode | |
US6806510B2 (en) | Semiconductor device with surge protective component and method of manufacturing the semiconductor device | |
JPH08130318A (ja) | 高耐圧ダイオード及びその製造方法 | |
JP2000294802A (ja) | 半導体装置 | |
JPS58125875A (ja) | 定電圧ダイオ−ド | |
US4042948A (en) | Integrated circuit isolation with mesas and/or insulating substrate | |
JP2003092415A (ja) | Soi構造ダイオード | |
CA1045250A (en) | Integrated base coupled transistors | |
JPH04152577A (ja) | 可変容量ダイオード装置 | |
JP2005026392A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPS5947755A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6126267A (ja) | 双方向性ツエナ−ダイオ−ド | |
JPS5885572A (ja) | プレ−ナ型ダイオ−ドおよびその製造方法 | |
JPH01143273A (ja) | アノード共通ダイオード | |
CA2014048A1 (en) | Semiconductor device isolation | |
JPH03155659A (ja) | 半導体装置 | |
JPH09181335A (ja) | 半導体装置 | |
JPS59214250A (ja) | 半導体装置 |