JPH01270257A - レジン封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特にタブレスの
リードフレームに半導体ペレットをダイボンディングし
てなる当該装置の改良技術に関する。更に本発明は、半
導体装置に関し、特に、チップがリードで支持さねてい
る半導体装置に適用して有効な技術に関するものである
。更に本発明は、タブなしリードフレームのインナーリ
ードの半導体チップ搭載部に半導体チップを搭載し、イ
ンナーリードと半導体チップとをボンディングワイヤで
電気的に接続し、樹脂封止材で封止した半導体装置用の
リードフレームに関し、特に、前記各々のインナーリー
ド間のリーク（短絡）な防止することができる技術に関
するものである。

〔従来の技術〕

本出願人は先に、米国特許出願第８４５３３２号（１９
８６年３月２１日出Ｍ）および日本特開昭６１−２１８
１３９号公報をもって、第１Ｅ図にその断面図を、また
、第１Ｆ図にその平面図を、さらに、第１Ｇ図にその要
部断面図を示すような樹脂封止型半導体装置を提案した
。

なお、第１Ｅ図は第１Ｆ図Ｉ　Ｘ　−Ｉ　Ｘ線に沿う断
面図で、 また、第１Ｇ図は第１Ｆ図Ｉ　Ｙ−Ｉ　Ｙ線に沿う断面
図である。

これら図に示すように、当該装置は、半導体ペレット（
以下単にペレットという）１０１を、リードフレーム１
０２の複数のリード１０２ａ上にマウントする方式をと
っている。すなわち、当該装置１０３は、従来から一般
に行われてきた、その中央部にベレン）ｌ搭載するため
の一般に角形のタブ（ベットなどとも称されることもあ
る）上に、ペレット１０１’ａ’固着する形式でなく、
ペレット搭載部が複数のリードで構成されたリードフレ
ーム１０２にペレット１０１をグイポンディングし、樹
脂封止により樹脂封止部１０４を形成して樹脂封止型半
導体装置１０３としている。

当該装置１ｉ１０３におけるダイボンディングに際して
は、第１Ｅ図に示すように、接着剤１０５ａにより絶縁
シート１０５を接着し、当該シート１０５上に接着剤１
０６により、ペレット１０１を固着させている。

なお、第１Ｆ図にて、１０７はペレット上のポンディン
グパッド、１０２ｂはリード側ポンディングポスト、１
０８はポンディング用ワイヤである。

当該装置１０３によれば、大型ペレットの搭載に非常に
有利な技術となすことができた。すなわち、ペレットが
大型化してきても、これを収納するパッケージのサイズ
は規格化されているために大きくすることができないの
で、従来のタブ上にペレットをマウントし、該タブ上の
ペレットと、咳タブに向って延びるインナーリードとを
ワイヤポンディングする従来の方式では、樹脂封止部内
に埋設されるリードの長さが短くなり、ノくツケージか
ら抜は易くなるなどの問題を生じてきたが、当該装置１
０３ではり−ド１０２ａの内部リードは極めて長い形状
で、封止部Ｂｙｌｌｏ４との接着強度が向上するために
、リードの引抜強度や装置の耐湿性を向上させることが
でき、大型ペレットの搭載に非常に有利となった。更に
、チップなレジンパッケージで封止した半導体装置の１
つに、リードの一部をチップの下Ｋ、−側面から入って
他の側面へ出るように延在させることにより、チップを
支持するようにしたものがある。前記リードとチップの
間は、ポリイミド膜によって絶縁され、チップは例えば
熱可塑性樹脂からなる接着剤でポリイミド膜上に接着さ
れる。ポリイミド膜とリードの接着は、例えば熱可塑性
樹脂からなる接着剤によって行っている。更に、従来の
レジンモールドパッケージ方式の半導体装置においては
、半導体チップはタブ上に搭載されているが、この方式
で例えば４メガ・ピットのダイナミック・ランダム・ア
クセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のような大きなチップを３
００ミル［ｍｉｌ］パッケージに収納する事は、きわめ
て困難であった。そこで、タブなしリードフレームのイ
ンナーリードの半導体チップ搭載部に半導体チップ搭載
用絶縁性フィルムを接着し、その上に半導体チップを搭
載することが提案されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかるに、本発明者らが、先にあげた装置について、プ
レッシャークツカーテストなどの耐湿信頼性テストヲ行
なったところ、リード１０２ａの相互間で電気的絶縁不
良となり、規定値以上のリーク電流が流れ不良となる場
合があることが見い出された。

そこで、その原因を追究したところ、当該装置１０３で
は、プレッシャークツカーテストなど乞行うと、接着剤
（層）１０５ａが劣化して、封止樹脂１０４／接着剤層
１０５ａの界面、およびリード１０２ａ／接着剤層１０
５ａの界面において剥離が進行し、水分がこれらの剥離
部に浸入して電気的導通不良となることが判り、さらに
当該不良原因を追究したところ、当該装置１０３では、
隣り合５１Ｊ−ド１０２ａ間に必ず異種物質から成る界
面（すなわち、封止樹脂１０４／接着剤層１０５ａ界面
）が存在すること、およびこの界面におけろ接着性が必
ずしも十分でなく、高温高湿の条件下で容易に剥離し易
いことの２点に起因すると考えられることが突き止めら
れた。更に本発明者は、前記リードでチップを支持した
半導体装置を検討した結果、次の問題点を見出した。

前記ポリイミド膜をリードに接着するための接着剤は、
ポリイミド膜等に較べて絶縁抵抗が小さい。このため、
その接着剤を通ってリード間にリーク電流が流れ易く、
入力信号や出力信号にノイズが生じる。更に、前記タブ
なしリードフレームのインナーリードの半導体チップ搭
載部に半導体チップ搭載用絶縁性フィルムを接着し、そ
の上に半導体チップを搭載する方式の半導体装置では、
各々のインナーリード間のリーク（短絡）を防止する配
慮がされていないため、半導体チップ搭載用絶縁性フィ
ルムとレジン等の樹脂封止材との界面を通して各々のイ
ンナーリード間にリーク（短絡）電流が流れる場合があ
ることを本発明者は見い出した。

そこで、本発明の一つの目的は、面実装に適合したレジ
ン封止ＩＣを提供することにある。

本発明の一つの目的は、ダイパッド・レス（タブ・レス
）タイプのリードフレームを用いたレジン封止において
、リードのばらつきによるボンディング精度の低下のな
いレジン封止ＩＣ製造技術を提供することにある。

本発明の一つの目的は、面実装リフロー時の熱ストレス
によって、レジンパッケージ裏面等にクラックの発生し
ないパッケージ構造を提供することにある。

本発明の一つの目的は、高密度実装に適したレジン封止
ＩＣを提供することＫある。

本発明は大型ペレットの搭載に有利な上述した樹脂封止
型半導体装置における利点を生かしつつ、さらにその耐
湿信頼性をより一層向上させることを一つの目的とした
ものである。

本発明の一つの目的は、リードでチップを支持した半導
体装置において、リード間にリーク電流が流れるのを防
止するものである。

本発明の一つの目的は、タブなしリードフレームのイン
ナーリードの半導体チップ搭載部に半導体チップを搭載
し、インナーリードと半導体チップとをボンディングワ
イヤで電気的に接続し、樹脂封止材で封止した半導体装
置用のリードフレームであって、前記各々のインナーリ
ード間のリーク（短絡）を防止することができる技術を
提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
ケ簡単に説明すれば、下記のとおりである。

本発明においては、複数のリード上にペレットを搭載す
るに、当該複数のリードを埋設した形の樹脂板を予じめ
インジェクションモードなどの成形方法で成形しておき
、当該樹脂板の表面に、接合材料によりペレットを固着
し、ワイヤボンディング後に、樹脂封止を行なうように
する。

これにより、複数のリードの各々がｍ脂中に埋設されて
いる形になるため、先に提案した樹脂封止型半導体装置
とは異なり、隣り合つリード間を結ぶような界面が存在
しない。従って、隣り合うリード間に必ず異種物質から
なる界面が存在することなどにより、引き起こされる電
流のリーク不良を回避でき、半導体装置の信頼性を一段
と向上させることに成功した。

更に本発明の他の概要は、リードの一部でチ・ツブを支
持する半導体装置において、前記リードのチップの下に
設けられる部分を絶縁膜の中に埋込み、チップは前記絶
縁膜の上に接着するようにしたものである。

更に本発明の他の概要は、タブなしリードフレームのイ
ンナーリードの半導体チップ搭載部に半導体チップを搭
載し、インナーリードと半導体チップとをボンディング
ワイヤで電気的に接続し、樹脂封止材で封止した半導体
装置用のリードフレームであって、前記各々のインナー
リードの半導体チップ搭載部の一部又は全部を絶縁処理
したものである。

更に本発明の他の概要は、面実装タイプのレジン封止Ｉ
Ｃに対して、ダイパッド・レス（タブレス）の考え方を
適用したことにより、レジン封止体下面のり７０−クラ
ックを低下するようにしたものである。

すなわち、その詳細は、 多数のインナーリード上に集積回路半導体チップをその
裏面において固着し、上記インナーリードと上記チップ
の表主面上の多数のボンディング・パッド間を多数のボ
ンディング・ワイヤにより電気的に接続した後、上記イ
ンナーリード、チップ。

及びボンディング・ワイヤをレジンによりモールドした
半導体集積回路装置において、上記インナーリードに連
結した多数のアウターリードは、上記レジン・モールド
体側面より突出し、面実装に適した形状に整形されてい
るものである。

更に詳細には、以下の構成よりなる半導体装置である： 長方形の板状の半導体チップは、第１及び第２の主面を
有する； 上記第１の主面上には、非常に多数の素子が形成されて
いる； 上記第１の主面上の一対の短辺のそれぞれの近傍に設け
られた多数のボンディング・パッド；上記第２の主面下
近傍のこの主面に平行な平面内に実質的に延在する多数
のインナーリード、上記インナーリードは、複数からな
る第１．第２、第３及び第４の組よりなり、 上記第１の組に対応するインナーリードは、上記チップ
下にはいり、他のインナーリードと交叉することなく上
記チップの第１の短辺からチップ外に突出し、 上記第２の組に対応するインナーリードは、上記チップ
の第１０長辺より上記チップ下にはいり、他のリードと
交叉することなく上記チップの第２の短辺からチップ外
に突出し、 上記第３の組に対応するインナーリードは、上記チップ
の第２０長辺より上記チップ下にはいり、他のリードと
交叉することなく上記チップの第１の短辺からチップ外
に突出し、 上記第４の組に対応するインナーリードは、上記チップ
の第２の長辺より上記チップ下にはいり、他のリードと
交叉することなく上記チップの第２の短辺からチップ外
に突出し、 上記チップの上記第２の主面において、上記インナーリ
ードの第１の主面と、絶縁層を介して固着されており； 上記第１及び第２の短辺近傍の多数のボンディング・パ
ッドと上記第１及び第２の短辺から突出したインナーリ
ード間を上記第１及び第２の短辺のそれぞれの近傍にお
いて電気的に接続した多数のボンディング・ワイヤと； 上記チップ、インナーリード及びボンディング・ワイヤ
の実質的全体を封止するレジン封止体と；この封止体は
、厚手長方形に近似したほぼ直方体形状をし、第１．第
２の長側面と、第１．第２の短側面と、第１１第２の主
面を有しており、上記チップは、上記封止体内にその長
側面と長辺、短側面と短辺、主面と主面が一対として、
それぞれ平行に近接するように上記封止体のほぼ中央に
埋込まれており、 上記第１及び第２の組のインナーリードのそれぞれに、
上記封止体の上記第１の長側面において連結し外部へ突
出した多数の第１組のアウターリードと、 上記第３及び第４の組のインナーリードのそれぞれに、
上記封止体の上記第２の長側面において連結し外部へ突
出した第２組のアウターリードと、上記第１．第２．第
３及び第４の組のインナーリード及び上記第１及び第２
組のアウターリードは、実体的に一枚のメタル薄板から
形成されており、 上記第１組のアウターリードは、上記第１の長側面から
、その突出点がその長側面上に長平方向にほぼ一直線上
にならぶようにされ、その位置からアウターリードの先
端が上記第１の長側面近傍において上記封止体の第２の
主面に回ってまわり込むように上記封止体外面にそって
ほぼ円弧状に曲げられ、その円弧状に整形されたアウタ
ーサードの下部外面において、面実装可能なようにされ
ており、 上記第２組のアウターリードは、上記第２の長側面から
、その突出点がその長側面上に長手方向にほぼ一直線上
にならぶようにされ、その位置からアウターリードの先
端が上記第２の長側面近傍において上記封止体の第２の
主面に向ってまわり込むように上記封止体外面にそって
ほぼ円弧状に［ｔｔｌ”られ、その円弧状に整形された
アウターリードの下部外面において、面実装可能なよう
にされている。

〔作用〕

上述した手段によれば、リードの表面に絶縁抵抗の低い
接着剤がなく、かつリードのチップの下の部分が、リー
ドごとに分離した状態で絶縁抵抗の高い絶縁膜の中に埋
め込まれているので、リード間にリーク電流が流れるこ
とがなくなる。

更に前述の手段によれば、各々のインナーリードの半導
体チップ搭載部の一部又は全部を絶縁処理したことによ
り、半導体チップ搭載用絶縁性フィルム（この絶縁性フ
ィルムは使用していない）とレジン等の樹脂封止材との
界面を通して各々のインナーリード間にリーク（短絡）
電流が流幻ることがないので、各々のインナーリード間
のリーク（短絡〕を防止することができる。

〔発明の実施例〕

（１）　　実施例・１ 次に、本発明の第１の実施例を図面に基づいて説明する
。

第１Ｄ図は本発明の実施例を示す半導体装置におけるペ
レットとリードとの関係を示す平面図で、また、第１Ｃ
図はこの第１Ｄ図のＩＺ−ＩＺＲに沿う本発明の実施例
を示す半導体装置の全体構成断面図で、さらに第１Ａ図
はこの第１Ｄ図ＩＷ−ＩＷ線に沿う本発明の実施例を示
す半導体装置の要部断面図である。

第１Ａ図および第１Ｄ図に示すように、本発明一実施例
では、複数のリード１０２の各々がその中に埋設される
ように、ペレット搭載用樹脂層１０９を形成する。

当該樹脂層１０９の形成は、例えば、インジェクション
モールドにより行なうことができ、タブやタブリードを
有しない第１Ｄ図に示すような形態のリードフレーム１
０２を金型に入れ、樹脂を金型内にインジェクション（
射出〕することにより形成することができる。

当該樹脂層１０９は、ペレット１０１を搭載しようとす
る領域において形成すれば足り、第１Ａ図に示す実施例
では適宜の厚みを有する樹脂板により構成されている。

当該樹脂板１０９を形成後に、第１Ａ図および第１Ｄ図
に示すように、該樹脂板１０９上に、ペレッ）１０１’
ｋ、接着剤１０６により固定（ダイボンディング）シ、
次いで、当該ペレット１０１とリードとをボンディング
用ワイヤ１０８でワイヤボンディングする。

リード１０２ａは、二辺にポンディングパッド１０７が
配列されたペレット１０１の裏面に延在しかつ、当該バ
ッド１０７が配列されたペレット辺よりその先端部１０
２ｔｌ突出しており、ワイヤボンディングは当該リード
ｌ　Ｏ°２　ａの先端部１０２ｂとペレット１０１のポ
ンディングパッド１０７とをボンディング用ワイヤ１０
８により接続することにより行われる。

当該ワイヤボンディング後に、当該ペレット組立品を金
型に入れ、例えばトランスファーモールド法により樹脂
封止を行ない、樹脂封止部１０４を形成する。

樹脂封止部１０４を形成する封止用樹脂としては、例え
ばエポキシ樹脂やシリコーンゴム変成のエポキシ樹月旨
が挙げられる。

樹脂板１０９を形成する樹脂としては、上記封止用樹脂
と同一のものを使用しても良いし、また、ポリフェニレ
ンサルファイイド（ＰＰＳ）、ポリサルフォン、ポリエ
ーテルサルフオンなどの熱可塑性合成樹脂を用いても良
い。

これら封止用樹脂や樹脂板形成用樹脂には、フィラーや
その他各種添加剤などｔ添加してもよいことはもちろん
である。

第１Ｂ図は本発明の第１の実施例の内その他の例を示し
たもので、第１Ａ図に示す実施例ではす−ド１０２ａが
樹脂板１０９中に埋設された例を示したが、この第１Ｂ
図では図示のように、ＩＪ　−ド】０２ａの表面および
両側面を被覆する形でペレット搭載用の樹脂層１０９を
形成した例を示す。

この場合には、樹脂層１０９／樹脂封止部】０４との間
に界面が出来る為、当該樹脂層１０９の成形材料として
は、封止用樹カ旨との接着性の良いものを選定すること
が重要であり、封止用樹脂と同一材料を用いることが好
ましい。

本発明に使用されるリードフレーム１０２は。

例えばＦｅ−Ｎｉ系合金で例示されろ金属（合金）によ
り構成されろ。

ペレット１０１は、例えばシリコン単結晶基板から成り
、周知の技術によってこのペレット内には多数の回路素
子が形成され、１つの回路機能が与えられている。回路
素子の具体例は、例えばＭＯＳ）ランジスタから成り、
これらの回路素子によって、例えば論理回路およびメモ
リの回路機能が形成されている。

ボンディング用ワイヤ１０８は、例えばＡｕ線やＡｔ線
又はＣｕ線により構成されろ。

本発明によれば、複数のり−ド１０２ａの各々について
、樹脂層１０９がそれらの周囲を埋めている為、隣り合
うリード１０２ａの間を結ぶような界面が存在しない。

従って、界面の剥離と（・った現象が原理的に起こりよ
うがない。それ故、リード相互間でのリーク電流の流れ
不良が回避される。

そして、電気的リークの心配が無くなる為に、樹脂層１
０９の材料選定の自由度が増す。その結果、例えば弾性
率Ｅの小さな樹脂材料を用いることにより、ペレット下
端の樹脂封止部１０４に発生するレジンクラックを防止
したり、あるいは吸湿率の低い樹脂を選ぶことにより、
リフローソルダー時のレジンクランクをも防止すること
が可能となった。

一方、第１Ｂ図に示すような実施例にあっても、この場
合には、樹脂層１０９と樹脂封止部１０４間に界面がで
きるが、例えば、樹脂層１０９と樹脂封止部１０４との
成形材料を、同一のエポキシ系材料とすることにより、
界面の接着性を良好に保つことができ、その結果、電気
的リークを防止できた。

本発明によれば、上述のごとく、耐湿信頼性や耐温度サ
イクルや耐すフローンルダー性などが向上し製品全体と
して信頼性が向上するばかりでなく、大型ペレットの搭
載に際して、リード１０２ａの内部リードが極めて長い
形状であるためリードの引抜強度が犬で、また、ペレッ
ト１とリード１０２ａとの電気的接続は、ボンディング
／くラドとこ４に近いペレット辺近傍に延在されて（・
る先端部１０２ｂとをワイヤボンディングすることによ
り達成されるため、ボンディング用ワイヤ１０８を短く
することができ、ワイヤショートの発生を防止し、当該
ワイヤ１０８の使用量を削減できコストを低減できるな
どの各種の利点をも有することができた。＼ 以上本発明者によつくなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その蚕旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施例ではペレット搭載用樹脂層９を樹脂
板により形成する例を示したが、ペレットとリード間の
絶縁の役目とペレット固定用基体としての役目を兼ねた
ようなものであわば、他の形態の樹脂成形体であっても
よい。

（２）実施例・２ 以下、本発明の第２の実施例のそのＩを図面を用いて説
明する。

ｇ２Ａ図は、チップを搭載しているリードの平面図、 第２Ｂ図は、第２Ａ図の２Ｙ−２Ｙ切断線におけろ断面
図、 第２Ｃ図は、第２Ａ図の２Ｚ−２Ｚ切断線における断面
図である。

なお、第２Ａ図は、リード、チップ、ボンディングワイ
ヤ等の構成を解り易くするため、ノ（ソケージ（レジン
）を示していない。

第２Ａ図乃至第２Ｃ図において、２０１はり−ドであり
、例えば４２７０イからなり、パッケージ２０８から出
ている部分（アウターリード）は半田メツキが施こされ
ている。リード２０１のうちの幾つか（第２Ａ図では１
２本）は、チップ（単結晶シリコン）２０３の一側面か
らその下に入り、前記ゴ側面と直負に交る他の側面の下
から出るような形状にさねて、チップ２０３を支持する
ようになっている。他のり−ド２０１　（第２Ａ図では
８本）は、チップ２０３の下に入っていた〜１０ 前記チップ２０３を支持しているリード２０１のチップ
２０３の下に入っている部分は、そのリード２０１ごと
に分離された状態で、ポリイミド層２０２（絶縁膜）の
中に埋め込まれている。−チップ２０３の下に入ってい
ないリード２０１　（第２Ａ図では８本）は、ポリイミ
ド層２０２の中に埋め込まれていない。ポリイミド層２
０２は、第２Ａ図に示しているように、チップ２０３よ
り大きくされ、またリード２０１のボンディングワイヤ
５が接続される先端部は露出するようになっている。こ
のように、チップ２０１の下に入っているリード２０１
のそれぞれは、ポリイミド層２０２の中に埋め込むこと
により、接着剤を使わずに、ポリイミド層２０２に固着
するようにしている。

ポリイミド層２０２の絶縁抵抗は非常に高く、ｌＸｌ０
１３Ω程度である。したがって、チップ２０１を支持し
ているリード２０１間でリーク電流が流れるのを防止す
ることができる。

ポリイミド層２０２の上には、熱可塑性樹脂２０７又は
Ａｇペースト２０７によってチップ２０３を接着してい
る。全てのり−ド２０１のパッケージ２０８内におけろ
先端部は、チップ２０３の縁の近くに導かれ、それぞれ
の先端部にボンディングワイヤ２０５が接続されている
。ポリイミド層２０２に一部が埋め込まれたり−ド２０
１及びポリイミド層２０２に埋め込まれていないり一部
２０１のいずれにおいても、ボンディングワイヤ２０５
が接続している先端部には、Ａｇメツキが施こされてい
る。ボンディングワイヤ２０５の前記と異なる他部は、
チップ２０３のポンディングパッド２０４（第２Ｂ図に
は図示していない）に接続している。チップ２０３の上
面は、例えばシリコーンゲル２０６によって封止してい
る。パッケージ２０８はレジンからなり℃いる。

前記ポリイミド層２０２は、第２Ｄ図に示しているよう
に、チップ２０１を搭載する以前に予じめ、リード２０
１の所定の部分を埋め込むように又は包み込むように形
成され、これ”ｋ３６０〜４３０℃程度の熱を加えて硬
化させる。

なお、チップ２０３’にポリイミド層２０２に接着する
方法としては、リード２０１をポリイミド層２０２に埋
め込んだ後、硬化させる以前に、その上面にチップ２０
３を押し付けるようにして接着し、この後３６０〜４３
０℃程度の熱を加えてポリイミド層２０２を硬化させる
ようにしてもよ１ｖ１０ 以上、説明したように、本実施例■によれば、リード２
０１ごとにポリイミド層２０２の中に埋め込み、接着剤
を使わずに、リード２０１をポリイミド層２０２に固着
していることにより、り一部２０１の間が絶縁抵抗の高
いポリイミド層２０２で絶縁されるので、リード２０１
間にリーク電流が流れるのを防止できる。

以下、本実施例のその■について説明する。

第２Ｅ図は、本発明の実施例■の半導体装置の断面図で
ある。なお、第２Ｅ図は、実施例■の半導体装置を第２
Ａ図の２Ｖ−２Ｖ線に相当する部分で見たときの断面を
示したものであり、ポンディングパッド２０４及びボン
ディングワイヤ２０５を図示していない。

実施例Ｈの半導体装置では、チップ２０３の下に入り込
んでいる個々のリード２０１ごとにポリイミド層２０２
を分けて設けている。ポリイミド層２０２は、少なくと
もリード２０１のチップ２０３の下に入っている部分は
、完全に包み込むようにしている。しかし、リード２０
１ごとに、ポリイミド層２０２とポリイミド層２０２０
間は分離されている。チップとポリイミド層２０２の間
は例えばＣｕ等からなる放熱板２０９をはさむようにし
ている。本実施例では、ポリイミド層２０２と放熱板２
０９の接着にＡｇペースト２０７を用いており、またこ
の人ｇペースト２ｏ７で放熱板２０９をチップ２０３の
裏面に接着している。

以上、本実施例■の半導体装置によれば、実施例■の効
果に加え、チップ２０３で発生する熱を放熱板２０９で
逃すことができるので、半導体装置の放熱効果を向上さ
せることができろ。

以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。

（３）実施例・３ 以下、本発明の第３の実施例７図面を用いて具体的に説
明する。

なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。

第３Ａ図は、本発明の第３の実施例のそのＩのリードフ
レームを実装した状態を示す平面図、第３Ｂ図は、第３
Ａ図に示す３Ｙ−３Ｙ切断線で切断した断面図、 第３Ｃ図は、第３人図のリードフレームを使用した半導
体装置の第３Ａ図に示ｆ３Ｚ−３Ｚ切断線で切断した半
導体装置の断面図、 第３Ｄ図は、第３Ａ図のリードフレームを使用した半導
体装置の第３Ａ図に示す３Ｗ−３Ｗ切断線で切断した半
導体装置の断面図である。

本実施例Ｉのリードフレームを使用した半導体装置は、
第３Ａ図、第３Ｃ図及び第３Ｄ図に示すように、タブな
しリードフレーム３０１のインナーリード３０１Ａの半
導体チップ搭載部３０１Ａ０に接着剤３０５を介して半
導体チップ３０２を搭載し、インナーリード３０１Ａと
半導体チップ３０２とｔボンディングワイヤ３０３で電
気的に接続し、レジン等の樹脂封止材３０３で封止した
ものである。

前記リードフレーム３０１は、例えば、４２ニツケル・
鉄合金（４２ＮｉＦｅアロイ〕からなっており、第３Ａ
図及び第３Ｂ図に示すように、複数のインナーリード３
０１Ａが半導体チップ３０２の下部に延設され、パッケ
ージの短辺側にボンディング端子３０１Ａ、が配置され
るような形状になっている。そしてそのインナーリード
３０１人の半導体チップ搭載部３０１　Ａｏは、第３Ｂ
図に示すように、例えば、熱硬化性ポリイミド系樹脂等
の絶縁性物質３０６によって絶縁処理されている。この
絶縁処理は、熱硬化性ポリイミド系樹脂等の液状の絶縁
性物質３０６をインナーリード３０１人の半導体チップ
搭載部３０１Ａｏの部分に塗布して熱処理する。また、
熱硬化性ポリイミド系樹脂等のテープ状の絶縁性物質３
０６でインナーリード３０１人の半導体チップ搭載部３
０１Ａ、を覆い、熱処理して被覆してもよい。

前記絶縁処理されたインナーリード３０１Ａの半導体チ
ップ搭載部３０１Ａ、の上に、半導体チップ３０２が接
着剤３０５により直接数゛り付けられる。

前記接着剤３０５は、例えば、第３Ｅ図に示すように、
インナーリード側から順にポリエーテルアミドイミド等
の熱可塑性の接着剤３０５Ａ、ポリピロメリット酸イミ
ド、ポリケトンイミド等の熱硬化性ポリイミド系樹脂接
着剤３０５Ｂ、ペレット付用熱硬化性接着剤３０５Ｃを
積層した多層接着剤からなっている。ペレット付用熱硬
化性接着剤３０５Ｃとしては、例えば、シリコーンゴム
。

エポキシゴム、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等を
用いる。

次に、インナーリード３０１Ａの半導体チップ搭載部３
０１Ａｏの絶縁処理の一実施例を簡単に説明する。

第３Ｆ図に示すように、複数個のリードフレーム３０１
が一列に配列されたリードフレーム部材３１０を転写装
置３１１の載置台３１１人に載置し、熱硬化性ポリイミ
ド系樹脂等の液状の絶縁性物質３０６を転写ヘッド３１
１Ｂに塗布し、その絶縁性物質３０６をインナーリード
３０１Ａの半導体チップ搭載部３０１Ａ０に転写する。

次に、ベーク処理により液剤をとばした後に、熱処理に
より絶縁性物質３０６を硬化させる。

次に、本実施例の半導体装置の組立方法について簡単に
説明する。

前述のリードフレーム部材３１０に絶縁性物質３０６が
施されたリードフレーム部材３１０Ａは、第３Ｇ図に示
すリードフレームガイドレール３２０に沿って案内され
、ヒートブロック３２１の上の所定位置に、前述のリー
ドフレーム３０１０位を決め穴３１０Ｂを利用して自動
的に配置される。

次に、第３Ｃ図に示すように、インナーリード３０１Ａ
の半導体チップ搭載部３０１　Ａｏの上に半導体チップ
３０２が接着剤３０５を介して直接取り付けられる。こ
の時、半導体チップ３０２は、半導体チップ３０２に設
けられているゲート（図示していない）とリードフレー
ム部材３１０Ａに設けられている半導体チップゲート位
置決め穴（図示していない）によって自動的に位置決め
される。また、この半導体チップ３０２のペレット付け
は、所定の温度で所定の・時間行う、例えば、２００℃
の温度で３０分〜１時間位で行う。

次に、第３Ｄ図に示すようＫ、インナーリード３０１Ａ
が半導体チップ３０２の下部に延設されパッケージの短
辺側に配置されているボンディング端子３０１Ａ、と、
半導体チップ３０２とが、ボンディングワイヤ３０３で
電気的に接続される。

このボンディングワイヤ３０３は、例えば、金（Ａｕ）
ワイヤを用いる。ワイヤボンディングは、例えば、第３
Ｈ図に示すように、ネイルヘッドで２００℃の温度下に
おいて、超音波熱圧着法で行う。インナーリード３０１
人のボンディングされるボンディング端子３０１　Ａ、
の部分は銀（、Ａｇ）メツキされ、リードフレーム３０
１のアウターリードの部分は半田メツキされている。

第３Ｈ図において、符号３２２はキャピラリ、符号３２
３はボンディングワイヤ部材、符号３２３Ａは金（Ａ　
ｕ　）ボール、符号３０２Ａはアルミニウム（Ａｔ）か
らなる半導体チップ３０２上に設けられたパッド（電極
）である。

そして、半導体チップ３０２とインナーリード３０１Ａ
’ｆボンデイングワイヤ３０３によって電気的に接続す
る際に、半導体チップ３０２側のパッド３０２Ａのボン
ディング位１ｆ（２点）’？：Ｌ’ａして座標を決定し
て自動的にワイヤボンディングを行う。

このワイヤボンディングが終わると、レジン（エポキシ
系の樹脂）等の樹脂封止材３０４によって封止される。

以上の説明かられかるように、本実施例■によれば、各
々のインナーリード３０１Ａの半導体チ　″ツブ搭載部
３０１Ａｏを絶縁処理したことにより、半導体チップ搭
載用絶縁性フィルム（本実施例Ｉではこの絶縁性フィル
ムは使用していない）とレジン等の樹脂封止材３０４と
の界面を通して各々のインナーリード間にリーク（短絡
）を流が流れることがないので、各々のインナーリード
３０１人間のリーク（短絡）′ｆｔ防止することができ
る。

第３１図は、本発明の第３の実施例のそのＨのリードフ
レームを用いた半導体装置の概略構成を示す断面図であ
る。

本実施例Ｈのリードフレームを用いた半導体装置は、第
３工図及び第３Ｊ図に示すように、前述の実施例■のリ
ードフレームのインナーリード３０１への半導体チップ
搭載部３０１　Ａｏの上にのみ絶縁性フィルム３３０を
設ける。リードフレームのインナーリード３０１Ａの半
導体チップ搭載部３０１ＡＯ上の接着剤３３０Ｂの上に
絶縁性フィルム３３０を設け、その絶縁性フィルム３３
０上に接着剤３３０Ｂで半導体チップ３０２が取り付け
られたものである。絶縁性フィルム３３０としては、例
えば、ポリイミド系樹脂（カプトン〕を用いる。絶縁性
フィルム３３０と半導体チップ３０２との接着剤３３０
Ａとしては、シリコーンゴム、エポキシゴム、エポキシ
系樹脂、ポリイミド系樹脂等を用い、インナーリード３
０１Ａと絶縁性フィルム３３０との接着剤３３０Ｂとし
ては、ポリエーテルアミドイミド等の熱可塑性の接着剤
を用いる。

このようにリードフレームのインナーリード３０１Ａの
半導体チップ搭載部３０１　Ａ、の上にのみ絶縁性フィ
ルム３３０を設け７８製造法は、例えば、前記第５図に
示す転写技術を使用する。

このような構造のインナーリード３０１Ａにすることに
より、前記実施例Ｉと同様の効果を得ることができる。

以上、本発明を前記実施例にもとづき具体的に説明した
が、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲において、種々変形し得るこ
とは勿論である。

（４）実施例・４ 第４Ａ図は、本発明をデュアル・インライン型パッケー
ジの４メガビツト・ダイナミック・ランダム・アクセス
・メモリ（４ＭＤＲＡＭ）に適用した実施例の樹脂封止
型半導体装置のパッケージ内部の構造を説明するための
一部欠き平面図、第４Ｂ図は、第４Ａ図に示す４ＭＤＲ
ＡＭの４Ｙ−４Ｙ切断線で切った断面図、 第４Ｃ図は、第４Ａ図に示す４ＭＤＲＡＭの４Ｚ−４Ｚ
切断縁で切った断面図、 第４Ｄ図は、第４Ａ図に示す４ＭＤＲＡＭの要部を説明
するための一部欠き斜視図、 第４Ｅ図は、第４Ａ図に示すタブレスリードフレームの
平面図である。

本実施例の４ＭＤＲＡＭの半導体チップを搭載した樹脂
封止型半導体装置は、第４Ａ図乃至第４Ｄ図に示すよう
に、タブレスリードフレーム４０１のインナーリード部
４１５の上に絶縁フィルム４０２を接着剤４０３で接着
し、絶縁フィルム４０２の上に４ＭＤＲＡＭの半導体チ
ップ４０４を搭載し、インナーリード部４１５と半導体
チップ４０４とをボンディングワイヤ４０５で電気的に
接続し、レジン等の樹脂封止材４０６で封止したもので
ある。

前記タブレスリードフレーム４０１は、第４Ｅ図に示す
ように、１枚の薄い（例えば０．２５ｍの厚さ）銅合金
あるいは鉄ニツケル合金（例えば５０％Ｎ１−Ｆｅ）か
らなっている。そして、タブレスリードフレーム４０１
は、平行な２枚の外枠４１１と、これらに直交して延び
、かつ両側の外枠４１１を連結する内枠４１２と、外枠
４１１と内枠４】２で形成される枠の中央に向って延在
しタイバー４１３ＶＣ連結されているアウターリード部
４１４と、外枠４１１とタイバー４１３で形成される枠
の中央に向って延在し、鎖線で示す半導体チップ４０４
の下を通るインナーリード部４１５とからなっている。

前記各々のインナーリード部４１５の半導体チップ４０
４が固定される部分もしくはその近傍には、第４Ｄ図に
示すように、長方形の貫通穴４１６が設けられている。

すなわち、半導体チップ４０４の下を通るインナーリー
ド部４１５からアウターリード部４１４にわたって長方
形の貫通穴４１６が設けられている。この貫通穴４１６
は、半導体装置（４ＭＤＲＡＭ）の動作時の温度サイク
ル時に、樹脂封止材４０６にクラックが発生するのを防
止するためのものである。すなわち、温度サイクル時に
おけるインナーリード部４１５の熱膨張係数（４２Ｎｉ
−Ｆｅのα＝０．４Ｘ１０−８／℃。

Ｃｕのα＝１．７Ｘ１０−’／℃）と樹脂封止材の熱Ｔ
ｅ張係数（ケジンノα＝　１．　Ｏｘ　１０−’　／　
℃）　（Ｄ差による応力により樹脂封止材４０６にクラ
ックを発生する。そこで、前記インナーリード部４１５
０半導体チップ４０４が固定されろ部分及びその近傍に
長方形の貫通穴４１６を設け、インナーリード部４１５
と樹脂封止材４０６との割合を従来のものに比べて割合
を多くすることにより、樹脂封止材４０６とインナーリ
ード部４１５との接着強度を上げることができるので、
温度サイクル等の熱応力によるクラックの発生を低減す
ることができる。また、アウターリード部４１４の折り
曲げ加工により樹脂封止材４０６とインナーリード部４
１５との間に隙間が発生するおそれを低減することがで
きる。

第４Ｅ図に示すように、前記各インナーリード部４１５
は、タイバー４１３に連結され、それぞれのポンディン
グ用端子部４１５Ａは両側の外枠４１１の近傍に所定の
間隔でアレイ状に配列されている。

また、両側の外枠４１１の所定の位置には、それぞれ組
立用位置合せ穴４１７及びモールド（封止）用位置決め
穴４１８が設けられている。

また、レジン等の樹脂封止材４０６を注入するためのゲ
ート位ｆ４１９は、タブレスリードフレ−ム４０１の中
心線Ｏから少しずれた位置に設けられている。そのゲー
ト幅は、例えば１．６１程度に形成されている。モール
ド手段については通常の方法を用いるので、ここではそ
の説明は省略する。

前記半導体チップ４０４は、４ＭＤＲＡＭからなってお
り、第４Ｆ図に示すように、その中央部にはメモリマッ
ト４２０が設けられ、そのＸ方向の中央部にはＹ軸に並
行にＸデコーダ４２１がメモリマット４２０に沿って設
げられ、そのＸ方向の中央部にはＹ軸に並行にワードド
ライバ４２２及びＸデコーダ４２３がメモリマツ）４２
０に沿って設けられている。

また、長手方向の一端部には、それぞれＲＡＳ系回路４
２４、ＣＡＳ系・ＷＥ系回路４２５及びＸ９，１０及び
Ｙ９．１０アドレスバツフア４２６が設けられ、その内
側にメインアンプ４２７が設けられ、隅部にはり。ｕｔ
バッファ４２８が設けられている。他端にはＲＡＳ系回
路４２４、Ｘアドレスバッファ４２９、Ｘジェネレータ
４３０％Ｘ。

Ｙジェネレータ４３１．Ｘアドレスバッファ４３２及び
５ＨＲ−ＰＣジェネレータ４３３が設けられている。ま
た、短手方向の右側端部にはセンスアンプ・コモン入出
力・コモンソース４３４　カ設置ｔｊられ、左側端部の
上端部にはメモリマット４２０の上端子４２０Ａが設け
られ、下端部にはメモリマット４２０の下端子４２０Ｂ
が設げられている。

そして、第４Ｇ図に示すように、前記半導体チップ４０
４に設けられている各素子の電極（パッド）Ａｌ−Ａ１
８及びＰ１〜Ｐ３は、半導体チップ４０４の長手方向の
両端部に設けられており、電極（パッド）Ａｌ〜Ａ］８
はボンディング用パッドであり、電極（パッド）ＰＩ〜
Ｐ３はプローブテスト用パッドである。

次に、本実施例の樹脂封止型半導体装置の組立工程につ
いて説明する。

第４Ａ図乃至第４Ｃ図に示すように、まず、第４Ｅ図に
示すタブレスリードフレーム４０１のインナーリード部
４１５を金壓に入れ、先の例に示すように樹脂を金型内
に注入することにより絶縁板又は層４０２を形成する。

絶縁層材としては、先行する各側に示すような熱可塑性
樹脂等を用いる。前記絶縁板４０２の上にペレット付用
熱硬化性接着剤４０４Ａにより半導体チップ４０４をペ
レット付けする。ペレット付用熱硬化性接着剤４０４Ａ
としては、例えば、ポリピロメリット酸イミド、ポリケ
トンイミド等の熱硬化性ポリイミド系樹脂接着剤の上に
非導電性のペースト材、例、ｔ　ハシＩＪコーンゴム、
エポキシゴム、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等を
積層した多層接着剤を用いる。

次に、各インナーリード部４１５のボンディング用端子
部４１５人と電極（パッド）Ａｌ−Ａ１８とをボンディ
ングワイヤ４０５で電気的に接続される。このボンディ
ングワイヤ４０５は、例えば、直径３０μｍの金（Ａｕ
）ワイヤを用いる。ワイヤボンディングは、例えば、半
導体チップ４０４上１１７）各パッドＡ１〜Ａ１８とボ
ンディングワイヤ４０５とはウェッジ・ポールボンディ
ング法で接続さねろ。同様に、インナーリード部４１５
のボンディング用端子部４１５Ａとボンディングワイヤ
４０５とは、超音波振動を併用した熱圧着で接続される
。インナーリード部４１５のボンディングされるボンデ
ィング用端子部４１５Ａの部分は銀（Ａ　ｇ）メツキさ
れている。そして、半導体チップ４０４とインナーリー
ド部４】５をボンディングワイヤ４０５によって電気的
に接続する際に、半導体チップ４０４側のパッドＡ１〜
Ａ１８のボンディング位置（２点）を認識して座標を決
定し、自動的にワイヤボンディングを行う。

このワイヤボンディングが終わると、樹脂封止材注入装
置のキャビティの注入口とタブレスリードフレーム４０
】のゲート位置４１９との位置合せを行った後、キャビ
ティにレジン（エポキシ系の樹脂）等の樹脂封止材４０
４を注入してモールドされる。その後アウターリード部
４１４を所定の形状に加工して樹脂封止型半導体装置が
完成する。

（５）実施例・５ 第５Ａ図は、本実施例によるＺＩＰ型パノヶ一ジの内部
構造を示す側面図であり、第５Ｂ図は、第５Ａ図に示す
ＺＩＰ型パッケージにおけるり−ドの形状を示す側面図
であり、第５Ｃ図は、第５Ａ図に示すＺＩＰ型パッケー
ジの外観を示す側面図であり、第５Ｄ図は、第５Ｃ図に
示すＺＩＰ型パッケージの底面図であり、第５Ｅ図は、
第５Ｃ図の５Ｘ−５Ｘ線に沿っての断面図である。

第５Ａ図〜第５Ｅ図に示すように、本発明の第５の実施
例によるＺＩＰ型パッケージにおいては、例えば４Ｍビ
ット（例えば４Ｍ×１ビット構成）のダイナミックＲＡ
Ｍ”ｋ構成する例えばシリコンチップのような半導体チ
ップ５０１がＩｌ脂５０２により封止されている。なお
、このＺＩＰ型パッケージのパッケージサイズは例えば
３５０　ｍｉ！である。符号Ｌ１〜Ｌ、。はリードであ
って、この場合は２０本ある。すなわち、この実施例に
よるＺＩＦ型パッケージは２０ピンである（ただし、後
述のように実際に使用されているピンは１８本である）
。これらのリードＬ、−Ｌ、。は、タブレスリードフレ
ームを用いて形成されたものである。

これらのリードＬ、〜Ｌ、。のうちリードＬ４．Ｌ、、
ＩＬ＋２は、前記半導体チップ５０１の下側を通って引
き回されている。ｆなわち、半導体チップ５０１の下側
の領域もリードＬ４　ｙ　”ｆｌｙ　Ｌ１２の引き回し
のために用いられている。これによって、この分だけパ
ッケージサイズの縮小を図ることができる。また、符号
５０３は、前記半導体チップ５０１を支持するための支
持板である。この支持板５０３により前記半導体チップ
５０１０大部分が支持されているが、部分的には前記リ
ードＬ、、Ｌ、、。

ＬＨにより支持されている。すなわち、前記半導体チッ
プ５０１は、前記支持板５０３及び前記リードＬ４１　
　ＩＪＩＩ　ｔ　ＩＩＩ！により支持されている。なお
、この場合、半導体チップ５０１は、例えばポリイミド
樹脂のシー）５０４　（第５Ｅ図）を介して前記支持板
５０３及び前記リードＬ４　、　Ｌｌｌ　。

Ｌｌ、上に載置されており、これによってこの支持板５
０３とリードＬ４１　Ｌ　ＩＩ　＊　Ｌ　ｌ！との間の
電気的絶縁及びこれらのリードＬ４　ｙ　ＬＩＩ　＊　
Ｌ１２間の電気的絶縁を図ることができる。

第５Ａ図に示すように、前記半導体チップ５０１には、
例えば４個のメモリセルアレイＭ−ＡＲＹ。

ＸデコーダＸ−ＤＣＲ，ＹデコーダＹ−ＤＣＲ。

ワード線ドライバＷ−ＤＲＶ、周辺回路ＰＣ等が設けら
れている。なお、前記メモリセルアレイＭ−ＡＲＹは、
例えばそれぞれ２５６にビットの４個の区画に分割され
ている。また、この半導体チップ５０１の短辺側の端部
には、ポンディングパッドｐ＋−ｐｓｓが設けられてい
る。そして、これらのポンディングパッドＰ、〜ｐｓｓ
のうち、ボン　゛ディングバッドＰ、−Ｐ、、Ｐ、、Ｐ
、〜Ｐ１３゜Ｐ、。〜Ｐ、。と前記リードＬ１〜Ｌｍ　
＋　　Ｌ＋＋−Ｌｘ。

とがワイヤーＷによりボンディングされている。

このことかられかるように、半導体チップ５０１には、
実際には用いられていないポンディングパッドＰ４　、
　　Ｐ６〜Ｐｇ　＋　　Ｐ　ｔ４〜Ｐｔｏ　ｔ　Ｐｓ＋
−Ｐｓｓが設けられている。これらは、ＺＩＰ型パッケ
ージの代わりにＳＯＪ型パッケージやＤＩＰ型パッケー
ジを用いる場合に使用されるポンディングパッドである
。このように、ＺＩＰ型パッケージと異なる種類のパッ
ケージに対応可能に半導体チップ５０１にポンディング
パッドＰ１〜ｐｓｓが設けられているので、同一の半導
体チップ５０１でＺＩＰ型パッケージ以外のパッケージ
に対応することができる。すなわち、ＺＩＰ型パッケー
ジ以外のパッケージを使用する要求が生じた場合に、半
導体チップ５０１の設計ｔし直すことなく、使用するパ
ッケージを変更するだけでその要求を満足することがで
きる。

前記リード（ピン）Ｌ＋−Ｌｚ。の機能は第５Ａ図に示
すとおりである。ここで、ＡＯ−ＡＩＯはアドレス信号
、ＶＣＣは電源電位、ＶＳＳは接地電位、ＣＡＳはカラ
ム・アドレス・ストローブ信号、ＲＡＳはロウ・アドレ
ス・ストローブ信号、ＷＥはライト・イネーブル信号、
Ｄｏｕｔはデータ出力、Ｄｉｎはデータ入力である。な
お、リードＬ、、　Ｌ、。

は実際には使用されていないリードであり、これらはＮ
Ｃで表されている。また、ＶＣＣのリードＬ１．とポン
ディングパッドＰ　２１　ｅ　Ｐ　２Ｍとは２本のワイ
ヤーＷによりポンディングされ、また、ＶＳ８のリード
Ｌ４とポンディングパッドＰ１１　＋　Ｐ　１１とは２
本のワイヤーＷによりボンディングされているが、こね
は電源インピーダンスの低減を図るためである。

（６）実施例・６ 第６Ａ図は、本発明１ｆｔＳＯＪ型パツケージの４メガ
ビツト・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモＩＪ
　（４ＭＤＲＡＭ）に適用した本発明の第６の実施例の
樹脂封止型半導体装置のパッケージ内部の構造を説明す
るための平面図、 第６Ｂ図は、第６Ａ図に示す４ＭＤＲＡＭの６Ｙ−６Ｙ
ｉで切断した断面図、 第６Ｃ図は、第６Ａ図に示す４ＭＤＲＡＭの６Ｚ−６Ｚ
線で切断した断面図である。

本実施例の４ＭＤＲＡＭの半導体チップを搭載した樹脂
封止型半導体装置は、第６Ａ図乃至第６Ｃ図に示すよう
に、タブレスリードフレーム６０１に、先行する例と同
様にモールド等により絶縁樹脂板（層）６０２のインナ
ーリード部６１５の上に絶縁フィルムを形成し、この絶
縁板６０２の上に４　Ｍ　Ｄ　ＲＡ　Ｍの半導体チップ
６０４をその裏面側な接着面としてペレット付用熱硬化
性接着剤６０４Ａでペレット付けして、インナーリード
部６１５と半導体チップ６０４とをボンディングワイヤ
６０５で電気的に接続する。この状態でレジン等の樹脂
封止材６０６で封止した後、タブレスリードフレーム６
０１のアウターリード部６１４を所定形状に加工したも
のである。そのパッケージの大きさは、短辺の寸法は、
７．６２＋ｗ＋（３００ｍｉｌ）であり、長辺の寸法は
、１６．９ｍ＋　（６７５ｍ１ｌ　）である。

前記タブレスリードフレーム６０１は、第６Ａ図に示す
ように、１枚の薄い（例えば０．２５ｍの厚さ）銅合金
あるいは鉄ニツケル合金（例えば５０％Ｎｉ　−Ｆｅ　
）からなっている。

前記半導体チップ６０４は、４　Ｍ　Ｄ　ＲＡ　Ｍから
なっており、第６Ｄ図に示すように、その中央部にはメ
モリマツトロ２０が設けられ、そのＸ方向の中央部には
Ｙ軸に並行にＸデコーダ６２１がメモリマノトロ２０に
沿って設けられ、そのＹ方向の中央部にはＹ軸に並行に
ワードドライバ６２２及びＸデコーダ６２３がメモリマ
ツトロ２０に沿って設けられている。

また、長平方向の一端部には、それぞれＲＡＳ系回路６
２４、ＣＡＳ系・ＷＥ系回路６２５及びＸ、Ｙアドレス
バッファ６２６が設けられ、その内側にメインアンプ６
２７が設けられ、隅部にはＤｏｕｔバッファ６２８が設
けられている。他端にはＲＡＳ系回路６２４、Ｘアドレ
スバッファ６２９、Ｘジェネレータ６３０、Ｘ、Ｙジェ
ネレータ６３１、Ｙアドレスバッファ６３２及び５ＨＲ
−ＰＣジェネレータ６３３が設けられている。また、短
手方向の右側端部にはセンスアンプ・コモン入出力・コ
モンソース６３４が設けられ、左側端部の上端部にはメ
モリマツトロ２０の上端子６２０Ａが設けられ、下端部
にはメモリマツトロ２０の下端子６２０Ｂが設けられて
いる。

そして、第６Ｅ図に示すように、前記半導体チップ６０
４に設けられている各素子の電極（パッド）Ａｌ〜ＡＩ
Ｏ，を極（パッド）Ｄｉｎ、ＷＥ　。

ＲＡＳ　、　ＮＣ＋　Ｖｓｓ　＋　Ｑ　（Ｄｏｕｔ）　
＋　ＣＡＳ及び電極（パッド）ＰＩ〜Ｐ３は、半導体チ
ップ６０４の長平方向の両端部に設けられている。ＡＯ
−Ａ１０は信号線ボンディング用パッド、Ｄｉｎはデー
回路６２４のパッド、ＶＢ２はＶＳ８電源用バンド、ｌ
１０１〜ｌ１０４はＩ）ｏｕｔバッファ６２８用のパッ
ド、ＣＡＳはＣＡＳ系・ＷＥ系回路６２５のＣＡＳ系回
路のパッドであり、Ｐ１〜Ｐ３はプローブテスト用パッ
ドである。

そして、前記各パッドに対応するインナーリードをポン
ディングワイヤ６０５で電気的に接続するが、例えば、
第６Ａ図に示すように、パッドＲＡＳとインナーリード
ＲＡＳとを電気的に接続するボンディングワイヤ６０５
人は、パッドＡ９とインナーリードＡ９を電気的に接続
するボンディングワイヤ６０５Ｂと交差して設けられて
いる。

すなわち、ボンディングワイヤ６０５Ｂのループの高さ
をボンディングワイヤ６０５人よりも低くしてショート
しないようにしている。

次に、本実施例の樹脂封止型半導体装置の組立工程につ
いて説明てろ。

第６Ｎ図乃至第６Ｃ図に示すように、まず、タブレスリ
ードフレーム６０１のインナーリード部６１５を上下か
ら金型ではさんだ状態でインジェクション、モールド等
により絶縁板６０２を形成する。絶縁板６０２の厚さは
、約４００μｍである。前記絶縁フィルム６０２の上に
ペレット付用熱硬化性接着剤６０４人により半導体チッ
プ６０４の裏面側をペレット付けする。ペレット付用熱
硬化性接着剤６０４人としては、例えば、ポリピロメリ
ット酸イミド、ポリケトンイミド等の熱硬化性ポリイミ
ド系樹脂接着剤の上に非導電性のペースト材、例エバシ
リコーンゴム、エポキシゴム。

エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等を積Ｊｔ！シた多
層接着剤を用いる。

次に、前記ペレット付けした各インナーリード部６１５
のボンディング用端子部６１５Ａと半導体チッ゛プロ０
４の主面上の各パッド６５０とをボンディングワイヤ６
０５で電気的に接続する。このボンディングワイヤ６０
５は、例えば、直径３０μｍの金（Ａｕ）ワイヤを用い
ろ。ワイヤボンディングは、例えば、半導体チップ６０
４上の各パッドＡＯ〜ＡＩＯとボンディングワイヤ６０
５とはウェッジ・ポールボンディング法で接続される。

同様に、インナーリード部６１５のボンディング用端子
部６１５Ａとボンディングワイヤ６０５とは、超音波振
動を併用した熱圧着で接続されろ。

インナーリード部６］５のボンディングされるボンディ
ング用端子部６１５Ａの部分は銀（Ａｇ）メツキされて
いる。そして、半導体チップ６０４とインナーリード部
６１５ｔボンディングワイヤ６０５によって電気的に接
続する際に、半導体チップ６０４側のパッドのボンディ
ング位置（２点）を認識して座標を決定し、自動的にワ
イヤボンディングを行う。

このワイヤボンディングが終わると、樹脂封止材注入装
置のキャビティの注入口とタブレスリードフレーム６０
１のゲート位置６１６との位置合せを行った後、キャビ
ティにレジン（エポキシ系の樹脂）等の樹脂封止材６０
６を注入してモールドされる。その後アウターリード部
６１４を所定の形状に加工して樹脂封止型半導体装置が
完成する。

ここで、ワイヤのボンディングは、バンド６５０（Ａｔ
フィルム）の下層のＰＳＧ　（リン・シリケイト・グラ
ス）等のパッシベーション膜６５１にダメージを与えな
いように、公知のポール・ウエノヂ・サーモ・コンプレ
ッション・ボンティングにより行なわれる。

又、リードは、封止体６０６の下面にアウターリード６
１４の先端がまわり込み、同下面のボグノト部６５２内
にその先端が侵入するようにされている。

（７）実施例１〜６に共通な本発明の詳細な説明二以上
説明したダイパッドレス、すなわち、１枚のメタル・シ
ートよりインナーリード、アウターリードとともに切り
出されたダイパッド（そこに、ペレットを固着するため
のサポート部材で、その形状からタブともいう。）が、
ペレットよりも小さいか全くないタイプのリードフレー
ム（多数のくりかえしパターンを有し、多数のＩＣペレ
ットを載置可能となっている。、）を用いるレジン封止
ＩＣの製造技術の基本的考え方は、沖永らの米国出願随
８４５３３２　（出願臼’　８６．３．２１　）又は日
本特開昭６１−２１８１３９号に記載されているので、
これをもって本願の記載にかえろ。

又、以上のＩＣの封止技術に用いるシリコーンの海島構
造にしたエポキシ・レジンすなわち、シリコーン変性エ
ポキシ・レジン３０％、球型シリカ・フィラー７０７０
からなる封止レジン材、及びモールド用金型（内部モー
ルドにも使用）等については、日本特公昭６１−５７３
４７号、同６〇−２６５０５号、同６０−１８１４５号
、同６０−１１９７３号、特開昭６１−２９２３３０号
等に記載されているので、これらをもって本願の記述に
かえる。

更に、ポール・ウエツヂ・ボンディング、すなわち軸対
称のキャピラリを用いたワイヤボンディングが使用され
るわけであるが、これらに関して、特に、ワイヤの先へ
のボールの形成法、適用するワイヤの詳細、ボンディン
グ装置等に関しては、米国特許第４５６４７３４号、米
国特許出願随０３６８６０（Ｅｌ願日’８７．４．１０
）又は英国特許公開公報第２１５７６０７Ａ号、米国特
許出願Ｎ１０６７９６９　（出願臼　”８７．６．２９
）又は英国特許公開第２１４６９３７Ａ号及び同第２１
５５０３６Ａに記載されているので、これをもって本願
の記述にかえる。

更に、リードの材料に関しては、放熱の有利さを考慮す
ると、銅系合金の使用が適切であるが、これらについて
は、米国特許出願ＮＩＬＯＯＯ１７５（出願臼　’８７
．１．２）又は日本特開昭６０−２５７１６０号に記載
されているので、これをもって本願の記述にかえる。

更に、面実装技術およびＳＯＪ　（Ｓｍａｌｌ　０ｕｔ
−１ｉｎｅ　Ｊ−ｂｅｎｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）　　、　
ＳＯＰ　（ＳｍａｌｌＯｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ
）　ｓ　ＱＦ　Ｐ　（Ｑｕａｄ　ＦｌａｔＰａｃｋａｇ
ｅ）　、　Ｐ　Ｌ　ＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｌｅａｄｅ
ｄ　ＣｈｉｐＣａｒｒｉｅｒ）　、　ＭＳ　Ｐ　（Ｍｉ
ｎｉ　５ｑｕａｒｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）等の面実装パッ
ケージについては、米国出願随８４３６１１　　（出願
臼”８６．３．２５）又は日本特開昭６１−２１８１５
０号などに記載されているので、これらをもって本願の
記述にかえる。

更に、先の実施例のいくつかで使用されろＤＲＡＭチッ
プのウェハプロセス及びチップのデバイス構造に関して
は、英国特許公開公報第２１０７１１４Ａ号に記載され
ているので、これをもって本願の記述にかえる。

〔発明の効果〕

本実施例において開示される発明のうち代表的なものに
よって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおり
である。

本発明によれば、大型ペレットヲ搭載するのに有利な特
にその耐湿信頼性を一段と向上させることのできた樹脂
封止型半導体装置を提供することができた。

本実施例において開示される発明のうち代表的なものに
よって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおり
である。

リードの一部でチップを支持する半導体装置において、
前記リードのチップの下に設けられる部分を絶縁膜の中
に埋込み、チップは前記絶縁膜の上に接着するようにし
たことにより、リードの表面に絶縁抵抗の低い接着剤が
なく、かつリードのチップの下の部分が、リードごとに
分離した状態で絶縁抵抗の高い絶縁膜の中に埋め込まれ
ているので、リード間にリーク電流が流れることがなく
なる。

【図面の簡単な説明】

第１人図は本発明の第１の実施例を示￥要部断面図、 第１Ｂ図は本発明の第１の実施例の内その他の例を示す
要部断面図、 第１Ｃ図は本発明の上記第１の実施例を示す半導体装置
の構成断面図、 第１Ｄ図は本発明の上記第１の実施例を示す半導体装置
におけるペレットとリードとの関係を説明する平面図、 第１Ｅ図は従来例を示す半導体装置の構成断面図、 第１Ｆ図は従来例を示す半導体装置におけるペレットと
リードとの関係を説明する平面図、第１Ｇ図は第１Ｆ図
ＩＹ−ＩＹ線断面図である。 第２Ａ図はチップ！搭載しているリードの平面図、 第２Ｂ図は第２Ａ図の２Ｙ−２Ｙ切断線における断面図
、 第２Ｃ図は第２Ａ図の２Ｚ−２Ｚ切断線における断面図
、 第２Ｄ図はリードフレームの平面図、 第２Ｅ図は半導体装置の断面図である。 第３Ａ図は本発明の第３の実施例のそのＩのリードフレ
ームを実装した状態を示す平面図、第３Ｂ図は第３Ａ図
に示￥３Ｙ−３Ｙ切断線で切断した断面図、 第３Ｃ図は第３Ａ図のリードフレームを使用した半導体
装置の第３Ａ図に示￥３Ｚ−３Ｚ切断線で切断した半導
体装置の断面図、 第３Ｄ図は第３Ａ図のリードフレームを使用した半導体
装置の第３Ａ図に示す３Ｗ−３Ｗ切断線で切断した半導
体装置の断面図、 第３Ｅ図は第３Ｂ図に示すインナーリードの半導体チッ
プ搭載部の部分の絶縁処理の第３の実施例を説明するた
めの図、 第３Ｆ図は第３Ａ図に示すリードフレームの複数組が一
列に配列されたリードフレーム部材の概略構成を説明す
るための図、 第３Ｇ図は第３の本実施例のそのＩのリードフレームを
用いて半導体装置を組立する手段を説明するための図。 第３Ｈ図は、第３Ｇ図に示すワイヤボンディングの手段
を説明するための図、 第３Ｉ図及び第３Ｊ図は、本発明の第３の実施例のその
Ｈのリードフレームを用いて半導体装置の概略構成を示
す断面図である。 第４Ａ図は本発明をデュアル・インライン型パッケージ
の４ＭＤＲＡＭＫ適用した実施例の樹脂封止型半導体装
置のパッケージ内部の構造を説明するための一部欠き平
面図、 第４Ｂ図は第４Ａ図に示す４ＭＤＲＡＭの４Ｙ−４Ｙ切
断線で切った断面図、 第４Ｃ図は第４Ａ図に示−ｆ４ＭＤＲＡＭの４Ｚ−４Ｚ
切断線で切った断面図、 第４Ｄ図は第４Ａ図に示す４ＭＤＲＡＭの要部を説明す
るための一部欠き斜視図、 第４Ｅ図は、第４Ａ図に示すタブレスリードフレームの
平面図、 第４Ｆ図は第４人図に示す半導体チップの回路レイアウ
トを示す平面図、 第４Ｇ図は第４Ａ図に示す半導体チップ上のパッドの配
置を示す平面図、 第４Ｈ図は第４Ａ図に示す半導体チップをリードフレー
ムに搭載するための接着剤を説明するための断面説明図
である。 第５Ａ図は本発明の第５の実施例のそのＩによるＺＩＰ
型パッケージの内部構造を示す側面列、第５Ｂ図は第５
Ａ図に示すＺＩＰ型パッケージにおけるリードの形状を
示す側面図、 第５Ｃ図は第５Ａ図に示すＺＩＰ型パッケージの外観を
示す側面図、 第５Ｄ図は第５Ｃ図に示すＺＩＰ型パッケージの底面図
、 第５Ｅ図は第５Ｃ図の５Ｘ−５Ｘ線に沿っての断面図で
ある。 第６Ａ図は本発明の第６の実施例のＳＯＪ型パッケージ
の樹脂封止型半導体装置のパッケージ内部の構造を説明
するための平面図、 第６Ｂ図は第６Ａ図に示す４ＭＤＲＡＭの６Ｙ−６Ｙ線
で切断した断面図、 第６Ｃ図は第６Ａ図に示す４ＭＤＲＡＭの６Ｚ−６Ｚ線
で切断した断面図、 第６Ｄ図は第６Ａ図に示す半導体チップのレイアラトラ
説明するための平面図、 第６Ｅ図は第６Ａ図に示す半導体チップ上のパッドの配
置を示す平面図である。 １０１・・・ペレット、１０２・・・リードフレーム、
１０２ａ・・・リード、１０２ｂ・・・リード側ボンデ
ィングポスト、１０３・・・樹脂封止型半導体装置、１
０４・・・樹脂封止部、１０５・・・絶縁シート、１０
５ａ・・・接着剤、１０６・・・接着剤、１０７・・・
ペレット上ポンディングパッド、１０８・・・ボンディ
ング用ワイヤ、１０９・・・樹脂成形体（樹脂板）。 第　　７Ａ　　図 １０９　　　　　　　１０２ａ　　　１０２ｂ１０ｃ／
−・絶縁体瀞柿 第１Ｂ図 １０’９　　１０２ａ　　　　１ｉ）２ｂ第　　７Ｅ　
　図 第　７Ｇ　　図 第　　２Ａ　　図 ２Ｙ 第　　２Ｂ　　図 第　　２Ｃ図 第　　３Ｆ　　図 １１ｎ 第　　３Ｉ　　図 第　　　３Ｊ　図 第　　６Ｂ　図 第　　６Ｃ図 第　　６Ｅ　　図 事件の表示 昭和６３年　特許願　第９８１２５号 発明の名称 レジン封止型半導体装置 補正をする者 事件との関係　　特許出願人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数のリードよりなるペレット搭載部に半導体ペレ
   ットをダイボンディングして成る樹脂封止型半導体装置
   において、前記リードの少なくとも表面および両側面を
   被覆して形成された樹脂成形体に半導体ペレットをダイ
   ボンディングして成ることを特徴とする樹脂封止型半導
   体装置。 ２、樹脂成形体が、リードの全面を被覆して形成された
   樹脂板である、 特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。 ３、リードの一部をチップの下に延在させ、この上に絶
   縁膜を介して前記チップを支持する半導体装置であって
   、前記リードのチップの下の部分が、前記絶縁膜の中に
   埋込まれていることを特徴とする半導体装置。 ４、前記絶縁膜は、ポリイミドからなっていることを特
   徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体装置。 ５、前記チップは、熱可塑性樹脂又はＡｇペーストによ
   って前記絶縁膜上に接着されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第３項記載の半導体装置。 ６、前記チップは、前記ポリイミドからなる絶縁膜を熱
   処理によって硬化する以前に、その絶縁膜に接着され、
   それを熱硬化して固着させたものであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第３項記載の半導体装置。 ７、前記半導体装置は、前記絶縁膜が個々のリードごと
   に包み込むように設けてあり、また絶縁膜とチップの間
   に金属からなる放熱板を介在させることによって放熱効
   果を高めてあることを特徴とする特許請求の範囲第３項
   記載の半導体装置。 ８、タブなしリードフレームのインナーリードの半導体
   チップ搭載部に半導体チップを搭載し、インナーリード
   と半導体チップとをボンディングワイヤで電気的に接続
   し、樹脂封止材で封止した半導体装置用のリードフレー
   ムであって、前記各々のインナーリードの半導体チップ
   搭載部の一部又は全部を絶縁処理したことを特徴とする
   リードフレーム。 ９、前記インナーリードの半導体チップ搭載部の一部又
   は全部の絶縁処理は、熱硬化性ポリイミド系樹脂等の液
   状絶縁性物質を塗布して熱処理を行う処理であることを
   特徴とする特許請求の範囲第８項に記載のリードフレー
   ム。 １０、前記インナーリードの半導体チップ搭載部の一部
   又は全部の絶縁処理は、熱硬化性ポリイミド系樹脂等の
   テープ状絶縁性物質でインナーリードの半導体チップ搭
   載部を覆い、熱処理して被覆する処理であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載のリードフレーム。 １１、前記半導体チップは、インナーリードの半導体チ
   ップ搭載部に直接接着剤で接着することを特徴とする特
   許請求の範囲第８項乃至第１０項の各項に記載のリード
   フレーム。 １２、前記接着剤は、インナーリード側から順に熱可塑
   性の接着剤、熱硬化性ポリイミド系樹脂接着剤、ペレッ
   ト付用熱硬化性接着剤を積層した多層接着剤であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１１項に記載の半導体装
   置。 １３、前記絶縁処理されたインナーリードの半導体チッ
   プ搭載部の上にのみ絶縁性フィルムを接着し、その上に
   接着剤で半導体チップを接着することを特徴とする特許
   請求の範囲第８項に記載のリードフレーム。 １４、多数のインナーリード上に集積回路半導体チップ
   をその裏面において固着し、上記インナーリードと上記
   チップの表主面上の多数のボンディング・パッド間を多
   数のボンディング・ワイヤにより電気的に接続した後、
   上記インナーリード、チップ、及びボンディング・ワイ
   ヤをレジンによりモールドした半導体集積回路装置にお
   いて、上記インナーリードに連結した多数のアウターリ
   ードは、上記レジン・モールド体側面より突出し、面実
   装に適した形状に整形されている。 １５、上記請求項第１４項において、面実装に適した形
   状は、ＳＯＪタイプ（ＳＭＡＬＬＯＵＴＬＩＮＥＪ−Ｂ
   ＥＮＤＰＡＣＫＡＧＥ）である。 １６、上記請求項第１５項において、上記チップは、長
   方形の板状である。 １７、上記請求項第１４項において、上記チップは、長
   方形の板状で、その一対の短辺に近接して上記多数のボ
   ンディング・パッドを配置されている。 １８、上記請求項第１７項において、上記多数のインナ
   ーリードは、上記長方形の一対の長辺の内、いずれか１
   つより上記チップの裏面下にはいり、上記一対の短辺の
   内、いずれか１つの上記チップ外に突出している。 １９、上記請求項１８項において、上記多数のインナー
   リードは、それぞれの内端が近接している上記いずれか
   一つの短辺近傍の対応するボンディング・パッドとボン
   ディング・ワイヤによる接続されている。 ２０、以下の構成よりなる半導体装置： （ａ）長方形の板状の半導体チップは、第１及び第２の
   主面を有する； （ｂ）上記第１の主面上には、非常に多数の素子が形成
   されている； （ｃ）上記第１の主面上の一対の短辺のそれぞれの近傍
   に設けられた多数のボンディング・パッド； （ｄ）上記第２の主面下近傍のこの主面に平行な平面内
   に実質的に延在する多数のインナーリード、 上記インナーリードは、複数からなる第１、第２、第３
   及び第４の組よりなり、 上記第１の組に対応するインナーリードは、上記チップ
   の第１の長辺より上記チップ下にはいり、他のインナー
   リードと交叉することなく上記チップの第１の短辺から
   チップ外に突出し、 上記第２の組に対応するインナーリードは、上記チップ
   の第１の長辺より上記チップ下にはいり、他のリードと
   交叉することなく上記チップの第２の短辺からチップ外
   に突出し、上記第３の組に対応するインナーリードは、
   上記チップの第２の長辺より上記チップ下にはいり、他
   のリードと交叉することなく上記チップの第１の短辺か
   らチップ外に突出し、上記第４の組に対応するインナー
   リードは、上記チップの第２の長辺より上記チップ下に
   はいり、他のリードと交叉することなく上記チップの第
   ２の短辺からチップ外に突出し、上記チップの上記第２
   の主面において、上 記インナーリードの第１の主面と、絶縁膜を介して固着
   されており； （ｅ）上記第１及び第２の短辺近傍の多数のボンディン
   グ・パッドと上記第１及び第２の短辺から突出したイン
   ナーリード間を上記第１及び第２の短辺のそれぞれの近
   傍において電気的に接続した多数のボンディング・ワイ
   ヤと；（ｆ）上記チップ、インナーリード及びボンディ
   ング・ワイヤの実質的全体を封止するレジン封止体と； この封止体は、厚手長方形に近似したほぼ 直方体形状をし、第１、第２の長側面と、第１、第２の
   短側面と、第１、第２の主面を有しており、 上記チップは、上記封止体内にその長側面 と長辺、短側面と短辺、主面と主面が一対として、それ
   ぞれ平行に近接するように上記封止体のほぼ中央に埋込
   まれており、 （ｇ）上記第１及び第２の組のインナーリードのそれぞ
   れに、上記封止体の上記第１の長側面において連結し外
   部へ突出した多数の第１組のアウターリードと、 （ｈ）上記第３及び第４の組のインナーリードのそれぞ
   れに、上記封止体の上記第２の長側面において連結し外
   部へ突出した第２組のアウターリードと、 上記第１、第２、第３及び第４の組のイン ナーリード及び上記第１及び第２組のアウターリードは
   、実体的に一枚のメタル薄板から形成されており、 上記第１組のアウターリードは、上記第１ の長側面から、その突出点がその長側面上に長手方向に
   ほぼ一直線上にならぶようにされ、その位置からアウタ
   ーリードの先端が上記第１の長側面近傍において上記封
   止体の第２の主面に向ってまわり込むように上記封止体
   外面にそってほぼ円弧状に曲げられ、その円弧状に整形
   されたアウターリードの下部外面において、面実装可能
   なようにされており、 上記第２組のアウターリードは、上記第２ の長側面から、その突出点がその長側面上に長手方向に
   ほぼ一直線上にならぶようにされ、その位置からアウタ
   ーリードの先端が上記第２の長側面近傍において上記封
   止体の第２の主面に向ってまわり込むように上記封止体
   外面にそってほぼ円弧状に曲げられ、その円弧状に整形
   されたアウターリードの下部外面において、面実装可能
   なようにされている。