JPH01265533A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01265533A JPH01265533A JP9409188A JP9409188A JPH01265533A JP H01265533 A JPH01265533 A JP H01265533A JP 9409188 A JP9409188 A JP 9409188A JP 9409188 A JP9409188 A JP 9409188A JP H01265533 A JPH01265533 A JP H01265533A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にウェハプロ
セスの工程ごとの欠陥率を測定して工程ごとの歩留り管
理を行なう方法に関するものである。
セスの工程ごとの欠陥率を測定して工程ごとの歩留り管
理を行なう方法に関するものである。
（従来技術）
ウェハプロセスの歩留り分析を行なうには、ポリシリコ
ン工程やメタル配線工程など、工程ごとの欠陥率を算出
する必要がある。
ン工程やメタル配線工程など、工程ごとの欠陥率を算出
する必要がある。
従来は、例えば第５図に示されるような欠陥率算出用の
配線パターンが用いられている。この配線パターンでは
５例えばパッドＡ、Ｂ間の導通を測定することにより、
配線間の短絡をチエツクすることができ、また、パッド
Ａ、Ｃ間、パッドＢ。
配線パターンが用いられている。この配線パターンでは
５例えばパッドＡ、Ｂ間の導通を測定することにより、
配線間の短絡をチエツクすることができ、また、パッド
Ａ、Ｃ間、パッドＢ。
０間の導通を測定することにより、配線の断線をチエツ
クすることができる。このような配線パターンをポリシ
リコン工程、メタル配線工程、拡散工程などでそれぞれ
作っておけば、各工程の欠陥率を算出することができる
。
クすることができる。このような配線パターンをポリシ
リコン工程、メタル配線工程、拡散工程などでそれぞれ
作っておけば、各工程の欠陥率を算出することができる
。
しかし、このような専用の配線パターンを作るウェハは
量産用ロットと別のロフトで製造ラインに流さなければ
ならないので、量産ロフトの不良と１対１に対応させる
ことはできない。
量産用ロットと別のロフトで製造ラインに流さなければ
ならないので、量産ロフトの不良と１対１に対応させる
ことはできない。
もし、量産ロフトと同一ロットで流そうとしても、その
配線パターンのマスクは量産用のマスクと別のものであ
るので、完全な同一ロットとはならない、また、量産品
の生産数量が減少する。
配線パターンのマスクは量産用のマスクと別のものであ
るので、完全な同一ロットとはならない、また、量産品
の生産数量が減少する。
また、もし欠陥率算出用の配線パターンを量産用マスク
に入れるとすれば、この場合も量産品の生産数量が減少
する。
に入れるとすれば、この場合も量産品の生産数量が減少
する。
（目的）
本発明は量産用のウェハを用いて同時に不良原因の解明
が行なえるようにして歩留り向上と品質の安定を図り、
かつ、量産品の生産数量を減少させない方法を提供する
ことを目的とするものである。
が行なえるようにして歩留り向上と品質の安定を図り、
かつ、量産品の生産数量を減少させない方法を提供する
ことを目的とするものである。
（構成）
本発明では、スクライブエリアに工程により独立した配
線を形成し、それらの配線の導通測定により工程ごとの
欠陥率を測定する。
線を形成し、それらの配線の導通測定により工程ごとの
欠陥率を測定する。
以下、実施例について具体的に説明する。
第３図に半導体集積回路装置（以下ＩＣという）を製造
するウェハの一般的構造を示す。第４図はそのウェハの
一部分の拡大図である。
するウェハの一般的構造を示す。第４図はそのウェハの
一部分の拡大図である。
１はシリコンウェハであり、ウェハプロセスにより複数
個のＩＣチップが形成される。
個のＩＣチップが形成される。
２は量産されるＩＣチップであり、組立ての際にＩＣチ
ップ２を切り離すためにスクライブライン３が設けられ
ている。
ップ２を切り離すためにスクライブライン３が設けられ
ている。
スクライブライン３は通常８０〜２００μｍ程度の幅で
ある。スクライブライン３はＩＣ自体には何ら関係のな
い部分であるので１通常はモニタトランジスタ、アライ
メントマーク、チエツクパターンなどが配されるが、大
半はパターンがなく、ただの切りしろとして最終的には
捨てられる。
ある。スクライブライン３はＩＣ自体には何ら関係のな
い部分であるので１通常はモニタトランジスタ、アライ
メントマーク、チエツクパターンなどが配されるが、大
半はパターンがなく、ただの切りしろとして最終的には
捨てられる。
本発明はこの切りしろを有効に活用することにより、量
産品の歩留り解析に役立てようとするものである。
産品の歩留り解析に役立てようとするものである。
第１図は一実施例におけるウェハを示している。
ウェハ１の全面に渡ってメタル層によるチエツク用配線
パターン４やポリシリコン層のチエツク用配線パターン
５が形成されている。これらの配線パターン４，５が形
成されている領域は、第２図に拡大して示されるように
、スクライブライン３の領域である。
パターン４やポリシリコン層のチエツク用配線パターン
５が形成されている。これらの配線パターン４，５が形
成されている領域は、第２図に拡大して示されるように
、スクライブライン３の領域である。
メタル層の配線パターン４はメタル配線の工程で量産品
のメタル配線と同時に形成され、ポリシリコン層の配線
パターン５もポリシリコン層の形成工程で量産品のポリ
シリコン層のパターンと同時に形成される。ポリシリコ
ン配線パターン５とメタル配線パターン４は絶縁膜によ
り相互に絶縁されて独立のものとなっている。
のメタル配線と同時に形成され、ポリシリコン層の配線
パターン５もポリシリコン層の形成工程で量産品のポリ
シリコン層のパターンと同時に形成される。ポリシリコ
ン配線パターン５とメタル配線パターン４は絶縁膜によ
り相互に絶縁されて独立のものとなっている。
２μｍルールでいえは、例えばメタル配線のピッチは４
μｍ程度であるので、１つのスクライブライン３に２０
〜５０本程度ものチエツク用配線パターン４，５を設け
ることができる。
μｍ程度であるので、１つのスクライブライン３に２０
〜５０本程度ものチエツク用配線パターン４，５を設け
ることができる。
同様にして、拡散やウェルによる配線パターンをスクラ
イブライン３に設けることもできるし、または、ダイオ
ードやトランジスタなどをスクライブラインの全面に設
けることもできる。
イブライン３に設けることもできるし、または、ダイオ
ードやトランジスタなどをスクライブラインの全面に設
けることもできる。
これらの配線パターン４，５で導通測定を行なうことに
より、配線パターン４，５での短絡や断線を検出し、工
程ごとの欠陥率を算出することができる。
より、配線パターン４，５での短絡や断線を検出し、工
程ごとの欠陥率を算出することができる。
配線パターン４，５はウェハ１の全域に渡ってつながっ
ているので、導通測定が容易である。
ているので、導通測定が容易である。
（効果）
本発明ではスクライブエリアに工程により独立した配線
を形成し、それらの配線の導通測定により工程ごとの欠
陥率を測定するようにしたので、従来なら切断以外には
あまり役に立っていなかったスクライブラインを利用し
て、量産品の生産数量や品質を損なうことなく、量産品
の工程ごとの歩留り解析を行なうことができるようにな
る。
を形成し、それらの配線の導通測定により工程ごとの欠
陥率を測定するようにしたので、従来なら切断以外には
あまり役に立っていなかったスクライブラインを利用し
て、量産品の生産数量や品質を損なうことなく、量産品
の工程ごとの歩留り解析を行なうことができるようにな
る。
第１図は一実施例を示す概略平面図、第２図は第１図の
部分拡大図、第３図は一般的なウェハを示す概略平面図
、第４図はその部分拡大図、第５図は従来の欠陥率算出
用配線パターンを示す図である。 １・・・・・・ウェハ、 ２・・・・・・量産チップ、 ３・・・・・・スクライブライン、 ４．５・・・・・・欠陥検査用配線パターン。
部分拡大図、第３図は一般的なウェハを示す概略平面図
、第４図はその部分拡大図、第５図は従来の欠陥率算出
用配線パターンを示す図である。 １・・・・・・ウェハ、 ２・・・・・・量産チップ、 ３・・・・・・スクライブライン、 ４．５・・・・・・欠陥検査用配線パターン。
Claims (1)
- （１）半導体装置を製造するウェハプロセスにおいて、
スクライブエリアに工程により独立した配線を形成し、
それらの配線の導通測定により工程ごとの欠陥率を測定
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9409188A JPH01265533A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9409188A JPH01265533A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265533A true JPH01265533A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14100785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9409188A Pending JPH01265533A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265533A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123691A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Nikon Corp | ウエハ及び半導体装置の製造方法及び装置 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9409188A patent/JPH01265533A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123691A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Nikon Corp | ウエハ及び半導体装置の製造方法及び装置 |
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