JPH01265520A - 半導体基板水洗乾燥装置 - Google Patents
半導体基板水洗乾燥装置Info
- Publication number
- JPH01265520A JPH01265520A JP9308088A JP9308088A JPH01265520A JP H01265520 A JPH01265520 A JP H01265520A JP 9308088 A JP9308088 A JP 9308088A JP 9308088 A JP9308088 A JP 9308088A JP H01265520 A JPH01265520 A JP H01265520A
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- Japan
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- carrier
- wafer
- water
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 18
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000008400 supply water Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程における洗浄・エツチング工程
に関し、特に半導体基板の洗浄・エツチング後の水洗乾
燥装置に関するものである。
に関し、特に半導体基板の洗浄・エツチング後の水洗乾
燥装置に関するものである。
従来、この種の半導体基板水洗乾燥装置は、半導体基板
の収容容器（以後、キャリアと称する）に収納された半
導体基板（以後、ウェハーと称する）を水洗槽内からゆ
っくりと等速で引き上げ、超純水の表面張力作用により
ウェハー面に付着した水分を除去して自然乾燥するもの
であった。第３図は従来装置の概略図である。オーバー
フロー槽１３上にエレベータ１４があり、オーバーフロ
ー槽１３に超純水が供給され満水状態の下に、ウェハー
１５を収納したキャリア１６をエレベータ１４に載せる
。モータ１７を作動させ、エレベータ上下動用スクリュ
ーボルト１８にモータ１７の回転をベルト１９により伝
達し、エレベータ１４をオーバーフロー槽１３内に下降
させる。下死点まで下降した時点で停止させ、その後エ
レベータ１４を微速で上昇させるためにモータ１７の回
転方向を反転させ、回転速度もｄくする。このエレベー
タ１４の上昇速度を制御することにより、キャリア１６
及びウェハー１５の乾燥が行われる。
の収容容器（以後、キャリアと称する）に収納された半
導体基板（以後、ウェハーと称する）を水洗槽内からゆ
っくりと等速で引き上げ、超純水の表面張力作用により
ウェハー面に付着した水分を除去して自然乾燥するもの
であった。第３図は従来装置の概略図である。オーバー
フロー槽１３上にエレベータ１４があり、オーバーフロ
ー槽１３に超純水が供給され満水状態の下に、ウェハー
１５を収納したキャリア１６をエレベータ１４に載せる
。モータ１７を作動させ、エレベータ上下動用スクリュ
ーボルト１８にモータ１７の回転をベルト１９により伝
達し、エレベータ１４をオーバーフロー槽１３内に下降
させる。下死点まで下降した時点で停止させ、その後エ
レベータ１４を微速で上昇させるためにモータ１７の回
転方向を反転させ、回転速度もｄくする。このエレベー
タ１４の上昇速度を制御することにより、キャリア１６
及びウェハー１５の乾燥が行われる。
上述した従来の半導体基板水洗乾燥装置は、キャリア及
びウェハーをオーバーフロー槽から微速で引き上げるこ
とによりキャリア及びウェハーを乾燥させるために、キ
ャリア及びウェハーを微速で上昇させるための機構部が
必要となり、駆動部からの発塵、駆動部の故障による稼
動率の低下及びランニングコストの上昇、装置の巨大化
という欠点がある。
びウェハーをオーバーフロー槽から微速で引き上げるこ
とによりキャリア及びウェハーを乾燥させるために、キ
ャリア及びウェハーを微速で上昇させるための機構部が
必要となり、駆動部からの発塵、駆動部の故障による稼
動率の低下及びランニングコストの上昇、装置の巨大化
という欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体基板水洗乾燥
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
上述した従来の半導体基板水洗乾燥装置が槽液面を固定
し、被乾燥物を徐々に上昇させるのに対し、本発明は被
乾燥物を固定し槽液面を徐々に下降させるという相違点
を有する。
し、被乾燥物を徐々に上昇させるのに対し、本発明は被
乾燥物を固定し槽液面を徐々に下降させるという相違点
を有する。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明の半導体基板水洗乾燥
装置においては、収納容器内の半導体基板を水洗するオ
ーバーフロー槽と、該オーバーフロー槽内への超純水の
供給量を制御する給水流量制御弁と、該オーバーフロー
槽の底部からの排水量を制御する排水流量制御弁と、前
記収納容器を保持するとともに該収納容器内の半導体基
板の下端縁を支えてこれを収納容器から押し上げる受け
台と、該受け台の収納容器及び半導体基板との当接部に
形成され、該収納容器及び半導体基板の下端部に残留す
る超純水を毛細管現象により捕捉除去する溝とを有する
ものである。
装置においては、収納容器内の半導体基板を水洗するオ
ーバーフロー槽と、該オーバーフロー槽内への超純水の
供給量を制御する給水流量制御弁と、該オーバーフロー
槽の底部からの排水量を制御する排水流量制御弁と、前
記収納容器を保持するとともに該収納容器内の半導体基
板の下端縁を支えてこれを収納容器から押し上げる受け
台と、該受け台の収納容器及び半導体基板との当接部に
形成され、該収納容器及び半導体基板の下端部に残留す
る超純水を毛細管現象により捕捉除去する溝とを有する
ものである。
（実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の概略図である。
オーバーフロー槽１はウェハー２を収納したキャリア３
を超純水中に浸漬させるものであり、超純水供給口４は
給水流量制御弁５により流量制御された超純水をオーバ
ーフロー槽１に液面を波立てることなく供給するため、
槽底部で、かつ側部に位置させて開口してあり、流量計
６は給水流量制御弁５により流量制御された超純水流量
をモニターするものである。超純水排水ロアはオーバー
フロー槽１の超純水を排水するためのもので、槽底部に
設けられている。排水流量制御弁８は超純・ 水排水ロ
アから排水される超純水の流量を制御するためのもので
あり、排水弁９はオーバーフロー槽１の超純水を排水又
は貯水するためのものである。キャリア受け台１０はウ
ェハー２を収納したキャリア３をキャリア受け台１０に
載せたときキャリア３を支えるキャリア受け部１１と、
キャリア３の底部開口を通してウェハー２の下端部をキ
ャリア３から押し上げるウェハー受け部１２を有してい
る。
を超純水中に浸漬させるものであり、超純水供給口４は
給水流量制御弁５により流量制御された超純水をオーバ
ーフロー槽１に液面を波立てることなく供給するため、
槽底部で、かつ側部に位置させて開口してあり、流量計
６は給水流量制御弁５により流量制御された超純水流量
をモニターするものである。超純水排水ロアはオーバー
フロー槽１の超純水を排水するためのもので、槽底部に
設けられている。排水流量制御弁８は超純・ 水排水ロ
アから排水される超純水の流量を制御するためのもので
あり、排水弁９はオーバーフロー槽１の超純水を排水又
は貯水するためのものである。キャリア受け台１０はウ
ェハー２を収納したキャリア３をキャリア受け台１０に
載せたときキャリア３を支えるキャリア受け部１１と、
キャリア３の底部開口を通してウェハー２の下端部をキ
ャリア３から押し上げるウェハー受け部１２を有してい
る。
キャリア受け台１０はウェハー２及びキャリア３との接
触部に残留する超純水を除去する機能を有するものであ
る。
触部に残留する超純水を除去する機能を有するものであ
る。
第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）はキャリア受け
台１０を示す図である。
台１０を示す図である。
キャリア受け台１０のキャリア受け部１１は、キャリア
３の底部に接する部分であり、山形構造で、かつキャリ
ア３を取り出すときにキャリア３とキャリア受け部１１
の接触部に残る超純水がキャリア３に付着しないように
キャリア受け部１１の先端に溝１１ａを切り１毛細管現
象によりキャリア３の水切りを行うものである。
３の底部に接する部分であり、山形構造で、かつキャリ
ア３を取り出すときにキャリア３とキャリア受け部１１
の接触部に残る超純水がキャリア３に付着しないように
キャリア受け部１１の先端に溝１１ａを切り１毛細管現
象によりキャリア３の水切りを行うものである。
キャリア受け台１０のウェハー受け部１２はキャリア受
け部１１と同じ構造で、ウェハー２とウェハー受け部１
２の接触部の超純水がウェハー２に付着しないように溝
１２ ａを切り、毛細管現象によりウェハー２の水切り
を行うものである。
け部１１と同じ構造で、ウェハー２とウェハー受け部１
２の接触部の超純水がウェハー２に付着しないように溝
１２ ａを切り、毛細管現象によりウェハー２の水切り
を行うものである。
以下に本発明の半導体基板水洗乾燥装置の作用について
説明する。
説明する。
オーバーフロー槽１が満水状態で、かつ給水が継続され
ている状態においてウェハー２を収納したキャリア３を
オーバーフロー槽１に投入する。
ている状態においてウェハー２を収納したキャリア３を
オーバーフロー槽１に投入する。
そして、排水弁９を開け、液面の下降速度が微速で、か
つ定速になるように給水流量制御弁５と排水流量制御弁
８を制御し、前述の表面張力作用と自然乾燥により液面
がキャリア３の底部より下回るまでの間にウェハー２及
びキャリア３の表面は乾燥する。そしてキャリア３をオ
ーバーフロー槽１から取り出すとき、ウェハー２の下端
部とキャリア３の底部に残留している超純水は、ウェハ
ー受け部１２とキャリア受け部１１の溝１２ａ、 ｌｌ
ａにより除去され完全に乾燥する。
つ定速になるように給水流量制御弁５と排水流量制御弁
８を制御し、前述の表面張力作用と自然乾燥により液面
がキャリア３の底部より下回るまでの間にウェハー２及
びキャリア３の表面は乾燥する。そしてキャリア３をオ
ーバーフロー槽１から取り出すとき、ウェハー２の下端
部とキャリア３の底部に残留している超純水は、ウェハ
ー受け部１２とキャリア受け部１１の溝１２ａ、 ｌｌ
ａにより除去され完全に乾燥する。
以上説明したように本発明は被乾燥物に対する液面の相
対速度を、被乾燥物を固定し液面を下降させることによ
り設定するため、液面を固定して被乾燥物を上昇させる
ときに必要な機構部が不要となり、発塵部をなくし、ま
たランニングコストの低下、稼動率のア′ツブ、設備の
コンパクト化を実現できる効果がある。また、乾燥中に
も新しい超純水を供給しながら排水できるため、超純水
の劣化を防ぐことができるという効果もあわせ備えてい
る。
対速度を、被乾燥物を固定し液面を下降させることによ
り設定するため、液面を固定して被乾燥物を上昇させる
ときに必要な機構部が不要となり、発塵部をなくし、ま
たランニングコストの低下、稼動率のア′ツブ、設備の
コンパクト化を実現できる効果がある。また、乾燥中に
も新しい超純水を供給しながら排水できるため、超純水
の劣化を防ぐことができるという効果もあわせ備えてい
る。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図、第２図（ａ）
はキャリア受け台の正面図、（ｂ）は同平面図、（ｃ）
は同側面図、第３図は従来の装置の概略図である。 １・・・オーバーフロー槽 ２・・・ウェハー３ ・
キャリア ４・・・超純水供給口５・・・給
水流量制御弁 ６・・・流量計７・・・超純水排水口
８・・・排水流量制御弁９・・・排水弁
１０・・・キャリア受け台１１・・・キャリア
受け部 １１ａ、１２ａ・・・溝１２・・・ウェハー
受け部 １４・・・エレベータ特許出願人 日本電
気株式会社 ７、？÷裏体基援（ウェハー） 第１図 ／ ′２“” （’ｂ） （Ｃ）第２図
はキャリア受け台の正面図、（ｂ）は同平面図、（ｃ）
は同側面図、第３図は従来の装置の概略図である。 １・・・オーバーフロー槽 ２・・・ウェハー３ ・
キャリア ４・・・超純水供給口５・・・給
水流量制御弁 ６・・・流量計７・・・超純水排水口
８・・・排水流量制御弁９・・・排水弁
１０・・・キャリア受け台１１・・・キャリア
受け部 １１ａ、１２ａ・・・溝１２・・・ウェハー
受け部 １４・・・エレベータ特許出願人 日本電
気株式会社 ７、？÷裏体基援（ウェハー） 第１図 ／ ′２“” （’ｂ） （Ｃ）第２図
Claims (1)
- （１）収納容器内の半導体基板を水洗するオーバーフロ
ー槽と、該オーバーフロー槽内への超純水の供給量を制
御する給水流量制御弁と、該オーバーフロー槽の底部か
らの排水量を制御する排水流量制御弁と、前記収納容器
を保持するとともに該収納容器内の半導体基板の下端縁
を支えてこれを収納容器から押し上げる受け台と、該受
け台の収納容器及び半導体基板との当接部に形成され、
該収納容器及び半導体基板の下端部に残留する超純水を
毛細管現象により捕捉除去する溝とを有することを特徴
とする半導体基板水洗乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9308088A JPH01265520A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体基板水洗乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9308088A JPH01265520A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体基板水洗乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265520A true JPH01265520A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14072540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9308088A Pending JPH01265520A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体基板水洗乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265520A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| CN102151678A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 供液系统及供液方法 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9308088A patent/JPH01265520A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6647996B2 (en) | 1999-07-14 | 2003-11-18 | Micron Technology, Inc. | Method of diffusing pressurized liquid |
| US6672319B2 (en) | 1999-07-14 | 2004-01-06 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6860279B2 (en) | 1999-07-14 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| CN102151678A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 供液系统及供液方法 |
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