JPH01264105A - ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板 - Google Patents

ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板

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JPH01264105A
JPH01264105A JP9130488A JP9130488A JPH01264105A JP H01264105 A JPH01264105 A JP H01264105A JP 9130488 A JP9130488 A JP 9130488A JP 9130488 A JP9130488 A JP 9130488A JP H01264105 A JPH01264105 A JP H01264105A
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JP
Japan
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paste
mullite
substrate
vehicle
powder
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Application number
JP9130488A
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English (en)
Inventor
Takashi Kuroki
喬 黒木
Shosaku Ishihara
昌作 石原
Takeshi Fujita
毅 藤田
Seiichi Tsuchida
槌田 誠一
Tatsuji Noma
辰次 野間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミック多層配−基板の製作に際して使用
されるムライトペーストおよびこのペーストを使用した
配線基板に関する。
〔従来の技術〕
多数のICJPLSI寺の半導体部品をチップの状態で
tat接−wr躯する基板として、セラミック画板が用
いられている。このセラミック基板は、半導体部品を高
密iに搭載するため、多層乱脈を泥こした多層配fIM
板として1s成されることが普通である。従来、この極
のセラミック多層配#基板としては、アルミナを基板と
したアルミナ多層配緘澁板が使用されている。
しかし、このアルミナ多層配曽基板は、信号伝送速匣か
遅いという問題があり、また、IC等の半249I−基
板との熱膨張率の左が大きく、接続の佃損性に欠けると
いう問題がある。
このような問題点を解決できる材料としてムライトが注
目されている。このムライトに関し、先行妖術賃料とし
て、特開昭55−159709号公報や、窯業協会昭和
59年年安講演予桶巣299ページに掲載されている論
文「ラージウェハー実装用ムライト基板」がある。例え
は、上記特開昭55〜139709号公報には、LSI
咎の31!−積回路を実装するための回路基板として、
アルミナ50〜80′i1L]it%、マグネシア0.
5〜s、o x t %、残部ンリカからなるムライト
基板が開示されている。
ところで、ムライト基板G工、その熱的、物理0g1度
が、アルミナ基板はど得られず、また、その熱l#電電
率実装される半得体鄭品(シリコンチップ)の熱膨張率
に近くなっているので、金属との熱膨張量が大きくなる
という問題がある。そのため、WやMe %のメタライ
ズ層を形成した場合、このメタライズ膚の剥れや、亀裂
を発生しやすく、また、焼結収縮率の不安定による基板
のそりの発生か起こりやす(、さらに、寸法精度も悪く
なるという問題かある。
このような問題点を解決する手段としては、本発明省は
1例えは、第2図CB)VC,示すように、メタライズ
強度向上のために補強層11を設けることが適当と考え
る。
一方、多層配線基板にあっては、第2図(,4)に示す
ように、上下に存在するメタライズ層15等の導体層間
を絶縁するため、絶縁層12を設ける必要かある。ムラ
イト基板による多層配線板を実現する罠は、上記したメ
タライズ強度向上のために設ける補強層と、絶縁層とを
量産工程におい″C各J!1に設は得ることがJ[要で
ある。
しかし、上記した先行技術賃料は、専らムライト基板に
ついて記述するのみであって、多層配線基板とする場合
に必要と考えられる上記補強層および絶縁層について百
及していない。
このようなS縁層の形成には、当該基板と同じセラミッ
クからなるペーストを使用して形成することかよいと考
えられるか、従来、ムライトfi&における絶縁層およ
び補強層の形成に用いるムライトペーストおよびその製
法については報告されていない。そこで、従来から知ら
れている技術にヨリ、上記絶縁層および補颯層を形成す
ることが考えられる。
第1&C%系3図に示すように、アルミナ基板を裏作す
る工程で形成されるグリーンシート(焼結前の生シート
)用アルミナスリップから、その浴剤をスクリーン印刷
用浴剤と置換し、粘度調整を行なってて印刷用ペースト
を形成するという、公知の方法を利用し℃形成したムラ
イトペーストの使用が考えられる。
i2に、アルミナペーストの製法により形成シたムライ
トペーストの使用が考えられる。このアルミナペースト
は、例えは、特公昭57−50855号公報に開示され
ているように、原料粉とビヒ、クルとを混合して得られ
るものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記第1の方法では、ムライトスリップの溶剤
をスクリーン印刷用浴剤と直換する際に、舐ムライトス
リップに言まれる焼結助剤中の成分がゲル化しやすいと
いう欠点がある。また、成分がゲル化しにくい浴剤を選
定しても、浴剤の蒸発により印刷中にスクリーン版のメ
ツシュが冷却されて、空気中の水分か凝縮し、この水分
の存在によりビヒクルと焼結助剤中の成分とが反応して
ゲル化することが起こる。成分かゲル化すると、第4図
に示すように、印刷中にスクリーン版のメツシュ15に
ペースト16が目詰まりし、しかも、この目詰まりの除
去か容易でないため、印刷に不過当であるという欠点が
ある。
一方、第2の方法によって形成したムライトペーストに
あっても、成分かゲル化を起こすという欠点があり、上
記と同憶の問題がある。
従って、従来提案されているムライト基板にあっては、
多層配騰に必要な絶縁層、および、メタライズの頻度向
上に必要な情瓢層の形成に必要なムライトペーストにつ
い℃なんら配慮されて8らす、多層配線基板を形成する
ことか困難であるという課題があった。
本発明の目的は、ゲル化することなく形成できまた、ス
クリーン版のメツシエI/C,目話まりすることなく印
刷することができるムライトペーストを提供することに
ある。
また、本強四の他の目的は、上記ムライトペーストを使
用して、ムライト基板に、多層配線に必要な絶縁層、お
よび、メタライズの強風向上に必要な補強層を形成した
配−f板を提供することにある。
〔課題な解決するための手段〕
本発明は、課題を解決するための手段として、ムライト
粉末に、Altos −sLo*およびMIOからなる
焼結助剤と、ビヒクルと、表面改iX剤とを混合してペ
ースト化したことを特徴とするムライトペ。
−ストを提供する。
上記焼結助剤は、At、0. 、 St、、およびib
tgoの混合物からなり、印刷用スクリーンを通過でき
る粒径の粉末を使用する。組成としては、At、Oj。
StO,およびMgOの各粉末を混合したものでよいが
、好ましくは、これらの焼結体を粉砕して粉末化したも
のを使用する。この場合、各成分を完全に焼結させるの
でになく、仮′g81Is状悪、すなわち、各成分の粒
子がその4yItIIO]で僅か[−層する状態が望ま
しい。このようにすれば、微粉木状に粉砕することが容
易となる。
このような焼MJgJ剤は、例えは1,41,0. 、
 SLO。
およびMICO,を原料とじ℃、これらを仮焼成するこ
とにより製造することかできる。この場合、MjlCO
,かMIOとなることが必要であり、また、形成される
MIOの粒塊が微粉化しやすくなるように、。
仮焼成条件を設定する。例えは、At、o、 、 si
o、おIよびM9CO,を混合したものを原料として、
800〜1250℃で焼成する。
なお、先ず、MICO,のみを熱してMIOとし、つい
で他の原料と混合して焼成してもよい。
ビヒクルは、例えは、ポリビニルブチラール、エチルセ
ルロースおよびメタアクリレート等を溶剤により俗解し
たのを使用する。
上記表面C3C質剤とし【は、表面活性剤、チタネート
系カップリング剤等を使用する。罰@には、例えは、顔
肪ばエステルにアミンS−何与したカチオン系の表面活
性剤かある。後者には、インプロピル・トリイソステア
ミイル・チタネート等のインプaボキシ基を有するチタ
ネート系カップリング剤がある。
また1本発明は、上記ムライトペーストを使用して、ム
ライト基板に、該4仮に設けられるメタライズ層を補強
する補強層を設けた配縁基板を提供する。また、同様に
して、ムライト基板に、上記ムライトペーストにて形成
した絶縁層を設けた配腺基板を提供する。
これらの基板は、ムライト基板を形成するグリーンシー
トに、メタライズ層等となるパターンを2s成ペースト
を印刷して形成し、また、絶縁層。
f14igI#II寺となるパターンケ上記ムライトペ
ーストを印刷して形成し、これらを焼成して形成される
iこの場合、1枚のシートをそのまま焼成して構成する
単層の配線板、また、複叡枚のシートを積層した多層の
配嫌板のいずれにも適用可能である。
〔作用〕
本発明は、At、O,、Sto、およびMIOからなる
焼結助剤を使用することにより、従来問題となっていた
ペーストのゲル化を防止している。ゲル化は、従来ムラ
イト基板の製造において便用されているg8結助剤に含
まれるMICO,が、ビヒクルと水酸基との反応により
ゲル化する鎖向か強いことによる。
従って、本発明は、MgO03に代えてMHOを使用し
ているので、ペーストがゲル化しない。
この場合、焼結助剤を、Ale O@ 、 S zol
およびMgO0)@ia体、%−[、Al、0. 、 
Sin、 オヨヒM1CO。
を原料として仮焼成したものを粉砕して形成すると、印
刷の際に目詰まりしにくい微粉末とすることが容易とな
る。また、粉砕工程により、JE、科物負が均等に混合
されるため、ペースト化する際に、粉末の分散性が向上
し、ビヒクルに対する親和性の向上と相俟つて、混合時
間を大幅に短縮することができる。
また、本発明では、表面改質剤を使用することにより、
M10jlC対するカップリング剤の作用、および、ビ
ヒクルとの親和性の悪いシリカ(Sin、)の表面に対
する表(2)活性剤の作用により、分散性ケよくして、
粉末の峡集を防止できると共に、ペーストの粘度を低減
して印刷性を向上している。
〔実施例〕
以下、本発明の実#例について評#Iに説明する。
〈実施例1〉 本![例のムライトベーストの配合tは、次に示すとお
りである。
ムライト粉末           560g焼結助剤
          144]〜280!アルミナCA
I、0.)・・・7〜21wt%石英(Sin、 ) 
  ”−70〜90tttt%MlCO,・・・6〜Q
Qwt% ビヒクル           400〜500!ポリ
ビニルブチラール、エチルセルロース、メタアクリレー
ト等を浴剤に浴剤したもの表血改買剤        
  1〜25表面活性剤 ライオン株式会社裏エソミンT/15 チタネート糸カップリング剤 味の素株式会社製プレンアクトTTS 上記配合濾の範囲は、ムライト粉末の重を一定にして決
めたものである。
焼結助剤の友(工、この*[!曲を外れると、焼結した
時に画板にそりが発生する。なに、焼結助剤の配合量は
グリーンシートスリップに合わせる。
ビヒクル輩は、この範囲より少なくなると、ペーストの
粘度およびチクノドaピー性か強くなり、印刷できなか
ったり、ピンホールか多くなって杷−性か忌くなる。ま
た、ビヒクルか多くなるとペーストのVilか低くなり
、印刷でのパターンのにじみが生じやすり、シかも、換
厚か薄くなって杷威性か低くなる。この場合、渦い絶縁
性を%るには、印Al11回数か多(して膜厚を厚くて
れはよいが、パターンのにじみか太ぎくなる欠点かある
次面Cg、負剤の濾は、この範囲より少ないと効果かな
く、ペーストの粘度増大、粉末の幾染か匙こりやすい。
この範囲より多くなると、スルーホールに使用するFペ
ーストや、ムライトグリーンシートとの接層性が忌(な
り、印刷したパターンの脱法か起こりやすい。なお、ビ
ヒクルのミラ多りレないと印刷できない場合、印刷厚族
を厚(するためには、ゲル化割を0.1〜Q、5wt%
 (ペーストに対して)奈刀口してもよい。
上ffiペーストの装造は、帛1図に示す工程により行
なう。
先ず、gP、結助剤な構成する原料成分であるアルミナ
(At、03) 、石英(、S&(jt)およびtWg
cOsを、800〜1250℃で空気中において10分
間仮焼成する。
この場合、800℃以下ではペースト化する場合にゲル
化し禦す(,1250℃以上になると焼Mにより粘径が
大き(なり、粉砕か1嫉となる。
次に、焼結助剤とムライト樹木を混合してボールミルを
用いて粉砕する。この場合、ボールミル処理は、エチル
アルコールと混合して行5m式と、粉末のままで行う乾
式のどちらでもよい。処理時間は、湿式で24〜72時
間、礼式で2〜4時間か適当である。また、ライカイ債
を便用する場合には、4〜8時間で良い。
ビヒクルを加えてペースト化する′tM5dは、ボール
ミル、ライカイ慎、3ネロールミル等で十分効果かある
。その場合の混蛯時間は、ボールミルで27〜48時間
、また、ライカイ債で4〜8時間である。5ネロールミ
ルの場合、ロール間のキャンプを20〜40μmにして
ペースト全電を2〜5回通すことにより処理するが、処
理時間は2〜4時間である。
上記のようにして製造したムライトペーストを使用して
、ムライト基板のF)l定位置に予め設定したパターン
を印刷して9i5成し、杷禮層および輛預層を形成する
次に、多層部−−4板に使用するムライト画板について
説明する。
ムライト基板は、その原料を次に示す配合量でボールミ
ル混合したムライトスリップを、ドクターブレード法に
よりシート厚Q、25mm  のグリーンシートに成形
し、これに必資に応じ℃@径0.15mmのスルーホー
ルをNcパンチで形成する。
ムライトスリップ配合量 ムライト粉末        72〜755アルミナ 
         1.8〜2.59石英      
       22〜25yポリビニールブチラール 
   6〜7!I可塑剤             2
〜31トリクaルエチレン      88〜89!!
テトラクロルエチレン     27〜28!ループチ
ルアルコール     17〜19!このようにして、
第2図(B)に示すように、スルーホール14を形成し
たグリーンシート10′に、導電ペーストとI、”CF
ペーストをスルーホール14・に光項した彼、メタライ
ズ層16となる配−用、封止用およびビンろう何は用の
4電都パターン13’を4電ペーストを使用して印刷す
る。
!ペーストによる各パターン15′の印刷が光子したら
、封止用およびピンろう何は用の尋′亀部パターン13
′の南都に、第2図CB)に示すように。
補強層11を栴成する補強層パターン11′をムライト
ペーストを用い℃印刷する。また、導体層と杷−層を父
互にスクリーン印刷で行う印刷多層法では、配顧用導1
!部パターン15′をWペーストで形成した後、ムライ
トペーストで50〜100μmの厚さの絶縁用パターン
12’ L、丹び、配緘用尋亀部パターン13’?rペ
ーストにより印刷して形成する。
配W=仮は、上記のようにして、ムライト基板10とな
るグリーンシート10′上に一?!r橿パターンを印刷
した汝、そのまま、または、核層する場合には、各シー
ト10′を核層し、外形切断してから還元雰囲気で16
00〜166011(’で1〜3時間かけて焼結する。
焼結した恭敬10のメタライズ層130部分にNiおよ
びAμめっきした波、シンター処理し、この基板に、接
続用ピンをろう付けした後、ICおよびLSIチップを
ハンダ付けし、封止キャップを)1ンダ付けして、多層
配、−晶板か製作される。
上記のようにして製作された配廊禽仮については、メタ
ライズ層のはがれ、メタライズ近傍のムライト基板表面
のクラックが生じなかった。
〔発明の効果〕
本発明のムライトペーストによれは、ゲル化することな
く形成でき、また、スクリーン版のメツシュに目詰まり
することなく印刷することかできる。
また、本発明によれは、上り己ムライトペーストを使用
して、ムライト基板に、多層配縁に必安な絶遂層、およ
び、メタライズの強度向上に必要な補強層を形成して、
メタライズ1−の剥れや、亀裂の発生を防止でき、また
、焼結収紬率の不安定による基板のそりの発生を押え、
寸法n度の悪化を押えて、ムライト基板による配w:h
坂を実現することかできる。
その舶来、本発明によれは、従来のアルミナ基板で問題
とされた信号伝送速度か遅いこと、また、IC等の半導
体基板との熱膨張率の走が太き(、接続の信頼性に欠け
ろことを解決した記載基板を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のムライトペーストの製造工程を示す工
程図、第2図CA)およびCB)は本発明か通用される
配緘基板の捕遺を楔穴的に示す要fIPSvr面図、第
5図は従来の一般的なペースト製造工程を示す工程図、
第4図は従来のペースト裏道技術により製造されたペー
ストによるスクリーン版のメツシュ目詰まりの次感を示
す拡大平面図である。 10(10’)・・・ムライト基板(グリーンシート)
11(10’)・・・補強層(補強層パターン)12(
12’)・・・絶縁層(絶縁用パターン)15(15’
)・・・メタライズ#(4電部パターン)14・・・ス
ルーホール 15・・・メツシュ 16・・・ペースト

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.ムライト粉末に、Al_2O_3、SiO_2およ
    びMgOからなる焼結助剤と、ビヒクルと、表面改質剤
    とを混合してペースト化したことを特徴とするムライト
    ペースト。
  2. 2.上記焼結助剤として、Al_2O_3,SiO_2
    およびMgOの焼結体対を粉砕した粉末を使用する請求
    項1記載のムライトペースト。
  3. 3.上記Al_2O_3,SiO_2およびMgOの焼
    結体として、Al_2O_3,SiO_2およびMgC
    O_3を800〜1250℃で仮焼成したものを使用す
    る請求項2記載のムライトペースト。
  4. 4.ムライト基板に、該基板に設けられるメタライズ層
    を補強する、上配ムライトペーストにて形成した補強層
    を設けた請求項1,2または3記載の配線基板。
  5. 5.ムライト基板に、上記ムライトペーストにて形成し
    た絶縁層を設けた請求項1,2または3記載の配線基板
JP9130488A 1988-04-15 1988-04-15 ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板 Pending JPH01264105A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62172784A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 株式会社日立製作所 セラミツク配線基板とその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62172784A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 株式会社日立製作所 セラミツク配線基板とその製造方法

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