JPH01264105A - ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板 - Google Patents
ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板Info
- Publication number
- JPH01264105A JPH01264105A JP9130488A JP9130488A JPH01264105A JP H01264105 A JPH01264105 A JP H01264105A JP 9130488 A JP9130488 A JP 9130488A JP 9130488 A JP9130488 A JP 9130488A JP H01264105 A JPH01264105 A JP H01264105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- mullite
- substrate
- vehicle
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 abstract 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000014380 magnesium carbonate Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000013040 bath agent Substances 0.000 description 5
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 5
- GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N Geraniol Chemical compound CC(C)=CCCC(C)=CCO GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 241001092070 Eriobotrya Species 0.000 description 3
- 235000009008 Eriobotrya japonica Nutrition 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001123862 Mico Species 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N Nerol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C\CO GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- -1 fatty acid ester Chemical class 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012056 semi-solid material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミック多層配−基板の製作に際して使用
されるムライトペーストおよびこのペーストを使用した
配線基板に関する。
されるムライトペーストおよびこのペーストを使用した
配線基板に関する。
多数のICJPLSI寺の半導体部品をチップの状態で
tat接−wr躯する基板として、セラミック画板が用
いられている。このセラミック基板は、半導体部品を高
密iに搭載するため、多層乱脈を泥こした多層配fIM
板として1s成されることが普通である。従来、この極
のセラミック多層配#基板としては、アルミナを基板と
したアルミナ多層配緘澁板が使用されている。
tat接−wr躯する基板として、セラミック画板が用
いられている。このセラミック基板は、半導体部品を高
密iに搭載するため、多層乱脈を泥こした多層配fIM
板として1s成されることが普通である。従来、この極
のセラミック多層配#基板としては、アルミナを基板と
したアルミナ多層配緘澁板が使用されている。
しかし、このアルミナ多層配曽基板は、信号伝送速匣か
遅いという問題があり、また、IC等の半249I−基
板との熱膨張率の左が大きく、接続の佃損性に欠けると
いう問題がある。
遅いという問題があり、また、IC等の半249I−基
板との熱膨張率の左が大きく、接続の佃損性に欠けると
いう問題がある。
このような問題点を解決できる材料としてムライトが注
目されている。このムライトに関し、先行妖術賃料とし
て、特開昭55−159709号公報や、窯業協会昭和
59年年安講演予桶巣299ページに掲載されている論
文「ラージウェハー実装用ムライト基板」がある。例え
は、上記特開昭55〜139709号公報には、LSI
咎の31!−積回路を実装するための回路基板として、
アルミナ50〜80′i1L]it%、マグネシア0.
5〜s、o x t %、残部ンリカからなるムライト
基板が開示されている。
目されている。このムライトに関し、先行妖術賃料とし
て、特開昭55−159709号公報や、窯業協会昭和
59年年安講演予桶巣299ページに掲載されている論
文「ラージウェハー実装用ムライト基板」がある。例え
は、上記特開昭55〜139709号公報には、LSI
咎の31!−積回路を実装するための回路基板として、
アルミナ50〜80′i1L]it%、マグネシア0.
5〜s、o x t %、残部ンリカからなるムライト
基板が開示されている。
ところで、ムライト基板G工、その熱的、物理0g1度
が、アルミナ基板はど得られず、また、その熱l#電電
率実装される半得体鄭品(シリコンチップ)の熱膨張率
に近くなっているので、金属との熱膨張量が大きくなる
という問題がある。そのため、WやMe %のメタライ
ズ層を形成した場合、このメタライズ膚の剥れや、亀裂
を発生しやすく、また、焼結収縮率の不安定による基板
のそりの発生か起こりやす(、さらに、寸法精度も悪く
なるという問題かある。
が、アルミナ基板はど得られず、また、その熱l#電電
率実装される半得体鄭品(シリコンチップ)の熱膨張率
に近くなっているので、金属との熱膨張量が大きくなる
という問題がある。そのため、WやMe %のメタライ
ズ層を形成した場合、このメタライズ膚の剥れや、亀裂
を発生しやすく、また、焼結収縮率の不安定による基板
のそりの発生か起こりやす(、さらに、寸法精度も悪く
なるという問題かある。
このような問題点を解決する手段としては、本発明省は
1例えは、第2図CB)VC,示すように、メタライズ
強度向上のために補強層11を設けることが適当と考え
る。
1例えは、第2図CB)VC,示すように、メタライズ
強度向上のために補強層11を設けることが適当と考え
る。
一方、多層配線基板にあっては、第2図(,4)に示す
ように、上下に存在するメタライズ層15等の導体層間
を絶縁するため、絶縁層12を設ける必要かある。ムラ
イト基板による多層配線板を実現する罠は、上記したメ
タライズ強度向上のために設ける補強層と、絶縁層とを
量産工程におい″C各J!1に設は得ることがJ[要で
ある。
ように、上下に存在するメタライズ層15等の導体層間
を絶縁するため、絶縁層12を設ける必要かある。ムラ
イト基板による多層配線板を実現する罠は、上記したメ
タライズ強度向上のために設ける補強層と、絶縁層とを
量産工程におい″C各J!1に設は得ることがJ[要で
ある。
しかし、上記した先行技術賃料は、専らムライト基板に
ついて記述するのみであって、多層配線基板とする場合
に必要と考えられる上記補強層および絶縁層について百
及していない。
ついて記述するのみであって、多層配線基板とする場合
に必要と考えられる上記補強層および絶縁層について百
及していない。
このようなS縁層の形成には、当該基板と同じセラミッ
クからなるペーストを使用して形成することかよいと考
えられるか、従来、ムライトfi&における絶縁層およ
び補強層の形成に用いるムライトペーストおよびその製
法については報告されていない。そこで、従来から知ら
れている技術にヨリ、上記絶縁層および補颯層を形成す
ることが考えられる。
クからなるペーストを使用して形成することかよいと考
えられるか、従来、ムライトfi&における絶縁層およ
び補強層の形成に用いるムライトペーストおよびその製
法については報告されていない。そこで、従来から知ら
れている技術にヨリ、上記絶縁層および補颯層を形成す
ることが考えられる。
第1&C%系3図に示すように、アルミナ基板を裏作す
る工程で形成されるグリーンシート(焼結前の生シート
)用アルミナスリップから、その浴剤をスクリーン印刷
用浴剤と置換し、粘度調整を行なってて印刷用ペースト
を形成するという、公知の方法を利用し℃形成したムラ
イトペーストの使用が考えられる。
る工程で形成されるグリーンシート(焼結前の生シート
)用アルミナスリップから、その浴剤をスクリーン印刷
用浴剤と置換し、粘度調整を行なってて印刷用ペースト
を形成するという、公知の方法を利用し℃形成したムラ
イトペーストの使用が考えられる。
i2に、アルミナペーストの製法により形成シたムライ
トペーストの使用が考えられる。このアルミナペースト
は、例えは、特公昭57−50855号公報に開示され
ているように、原料粉とビヒ、クルとを混合して得られ
るものである。
トペーストの使用が考えられる。このアルミナペースト
は、例えは、特公昭57−50855号公報に開示され
ているように、原料粉とビヒ、クルとを混合して得られ
るものである。
しかし、上記第1の方法では、ムライトスリップの溶剤
をスクリーン印刷用浴剤と直換する際に、舐ムライトス
リップに言まれる焼結助剤中の成分がゲル化しやすいと
いう欠点がある。また、成分がゲル化しにくい浴剤を選
定しても、浴剤の蒸発により印刷中にスクリーン版のメ
ツシュが冷却されて、空気中の水分か凝縮し、この水分
の存在によりビヒクルと焼結助剤中の成分とが反応して
ゲル化することが起こる。成分かゲル化すると、第4図
に示すように、印刷中にスクリーン版のメツシュ15に
ペースト16が目詰まりし、しかも、この目詰まりの除
去か容易でないため、印刷に不過当であるという欠点が
ある。
をスクリーン印刷用浴剤と直換する際に、舐ムライトス
リップに言まれる焼結助剤中の成分がゲル化しやすいと
いう欠点がある。また、成分がゲル化しにくい浴剤を選
定しても、浴剤の蒸発により印刷中にスクリーン版のメ
ツシュが冷却されて、空気中の水分か凝縮し、この水分
の存在によりビヒクルと焼結助剤中の成分とが反応して
ゲル化することが起こる。成分かゲル化すると、第4図
に示すように、印刷中にスクリーン版のメツシュ15に
ペースト16が目詰まりし、しかも、この目詰まりの除
去か容易でないため、印刷に不過当であるという欠点が
ある。
一方、第2の方法によって形成したムライトペーストに
あっても、成分かゲル化を起こすという欠点があり、上
記と同憶の問題がある。
あっても、成分かゲル化を起こすという欠点があり、上
記と同憶の問題がある。
従って、従来提案されているムライト基板にあっては、
多層配騰に必要な絶縁層、および、メタライズの頻度向
上に必要な情瓢層の形成に必要なムライトペーストにつ
い℃なんら配慮されて8らす、多層配線基板を形成する
ことか困難であるという課題があった。
多層配騰に必要な絶縁層、および、メタライズの頻度向
上に必要な情瓢層の形成に必要なムライトペーストにつ
い℃なんら配慮されて8らす、多層配線基板を形成する
ことか困難であるという課題があった。
本発明の目的は、ゲル化することなく形成できまた、ス
クリーン版のメツシエI/C,目話まりすることなく印
刷することができるムライトペーストを提供することに
ある。
クリーン版のメツシエI/C,目話まりすることなく印
刷することができるムライトペーストを提供することに
ある。
また、本強四の他の目的は、上記ムライトペーストを使
用して、ムライト基板に、多層配線に必要な絶縁層、お
よび、メタライズの強風向上に必要な補強層を形成した
配−f板を提供することにある。
用して、ムライト基板に、多層配線に必要な絶縁層、お
よび、メタライズの強風向上に必要な補強層を形成した
配−f板を提供することにある。
本発明は、課題を解決するための手段として、ムライト
粉末に、Altos −sLo*およびMIOからなる
焼結助剤と、ビヒクルと、表面改iX剤とを混合してペ
ースト化したことを特徴とするムライトペ。
粉末に、Altos −sLo*およびMIOからなる
焼結助剤と、ビヒクルと、表面改iX剤とを混合してペ
ースト化したことを特徴とするムライトペ。
−ストを提供する。
上記焼結助剤は、At、0. 、 St、、およびib
tgoの混合物からなり、印刷用スクリーンを通過でき
る粒径の粉末を使用する。組成としては、At、Oj。
tgoの混合物からなり、印刷用スクリーンを通過でき
る粒径の粉末を使用する。組成としては、At、Oj。
StO,およびMgOの各粉末を混合したものでよいが
、好ましくは、これらの焼結体を粉砕して粉末化したも
のを使用する。この場合、各成分を完全に焼結させるの
でになく、仮′g81Is状悪、すなわち、各成分の粒
子がその4yItIIO]で僅か[−層する状態が望ま
しい。このようにすれば、微粉木状に粉砕することが容
易となる。
、好ましくは、これらの焼結体を粉砕して粉末化したも
のを使用する。この場合、各成分を完全に焼結させるの
でになく、仮′g81Is状悪、すなわち、各成分の粒
子がその4yItIIO]で僅か[−層する状態が望ま
しい。このようにすれば、微粉木状に粉砕することが容
易となる。
このような焼MJgJ剤は、例えは1,41,0. 、
SLO。
SLO。
およびMICO,を原料とじ℃、これらを仮焼成するこ
とにより製造することかできる。この場合、MjlCO
,かMIOとなることが必要であり、また、形成される
MIOの粒塊が微粉化しやすくなるように、。
とにより製造することかできる。この場合、MjlCO
,かMIOとなることが必要であり、また、形成される
MIOの粒塊が微粉化しやすくなるように、。
仮焼成条件を設定する。例えは、At、o、 、 si
o、おIよびM9CO,を混合したものを原料として、
800〜1250℃で焼成する。
o、おIよびM9CO,を混合したものを原料として、
800〜1250℃で焼成する。
なお、先ず、MICO,のみを熱してMIOとし、つい
で他の原料と混合して焼成してもよい。
で他の原料と混合して焼成してもよい。
ビヒクルは、例えは、ポリビニルブチラール、エチルセ
ルロースおよびメタアクリレート等を溶剤により俗解し
たのを使用する。
ルロースおよびメタアクリレート等を溶剤により俗解し
たのを使用する。
上記表面C3C質剤とし【は、表面活性剤、チタネート
系カップリング剤等を使用する。罰@には、例えは、顔
肪ばエステルにアミンS−何与したカチオン系の表面活
性剤かある。後者には、インプロピル・トリイソステア
ミイル・チタネート等のインプaボキシ基を有するチタ
ネート系カップリング剤がある。
系カップリング剤等を使用する。罰@には、例えは、顔
肪ばエステルにアミンS−何与したカチオン系の表面活
性剤かある。後者には、インプロピル・トリイソステア
ミイル・チタネート等のインプaボキシ基を有するチタ
ネート系カップリング剤がある。
また1本発明は、上記ムライトペーストを使用して、ム
ライト基板に、該4仮に設けられるメタライズ層を補強
する補強層を設けた配縁基板を提供する。また、同様に
して、ムライト基板に、上記ムライトペーストにて形成
した絶縁層を設けた配腺基板を提供する。
ライト基板に、該4仮に設けられるメタライズ層を補強
する補強層を設けた配縁基板を提供する。また、同様に
して、ムライト基板に、上記ムライトペーストにて形成
した絶縁層を設けた配腺基板を提供する。
これらの基板は、ムライト基板を形成するグリーンシー
トに、メタライズ層等となるパターンを2s成ペースト
を印刷して形成し、また、絶縁層。
トに、メタライズ層等となるパターンを2s成ペースト
を印刷して形成し、また、絶縁層。
f14igI#II寺となるパターンケ上記ムライトペ
ーストを印刷して形成し、これらを焼成して形成される
iこの場合、1枚のシートをそのまま焼成して構成する
単層の配線板、また、複叡枚のシートを積層した多層の
配嫌板のいずれにも適用可能である。
ーストを印刷して形成し、これらを焼成して形成される
iこの場合、1枚のシートをそのまま焼成して構成する
単層の配線板、また、複叡枚のシートを積層した多層の
配嫌板のいずれにも適用可能である。
本発明は、At、O,、Sto、およびMIOからなる
焼結助剤を使用することにより、従来問題となっていた
ペーストのゲル化を防止している。ゲル化は、従来ムラ
イト基板の製造において便用されているg8結助剤に含
まれるMICO,が、ビヒクルと水酸基との反応により
ゲル化する鎖向か強いことによる。
焼結助剤を使用することにより、従来問題となっていた
ペーストのゲル化を防止している。ゲル化は、従来ムラ
イト基板の製造において便用されているg8結助剤に含
まれるMICO,が、ビヒクルと水酸基との反応により
ゲル化する鎖向か強いことによる。
従って、本発明は、MgO03に代えてMHOを使用し
ているので、ペーストがゲル化しない。
ているので、ペーストがゲル化しない。
この場合、焼結助剤を、Ale O@ 、 S zol
およびMgO0)@ia体、%−[、Al、0. 、
Sin、 オヨヒM1CO。
およびMgO0)@ia体、%−[、Al、0. 、
Sin、 オヨヒM1CO。
を原料として仮焼成したものを粉砕して形成すると、印
刷の際に目詰まりしにくい微粉末とすることが容易とな
る。また、粉砕工程により、JE、科物負が均等に混合
されるため、ペースト化する際に、粉末の分散性が向上
し、ビヒクルに対する親和性の向上と相俟つて、混合時
間を大幅に短縮することができる。
刷の際に目詰まりしにくい微粉末とすることが容易とな
る。また、粉砕工程により、JE、科物負が均等に混合
されるため、ペースト化する際に、粉末の分散性が向上
し、ビヒクルに対する親和性の向上と相俟つて、混合時
間を大幅に短縮することができる。
また、本発明では、表面改質剤を使用することにより、
M10jlC対するカップリング剤の作用、および、ビ
ヒクルとの親和性の悪いシリカ(Sin、)の表面に対
する表(2)活性剤の作用により、分散性ケよくして、
粉末の峡集を防止できると共に、ペーストの粘度を低減
して印刷性を向上している。
M10jlC対するカップリング剤の作用、および、ビ
ヒクルとの親和性の悪いシリカ(Sin、)の表面に対
する表(2)活性剤の作用により、分散性ケよくして、
粉末の峡集を防止できると共に、ペーストの粘度を低減
して印刷性を向上している。
以下、本発明の実#例について評#Iに説明する。
〈実施例1〉
本![例のムライトベーストの配合tは、次に示すとお
りである。
りである。
ムライト粉末 560g焼結助剤
144]〜280!アルミナCA
I、0.)・・・7〜21wt%石英(Sin、 )
”−70〜90tttt%MlCO,・・・6〜Q
Qwt% ビヒクル 400〜500!ポリ
ビニルブチラール、エチルセルロース、メタアクリレー
ト等を浴剤に浴剤したもの表血改買剤
1〜25表面活性剤 ライオン株式会社裏エソミンT/15 チタネート糸カップリング剤 味の素株式会社製プレンアクトTTS 上記配合濾の範囲は、ムライト粉末の重を一定にして決
めたものである。
144]〜280!アルミナCA
I、0.)・・・7〜21wt%石英(Sin、 )
”−70〜90tttt%MlCO,・・・6〜Q
Qwt% ビヒクル 400〜500!ポリ
ビニルブチラール、エチルセルロース、メタアクリレー
ト等を浴剤に浴剤したもの表血改買剤
1〜25表面活性剤 ライオン株式会社裏エソミンT/15 チタネート糸カップリング剤 味の素株式会社製プレンアクトTTS 上記配合濾の範囲は、ムライト粉末の重を一定にして決
めたものである。
焼結助剤の友(工、この*[!曲を外れると、焼結した
時に画板にそりが発生する。なに、焼結助剤の配合量は
グリーンシートスリップに合わせる。
時に画板にそりが発生する。なに、焼結助剤の配合量は
グリーンシートスリップに合わせる。
ビヒクル輩は、この範囲より少なくなると、ペーストの
粘度およびチクノドaピー性か強くなり、印刷できなか
ったり、ピンホールか多くなって杷−性か忌くなる。ま
た、ビヒクルか多くなるとペーストのVilか低くなり
、印刷でのパターンのにじみが生じやすり、シかも、換
厚か薄くなって杷威性か低くなる。この場合、渦い絶縁
性を%るには、印Al11回数か多(して膜厚を厚くて
れはよいが、パターンのにじみか太ぎくなる欠点かある
。
粘度およびチクノドaピー性か強くなり、印刷できなか
ったり、ピンホールか多くなって杷−性か忌くなる。ま
た、ビヒクルか多くなるとペーストのVilか低くなり
、印刷でのパターンのにじみが生じやすり、シかも、換
厚か薄くなって杷威性か低くなる。この場合、渦い絶縁
性を%るには、印Al11回数か多(して膜厚を厚くて
れはよいが、パターンのにじみか太ぎくなる欠点かある
。
次面Cg、負剤の濾は、この範囲より少ないと効果かな
く、ペーストの粘度増大、粉末の幾染か匙こりやすい。
く、ペーストの粘度増大、粉末の幾染か匙こりやすい。
この範囲より多くなると、スルーホールに使用するFペ
ーストや、ムライトグリーンシートとの接層性が忌(な
り、印刷したパターンの脱法か起こりやすい。なお、ビ
ヒクルのミラ多りレないと印刷できない場合、印刷厚族
を厚(するためには、ゲル化割を0.1〜Q、5wt%
(ペーストに対して)奈刀口してもよい。
ーストや、ムライトグリーンシートとの接層性が忌(な
り、印刷したパターンの脱法か起こりやすい。なお、ビ
ヒクルのミラ多りレないと印刷できない場合、印刷厚族
を厚(するためには、ゲル化割を0.1〜Q、5wt%
(ペーストに対して)奈刀口してもよい。
上ffiペーストの装造は、帛1図に示す工程により行
なう。
なう。
先ず、gP、結助剤な構成する原料成分であるアルミナ
(At、03) 、石英(、S&(jt)およびtWg
cOsを、800〜1250℃で空気中において10分
間仮焼成する。
(At、03) 、石英(、S&(jt)およびtWg
cOsを、800〜1250℃で空気中において10分
間仮焼成する。
この場合、800℃以下ではペースト化する場合にゲル
化し禦す(,1250℃以上になると焼Mにより粘径が
大き(なり、粉砕か1嫉となる。
化し禦す(,1250℃以上になると焼Mにより粘径が
大き(なり、粉砕か1嫉となる。
次に、焼結助剤とムライト樹木を混合してボールミルを
用いて粉砕する。この場合、ボールミル処理は、エチル
アルコールと混合して行5m式と、粉末のままで行う乾
式のどちらでもよい。処理時間は、湿式で24〜72時
間、礼式で2〜4時間か適当である。また、ライカイ債
を便用する場合には、4〜8時間で良い。
用いて粉砕する。この場合、ボールミル処理は、エチル
アルコールと混合して行5m式と、粉末のままで行う乾
式のどちらでもよい。処理時間は、湿式で24〜72時
間、礼式で2〜4時間か適当である。また、ライカイ債
を便用する場合には、4〜8時間で良い。
ビヒクルを加えてペースト化する′tM5dは、ボール
ミル、ライカイ慎、3ネロールミル等で十分効果かある
。その場合の混蛯時間は、ボールミルで27〜48時間
、また、ライカイ債で4〜8時間である。5ネロールミ
ルの場合、ロール間のキャンプを20〜40μmにして
ペースト全電を2〜5回通すことにより処理するが、処
理時間は2〜4時間である。
ミル、ライカイ慎、3ネロールミル等で十分効果かある
。その場合の混蛯時間は、ボールミルで27〜48時間
、また、ライカイ債で4〜8時間である。5ネロールミ
ルの場合、ロール間のキャンプを20〜40μmにして
ペースト全電を2〜5回通すことにより処理するが、処
理時間は2〜4時間である。
上記のようにして製造したムライトペーストを使用して
、ムライト基板のF)l定位置に予め設定したパターン
を印刷して9i5成し、杷禮層および輛預層を形成する
。
、ムライト基板のF)l定位置に予め設定したパターン
を印刷して9i5成し、杷禮層および輛預層を形成する
。
次に、多層部−−4板に使用するムライト画板について
説明する。
説明する。
ムライト基板は、その原料を次に示す配合量でボールミ
ル混合したムライトスリップを、ドクターブレード法に
よりシート厚Q、25mm のグリーンシートに成形
し、これに必資に応じ℃@径0.15mmのスルーホー
ルをNcパンチで形成する。
ル混合したムライトスリップを、ドクターブレード法に
よりシート厚Q、25mm のグリーンシートに成形
し、これに必資に応じ℃@径0.15mmのスルーホー
ルをNcパンチで形成する。
ムライトスリップ配合量
ムライト粉末 72〜755アルミナ
1.8〜2.59石英
22〜25yポリビニールブチラール
6〜7!I可塑剤 2
〜31トリクaルエチレン 88〜89!!
テトラクロルエチレン 27〜28!ループチ
ルアルコール 17〜19!このようにして、
第2図(B)に示すように、スルーホール14を形成し
たグリーンシート10′に、導電ペーストとI、”CF
ペーストをスルーホール14・に光項した彼、メタライ
ズ層16となる配−用、封止用およびビンろう何は用の
4電都パターン13’を4電ペーストを使用して印刷す
る。
1.8〜2.59石英
22〜25yポリビニールブチラール
6〜7!I可塑剤 2
〜31トリクaルエチレン 88〜89!!
テトラクロルエチレン 27〜28!ループチ
ルアルコール 17〜19!このようにして、
第2図(B)に示すように、スルーホール14を形成し
たグリーンシート10′に、導電ペーストとI、”CF
ペーストをスルーホール14・に光項した彼、メタライ
ズ層16となる配−用、封止用およびビンろう何は用の
4電都パターン13’を4電ペーストを使用して印刷す
る。
!ペーストによる各パターン15′の印刷が光子したら
、封止用およびピンろう何は用の尋′亀部パターン13
′の南都に、第2図CB)に示すように。
、封止用およびピンろう何は用の尋′亀部パターン13
′の南都に、第2図CB)に示すように。
補強層11を栴成する補強層パターン11′をムライト
ペーストを用い℃印刷する。また、導体層と杷−層を父
互にスクリーン印刷で行う印刷多層法では、配顧用導1
!部パターン15′をWペーストで形成した後、ムライ
トペーストで50〜100μmの厚さの絶縁用パターン
12’ L、丹び、配緘用尋亀部パターン13’?rペ
ーストにより印刷して形成する。
ペーストを用い℃印刷する。また、導体層と杷−層を父
互にスクリーン印刷で行う印刷多層法では、配顧用導1
!部パターン15′をWペーストで形成した後、ムライ
トペーストで50〜100μmの厚さの絶縁用パターン
12’ L、丹び、配緘用尋亀部パターン13’?rペ
ーストにより印刷して形成する。
配W=仮は、上記のようにして、ムライト基板10とな
るグリーンシート10′上に一?!r橿パターンを印刷
した汝、そのまま、または、核層する場合には、各シー
ト10′を核層し、外形切断してから還元雰囲気で16
00〜166011(’で1〜3時間かけて焼結する。
るグリーンシート10′上に一?!r橿パターンを印刷
した汝、そのまま、または、核層する場合には、各シー
ト10′を核層し、外形切断してから還元雰囲気で16
00〜166011(’で1〜3時間かけて焼結する。
焼結した恭敬10のメタライズ層130部分にNiおよ
びAμめっきした波、シンター処理し、この基板に、接
続用ピンをろう付けした後、ICおよびLSIチップを
ハンダ付けし、封止キャップを)1ンダ付けして、多層
配、−晶板か製作される。
びAμめっきした波、シンター処理し、この基板に、接
続用ピンをろう付けした後、ICおよびLSIチップを
ハンダ付けし、封止キャップを)1ンダ付けして、多層
配、−晶板か製作される。
上記のようにして製作された配廊禽仮については、メタ
ライズ層のはがれ、メタライズ近傍のムライト基板表面
のクラックが生じなかった。
ライズ層のはがれ、メタライズ近傍のムライト基板表面
のクラックが生じなかった。
本発明のムライトペーストによれは、ゲル化することな
く形成でき、また、スクリーン版のメツシュに目詰まり
することなく印刷することかできる。
く形成でき、また、スクリーン版のメツシュに目詰まり
することなく印刷することかできる。
また、本発明によれは、上り己ムライトペーストを使用
して、ムライト基板に、多層配縁に必安な絶遂層、およ
び、メタライズの強度向上に必要な補強層を形成して、
メタライズ1−の剥れや、亀裂の発生を防止でき、また
、焼結収紬率の不安定による基板のそりの発生を押え、
寸法n度の悪化を押えて、ムライト基板による配w:h
坂を実現することかできる。
して、ムライト基板に、多層配縁に必安な絶遂層、およ
び、メタライズの強度向上に必要な補強層を形成して、
メタライズ1−の剥れや、亀裂の発生を防止でき、また
、焼結収紬率の不安定による基板のそりの発生を押え、
寸法n度の悪化を押えて、ムライト基板による配w:h
坂を実現することかできる。
その舶来、本発明によれは、従来のアルミナ基板で問題
とされた信号伝送速度か遅いこと、また、IC等の半導
体基板との熱膨張率の走が太き(、接続の信頼性に欠け
ろことを解決した記載基板を実現することができる。
とされた信号伝送速度か遅いこと、また、IC等の半導
体基板との熱膨張率の走が太き(、接続の信頼性に欠け
ろことを解決した記載基板を実現することができる。
第1図は本発明のムライトペーストの製造工程を示す工
程図、第2図CA)およびCB)は本発明か通用される
配緘基板の捕遺を楔穴的に示す要fIPSvr面図、第
5図は従来の一般的なペースト製造工程を示す工程図、
第4図は従来のペースト裏道技術により製造されたペー
ストによるスクリーン版のメツシュ目詰まりの次感を示
す拡大平面図である。 10(10’)・・・ムライト基板(グリーンシート)
11(10’)・・・補強層(補強層パターン)12(
12’)・・・絶縁層(絶縁用パターン)15(15’
)・・・メタライズ#(4電部パターン)14・・・ス
ルーホール 15・・・メツシュ 16・・・ペースト
程図、第2図CA)およびCB)は本発明か通用される
配緘基板の捕遺を楔穴的に示す要fIPSvr面図、第
5図は従来の一般的なペースト製造工程を示す工程図、
第4図は従来のペースト裏道技術により製造されたペー
ストによるスクリーン版のメツシュ目詰まりの次感を示
す拡大平面図である。 10(10’)・・・ムライト基板(グリーンシート)
11(10’)・・・補強層(補強層パターン)12(
12’)・・・絶縁層(絶縁用パターン)15(15’
)・・・メタライズ#(4電部パターン)14・・・ス
ルーホール 15・・・メツシュ 16・・・ペースト
Claims (5)
- 1.ムライト粉末に、Al_2O_3、SiO_2およ
びMgOからなる焼結助剤と、ビヒクルと、表面改質剤
とを混合してペースト化したことを特徴とするムライト
ペースト。 - 2.上記焼結助剤として、Al_2O_3,SiO_2
およびMgOの焼結体対を粉砕した粉末を使用する請求
項1記載のムライトペースト。 - 3.上記Al_2O_3,SiO_2およびMgOの焼
結体として、Al_2O_3,SiO_2およびMgC
O_3を800〜1250℃で仮焼成したものを使用す
る請求項2記載のムライトペースト。 - 4.ムライト基板に、該基板に設けられるメタライズ層
を補強する、上配ムライトペーストにて形成した補強層
を設けた請求項1,2または3記載の配線基板。 - 5.ムライト基板に、上記ムライトペーストにて形成し
た絶縁層を設けた請求項1,2または3記載の配線基板
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9130488A JPH01264105A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9130488A JPH01264105A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01264105A true JPH01264105A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14022725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9130488A Pending JPH01264105A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01264105A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62172784A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | 株式会社日立製作所 | セラミツク配線基板とその製造方法 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9130488A patent/JPH01264105A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62172784A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | 株式会社日立製作所 | セラミツク配線基板とその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2005039263A1 (ja) | 多層セラミック基板及びその製造方法並びにこれを用いた電子機器 | |
JP2003040668A (ja) | 低温焼成セラミック焼結体およびその製造方法、並びに配線基板 | |
JPH01264105A (ja) | ムライトペーストおよびこのペーストを使用した配線基板 | |
JPS62224952A (ja) | 熱伝導性基板 | |
JPS6350345A (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
JPH1179828A (ja) | アルミナセラミックス基板の製造方法 | |
JPS6049149B2 (ja) | 電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法 | |
JPH0249265B2 (ja) | ||
JP3358569B2 (ja) | 回路基板用結晶化ガラス組成物、結晶化ガラス焼結体、絶縁体組成物、絶縁体ペーストおよび厚膜回路基板 | |
JPS61168564A (ja) | セラミツク絶縁基板 | |
JPH0350149A (ja) | セラミックグリーンシートの製造方法 | |
JPH04114931A (ja) | ガラスセラミック焼結体の製法 | |
JP2001039735A (ja) | 結晶化ガラス組成物及びその焼結体、並びに、それを用いた回路基板 | |
JPH0873233A (ja) | ガラスセラミックスグリーンシートの製造方法 | |
JPH08283066A (ja) | 低温焼成セラミック基板 | |
JPH06316463A (ja) | セラミック多層回路板用原料粉末および微結晶セラミック多層回路板 | |
JPH06139814A (ja) | 導体ペースト | |
JPH01100958A (ja) | 樹脂被覆セラミック配線基板 | |
JP2005123460A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
JPH0634442B2 (ja) | ムライト配線基板の製造方法 | |
JPH06227858A (ja) | セラミックス基板 | |
JPH01155686A (ja) | 窒化アルミニウム多層基板およびその製造方法 | |
JPS60245152A (ja) | 半導体装置実装用焼成基板およびその製造方法 | |
JPS6021855A (ja) | 低温焼結磁器の製造方法 | |
JPH01155685A (ja) | 窒化アルミニウム多層基板の製造方法 |