JPS60245152A - 半導体装置実装用焼成基板およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置実装用焼成基板およびその製造方法Info
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- JPS60245152A JPS60245152A JP59100389A JP10038984A JPS60245152A JP S60245152 A JPS60245152 A JP S60245152A JP 59100389 A JP59100389 A JP 59100389A JP 10038984 A JP10038984 A JP 10038984A JP S60245152 A JPS60245152 A JP S60245152A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
10発明の技術分野
本発明は、工0.L8工 などの半導体装置を塔載する
ための焼成基板に関するものでめる。本発明を、複数個
の半導体装置チップを塔載する多層回路基板に適用する
ことは特に好1[7い。 ゛b、技術の背景 半導体装置(例えば、LE3I)は、近年、高性能、高
集積化されてきているとはいえ、複数のLSI チップ
でもってひとつのシステム(あるいはユニット)を構成
する場合に、従来の実装方法ではひとつのチップを有す
るDIP 形パッケージヲ複数個プリント基板に取り付
けていた。しかしながら、この実装方法ではチップ間を
接続する配線や負荷による遅延時間が問題となplより
高密度実装する方法が提案されてきた。例えば、合成樹
脂材料を用いた多層回路基板に複数チップを塔載する方
法であシ、この場合には、チップの発熱が問題となって
、合成mm基板は耐熱が不十分であり、熱伝導−4?7
+L低く、そして熱膨張係数がチップの半2.9体材料
とは違っているなとの問題かある。
ための焼成基板に関するものでめる。本発明を、複数個
の半導体装置チップを塔載する多層回路基板に適用する
ことは特に好1[7い。 ゛b、技術の背景 半導体装置(例えば、LE3I)は、近年、高性能、高
集積化されてきているとはいえ、複数のLSI チップ
でもってひとつのシステム(あるいはユニット)を構成
する場合に、従来の実装方法ではひとつのチップを有す
るDIP 形パッケージヲ複数個プリント基板に取り付
けていた。しかしながら、この実装方法ではチップ間を
接続する配線や負荷による遅延時間が問題となplより
高密度実装する方法が提案されてきた。例えば、合成樹
脂材料を用いた多層回路基板に複数チップを塔載する方
法であシ、この場合には、チップの発熱が問題となって
、合成mm基板は耐熱が不十分であり、熱伝導−4?7
+L低く、そして熱膨張係数がチップの半2.9体材料
とは違っているなとの問題かある。
−万、セラミ’)り多1曽回路基板は合成樹脂製のもの
よりも態勢性および熱伝導性が良くかつ熱膨張係数かチ
ップ半導体に近いので、各種の提案がなさイ1.ている
(例えば、田村敬;「マルチチップパッケージ用セラミ
7り多層基板」、電子材料、VO’1.21 、 No
、 11 、1982年11月号、(株)工業Wム1i
!]−会、99.64−69.74、参照)。
よりも態勢性および熱伝導性が良くかつ熱膨張係数かチ
ップ半導体に近いので、各種の提案がなさイ1.ている
(例えば、田村敬;「マルチチップパッケージ用セラミ
7り多層基板」、電子材料、VO’1.21 、 No
、 11 、1982年11月号、(株)工業Wム1i
!]−会、99.64−69.74、参照)。
C1従来技術と問題点
セラミック多層回路基板ケアルミナとカラスとの混合物
の焼結によって栴1jZ−する場合に、アルミナの割合
が商いと焼結温度も高くなり、配線導体にモリブデン又
はタングステンなとの尚融点金属相石奮用いなければな
らない。しかしながら、これら尚融虞金へ材料′て゛は
電気抵抗が比較的高いので、銅、金、銀りるいはいずれ
かの合金などの尚導電性金属材料を使用することが望ま
し、い。また、アルミナは誘′a率が8〜9.5と高く
@′号の伝導遅延につながるので、誘電率のより小ぢい
材料を混合割合を筒めて使用するのか望−ましい。そこ
で、アルミナと比べると融点が低くかつ誘電率が低いガ
ラスの割合を高りて、焼結温度をこれら高4電性金属材
料の融点(銅の融点1083℃、金の融点1063℃、
銀の融点961℃よりも低くシ、かつ誘電率を下げたガ
ラス−セラミック多層基板が提案され−Cいた(例えば
、本出願人による特願昭57−101990号、昭和5
7年6月16日出願日、参照)。この場合には、アルミ
ナおよび硼珪酸ガラス等からなる基体と銅等の高導電性
材料との焼結基板である。この焼成基板では焼成温度が
800ないし900℃と比較的低く設足されておシ、バ
インダー抜きが十分に行なわれないので、回路基板の絶
縁耐圧が低くなる欠点があった。lだ、高密度実装する
ためには、基板の祠密な寸法制御(すなわち、焼成時の
収縮が一定でかつ再現性が良いこと)が1童であるが、
従来は収縮が約20%と大きくかつ±1%もバラツクこ
とかあった。
の焼結によって栴1jZ−する場合に、アルミナの割合
が商いと焼結温度も高くなり、配線導体にモリブデン又
はタングステンなとの尚融点金属相石奮用いなければな
らない。しかしながら、これら尚融虞金へ材料′て゛は
電気抵抗が比較的高いので、銅、金、銀りるいはいずれ
かの合金などの尚導電性金属材料を使用することが望ま
し、い。また、アルミナは誘′a率が8〜9.5と高く
@′号の伝導遅延につながるので、誘電率のより小ぢい
材料を混合割合を筒めて使用するのか望−ましい。そこ
で、アルミナと比べると融点が低くかつ誘電率が低いガ
ラスの割合を高りて、焼結温度をこれら高4電性金属材
料の融点(銅の融点1083℃、金の融点1063℃、
銀の融点961℃よりも低くシ、かつ誘電率を下げたガ
ラス−セラミック多層基板が提案され−Cいた(例えば
、本出願人による特願昭57−101990号、昭和5
7年6月16日出願日、参照)。この場合には、アルミ
ナおよび硼珪酸ガラス等からなる基体と銅等の高導電性
材料との焼結基板である。この焼成基板では焼成温度が
800ないし900℃と比較的低く設足されておシ、バ
インダー抜きが十分に行なわれないので、回路基板の絶
縁耐圧が低くなる欠点があった。lだ、高密度実装する
ためには、基板の祠密な寸法制御(すなわち、焼成時の
収縮が一定でかつ再現性が良いこと)が1童であるが、
従来は収縮が約20%と大きくかつ±1%もバラツクこ
とかあった。
d1発明の目的
本発明の目的は、従来よりも十分なバインダー抜きを行
なうことができて絶縁耐圧が高められ、誘電率が不埒く
され、かつ焼成時の収縮が小さくちれた半導体装置火装
用のガラス−セラミック焼成基板?提供することである
。また、本発明の別の目的はこの焼成基板の製造方法を
提供1−ることでおる。
なうことができて絶縁耐圧が高められ、誘電率が不埒く
され、かつ焼成時の収縮が小さくちれた半導体装置火装
用のガラス−セラミック焼成基板?提供することである
。また、本発明の別の目的はこの焼成基板の製造方法を
提供1−ることでおる。
e1発発明)構成
上述の目的が、筒導電性金属配線層を有し、アルミナと
、硼珪酸ガラスと、窒化アルミニウムとの焼成体からな
る半導体装置実装用焼成基板によって達成ちれる。そし
てこの焼成基板を製造する方法d1アルミナ粉末と、硼
珪酸ガラス粉末と、アルミニウム粉末と會バインダーと
共に混練しグリーンシートを形成し、このグリーンシー
ト上に尚導電性金属のペーストに配線パターンに印刷(
−1そして、クリーンシート電ラミネートし、窒素雰囲
気中で焼pyすることを営んでなる。
、硼珪酸ガラスと、窒化アルミニウムとの焼成体からな
る半導体装置実装用焼成基板によって達成ちれる。そし
てこの焼成基板を製造する方法d1アルミナ粉末と、硼
珪酸ガラス粉末と、アルミニウム粉末と會バインダーと
共に混練しグリーンシートを形成し、このグリーンシー
ト上に尚導電性金属のペーストに配線パターンに印刷(
−1そして、クリーンシート電ラミネートし、窒素雰囲
気中で焼pyすることを営んでなる。
面専電性金属か銅、金、銀又はこれら金属のいずれかの
合金′t″あることは好ましい。
合金′t″あることは好ましい。
アルミナと、硼珪酸ガラスと、アルミニウムとの混合物
を焼成する温度は、グリーンシート形成のために添加し
たバインダー抜きを十分に行なうために、従来の800
〜900℃よりも尚くかつ上述した尚導電性金属の融点
よりも少し低い温度であるのが好ましく、そうなるよう
に混合割合を次のようにするのが望ましい。
を焼成する温度は、グリーンシート形成のために添加し
たバインダー抜きを十分に行なうために、従来の800
〜900℃よりも尚くかつ上述した尚導電性金属の融点
よりも少し低い温度であるのが好ましく、そうなるよう
に混合割合を次のようにするのが望ましい。
アルミナ:20〜7 Q wf%
(好゛ましくは20〜5 Q wf%)硼珪酸ガラス:
20〜7 Q wf% (好貰しくけ40〜5 Q wf%) アルミニウム=10〜40 Wf裂 (好筐しくは10〜20 Wf%) アルミニウム粉末は窒素雰囲気中で加熱てれると窒素と
反応しで窒化7^ミニウムとなり、その際に体積が1.
7倍に増加するので、焼成時の収縮を補償して収縮率を
小さくすることができる。窒化アルミニウムの誘電率は
8〜9である。なお、アルミナの誘電率は8〜9であp
lそして硼珪酸ガラスの誘電率は4〜5である。
20〜7 Q wf% (好貰しくけ40〜5 Q wf%) アルミニウム=10〜40 Wf裂 (好筐しくは10〜20 Wf%) アルミニウム粉末は窒素雰囲気中で加熱てれると窒素と
反応しで窒化7^ミニウムとなり、その際に体積が1.
7倍に増加するので、焼成時の収縮を補償して収縮率を
小さくすることができる。窒化アルミニウムの誘電率は
8〜9である。なお、アルミナの誘電率は8〜9であp
lそして硼珪酸ガラスの誘電率は4〜5である。
f、笑雄側
以下、本発明を1配芙施例によって詳細に目;l四重る
。
。
アルミナ粉末、砿珪版カラス粉末およびアルミニウム粉
末をボールミルに入れ、さらに俗剤、可塑剤、樹脂のバ
インダーを加えて48時間ミリングしてスラリーとした
。このスラリーの組成ヲ第1表に示す。
末をボールミルに入れ、さらに俗剤、可塑剤、樹脂のバ
インダーを加えて48時間ミリングしてスラリーとした
。このスラリーの組成ヲ第1表に示す。
第1表
このスラリーtドクターブレード法によって厚さ0.3
4mのグリーンシートに成形した。このグリーンシート
を所定寸法に切断し、バイアホールの形成の拐抜きを行
った。粘度を30〜100P(ポアズ)に調整した銅ペ
ース) k−スクリーン印刷法でもって、丑ずバイアホ
ールに充填1次に信号層あるいは電源層となる導体配線
パターン會グリーンシート上に形成した。このようなグ
リーンシートを積層して、130℃に加熱しながら30
分間30MPaの加圧でラミネートした。ラミネートし
たもの全アルミニウムが窒素と反応しかつ銅ベーストが
酸化しないように窒素雰囲気(酸系@度5 ppm以下
)中にて焼成した。焼成は、まず、400℃の温度で1
0時間、800〜900℃の温度で10時間、そして1
000℃の温度で5時間加熱することによって行なった
。酸素磯度はできるだけ低くしたほうが良いが、市販の
窒素ガスは2〜31)pmの酸素が含有されていること
などから多少存在するも、51)Pm以下程度であれば
実際上は問題はない。
4mのグリーンシートに成形した。このグリーンシート
を所定寸法に切断し、バイアホールの形成の拐抜きを行
った。粘度を30〜100P(ポアズ)に調整した銅ペ
ース) k−スクリーン印刷法でもって、丑ずバイアホ
ールに充填1次に信号層あるいは電源層となる導体配線
パターン會グリーンシート上に形成した。このようなグ
リーンシートを積層して、130℃に加熱しながら30
分間30MPaの加圧でラミネートした。ラミネートし
たもの全アルミニウムが窒素と反応しかつ銅ベーストが
酸化しないように窒素雰囲気(酸系@度5 ppm以下
)中にて焼成した。焼成は、まず、400℃の温度で1
0時間、800〜900℃の温度で10時間、そして1
000℃の温度で5時間加熱することによって行なった
。酸素磯度はできるだけ低くしたほうが良いが、市販の
窒素ガスは2〜31)pmの酸素が含有されていること
などから多少存在するも、51)Pm以下程度であれば
実際上は問題はない。
このようにして製造されたガラス−セラミック多層(ロ
)路基板は、その焼結″a度が98チ以上と高く、樹脂
バインダーの炭素残置が40 pPmと少ないので高い
絶縁耐圧を示し、かつ焼成時の体積収縮率が約10%で
めった。この収縮率の再現性は±0.8%でめり、従来
よりも正確な寸法制御が可能となる。また、焼成基板の
曲は強度が20〜30 Kg / m” と優れ、誘電
率が6と低いので、伝送遅延はF3 Q PS、名と小
さい。
)路基板は、その焼結″a度が98チ以上と高く、樹脂
バインダーの炭素残置が40 pPmと少ないので高い
絶縁耐圧を示し、かつ焼成時の体積収縮率が約10%で
めった。この収縮率の再現性は±0.8%でめり、従来
よりも正確な寸法制御が可能となる。また、焼成基板の
曲は強度が20〜30 Kg / m” と優れ、誘電
率が6と低いので、伝送遅延はF3 Q PS、名と小
さい。
g1発明の効果
本発明によれは、銅などの高導電性金属配線層を有し、
樹脂バインダーが十分に分解飛散して炭素残置の少ない
ことによる絶縁耐圧が高く、焼成時の収縮率が小さく、
誘電率の小さいガラス−セラミック回路基板が得られる
。複数個のL8エチップを塔載する場合だけでなく1個
のLSIチップを収答するパッケージにも本発明が適用
できる。
樹脂バインダーが十分に分解飛散して炭素残置の少ない
ことによる絶縁耐圧が高く、焼成時の収縮率が小さく、
誘電率の小さいガラス−セラミック回路基板が得られる
。複数個のL8エチップを塔載する場合だけでなく1個
のLSIチップを収答するパッケージにも本発明が適用
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、高4電住金属配線層を有し、アルミナと、硼珪酸ガ
ラスと、窒化アルミニウムとの焼成体からなる半導体装
置実装用焼成基板。 2、前記高導電性金属配線層は、銅、金、銀又はこれら
金属のいずれかの合金からなる特許請求の範囲第1項記
載の焼成基板。 3、 アルミナ粉末と、硼珪酸ガラス粉末と、アルミニ
ウム粉末とをバインダーと共に混練しグリーンシートを
形成し、このグリーンシート土に高導電性金属のベース
lr配線パターンに印刷し、そして、グリーンシート會
うミネーN〜、窒素雰囲気中で焼成1゛ることによって
製造される半導体装i1実装用焼成基板めIR寡ケ浅。 4、前記高導電性金属が銅、金、銀又はこれら金属のい
ずれかの合金でおる特許請求の範囲第3項記載の1LL
欠i氏。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59100389A JPS60245152A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体装置実装用焼成基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59100389A JPS60245152A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体装置実装用焼成基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60245152A true JPS60245152A (ja) | 1985-12-04 |
JPH0451059B2 JPH0451059B2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=14272639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59100389A Granted JPS60245152A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体装置実装用焼成基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60245152A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01317157A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-12-21 | Hitachi Ltd | 機能性セラミックス物品の製造方法 |
US5102749A (en) * | 1988-01-27 | 1992-04-07 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Electronic package comprising aluminum nitride and aluminum nitride-borosilicate glass composite |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59100389A patent/JPS60245152A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5102749A (en) * | 1988-01-27 | 1992-04-07 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Electronic package comprising aluminum nitride and aluminum nitride-borosilicate glass composite |
JPH01317157A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-12-21 | Hitachi Ltd | 機能性セラミックス物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0451059B2 (ja) | 1992-08-18 |
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