JPH01263569A - 半導体集積回路素子検査装置 - Google Patents
半導体集積回路素子検査装置Info
- Publication number
- JPH01263569A JPH01263569A JP63093083A JP9308388A JPH01263569A JP H01263569 A JPH01263569 A JP H01263569A JP 63093083 A JP63093083 A JP 63093083A JP 9308388 A JP9308388 A JP 9308388A JP H01263569 A JPH01263569 A JP H01263569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measuring
- temp
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路素子（以下ＩＣと呼ぶ）の検査
装置に関する。
装置に関する。
従来、オートハンドラをＩＣテスタに接続し、複数個の
ＩＣの電気的特性を測定する場合、被測定ＩＣは、全て
同一の温度条件の下にその電気的特性が測定されていた
。
ＩＣの電気的特性を測定する場合、被測定ＩＣは、全て
同一の温度条件の下にその電気的特性が測定されていた
。
上述した従来の測定方法は、測定（検査）される全ての
デバイスが同一温度条件となっている。 ＩＣの電気的
特性は通常Ｏ℃〜７０℃の温度範囲でその特性を保証す
る必要があるため、異なる温度条件での測定を行う。そ
の場合、従来のハンドラでは、−度測定を終了した後、
ハンドラ測定部の温度設定を変更し、再度ＩＣの測定を
行うことになる。
デバイスが同一温度条件となっている。 ＩＣの電気的
特性は通常Ｏ℃〜７０℃の温度範囲でその特性を保証す
る必要があるため、異なる温度条件での測定を行う。そ
の場合、従来のハンドラでは、−度測定を終了した後、
ハンドラ測定部の温度設定を変更し、再度ＩＣの測定を
行うことになる。
即ち、従来のハンドラでは、被測定ＩＣの温度が全て同
一であるため、温度特性を保証する上で測定を何回か繰
り返さなければならず、工程、工数の増加及びリード曲
りの可能性が増大するという欠点がある。
一であるため、温度特性を保証する上で測定を何回か繰
り返さなければならず、工程、工数の増加及びリード曲
りの可能性が増大するという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体集積回路素子
検査装置を提供することにある。
検査装置を提供することにある。
上述した従来のオートハンドラに対し、本発明は異なる
温度の測定部を複数個持っているという相違点を有する
。
温度の測定部を複数個持っているという相違点を有する
。
上記目的を達成するため１本発明の半導体集積回路素子
検査装置においては、半導体集積回路素子の電気的特性
を測定する複数の測定部を有し、各測定部による電気的
特性の温度条件を異ならせて設定したものである。
検査装置においては、半導体集積回路素子の電気的特性
を測定する複数の測定部を有し、各測定部による電気的
特性の温度条件を異ならせて設定したものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す断面図である。
図において、１はＩＣテスタの測定ヘッドである。
本発明はＩＣテスタの測定ヘッド１に２個の測定部８．
１０をその間に予備室９を配して設置し、各測定部８，
１０による電気的特性の温度条件を異ならせて設定した
ものである。実施例では、前段の測定部８の温度を２５
℃に、後段の測定部１０の温度を８０℃にそれぞれ設定
しである。３は半導体集積回路素子（ＩＣ） ４を測定
部に供給するオートハンドラ供給部、１２は測定部の工
Ｃ１１を収納するオートハンドラ収納部である。
１０をその間に予備室９を配して設置し、各測定部８，
１０による電気的特性の温度条件を異ならせて設定した
ものである。実施例では、前段の測定部８の温度を２５
℃に、後段の測定部１０の温度を８０℃にそれぞれ設定
しである。３は半導体集積回路素子（ＩＣ） ４を測定
部に供給するオートハンドラ供給部、１２は測定部の工
Ｃ１１を収納するオートハンドラ収納部である。
オートハンドラ供給部３上のＩＣ４は前段の測定部８に
送られ、そのＩＣ５は測定部８で接触子２と接触し、
ＩＣテスタ測定ヘッド１と電気的に接続され、ＩＣ５の
特性測定が行われる。このとき、８１℃定部８の温度条
件を、例えば常温（２５℃）としておけばＩＣ５の２５
℃での特性測定（テスト）が行われる。
送られ、そのＩＣ５は測定部８で接触子２と接触し、
ＩＣテスタ測定ヘッド１と電気的に接続され、ＩＣ５の
特性測定が行われる。このとき、８１℃定部８の温度条
件を、例えば常温（２５℃）としておけばＩＣ５の２５
℃での特性測定（テスト）が行われる。
次にＩＣ５は予備室９のＩＣ６の位置へ送られるが、測
定部８と測定部１０の間の予備室９を例えば高温（８０
℃）にしておき、測定部１０も８０℃としておけば、Ｉ
Ｃ６は測定部１０での測定を待つ間、予備室９の位置で
予備加熱され、十分に被測定温度になった状態で、測定
部１０へ送られ、接触子２と接触することにより８０℃
でのテストが行われる。もちろん、測定部８，１０、予
備室９の各々の部屋はＩＣ４、５、６、７が搬送される
間は外気と熱遮断用壁２１で遮断されているものとする
。このようにすればＩＣ４は２５℃。
定部８と測定部１０の間の予備室９を例えば高温（８０
℃）にしておき、測定部１０も８０℃としておけば、Ｉ
Ｃ６は測定部１０での測定を待つ間、予備室９の位置で
予備加熱され、十分に被測定温度になった状態で、測定
部１０へ送られ、接触子２と接触することにより８０℃
でのテストが行われる。もちろん、測定部８，１０、予
備室９の各々の部屋はＩＣ４、５、６、７が搬送される
間は外気と熱遮断用壁２１で遮断されているものとする
。このようにすればＩＣ４は２５℃。
８０℃のテスを経て収納部１２へ収納される。つまり、
ハンドラ内を一度通過するだけで異なる温度条件でのテ
ストを完了することができる。
ハンドラ内を一度通過するだけで異なる温度条件でのテ
ストを完了することができる。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２の断面図である。この場合、
例えば予備室１７及び測定部１８の温度条件を一５℃、
予備室１９及び測定部２０の温度条件を８０℃としてお
けば、ＩＣ４はハンドラ内を搬送されＩＣ１１の位置へ
収納されるまでに一５℃と８０℃でのテストが完了され
る。この実施例では予備室１７．１９を各々の測定部１
８．２０に対して設けであるため、測定部１８．２０の
温度を自由に設定してもデバイスが十分に熱的に安定な
状態で測定できるという利点がある。
例えば予備室１７及び測定部１８の温度条件を一５℃、
予備室１９及び測定部２０の温度条件を８０℃としてお
けば、ＩＣ４はハンドラ内を搬送されＩＣ１１の位置へ
収納されるまでに一５℃と８０℃でのテストが完了され
る。この実施例では予備室１７．１９を各々の測定部１
８．２０に対して設けであるため、測定部１８．２０の
温度を自由に設定してもデバイスが十分に熱的に安定な
状態で測定できるという利点がある。
以上説明したように本発明は温度の異なる測定部を少な
くも２つ以上設けることにより、オートハンドラにＩＣ
を一度通過させるだけで一定範囲の温度条件の下でのＩ
Ｃの温度特性の測定を行うことができるという効果があ
る。
くも２つ以上設けることにより、オートハンドラにＩＣ
を一度通過させるだけで一定範囲の温度条件の下でのＩ
Ｃの温度特性の測定を行うことができるという効果があ
る。
第１図は本発明の実施例１を示す断面図、第２図は本発
明の実施例２を示す断面図である。 １・・・ＩＣテスタの測定ヘッド ２・・・接触子３・
・・オートハンドラ供給部 ４・・・供給部にセットされたＩＣ
明の実施例２を示す断面図である。 １・・・ＩＣテスタの測定ヘッド ２・・・接触子３・
・・オートハンドラ供給部 ４・・・供給部にセットされたＩＣ
Claims (1)
- （１）半導体集積回路素子の電気的特性を測定する複数
の測定部を有し、各測定部による電気的特性の温度条件
を異ならせて設定したことを特徴とする半導体集積回路
素子検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093083A JPH01263569A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体集積回路素子検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093083A JPH01263569A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体集積回路素子検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01263569A true JPH01263569A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14072632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63093083A Pending JPH01263569A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体集積回路素子検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01263569A (ja) |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63093083A patent/JPH01263569A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01263569A (ja) | 半導体集積回路素子検査装置 | |
| TWI612318B (zh) | 用以控制測試器之半導體檢驗裝置 | |
| JPH10300823A (ja) | プローバの点検方法 | |
| JPH0424459Y2 (ja) | ||
| JPS60230026A (ja) | 半導体検査装置の温度測定装置 | |
| JPS63314475A (ja) | 導通検査装置 | |
| JP2526252B2 (ja) | 半導体素子の信頼性試験方法 | |
| KR0144830B1 (ko) | 반도체 회로 시험지그 온도 측정장치 | |
| JP2002131372A (ja) | 半導体デバイスの検査方法及び検査装置 | |
| JPH03185744A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS6236282Y2 (ja) | ||
| JPS6149434A (ja) | 半導体集積回路の検査方法 | |
| JPS6436040A (en) | Parametric inspection apparatus for semiconductor device | |
| JPS55158573A (en) | Ic testing system | |
| JPH113919A (ja) | Ｉｃ検査方法及びプローブカード | |
| JPH04329380A (ja) | 半導体素子の温度測定方法 | |
| JPH0472584A (ja) | 集積回路試験装置 | |
| JPH0220037A (ja) | 半導体装置検査方法 | |
| JPH04366776A (ja) | Ｉｃ試験装置 | |
| JPS58127181A (ja) | 半導体装置の信頼性測定装置 | |
| JPH0266955A (ja) | ウェーハ試験装置 | |
| JPH08124979A (ja) | 半導体素子の検査方法 | |
| JPS5932875A (ja) | 半導体熱抵抗測定装置 | |
| JPH0235382A (ja) | 集積回路の検査プログラムの作成方法及び集積回路の検査方法 | |
| JPH04177848A (ja) | 集積回路装置の検査方法 |