JPS58127181A - 半導体装置の信頼性測定装置 - Google Patents
半導体装置の信頼性測定装置Info
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- JPS58127181A JPS58127181A JP57008899A JP889982A JPS58127181A JP S58127181 A JPS58127181 A JP S58127181A JP 57008899 A JP57008899 A JP 57008899A JP 889982 A JP889982 A JP 889982A JP S58127181 A JPS58127181 A JP S58127181A
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- JP
- Japan
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- testing
- humidity resistance
- semiconductor device
- thermal stress
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
- G01R31/54—Testing for continuity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
- G01R31/52—Testing for short-circuits, leakage current or ground faults
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の信頼性測定装置に関し、特に耐湿
性の評価を行ない得る装置に関するものである。
性の評価を行ない得る装置に関するものである。
一般に半導体装置では信頼性評価のひとつとして耐湿性
があるが、この耐湿性を向上させるために素子の表面に
保護膜を形成することが行なわれる。しかしながら、こ
の保護膜は熱ストレス等の外力に比較的弱く、熱ストレ
スが素子の周辺部に応力として作用したような場合には
保護膜に応力集中が生じて保護膜にクラックが生じるこ
とがある。このようなりラックが生ずると素子のメタラ
イズへの水の浸透を許し、保護膜の本来の目的が達せら
れなくなる。
があるが、この耐湿性を向上させるために素子の表面に
保護膜を形成することが行なわれる。しかしながら、こ
の保護膜は熱ストレス等の外力に比較的弱く、熱ストレ
スが素子の周辺部に応力として作用したような場合には
保護膜に応力集中が生じて保護膜にクラックが生じるこ
とがある。このようなりラックが生ずると素子のメタラ
イズへの水の浸透を許し、保護膜の本来の目的が達せら
れなくなる。
ところで、前述した耐湿性試験として従来から（１）高
温高湿放置試験、（２）高温高湿バイアス試験、（３１
Ｐ ＣＴ （ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋ Ｔｅ５ｔ
）等が利用されている。しかしながら、これらの試験は
いずれも半導体装置を所定の榮件Ｔにおいて静的にその
耐湿性の良否を判定するものであり、単一のストレスの
みが半導体装置に加えられた状態での試験にすぎない。
温高湿放置試験、（２）高温高湿バイアス試験、（３１
Ｐ ＣＴ （ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋ Ｔｅ５ｔ
）等が利用されている。しかしながら、これらの試験は
いずれも半導体装置を所定の榮件Ｔにおいて静的にその
耐湿性の良否を判定するものであり、単一のストレスの
みが半導体装置に加えられた状態での試験にすぎない。
そ１．て、この種の耐湿性試験は、１０００〜２０００
ｈｒの長時間にわたって行なう必要があり、試験時間
が長くなり、また試験によっても保護膜のクラックは半
導体装置を分解（開封）して内部の素子を取り出すまで
は検査できないという問題が生じている。
ｈｒの長時間にわたって行なう必要があり、試験時間
が長くなり、また試験によっても保護膜のクラックは半
導体装置を分解（開封）して内部の素子を取り出すまで
は検査できないという問題が生じている。
したがって、本発明の目的は熱ストレス試験装置と耐湿
性試験装置とを一体に構成し、半導体装置を熱ストレス
試験と耐湿性試験とで組合せて試験を行なうことにより
、耐湿性試験時間の短縮を図ると共に保護膜のクラック
を未開封で検査することができる半導体装置の信頼性測
定装置を提供することにある。
性試験装置とを一体に構成し、半導体装置を熱ストレス
試験と耐湿性試験とで組合せて試験を行なうことにより
、耐湿性試験時間の短縮を図ると共に保護膜のクラック
を未開封で検査することができる半導体装置の信頼性測
定装置を提供することにある。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
図は本発明の信頼性測定装置の全体構成図であり、この
測定装置１は熱ストレス試験部２と耐湿性試験部３とを
一体的に並設している。また、熱ストレス試験部２の上
流位置にローダ４を、耐湿性試験部３の下流位置にはア
ンローダ５を、更に両試験部２，３の間には移送機６を
夫々設けており、ローダ４にセットされた半導体装置は
熱ストレス試験部２に移動されて熱ストレス試験を行な
った後、移送機６にて耐湿性試験部３に移動されてここ
で耐湿性試験を行ない、その後アンローダ５にてカート
リッジ７に収納される。８はアンロードされた半導体装
置の電気的な試験を行なうテスタである。
測定装置１は熱ストレス試験部２と耐湿性試験部３とを
一体的に並設している。また、熱ストレス試験部２の上
流位置にローダ４を、耐湿性試験部３の下流位置にはア
ンローダ５を、更に両試験部２，３の間には移送機６を
夫々設けており、ローダ４にセットされた半導体装置は
熱ストレス試験部２に移動されて熱ストレス試験を行な
った後、移送機６にて耐湿性試験部３に移動されてここ
で耐湿性試験を行ない、その後アンローダ５にてカート
リッジ７に収納される。８はアンロードされた半導体装
置の電気的な試験を行なうテスタである。
前記熱ストレス試験部２は所定周期の温度変化を生じさ
せるように作動し、例えば−５５〜１５０Ｃの間の温度
変化を１００サイクル行ない得るようにしている。また
、前記耐湿性試験部３は従来型のもの、つまり高温高湿
放置、高温高湿バイアス。
せるように作動し、例えば−５５〜１５０Ｃの間の温度
変化を１００サイクル行ない得るようにしている。また
、前記耐湿性試験部３は従来型のもの、つまり高温高湿
放置、高温高湿バイアス。
ＰＣＴ等の試験を行なうものが用いられる。
以上の構成によれば試験される半導体装置はローダ４か
ら熱ストレス試験部２に供給され、ここで所定の熱サイ
クルを受ける。次いで移送機６にて耐湿性試験部３に供
給され、ここで所定の湿度条件下におかれる。そして、
これらの試験の完了後にアンローダ５にてテスタ８に送
られ半導体装置の電気的な特性を検査する。この場合、
熱ストレス試験部２や耐湿性試験部３内にテスタ機能を
絹込むようにしてもよい。
ら熱ストレス試験部２に供給され、ここで所定の熱サイ
クルを受ける。次いで移送機６にて耐湿性試験部３に供
給され、ここで所定の湿度条件下におかれる。そして、
これらの試験の完了後にアンローダ５にてテスタ８に送
られ半導体装置の電気的な特性を検査する。この場合、
熱ストレス試験部２や耐湿性試験部３内にテスタ機能を
絹込むようにしてもよい。
したがって、この試験によれば、最初に熱ストレス試験
を行ない、次に耐湿性試験を行なうので、信頼性のない
ような半導体装置は熱ストレス試験において保護膜にク
ラックが生じ、クラックが生じた後は短時間の耐湿性試
験によってもその特性不良が生じるようになる。つまり
、換言すれば熱ストレス試験を最初に行なうことによっ
て耐湿性試験の時間を短縮しても充分に信頼性の試験を
行なうことができる。これにより、耐湿性試験の時間短
縮を図り得、同時にこの結果から半導体装置を開封しな
くとも保護膜のクラック状態を判定できる。
を行ない、次に耐湿性試験を行なうので、信頼性のない
ような半導体装置は熱ストレス試験において保護膜にク
ラックが生じ、クラックが生じた後は短時間の耐湿性試
験によってもその特性不良が生じるようになる。つまり
、換言すれば熱ストレス試験を最初に行なうことによっ
て耐湿性試験の時間を短縮しても充分に信頼性の試験を
行なうことができる。これにより、耐湿性試験の時間短
縮を図り得、同時にこの結果から半導体装置を開封しな
くとも保護膜のクラック状態を判定できる。
ここで、熱ストレス試験部と耐湿性試験部とは並設せず
に一体のケーシング内に組み入れ、時間の経過に伴なっ
て試験種目を変更できるような構成としてもよい。
に一体のケーシング内に組み入れ、時間の経過に伴なっ
て試験種目を変更できるような構成としてもよい。
以上のように本発明の信頼性測定装置によれば、熱スト
レス試験部と耐湿性試験部とを一体的に構成し、半導体
装置を熱ストレス試験および耐湿性試験の順で行ない得
るよう圧しているので、耐湿性試験時間の短縮を図ると
共に、未開封状態下での保護膜のクラックの判定を行な
うことができ、信頼性を高性能に測定することができる
等の効果を奏する。
レス試験部と耐湿性試験部とを一体的に構成し、半導体
装置を熱ストレス試験および耐湿性試験の順で行ない得
るよう圧しているので、耐湿性試験時間の短縮を図ると
共に、未開封状態下での保護膜のクラックの判定を行な
うことができ、信頼性を高性能に測定することができる
等の効果を奏する。
図は本発明の実施例を示す図である。
１・・・信頼性測定装置、２・・・熱ストレス試験部、
３・・・耐湿性試験部、４・・・ローダ、５・・・アン
ローダ、６・・・移送機。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸 ′°ｌゝ７．。 へ ゛。Ｊ、・ノ
３・・・耐湿性試験部、４・・・ローダ、５・・・アン
ローダ、６・・・移送機。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸 ′°ｌゝ７．。 へ ゛。Ｊ、・ノ
Claims (1)
- １、半導体装置に熱サイクルを与えて内部素子に熱スト
レスを作用させる熱ストレス試験部と、半導体装置を所
定の湿度条件に保持させる耐湿性試験部とを一体に構成
し、半導体装置を熱ストレス試験および耐湿性試験の順
で行ない得るように構成したことを特徴とする半導体装
置の信頼性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008899A JPS58127181A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 半導体装置の信頼性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008899A JPS58127181A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 半導体装置の信頼性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127181A true JPS58127181A (ja) | 1983-07-28 |
Family
ID=11705522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008899A Pending JPS58127181A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | 半導体装置の信頼性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127181A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121451A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Nec Corp | 半導体装置の試験法 |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP57008899A patent/JPS58127181A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121451A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Nec Corp | 半導体装置の試験法 |
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