JPH01260918A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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- JPH01260918A JPH01260918A JP63087370A JP8737088A JPH01260918A JP H01260918 A JPH01260918 A JP H01260918A JP 63087370 A JP63087370 A JP 63087370A JP 8737088 A JP8737088 A JP 8737088A JP H01260918 A JPH01260918 A JP H01260918A
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- JP
- Japan
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- apd
- diode
- protection resistor
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信システム等に用いられる光受信回路に関
する。
する。
まず、第２図を参照して、従来の光受信回路について説
明する。
明する。
光受信回路は光電気変換素子としてのアバランシェフォ
トダイオード（以下ＡＰＤという）２、ＡＰＤ２からの
電気信号を順次増幅する前置増幅器４．可変利得増幅器
（以下ＡＧＯという）５．及び主増幅器６を備えている
。主増幅器６からの出力信号はピーク検出回″ｍ７に入
力され、ここでピークレベルが検出される。検出された
ピークレベルは利得制御□□回路８に入力され、利得制
御回路８はこのピークレベルに基づいてＡＧ（：！ ５
及び高圧発生回路９を制御して。
トダイオード（以下ＡＰＤという）２、ＡＰＤ２からの
電気信号を順次増幅する前置増幅器４．可変利得増幅器
（以下ＡＧＯという）５．及び主増幅器６を備えている
。主増幅器６からの出力信号はピーク検出回″ｍ７に入
力され、ここでピークレベルが検出される。検出された
ピークレベルは利得制御□□回路８に入力され、利得制
御回路８はこのピークレベルに基づいてＡＧ（：！ ５
及び高圧発生回路９を制御して。
主増幅器６の出力信号の振幅を一定としている。
即ち、第６図に示すように、受光レベルが予め設定され
たしきい値よりも低い領域では、 ＡＧＣ５の利得を
一定とし、高圧発生回路９の出力電圧を変化させて、即
ち、保護抵抗器１を介してＡＰＤ２に加える逆バイアス
電圧を変化させて、ＡＰＤ２の増倍率Ｍを変化させる。
たしきい値よりも低い領域では、 ＡＧＣ５の利得を
一定とし、高圧発生回路９の出力電圧を変化させて、即
ち、保護抵抗器１を介してＡＰＤ２に加える逆バイアス
電圧を変化させて、ＡＰＤ２の増倍率Ｍを変化させる。
これによって、主増幅器６からの出力信号の振幅を一定
に制御している。一方、受光レベルが予め設定されたし
きい値よりも高い領域では、ＡＧＣ５の利得を変化させ
、高圧発生回路９の出力電圧を一定として、ＡＰＤ２の
増倍率Ｍを一定とする。これによって、主増幅器６から
の出力信号の振幅を一定に制御している。
に制御している。一方、受光レベルが予め設定されたし
きい値よりも高い領域では、ＡＧＣ５の利得を変化させ
、高圧発生回路９の出力電圧を一定として、ＡＰＤ２の
増倍率Ｍを一定とする。これによって、主増幅器６から
の出力信号の振幅を一定に制御している。
ところで、上述の光受信回路では、高圧発生回路９から
の出力電圧を保護用抵抗１を介してＡＰＤ ２の逆バイ
アス電圧として与えている。
の出力電圧を保護用抵抗１を介してＡＰＤ ２の逆バイ
アス電圧として与えている。
従って、第４図に示すように利得切換点（予め設定され
たしきい値）以上の受光ノベルでは光電流が平均受光電
力の増加に伴い指数関数的に増加するのに対し、利得制
御回路８はＡＧＣ５の利得を変化させ、かつ高圧発生回
路９の出力電圧を一定にするように動作するから、ＡＰ
Ｄ２に加わる逆バイアス電圧は保護用抵抗１によって高
圧発生回路９の出力電圧から光電流分だけ電圧降下する
。このため、受光レベルが高くなるにつれて、光電流の
増加に伴い逆バイアス電圧が減少し、ＡＰＤ２の増倍率
Ｍが減少して。
たしきい値）以上の受光ノベルでは光電流が平均受光電
力の増加に伴い指数関数的に増加するのに対し、利得制
御回路８はＡＧＣ５の利得を変化させ、かつ高圧発生回
路９の出力電圧を一定にするように動作するから、ＡＰ
Ｄ２に加わる逆バイアス電圧は保護用抵抗１によって高
圧発生回路９の出力電圧から光電流分だけ電圧降下する
。このため、受光レベルが高くなるにつれて、光電流の
増加に伴い逆バイアス電圧が減少し、ＡＰＤ２の増倍率
Ｍが減少して。
最大受光レベルが劣化するという問題点がある。
本発明は、受信光信号を電気信号に変換するＡＰＤと、
この電気信号を増幅するための前置増幅器、ＡＧＣ及び
主増幅器と、ＡＧＯの利得及びＡＰＤの増倍率をするた
めに用いられるピーク検出回路、利得制御回路及び高圧
発生回路と、ＡＰＤを保護する保護抵抗とを有する光受
信回路において、保護抵抗による電圧降下を順方向電圧
によりフリップするダイオード手段を有することを特徴
としている。
この電気信号を増幅するための前置増幅器、ＡＧＣ及び
主増幅器と、ＡＧＯの利得及びＡＰＤの増倍率をするた
めに用いられるピーク検出回路、利得制御回路及び高圧
発生回路と、ＡＰＤを保護する保護抵抗とを有する光受
信回路において、保護抵抗による電圧降下を順方向電圧
によりフリップするダイオード手段を有することを特徴
としている。
本発明では、保護用抵抗による電圧降下が。
ダイオード手段による順方向電圧でクリップされる。そ
の結果、平均受光電力の増加に伴う光流の増加に対する
ＡＰＤの逆バイアス電圧の低下が抑止される。
の結果、平均受光電力の増加に伴う光流の増加に対する
ＡＰＤの逆バイアス電圧の低下が抑止される。
以下本発明について実施例によって説明する。
なお、従来例と同一の構成要素については同一の番号を
付し、説明を省略する。
付し、説明を省略する。
第１図を参照して、この実施例では、保護用抵抗器１に
並列にダイオード１０が接続されており、このダイオー
ド１０のカソードはＡＰＤ２のカソードに接続され、ダ
イオード１０のアノードは高圧発生回路９に接続されて
いる。
並列にダイオード１０が接続されており、このダイオー
ド１０のカソードはＡＰＤ２のカソードに接続され、ダ
イオード１０のアノードは高圧発生回路９に接続されて
いる。
第５図も参照して、利得切換点以上の受光領域において
、利得制御回路８によって高圧発生回路９が制御されて
、その出力電圧が変化する。
、利得制御回路８によって高圧発生回路９が制御されて
、その出力電圧が変化する。
（０〜Ｖ、の範囲で変化する）。第５図（ａ）に示すよ
うに、ダイオード１０に流゛れる電流工１は保護用抵抗
１に流れる電流Ｉ２に比べて極めて大きくなり、その結
果、ダイオード１０と保護用抵抗１との並列回路の電圧
Ｖは極めて小さくなる。
うに、ダイオード１０に流゛れる電流工１は保護用抵抗
１に流れる電流Ｉ２に比べて極めて大きくなり、その結
果、ダイオード１０と保護用抵抗１との並列回路の電圧
Ｖは極めて小さくなる。
従って、平均光電流の増加に伴う光電流の増加に対して
高圧発生回路９からの電圧は第５図（１）１に示すとお
り、保護用抵抗１に並列接続されるダイオード１０の順
方向電圧分だけの電圧降下にクリップされ、ＡＰＤの逆
バイアス電圧として与えられる。
高圧発生回路９からの電圧は第５図（１）１に示すとお
り、保護用抵抗１に並列接続されるダイオード１０の順
方向電圧分だけの電圧降下にクリップされ、ＡＰＤの逆
バイアス電圧として与えられる。
以上説明したように本発明では、保護用抵抗にダイオー
ドを並列接続することにより、利得切換点以上の受光領
域において平均受光電力の増加に伴う光電流の増加に対
して高圧発生回路からの電圧の電圧降下がダイオードの
順方向電圧でクリップされ、その結果、ＡＰＤの逆バイ
アス電圧の減少及びＡＰＤの増倍率Ｍの低下を抑圧でき
、また最大受光レベルの劣化を軽減できるという効果が
ある。
ドを並列接続することにより、利得切換点以上の受光領
域において平均受光電力の増加に伴う光電流の増加に対
して高圧発生回路からの電圧の電圧降下がダイオードの
順方向電圧でクリップされ、その結果、ＡＰＤの逆バイ
アス電圧の減少及びＡＰＤの増倍率Ｍの低下を抑圧でき
、また最大受光レベルの劣化を軽減できるという効果が
ある。
第１図は本発明による光受信回路の一実施例を示すブロ
ック図、第２図は従来の光受信回路の−例をブロック図
、第３図は従来の光受信回路の利得切換特性を示す図、
第４図は従来の光受信回路の光電流、ＡＰＤ逆バイアス
特性を示す図、第５図（ａ）及びｔｌ）ｌはそれぞれダ
イオードと抵抗との並列回路を示す図及び抵抗とダイオ
ードの電流−電圧特性を示す図である。 １・・・保護用抵抗、２・・・アバランシェフォトダイ
オード（ＡＰＤ）、３・・・コンデンサ、４・・・前置
増幅器、５・・・可変利得増幅器、６・・・主増幅器。 ７・・・ピーク検出回路、８・・・利得制御回路、９・
・・高圧発生回路、１０・・・ダイオード。 第１図 第２図 錦３図 平均受光電力Ｐｒ叙Ｂ汎〕 トド ―
ック図、第２図は従来の光受信回路の−例をブロック図
、第３図は従来の光受信回路の利得切換特性を示す図、
第４図は従来の光受信回路の光電流、ＡＰＤ逆バイアス
特性を示す図、第５図（ａ）及びｔｌ）ｌはそれぞれダ
イオードと抵抗との並列回路を示す図及び抵抗とダイオ
ードの電流−電圧特性を示す図である。 １・・・保護用抵抗、２・・・アバランシェフォトダイ
オード（ＡＰＤ）、３・・・コンデンサ、４・・・前置
増幅器、５・・・可変利得増幅器、６・・・主増幅器。 ７・・・ピーク検出回路、８・・・利得制御回路、９・
・・高圧発生回路、１０・・・ダイオード。 第１図 第２図 錦３図 平均受光電力Ｐｒ叙Ｂ汎〕 トド ―
Claims (1)
- １、光信号を電気信号に変換する光電気変換素子と、該
光電気変換素子を保護するための保護用抵抗器と、該保
護用抵抗器を介して前記光電気変換素子に逆バイアス電
圧を加える電圧発生手段と、前記電気信号を増幅するた
めの可変利得増幅手段と、該可変利得増幅手段からの出
力に基づいて前記可変利得増幅手段及び前記電圧発生手
段を制御する制御手段とを有する光受信回路において、
前記保護用抵抗器による電圧降下をクリップするための
ダイオード手段を有することを特徴とする光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63087370A JPH01260918A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63087370A JPH01260918A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01260918A true JPH01260918A (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=13913009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63087370A Pending JPH01260918A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01260918A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0633517A2 (en) * | 1993-07-09 | 1995-01-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Bias circuit for avalanche photodiode |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168343A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Fujitsu Ltd | 光ａｇｃ回路 |
| JPS6313534A (ja) * | 1986-07-05 | 1988-01-20 | Nec Corp | バイアス電圧制御回路 |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63087370A patent/JPH01260918A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168343A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Fujitsu Ltd | 光ａｇｃ回路 |
| JPS6313534A (ja) * | 1986-07-05 | 1988-01-20 | Nec Corp | バイアス電圧制御回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0633517A2 (en) * | 1993-07-09 | 1995-01-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Bias circuit for avalanche photodiode |
| EP0633517A3 (en) * | 1993-07-09 | 1996-11-27 | Hamamatsu Photonics Kk | Polarization circuit for avalanche photodiode. |
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