JPH0327608A - 光ａｇｃ回路 - Google Patents
光ａｇｃ回路Info
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- JPH0327608A JPH0327608A JP1160739A JP16073989A JPH0327608A JP H0327608 A JPH0327608 A JP H0327608A JP 1160739 A JP1160739 A JP 1160739A JP 16073989 A JP16073989 A JP 16073989A JP H0327608 A JPH0327608 A JP H0327608A
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Links
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は光通信に用いるＡＰＤを使用した受信器に係り
、特に小受信電力時にＡＰＤの増倍率を一定に制御する
光受信器に関する．
、特に小受信電力時にＡＰＤの増倍率を一定に制御する
光受信器に関する．
光受信器では広範囲の受信電力に対して正常に動作する
ためにＡＧＣ機能が必要である．光受信器に用いるＡＧ
Ｃ回路として例えば「昭和５３年度電子通信学会総合全
国大会１９６７Ｊに述べられているようにＡＰＤの増倍
率を一定にしてＡＧＣアンプのみで利得を可変する方式
がある．この回路ではＡＰＤに直列に高抵抗を接続する
ことでＡＰＤを過大電流から保護している。
ためにＡＧＣ機能が必要である．光受信器に用いるＡＧ
Ｃ回路として例えば「昭和５３年度電子通信学会総合全
国大会１９６７Ｊに述べられているようにＡＰＤの増倍
率を一定にしてＡＧＣアンプのみで利得を可変する方式
がある．この回路ではＡＰＤに直列に高抵抗を接続する
ことでＡＰＤを過大電流から保護している。
しかし、かかる方法では次の問題点がある。
すなわち保護抵抗はＡＰＤ電流によって電圧降下を生じ
るので、受信電力の増加に伴い電流が増えてＡＰＤバイ
アス電圧が下って増倍率が下がる。 また伝送符号のマーク率変動やＡＰＤの暗電流の変化に
よってもＡＰＤバイアス電圧が変化し、特性劣化を招き
やすい． 本発明の目的は従来技術の問題点を解決するために、小
受信電力時にＡＰＤ電流によらず増倍率を一定に保ち、
大受信電力ではＡＰＤｆｆｉ流を一定にすることでＡＧ
Ｃ動作を行う回路を提供することにある．
るので、受信電力の増加に伴い電流が増えてＡＰＤバイ
アス電圧が下って増倍率が下がる。 また伝送符号のマーク率変動やＡＰＤの暗電流の変化に
よってもＡＰＤバイアス電圧が変化し、特性劣化を招き
やすい． 本発明の目的は従来技術の問題点を解決するために、小
受信電力時にＡＰＤ電流によらず増倍率を一定に保ち、
大受信電力ではＡＰＤｆｆｉ流を一定にすることでＡＧ
Ｃ動作を行う回路を提供することにある．
本発明は，定電圧源とＡＰＤの間にＡＰＤ電流が小さい
とき（小受信電力時）に抵抗特性，大きいとき（大受信
電力時）に定電流特性を示すバイアス回路を挿入するで
上記目的を達戒する．
とき（小受信電力時）に抵抗特性，大きいとき（大受信
電力時）に定電流特性を示すバイアス回路を挿入するで
上記目的を達戒する．
上記特性を持つバイアス回路を用いれば、小受信電力時
には受信電力が変化してもバイアス回路における電圧降
下が小さいためＡＰＤ増倍率変化を小さくでき、大受信
電力時にはバイアス回路が定電流源として働くためＡＰ
Ｄを過大電流から保護できると共にＡＧＣ動作をする。 （実施例】 以下、本発明の１実施例を第１図を用いて詳細に説明す
る． 第１図において、１はＡＰＤ．２はＦＥＴで構或される
バイアス回路、３は定電圧源、４はバイパスコンデンサ
，５はＡＰＤの負荷抵抗、６はブリアンプ、７はＡＧＣ
アンプである。 第２図にＦＥＴバイアス回路２のＩ−Ｖ特性を示す．Ｆ
ＥＴのドレインーソース電圧が０．５Ｖ以下では非飽和
動作により抵抗特性を示し、ＩＶ以上では飽和動作によ
って定電流特性を示す。ＦＥＴバイアス回路２の電流値
はＡＰＤＩの最大動作電流に設定する． 第３図に定電圧源３の温度特性を示す。 ＡＰＤの増倍率には温度依存性があるので，環境温度が
変化するとＡＰＤＩの増倍率が変化する。 増倍率を同図（Ａ）の特性ａの如く一定にするには、Ａ
ＰＤ電圧を同図（Ｂ）の特性ｂように変える必要がある
．一方、ＦＥＴバイアス回路２の端子電圧の温度特性は
Ｃのようになる．従って、定電圧源３の温度特性をｄの
ように設定すれば環境温度によらずＡＰＤＩの増倍率を
一定にできる．定電圧源３の電圧は、常温でＡＰＤＩの
増倍率が最小受信電力で最適値になるように設定する．
第４図にＡＧＣ動作図を示す． 受信電力が小さいときにはＡＰＤ電圧ｅ−ＦＥＴバイア
ス回路２の端子電圧ｆはほぼ一定になるので、ＡＰＤＩ
の増倍率ｈもほぼ一定になってＡＧＣアンプ７の利得は
特性ｇとなり、ＡＧＣ動作を行う．受信電力が大きい領
域ではＦＥＴバイアス回路２によりＡＰＤ電流（ｉ）が
一定になる。従って、受信電力に反比例してＡＰＤ増倍
率が下がり、ＡＧＣ動作となる。
には受信電力が変化してもバイアス回路における電圧降
下が小さいためＡＰＤ増倍率変化を小さくでき、大受信
電力時にはバイアス回路が定電流源として働くためＡＰ
Ｄを過大電流から保護できると共にＡＧＣ動作をする。 （実施例】 以下、本発明の１実施例を第１図を用いて詳細に説明す
る． 第１図において、１はＡＰＤ．２はＦＥＴで構或される
バイアス回路、３は定電圧源、４はバイパスコンデンサ
，５はＡＰＤの負荷抵抗、６はブリアンプ、７はＡＧＣ
アンプである。 第２図にＦＥＴバイアス回路２のＩ−Ｖ特性を示す．Ｆ
ＥＴのドレインーソース電圧が０．５Ｖ以下では非飽和
動作により抵抗特性を示し、ＩＶ以上では飽和動作によ
って定電流特性を示す。ＦＥＴバイアス回路２の電流値
はＡＰＤＩの最大動作電流に設定する． 第３図に定電圧源３の温度特性を示す。 ＡＰＤの増倍率には温度依存性があるので，環境温度が
変化するとＡＰＤＩの増倍率が変化する。 増倍率を同図（Ａ）の特性ａの如く一定にするには、Ａ
ＰＤ電圧を同図（Ｂ）の特性ｂように変える必要がある
．一方、ＦＥＴバイアス回路２の端子電圧の温度特性は
Ｃのようになる．従って、定電圧源３の温度特性をｄの
ように設定すれば環境温度によらずＡＰＤＩの増倍率を
一定にできる．定電圧源３の電圧は、常温でＡＰＤＩの
増倍率が最小受信電力で最適値になるように設定する．
第４図にＡＧＣ動作図を示す． 受信電力が小さいときにはＡＰＤ電圧ｅ−ＦＥＴバイア
ス回路２の端子電圧ｆはほぼ一定になるので、ＡＰＤＩ
の増倍率ｈもほぼ一定になってＡＧＣアンプ７の利得は
特性ｇとなり、ＡＧＣ動作を行う．受信電力が大きい領
域ではＦＥＴバイアス回路２によりＡＰＤ電流（ｉ）が
一定になる。従って、受信電力に反比例してＡＰＤ増倍
率が下がり、ＡＧＣ動作となる。
以上のように、本発明によれば受信器のダイナミックレ
ンジをＡＰＤ増倍率のダイナミックレンジとＡＧＣアン
プのダイナミックレンジの和まで拡大することができる
． また、ＡＰＤの最大電流が図４の（ｉ）のごとくＦＥＴ
バイアス回路の定電流値に制限されるため過大電流から
保護される．ＦＥＴバイアス回路は非飽和領域での抵抗
値ｄＶ／ｄＩが小さいために，ＡＰＤ保護のために直列
に高抵抗を接続した受信器と比較すると、伝送符号のマ
ーク率変化やＡＰＤの暗電流変化によるＡｐｐｆｆｉ流
の変化で生じる電圧降下が小さくなり、ＡＰＤの増倍率
変動に起因する感度劣化が小さい．
ンジをＡＰＤ増倍率のダイナミックレンジとＡＧＣアン
プのダイナミックレンジの和まで拡大することができる
． また、ＡＰＤの最大電流が図４の（ｉ）のごとくＦＥＴ
バイアス回路の定電流値に制限されるため過大電流から
保護される．ＦＥＴバイアス回路は非飽和領域での抵抗
値ｄＶ／ｄＩが小さいために，ＡＰＤ保護のために直列
に高抵抗を接続した受信器と比較すると、伝送符号のマ
ーク率変化やＡＰＤの暗電流変化によるＡｐｐｆｆｉ流
の変化で生じる電圧降下が小さくなり、ＡＰＤの増倍率
変動に起因する感度劣化が小さい．
第１図は本発明の光受信器の構或を示すブロック図，第
２図はＦＥＴ定電流回路のＩ一Ｖ特性図、第３図は定電
圧源の温度特性図、第４図はＡＧＣ動作の説明図である
． 符号の説明 １・・・ＡＰＤ，２・・・ＦＥＴバイアス回路，３・・
・定電圧源，４・・・バイパスコンデンサ、５・・・負
荷抵抗、ｙ ノ ＩＩ ＡｒＤ ｆＪＴｔぐイア人固尚ト 定もＦｉ−ラ虎 ノぐイバスコン干”ンフ 吹♂ｉ射太＃Ｌ ７゛９ア＞τ Ａ（ｚこア〉プ
２図はＦＥＴ定電流回路のＩ一Ｖ特性図、第３図は定電
圧源の温度特性図、第４図はＡＧＣ動作の説明図である
． 符号の説明 １・・・ＡＰＤ，２・・・ＦＥＴバイアス回路，３・・
・定電圧源，４・・・バイパスコンデンサ、５・・・負
荷抵抗、ｙ ノ ＩＩ ＡｒＤ ｆＪＴｔぐイア人固尚ト 定もＦｉ−ラ虎 ノぐイバスコン干”ンフ 吹♂ｉ射太＃Ｌ ７゛９ア＞τ Ａ（ｚこア〉プ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、定電圧源と印加する電圧の値によって、抵抗あるい
は定電流特性を示すバイアス回路とＡＰＤを直列に接続
した増倍率制御回路とＡＧＣアンプとで構成することを
特徴とする光ＡＧＣ回路。 ２、バイアス回路の定電流値をＡＰＤの最大動作電流に
設定することを特徴とする請求項１記載の光ＡＧＣ回路
。 ３、定電圧源の電圧をＡＰＤの増倍率が受信器の最小受
信感度での最適値になる値に設定することを特徴とする
請求項１記載の光ＡＧＣ回路。 ４、定電圧源の温度係数をバイアス回路の抵抗特性の温
度係数とＡＰＤの設定増倍率となる電圧の温度係数の和
を相殺するように設定し、温度によらずＡＰＤ増倍率が
一定になることを特徴とする請求項１記載の光ＡＧＣ回
路。 ５、光入力レベルが低い領域ではＡＧＣアンプの利得を
、高い領域ではＡＰＤの増倍率を制御することを特徴と
する請求項１記載の光ＡＧＣ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160739A JPH0327608A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 光ａｇｃ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1160739A JPH0327608A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 光ａｇｃ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0327608A true JPH0327608A (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=15721409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1160739A Pending JPH0327608A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 光ａｇｃ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0327608A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0939885B1 (en) * | 1996-11-22 | 2002-03-06 | Tellabs Denmark A/S | A method and an optical receiver for measuring optical power |
| EP1317789A1 (en) * | 2000-09-11 | 2003-06-11 | PerkinElmer, Inc. | Large current watchdog circuit for a photodetector |
| USRE42085E1 (en) | 1997-10-01 | 2011-02-01 | Newire, Inc. | Flat surface-mounted multi-purpose wire |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1160739A patent/JPH0327608A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0939885B1 (en) * | 1996-11-22 | 2002-03-06 | Tellabs Denmark A/S | A method and an optical receiver for measuring optical power |
| USRE42085E1 (en) | 1997-10-01 | 2011-02-01 | Newire, Inc. | Flat surface-mounted multi-purpose wire |
| EP1317789A1 (en) * | 2000-09-11 | 2003-06-11 | PerkinElmer, Inc. | Large current watchdog circuit for a photodetector |
| EP1317789A4 (en) * | 2000-09-11 | 2007-04-04 | Perkinelmer Inc | CIRCUIT ANTI-SURINTENSITY FOR PHOTOD TECTER |
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