JPH01321707A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
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- JPH01321707A JPH01321707A JP15502588A JP15502588A JPH01321707A JP H01321707 A JPH01321707 A JP H01321707A JP 15502588 A JP15502588 A JP 15502588A JP 15502588 A JP15502588 A JP 15502588A JP H01321707 A JPH01321707 A JP H01321707A
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 8
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Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信システム等に用いられる光受信回路に関
する。
する。
（従来の技術）
ここで、従来の光受信回路について第２図を参照して説
明する。
明する。
光信号入力はア・ぐランシェフオドダイオード（以下Ａ
ＰＤという）２で電気信号に変換され、この電気信号は
前置増幅器４．可変利得増幅器（以下ＡＧＣという）５
．及び主増幅器６で増幅され出力される。主増幅器６の
出力信号はピーク検出回路７に入力され、ここでピーク
レベルが検出され。
ＰＤという）２で電気信号に変換され、この電気信号は
前置増幅器４．可変利得増幅器（以下ＡＧＣという）５
．及び主増幅器６で増幅され出力される。主増幅器６の
出力信号はピーク検出回路７に入力され、ここでピーク
レベルが検出され。
利得制御回路８はこの検出ピークレベルに基づいて可変
利得増幅器５及び高圧発生回路９を制御する。
利得増幅器５及び高圧発生回路９を制御する。
第３図に示すように、受光ノベル（平均受光電力）が低
い領域（第３図に示す利得切換点の左側）では、利得制
御回路８は受光ノベルの変化に対して、 ＡＧＣ５の利
得を一定とし、高圧発生回路９からの出力電圧を変化さ
せて保護用抵抗１′ｆｆ：介して逆・ぐイアス屯圧ＡＰ
Ｄ ２に与え、これによってＡＰＤ２の増倍率を変化さ
せて、主増幅器６からの出力信号の振幅が一定となるよ
うに制御している。−方、受光ノベルの高い領域（利得
切換点の右側）では、利得制剤回路８はＡＧＣ５の利得
を変化させる一方、高圧発生回路９の出力電圧を一定と
してＡＰＤ ２の増倍率Ｍを一定とし、主増幅器６から
の出力信号の振幅が一定となるように制御している。
い領域（第３図に示す利得切換点の左側）では、利得制
御回路８は受光ノベルの変化に対して、 ＡＧＣ５の利
得を一定とし、高圧発生回路９からの出力電圧を変化さ
せて保護用抵抗１′ｆｆ：介して逆・ぐイアス屯圧ＡＰ
Ｄ ２に与え、これによってＡＰＤ２の増倍率を変化さ
せて、主増幅器６からの出力信号の振幅が一定となるよ
うに制御している。−方、受光ノベルの高い領域（利得
切換点の右側）では、利得制剤回路８はＡＧＣ５の利得
を変化させる一方、高圧発生回路９の出力電圧を一定と
してＡＰＤ ２の増倍率Ｍを一定とし、主増幅器６から
の出力信号の振幅が一定となるように制御している。
（発明が解決しようとする課題）
上述のように従来の光受信回路では、高圧発生回路９か
らの電圧をＡＰＤ保護用抵抗１を介してＡＰＤ ２の逆
バイアス電圧として与えているので。
らの電圧をＡＰＤ保護用抵抗１を介してＡＰＤ ２の逆
バイアス電圧として与えているので。
第４図に示すように利得切換点以上の受光ノベルでは光
電流（Ｉｐｈ）が平均受光電力（Ｐｒ（ｄＢｍ）の増加
に伴い指数関数的に増加するのに対し利得制御回路８は
ＡＧＣ５の利得を変イヒさせ、高圧発生回路９の出力電
圧を一定としてＡＰＤ ２の増倍率Ｍ−ｉ一定に制御し
ているからＡＰＤ ２に印加される逆バイアス電圧は、
ＡＰＤ保護用抵抗１により高圧発生回路９の出力電圧
から光電流分だけ電圧降下し、受光レベルが高くなるに
つれて光電流の増加に伴い。
電流（Ｉｐｈ）が平均受光電力（Ｐｒ（ｄＢｍ）の増加
に伴い指数関数的に増加するのに対し利得制御回路８は
ＡＧＣ５の利得を変イヒさせ、高圧発生回路９の出力電
圧を一定としてＡＰＤ ２の増倍率Ｍ−ｉ一定に制御し
ているからＡＰＤ ２に印加される逆バイアス電圧は、
ＡＰＤ保護用抵抗１により高圧発生回路９の出力電圧
から光電流分だけ電圧降下し、受光レベルが高くなるに
つれて光電流の増加に伴い。
この逆バイアス電圧は減少する。このためＡＰＤ ２の
増倍率Ｍが減少し、最大受光レベルが劣化するという問
題点がある。
増倍率Ｍが減少し、最大受光レベルが劣化するという問
題点がある。
（課題を解決するための手段）
本発明によれば、受信光信号を電気信号に変換する電気
光変換素子と、該電気光変換素子からの電気信号を増幅
する可変利得増幅手段と、前記電気光変換素子に逆バイ
アス電圧を印加する高圧発生手段と、前記可変利得増幅
手段からの出力に基づいて前記可変利得増幅手段の利得
及び前記高圧発生手段の出力電圧を制御する利得制御手
段とを有する光受信回路において、前記電気光変換素子
に印加する逆バイアス電圧を分圧モニタする分圧手段と
、該モニタ電圧と予め定められた基準電圧とを比較して
電圧差を求め、該電圧差に応じて前記高圧発生手段の出
力電圧を調整する調整手段とを有することを特徴とする
光受信回路が得られる。
光変換素子と、該電気光変換素子からの電気信号を増幅
する可変利得増幅手段と、前記電気光変換素子に逆バイ
アス電圧を印加する高圧発生手段と、前記可変利得増幅
手段からの出力に基づいて前記可変利得増幅手段の利得
及び前記高圧発生手段の出力電圧を制御する利得制御手
段とを有する光受信回路において、前記電気光変換素子
に印加する逆バイアス電圧を分圧モニタする分圧手段と
、該モニタ電圧と予め定められた基準電圧とを比較して
電圧差を求め、該電圧差に応じて前記高圧発生手段の出
力電圧を調整する調整手段とを有することを特徴とする
光受信回路が得られる。
以下余白
（実施例）
次に本発明について実施例によりて説明する。
なお、ここでは従来例と同一の構成要素については説明
を省略する。
を省略する。
第１図を参照して、 ＡＰＤ ２の逆バイアス電圧ｖＡ
、Ｄｆ：抵抗器（抵抗）ｆｉＲｌ）１０．抵抗器（抵抗
器Ｒ２）１１により■ＭＯＮ ” Ｒ２・ＶＡＰ、／（
Ｒ１＋Ｒ２）に分圧し、ｖＭｏＮを演算増幅器１２に入
力する（ただし、この場合、光電流の分流を防ぐため演
算増幅器１２０入力はハイインピーダンスとし抵抗器１
０．１１は高抵抗とする）。
、Ｄｆ：抵抗器（抵抗）ｆｉＲｌ）１０．抵抗器（抵抗
器Ｒ２）１１により■ＭＯＮ ” Ｒ２・ＶＡＰ、／（
Ｒ１＋Ｒ２）に分圧し、ｖＭｏＮを演算増幅器１２に入
力する（ただし、この場合、光電流の分流を防ぐため演
算増幅器１２０入力はハイインピーダンスとし抵抗器１
０．１１は高抵抗とする）。
演算増幅器１２において電圧ｖＭＯＮと基準電圧ｖｒｅ
ｆとを比較しｌ ”ＭＯＮ ＜ ■ｒｅｆの場合、高圧
発生回路９にｖＭｏＮとｖｒｅ、との差を示す信号（差
信号）を出力する。高圧発生回路９はこの差分信号で示
される差を圧縮するように動作し、その出力電圧は所定
の電圧（ＡＰＤ ２の増倍率の使用可能最小Ｍを与える
電圧）に制御される。またｖＭｏＮ＞ｖｒｅ。
ｆとを比較しｌ ”ＭＯＮ ＜ ■ｒｅｆの場合、高圧
発生回路９にｖＭｏＮとｖｒｅ、との差を示す信号（差
信号）を出力する。高圧発生回路９はこの差分信号で示
される差を圧縮するように動作し、その出力電圧は所定
の電圧（ＡＰＤ ２の増倍率の使用可能最小Ｍを与える
電圧）に制御される。またｖＭｏＮ＞ｖｒｅ。
の場合は高圧発生回路９は利得制御回路８により制御さ
れる。
れる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明では、 ＡＰＤ−等の電気光
変換素子の逆バイアス電圧ｖＡ、Ｄヲモニタし制御する
ことにより、利得切換点以上の受光領域において、平均
受光電力の増加に伴う光電流の増加に対して保護抵抗に
よる電気光変換素子の逆バイアス電圧の降下及びこの電
圧降下に伴う増倍率の低下が抑圧され、最大受光Ｖペル
の劣化を軽減できるという効果がある。
変換素子の逆バイアス電圧ｖＡ、Ｄヲモニタし制御する
ことにより、利得切換点以上の受光領域において、平均
受光電力の増加に伴う光電流の増加に対して保護抵抗に
よる電気光変換素子の逆バイアス電圧の降下及びこの電
圧降下に伴う増倍率の低下が抑圧され、最大受光Ｖペル
の劣化を軽減できるという効果がある。
第１図は本発明による光受信回路の一実施例を示すブロ
ック図、第２図は従来の光受信回路を示すブロック図、
第３図は従来の光受信回路における利得切換特性を示す
図である。第４図は従来の光受信回路における光電流、
ＡＰＤ逆バイアス特性を示す図である。 １・・・ＡＰＤ保護用抵抗、２・・・アバランンエフォ
トダイオード、３・・・コンデンサ、４・・・前置増幅
器。 ５・・・可変利得増幅器、６・・・主増幅器、７・・・
ピーク検出回路、８・・・利得制御回路、９・・・高圧
発生回路。 １０．１１・・・抵抗器、１２・・・演算増幅器。 第 １ 図 第２図 第３図
ック図、第２図は従来の光受信回路を示すブロック図、
第３図は従来の光受信回路における利得切換特性を示す
図である。第４図は従来の光受信回路における光電流、
ＡＰＤ逆バイアス特性を示す図である。 １・・・ＡＰＤ保護用抵抗、２・・・アバランンエフォ
トダイオード、３・・・コンデンサ、４・・・前置増幅
器。 ５・・・可変利得増幅器、６・・・主増幅器、７・・・
ピーク検出回路、８・・・利得制御回路、９・・・高圧
発生回路。 １０．１１・・・抵抗器、１２・・・演算増幅器。 第 １ 図 第２図 第３図
Claims (1)
- １、受信光信号を電気信号に変換する電気光変換素子と
、該電気光変換素子からの電気信号を増幅する可変利得
増幅手段と、前記電気光変換素子に逆バイアス電圧を印
加する高圧発生手段と、前記可変利得増幅手段からの出
力に基づいて前記可変利得増幅手段の利得及び前記高圧
発生手段の出力電圧を制御する利得制御手段とを有する
光受信回路において、前記電気光変換素子に印加する逆
バイアス電圧を分圧モニタする分圧手段と、該モニタ電
圧と予め定められた基準電圧とを比較して電圧差を求め
、該電圧差に応じて前記高圧発生手段の出力電圧を調整
する調整手段とを有することを特徴とする光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502588A JPH01321707A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502588A JPH01321707A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01321707A true JPH01321707A (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=15597025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15502588A Pending JPH01321707A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01321707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0538886A1 (en) * | 1991-10-25 | 1993-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal processor having avalanche photodiodes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200928A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Fujitsu Ltd | 光受信回路 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15502588A patent/JPH01321707A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200928A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Fujitsu Ltd | 光受信回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0538886A1 (en) * | 1991-10-25 | 1993-04-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal processor having avalanche photodiodes |
| US5401952A (en) * | 1991-10-25 | 1995-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal processor having avalanche photodiodes |
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