JPH01257896A - 薄膜トランジスタパネルの欠陥検出方法 - Google Patents

薄膜トランジスタパネルの欠陥検出方法

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JPH01257896A
JPH01257896A JP63086092A JP8609288A JPH01257896A JP H01257896 A JPH01257896 A JP H01257896A JP 63086092 A JP63086092 A JP 63086092A JP 8609288 A JP8609288 A JP 8609288A JP H01257896 A JPH01257896 A JP H01257896A
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JP
Japan
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thin film
film transistor
drain
gate
line
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Pending
Application number
JP63086092A
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English (en)
Inventor
Shinobu Sumi
忍 角
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Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、薄膜トランジスタバ矛ルの欠陥検出方法に関
する。
〔従来の技術〕
液晶テレビ等に使用される液晶表示装置としては、高コ
ントラスト及び高時分割駆動が要求されるために、アク
ティブマトリクス型を用いることが提案されている。こ
のアクティダマ1ヘリクス型の液晶表示装置は、画素の
一部となる透明電極及びこの透明電極に接続されたスイ
ッチング素子を絶縁基板上にマトリクス状に複数配列し
た薄膜トランジスタパネル(以後、TPTパネルと称す
)と、このTPTパネルに配列された複数の透明電極に
対向する電極を設けた対向基板と、これらの基板間に封
入された液晶とを備えている。そして、前記スイッチン
グ素子として、薄膜トランジスタを用いることが提案さ
れている。
第2図は、薄膜トランジスタ(以後、TPTと称す)4
をスイッチング素子に用いた、TPTパネル1の概念構
成図である。
同図に示すように、TPTパネル1は絶縁基板上に行方
向に形成された走査信号の供給される複数のゲートライ
ン2a、2b、2c、  ・・・と列方向に形成され画
像信号が供給される複数のドレインライン3a、3b、
3c、  ・・・と、このゲートライン2a、2b、2
c、  ・・・とドレインライン3a、3b、3c、 
 ・・・の交差部毎に形成された複数のTFT4a、4
b、4c、−−−と、これらTFT4a、4b、4c、
、−・・のそれぞれに接続された画素電極5a、5b、
5c。
・・・から成っている。
そして、それぞれのTFT4a、4b、4c。
・・・のゲート電極は上述のゲートライン2a。
2b、2c、   ・・に、ドレイン電極は上述のドレ
インライン3a、3b、3c、  ・・・に、ソース電
極は上述の画素電極5a、’ 5b、5c、  ・・・
に接続されている。
以上のように構成されたTPTパネル1を用いた液晶表
示装置の斜視断面図を第3図に示す。
同図に示すように、液晶表示装置は、上述したTPTパ
ネル1と全面に透明電極(共通電極)6が形成されたガ
ラス基板7との間に液晶8を封入した構成となっている
液晶表示装置の表示は、ゲートライン2に走査信号を順
次印加し、その印加されたゲートラインに接続されたT
PT4を一斉にオン状態にし、その走査信号が印加され
ている期間に同期してドレインライン3に画素信号を印
加して画素に画像信号を書き込むことにより行われる。
そして、画像信号が印加された画素は次に走査されるま
での間書き込まれた画像信号を保持する。
以上のような動作を繰り返すことにより液晶表示装置の
画面表示が行われるが、TPTパネルに欠陥がある場合
、表示の点欠陥や線欠陥が引き起こされる。
表示の点欠陥が生じる原因としては、TPT4のソース
電極とドレイン電極の短絡によるもの、ソース電極とゲ
ート電極の短絡によるもの、或いはゲート電極、ドレイ
ン電極の断線によるものがある。また、表示の線欠陥が
生しる原因としてはゲートライン2とドレインライン3
の短絡によるもの、TPT4のゲート電極とドレイン電
極の短絡、或いはゲートライン2又はドレインライン3
の断線によるものがある。
〔従来技術の問題点〕 このように、液晶表示装置の表示不良ばTFTパネル1
の欠陥により生じる。従って、液晶表示装置の製造を行
う前に製造されたTPTパネルに対して欠陥が無いかど
うかの検査を行い、良品のTPTパネルを選別する必要
がある。
TPTパネル1の欠陥の検査は、画素電極5にプローブ
を接触させた後、ゲートライン2とドレインライン3を
介してTPT4のゲート電極とドレイン電極に所定電圧
を印加し、この印加された電圧を前記画素電極5に接触
させた前記プローブを介して測定することにより行われ
る。そして、この様な検査を全てのTFT4に対して行
って、欠陥が無いかどうか調べていた。しかしながら、
画素電極5にプローブを接続させる作業は時間がかかり
、位置合わせの精度が要求されるものであった。
特に情報端末デイスプレィや液晶テレビ向けのように画
素数が数10万個以上になるTPTパネルの場合には、
個々の画素電極全てにプローブを接続させながら欠陥を
検査すると非常に長時間となり問題であった。また、液
晶注入工程を行う前にTPTパネル1の前面に配向膜を
形成し、その配向膜に対してラビング処理を行うが、そ
のラビング処理で静電気が発生し、TFT4が電気的に
破壊される場合がある。ところが最終工程まで行ったT
PTパネル1の全面には配向膜や絶縁膜が形成されてお
り、ラビング処理により発生した不良のTFTパネル1
を検出することは困難であった。
このため、TPTパネル1の正常、不良にかかわらず、
全てのTPTパネル1に対して液晶表示装置を製造して
おり、液晶表示装置製造後に欠陥の検査を行っていた。
このように、従来は不良のTPTパネル1に対しても液
晶表示装置を製造しており、欠陥のあるTPTパネル1
に対して製造した液晶表示装置の液晶注入工程や実装工
程が全く無駄な作業となる場合もあり、生産効率が低く
なると共に、原価がかさみコスト高となっていた。
〔発明の目的〕
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、TPTパネル単体
で簡単に欠陥を検出できる薄膜トランジスタパネルの欠
陥検出方法を提供することを目的とする。
〔発明の要点〕
本発明は上記目的を達成するために、基板上に複数配設
されたゲートライン及びドレインラインと、ゲート電極
がゲートラインに、ドレイン電極がドレインラインにそ
れぞれ接続された複数の第1の薄膜I−ランジスタと、
前記ゲートラインとドアー レインラインとで囲まれた領域毎に複数配列され前記第
1の薄膜トランジスタのソース電極に接続された画素電
極と、ドレイン電極及びソース電極がそれぞれ前記第1
の薄膜トランジスタに接続されたドレインラインとは異
なるドレインライン及び前記画素電極に接続されゲート
電極がゲートラインに接続された第2の薄膜トランジス
タとを備えた薄膜トランジスタパネルの欠陥検出方法に
おいて、前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に接
続されているゲートラインと前記第2の薄膜トランジス
タのゲート電極が接続されたゲートラインとのいずれか
一方及び両方に外部電源から電圧を印加すると共に前記
第1の薄膜トランジスタに接続されたドレインライン又
は第2の薄膜トランジスタに接続されたドレインライン
の一方に外部電源から電圧を印加して他方のドレインラ
インに電流計を接続して電流値を検出する。次に、第1
の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された第1の
ドレインラインと前記第1の薄膜1〜ランジスタのゲー
ト電極が接続されている第1のゲー=8− トラインに外部電源から電圧を印加して前記第2の薄膜
トランジスタに接続された第2のドレインラインに電流
計を接続して電流値を検出し、前記第1のドレインライ
ンと前記第1のゲートライン及び第2のゲートラインに
外部電源から電圧を印加して第2のドレインラインに電
流計を接続して電流値を検出する。更に、前記第1のド
レインラインと前記第1のゲートライン及び第2のゲー
トラインに外部電源から電圧を印加して第2のドレイン
ラインに電流計を接続して電流値を検出し、前記第2の
ドレインラインと前記第2のゲートラインに外部電源か
ら電圧を印加して前記第1のドレインラインに電流計を
接続して電流値を検出し、前記第2のドレインラインを
前記第2のゲートライン及び第1のゲートラインに外部
電源から電圧を印加して第1のドレインラインに電流計
を接続して電流値を検出するようにしたことを要点とす
る。
〔実  施  例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照しな一1〇− がら説明する。
第1図は、本発明のTPTパネルの欠陥の検出方法を説
明するための概念図である。
まずTPTパネルの構成について説明すると、行方向に
複数のゲートライン11が形成され、それぞれのゲート
ライン11に垂直に交差するように複数のドレインライ
ン12が水平形成されている。そして、ゲートライン1
1とドレインライン12とで囲まれる領域内毎に画素電
極13が形成されており、その画素電極13に2個のT
PT14.14’が接続して形成されている。すなわち
、第X8行目、第X’ i + 1行目(i=1.2.
  ・・・)のゲートライン11と第YJ列目、第YJ
。1列目(j=1.2.  ・・・)のドレインライン
12に囲まれた領域に形成された画素電極13に、ゲー
ト電極が第X8行目のゲートライン11に、ドレイン電
極が第YJ列目のドレインライン12に接続された第1
TFT14のソース電極と、ゲート電極が第X813行
目のゲートライン11に、ドレイン電極が第YJ+1列
目のドレインライン12に接続された第2TFT14’
のソース電極とが接続されている。
尚、第X、行目のゲートライン11と、第YJ列目のド
レインライン12にゲート電極とドレイン電極が接続し
ている第1TFT14に接続されている画素電極13を
電極とする画素をC1、で示している。また、各ゲート
ライン11の一方の端にはゲート端子11′が、各ドレ
インライン12の両端にはそれぞれドレイン端子12’
、12″が設けられており、ドレイン端子12″にはプ
ローブ19′を介して電流計19が接続されている。
また、ゲート端子11′を介して走査信号が、ドレイン
ライン端子12′を介して画像信号が外部電源17.1
8.20から供給される。
以上のように構成されたTPTパネルの動作は、第x1
行目のゲートライン11から順次走査信号が印加され、
この走査信号に同期して第Y1列目、第Y 2列目、・
・・のドレインライン12に画像信号が印加され、一走
査線上の全ての画素に画像信号が書き込まれてい(。本
実施例のTPTバネルにおいては、第1TFT14のゲ
ート電極と第2TFT14 ’のデー1〜電極がそれぞ
れ隣接するゲートライン11に接続されているため、各
画素には1フレーム中に異なる画像信号が書き込まれる
が、異なる2つの画像信号の内、第2 T F ’l”
14′を介して書き込まれる画像信号が実質的に画素を
駆動することになる。
次に、以上のように構成されたTPTパネルの欠陥検出
方法を説明する。
まず、第YJ列のドレインライン端子12′にプローブ
18′を介して外部電流18の一端を接続して電圧を印
加し、第Y4−3列のドレインライン端子12″にプロ
ーブ19′を介して電流計1.9の一端を接続する。こ
の時、電流計19の他端は接地しておく。
もし、第1TFT14と第2TFT14 ’が共に短絡
している場合(ドレイン電極とソース電極との短絡等に
より、T゛F Tが常にオン状態になっている場合)に
は、電源18から第1TFT14、画素電極13、第2
TFT14 ’を介し電流計19に電流が流れる。従っ
て、電流計19の指針の゛ふれ゛を確認することにより
、第1 TFT14と第2TFT14 ’が共に短絡し
ていることを検出できる。
次に、第74列のドレインライン端子12′にプローブ
18′を介して外部電源18を接続してドレイン電圧を
印加する。そして、第X、41行のゲートライン端子1
1′にプローブ20′を介して外部電源20にゲート電
圧を印加する。そして第74列のドレイン端子12″に
プローブ19′を介して電流計19を接続する。ここで
、電流計19の指針がふれればT’FT’14は短絡し
ていることになる。電流計19の指針かふれないことを
確認した後、第X8行のゲートラインの端子11′にプ
ローブ17′を介して外部電源17のゲート電圧を印加
する。
もし、いづれか一方のTPTが、オープンとなっていれ
ば電流計19には電流が流れず、電流計19の指針はふ
れないので、第1TFT14、第2TFT14 ’のい
づれかがオープンとなっていることを検出できる。
本実施例のTPTパネルの場合には、前述したように第
2TFT14 ’を介して画像信号が書き込まれるので
第1TFT14がオープンとなっていても、第2TFT
14 ’が正常であれば、画素は正しく表示される。ま
た、第2TFT14 ’がオープンとなっていても第1
TFT14が正常であれば、その画素は上方に隣接する
画素の画像信号によって駆動されるので動画表示の場合
、問題とはならない。
更に続けて以下の検査を行う。まず、第1TFT14の
ドレイン電極に接続された第75列のドレインライン1
2のドレインライン端子12″にプローブ19′を介し
て電流計19を接続した後、第2TFT14′のドレイ
ン電極に接続された第Y J++列のドレインライン1
2のドレインライン端子12′にプローブ18′を介し
て外部電源18を接続する。そして、第X、。1行のゲ
ートライン11にプローブ17′又はプローブ20′の
いずれかを介して外部電源17又は20からゲート電圧
を印加し、第2TFT14’をオンさせる。
この時、第1TFT14が短絡していれば第1TFT1
4を介して電流計19に電流が流れるので、指針の′ふ
れ゛を確認することにより、第1TFT14の短絡を確
認できる。
この検査で、第1TFT14が正常であった時に更に第
2TFT14 ’が短絡していないかどうかの検査を行
う。この検査は、前記検査とは逆に第Y J+ 1列の
ドレインライン12のドレインライン端子12″に電流
計19を、第Yj列のドレインライン12のドレインラ
イン端子12′に外部型ai18を接続する。そして、
第X4行のゲートライン11に外部電源17あるいは2
0からゲート電圧を印加し、電流計19の指針がそれな
いかどうかを確認する。もし、指針がふれれば第2TF
T14’が短絡していることを検知できる。
以上の検査を全ての画素に対して行うことにより、TP
Tパネルの欠陥を検出できる。
尚、本発明は第1図に示すTPTパネルのみに適用され
ることなく、例えば同一のゲートラインにゲート電極が
接続され、ドレイン電極が隣接するドレインラインに接
続されて成る2個のTPTを画素電極に接続したTPT
パネルにも適用できる。
尚、複数本のプローブを有するプローブカードを用いて
、予め、全てのゲートライン端子と全てのドレインライ
ン端子にプローブを接続し、更に、電流計もプローブカ
ードを介し全てのドレインライン端子の他方に接続する
ようにすれば、マイクロプロセッサ等でゲート電圧、ド
レイン電圧の印加タイミングや、印加するゲートライン
端子やドレインライン端子の選択を自動的に制御するこ
とにより、画素の欠陥チエツクを短時間で行うことがで
きる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、TPTパネル単体
で欠陥の検出が可能になるので、TPTパネル製造後に
良品の’I” F Tパネルのみを選別することができ
る。このため、良品のTPTパネルのみを用いて液晶表
示装置を製造できるようになリ、液晶表示装置の歩留ま
りを向上させることができ生産効率が向上する。また、
従来行われていた無駄な液晶注入工程や組め立て工程を
防止することができるので、原価コストが削減し低コス
ト化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の薄膜トランジスタパネルの欠陥画素の
検出方法゛を説明する概念構成図、第2図は従来の薄膜
トランジスタパネルの概念図、 第3図は液晶表示装置の斜視断面図である。 11・・・ゲートライン、 11′・・・ゲートライン端子、 12・ ・・ドレインライン、 12’、12″・・・ドレインライン端子、13・・・
画素電極、 14・ ・第1TPT、 14′ ・・第2 T P T、 17.18・・・外部電源、 17a、17b、18’、19’  ・ ・ ・ブロー
ブ、 19・・・電流計。 特許出願人  カシオ計算機株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)基板上に行方向及び列方向に複数設けられたゲート
    ライン及びドレインラインと、ゲート電極がゲートライ
    ンに接続されドレイン電極がドレインラインにそれぞれ
    接続された複数の第1の薄膜トランジスタと、前記ゲー
    トラインとドレインラインとで囲まれた領域毎に複数配
    列され前記第1の薄膜トランジスタのソース電極に接続
    された画素電極と、ドレイン電極及びソース電極がそれ
    ぞれ前記第1の薄膜トランジスタに接続されたドレイン
    ラインとは異なる他のドレインライン及び前記画素電極
    に接続され、ゲート電極がゲートラインに接続された第
    2の薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネ
    ルの欠陥検出方法において、 前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されて
    いるゲートラインと前記第2の薄膜トランジスタのゲー
    ト電極が接続されたゲートラインとのいずれか一方及び
    両方に電圧を印加すると共に前記第1の薄膜トランジス
    タに接続されたドレインライン又は第2の薄膜トランジ
    スタに接続されたドレインラインの一方に電圧を印加し
    て他方のドレインラインの電流値を検出し、この電流値
    に基づいて薄膜トランジスタパネルの第1の薄膜トラン
    ジスタ、第2の薄膜トランジスタ及び画素電極の欠陥を
    検出することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの欠
    陥検出方法。 2)第1の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続され
    た第1のドレインラインと前記第1の薄膜トランジスタ
    のゲート電極が接続されている第1のゲートラインに電
    圧印加して前記第2の薄膜トランジスタに接続された第
    2のドレインラインの電流値を検出し、前記第1のドレ
    インラインと前記第1のゲートライン及び第2のゲート
    ラインに電圧を印加して第2のドレインラインの電流値
    を検出し、前記第2のドレインラインと前記第2のゲー
    トラインに電圧を印加して前記第1のドレインラインの
    電流値を検出し、前記第2のドレインラインと前記第2
    のゲートライン及び第1のゲートラインに電圧を印加し
    て第1のドレインラインの電流値を検出することを特徴
    とする請求項1記載の薄膜トランジスタパネルの欠陥検
    出方法。
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