JPH01251756A - 電荷結合装置 - Google Patents

電荷結合装置

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JPH01251756A
JPH01251756A JP63078707A JP7870788A JPH01251756A JP H01251756 A JPH01251756 A JP H01251756A JP 63078707 A JP63078707 A JP 63078707A JP 7870788 A JP7870788 A JP 7870788A JP H01251756 A JPH01251756 A JP H01251756A
Authority
JP
Japan
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charge
transfer channel
transfer
output circuit
detector
Prior art date
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Pending
Application number
JP63078707A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Matsunaga
誠之 松長
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63078707A priority Critical patent/JPH01251756A/ja
Publication of JPH01251756A publication Critical patent/JPH01251756A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、高感度・広ダイナミツクレンジを必要とする
固体撮像素子に用いられる電荷結合装置に関する。
(従来の技術) 近年、固体撮像装置として、受光素子と電荷結合素子と
を組合わせたものが広く用いられている。電荷結合素子
は、一般に第3図及び第4図に示す如く構成されている
。そして、半導体基板1上に薄い絶縁膜2を介して隣接
配置された複数の転送電極3.+  32 +  33
 + ・・・に適切な駆動パルスを印加することにより
、半導体基板1内の基板1と反対導電型の転送チャネル
4内を転送されてきた信号電荷は最終段電極5下のチャ
ネルを通り、転送チャネルと同一導電型の検出拡散層6
内に転送され、その検出容量により電圧信号に変換され
、ソースホロア回路7でインピーダンス変換され出力さ
れる。なお、検出が済んだ信号電荷は、リセットゲート
8をONすることよりリセットドレイン9に排出される
ところで、電荷結合素子を用いた固体撮像装置は、最近
多画素化及びチップの縮小化が進んでおり、この固体撮
像装置の感度を落とさないようにするためには、電荷結
合素子の検出感度を十分に上げる必要がある。しかしな
がら、感度が高い検出器は一般に検出できる最大信号電
荷量が小さくなる。このため、検出感度を上げると検出
できる最大電荷量が小さくなり、感度が高く広いダイナ
ミックレンジを持つ電荷結合素子を実現することは困難
であった。
(発明が解決しようとする課題) このように従来、電荷結合素子は高感度で広ダイナミツ
クレンジの検出特性を持っている必要があるが、検出器
(信号電荷の検出器)にこのような特性を実現すること
は困難であった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、高感度で広ダイナミツクレンジの検
出特性を持っている電荷結合装置を提供することにある
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 本発明の骨子は、転送チャネルを2つに分け、一方で小
信号を検出し他方で大信号を検出することにより、高感
度と広ダイナミツクレンジの双方を達成することにある
即ち本発明は、半導体基板上に絶縁膜を介して隣接配置
された複数の転送電極と、前記基板の表面に前記電極の
配列方向に沿って形成された第1の転送チャネルと、こ
の第1の転送チャネルの最終段電極に隣接して設けられ
た第1の出力回路と、前記基板の表面に前記電極の配列
方向に沿って形成され、且つ信号電荷の転送方向の途中
から第1の転送チャネルとは分離された第1の転送チャ
ネルよりもポテンシャルの深い第2の転送チャネルと、
この第2の転送チャネルの最終段電極に隣接して設けら
れた第2の出力回路とを具備した電荷結合装置であり、
前記第1の出力回路を前記第2の出力回路よりも最大検
出電荷量の大きいもの出し、前記第2の出力回路を前記
第1の出力回路よりも検出感度の高いものとしたもので
ある。
(作 用) 本発明によれば、第1の出力回路では検出感度は低いが
最大検出電荷量の大きな検出器を用い第2の出力回路で
は最大電荷量は小さいが検出感度の高い検出器を用いる
ことにより、微小な電荷は第2の転送チャネルの出力回
路で検出することができ、大容量の電荷は第1の転送チ
ャネルの出力回路で検出することができる。従って、高
感度で広いダイナミックレンジを実現することが可能と
なる。
(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わる電荷転送装置を示す
概略構成図である。なお、この図は前記第4図に示す平
面図に相当するものである。また、断面構造は前記第3
図と同様となっている。
電荷結合素子の転送チャネル10をポテンシャルの低い
第1の転送チャネル101とポテンシャルの深い第2の
転送チャネル102とに分ける。
ここで、第2の転送チャネル102は第1の転送チャネ
ル101よりも幅の狭いものとし、転送方向の途中から
第1の転送チャネル101から分岐されている。各チャ
ネル101.10□の形成にはイオン注入法を用い、第
1及び第2の転送チャネル10+、10□を形成すべき
領域に燐をドーズm 2 X 1012c〔2でイオン
注入した後、第2の転送チャネル10□を形成すべき領
域に再度端をドーズ量lX1011CIIl−2でイオ
ン注入した。なお、第1及び第2の転送チャネル101
,102のポテンシャル差を第1のポテンシャル段差と
する。
第1の転送チャネル101を転送されてきた信号電荷と
第2の転送チャネル10□を転送されてきた信号電荷を
それぞれ2つの電荷結合素子111.11□に分割し、
それぞれに電荷検出器121.12□を設ける。電荷結
合素子のチャネルのポテンシャルを第2図(a)(b)
に示す。(a)゛は小信号の場合で、信号は全て第2の
転送チャネル10□を転送され電荷結合素子11゜、検
出器122で検出される。大信号の場合は両方の転送チ
ャネル10..10□を転送され、電荷結合素子111
.112及び検出器121.12□で検出される。電荷
検出器12.とじては最大検出電荷量の大きいものを用
い、電荷検出器12゜とじては検出感度の高いものを用
いる。これにより、検出器12□で小信号を高感度に検
出し、検出器12、で大信号を余裕をもって検出する。
なお、電荷結合素子の転送が1つの電極内に第2のポテ
ンシャル段差を持つ2相又は単相CCDの場合、第2の
ポテンシャル段差に比べ第1のポテンシャル段差が大き
いと、領域101以外の転送チャネルの電荷が転送され
なくなる。
そのため、第1のポテンシャル段差は第2のポテンシャ
ル段差より小さい必要がある。
高感度検出器(検出器122)としては、(Inter
national Electronic Declc
e MeeNng1987 Technical Di
gest 6.1 )に発表されているフローティング
ウェル型検出器又は(International E
lectronic Decice Meeting1
978 Technlcal Dlgest pp81
0−pp814 )に発表されているフローティングサ
ーフェス型検出器か有効である。
かくして本実施例によれば、小信号は第2の転送チャネ
ル10□のみを転送され、大信号は第1及び第2の転送
チャネル10□、10゜の両方を転送される。従って、
小信号は感度の高い第2の検出器12□により検出する
ことができる。大信号の場合、第2の検出器12□では
オーバフローしてしまい、あるレベル以上の信号は検出
できない。ところが、第1の検出器121は十分に検出
容量が大きいので第2の検出器12□では検出できない
大信号も検出することができる。従って、小信号から大
信号まで検出することが可能となり、高感度、広高ダイ
ナミックレンジを実現することができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
[発明の効果コ 以上詳述したように本発明によれば、転送チャネルをポ
テンシャルの異なる2つのチャネルに分離し、それぞれ
のチャネルに検出感度の異なる検出器を設けることによ
り、高感度で広ダイナミツクレンジの検出特性を持つ電
荷結合装置を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係わる電荷転送装置の概略
構成を示す平面図、第2図はポテンシャル分布を示す特
性図、第3図及び第4図は従来装置を説明するためのも
ので第3図は断面図、第4図は平面図である。 1・・・半導体基板、2・・・絶縁膜、3113213
、〜・・・転送電極、4・・・転送チャネル、5・・・
最終段電極、6・・・検出拡散層、7・・・ソースホロ
ア回路、8・・・リセットゲート、9,9□、9□・・
・リセットドレイン、10.・・・第1の転送チャネル
、10□・・・第2の転送チャネル、111・・・第1
の電荷結合素子、112・・・第2の電荷結合素子、1
2、・・・第1の電荷検出器、122・・・第2の電荷
検出器。 出願人代理人  弁理士 鈴江武彦

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体基板上に絶縁膜を介して隣接配置された複
    数の転送電極と、前記基板の表面に前記電極の配列方向
    に沿って形成された第1の転送チャネルと、この第1の
    転送チャネルの最終段電極に隣接して設けられた第1の
    出力回路と、前記基板の表面に前記電極の配列方向に沿
    って形成され、且つ信号電荷の転送方向の途中から第1
    の転送チャネルとは分離された第1の転送チャネルより
    もポテンシャルの深い第2の転送チャネルと、この第2
    の転送チャネルの最終段電極に隣接して設けられた第2
    の出力回路とを具備し、前記第1の出力回路は前記第2
    の出力回路よりも最大検出電荷量の大きいものであり、
    前記第2の出力回路は前記第1の出力回路よりも検出感
    度の高いものであることを特徴とする電荷結合装置。
  2. (2)電荷結合素子の転送が1つの転送電極の下にポテ
    ンシャル段差を持つ2相又は単相駆動型であり、このポ
    テンシャル段差よりも前記第1及び第2の転送チャネル
    のポテンシャル段差の方が小さいことを特徴とする請求
    項1又は2記載の電荷結合装置。
JP63078707A 1988-03-31 1988-03-31 電荷結合装置 Pending JPH01251756A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04328836A (ja) * 1991-04-26 1992-11-17 Nec Corp 電荷転送装置
JPH0750409A (ja) * 1993-08-05 1995-02-21 Nec Corp 固体撮像素子
US7952629B2 (en) 2007-09-24 2011-05-31 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Image sensor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04328836A (ja) * 1991-04-26 1992-11-17 Nec Corp 電荷転送装置
JPH0750409A (ja) * 1993-08-05 1995-02-21 Nec Corp 固体撮像素子
US7952629B2 (en) 2007-09-24 2011-05-31 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Image sensor

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