JPH01251410A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的コ （産業上の利用分野） この発明は薄膜磁気ヘッドに関する。

（従来の技術） 近年、磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッドの高密
度化、小型化（マルチトラック化）、量産性の要求が高
まっている。これにより、薄膜技術により形成した薄膜
磁気ヘッドが用いられている。

このような薄膜磁気ヘッドとしては次のようなものがあ
る。

第３図は従来の磁気ヘッドを示す側面断面図である。

同図において、１はＡｌ１０３　Ｔｉｃなどにより形成
された基板を示している。この基板１上には、パーマロ
イなどの磁性体により下側磁気コアとなる第１の磁性体
層２が形成されている。第１の磁性体層２上には、ギャ
ップ部を形成するための絶縁中間層３が形成されている
。絶縁中間層３上には、Ｃｕなどからなるコイル４が介
在された絶縁層５が形成されている。絶縁層５上には、
第１の磁性体層２および絶縁中間層３に接触させて上側
磁気コアとなる第２の磁性体層６が形成されている。

第２の磁性体層６上を含む基板１上には、保護層７が形
成されている。

ところで、このように構成された薄膜磁気ヘッドの性能
は、各磁気コアの性能に大きく依存する。

そして上述した薄膜磁気ヘッドの上側磁気コアとなる第
２の磁性体層６は、コイル４、絶縁層５により基板１上
において１０μｍ程度の段差を有する下地上に形成しな
ければならない。ところが通常、磁性体層はスパッタ法
でデポジションされるため段差被覆性が十分でないとい
う問題がある。

そこで、第４図に示すように、基板１上の第１の磁性体
層２上に形成された絶縁中間層３上に、絶縁層５を積層
させ、各層において形成するコイル４の形成工程におけ
るエツチング時に各絶縁層５の端部がそれぞれ連続して
傾斜されるようにそれぞれエツチングを行って下地とな
る絶縁層５の端部を傾斜、約６０°程度のテーパ状に加
工した後、上側磁気コアとなる第２の磁性体層６を形成
することが行われている。

しかしながら、上述した従来の薄膜磁気ヘッドでは、上
述したように、第２の磁性体層６の下地となる絶縁層５
の端部を傾斜させてテーパ状に形成した後、第２の磁性
体層６を形成しても、絶縁中間層３と絶縁層５との境界
部分および第１の磁性体層２と絶縁層５との境界部分の
第２の磁性体層６に欠陥部分Ｃが発生し、欠陥部分Ｃに
より薄膜磁気ヘッドの特性が低下するという課題があっ
た。

（発明が解決しようとする課題） 前述したように従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気
コアとなる磁性体層に欠陥が発生し、薄膜磁気ヘッドの
特性が低下するという課題かあった。

この発明は上述した課題を解決するためもので、磁気コ
アとなる磁性体層の欠陥の発生を防止することができ、
特性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、基板上に第１の磁性体層が形成され、この
第１の磁性体層上にその一部を除いた層上に複数のコイ
ルパターンが介在された絶縁層が形成され、この絶縁層
上に前記第１の磁性体層の前記一部に接触させて第２の
磁性体層が形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、前記絶
縁層をシリコン酸化膜により形成するとともに、これら
のシリコン酸化膜による層の前記各磁性体層に近接する
側の酸素濃度を近接しない部分のシリコン酸化膜の酸素
濃度より小さくしたものである。

（作　用） この発明では、絶縁層をシリコン酸化膜により形成する
とともに、これらのシリコン酸化膜による層の磁性体層
に近接する側の酸素濃度を近接しない部分のシリコン酸
化膜の酸素濃度より小さくしたので、シリコン酸化膜で
ある絶縁層におけるコイルパターン形成工程のエツチン
グにより絶縁層の端部が緩かとなるため、磁気コアとな
る磁性体層の欠陥の発生を防止することができ、特性の
良好な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。

（実施例） 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図はこの発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す側
面断面図である。

同図において、２１はＡｌ１０３　ＴｉＣなどにより形
成された基板を示している。この基板２１上には、パー
マロイなどの磁性体により下側磁気コアとなる第１の磁
性体層２２が形成されている。第１の磁性体層２２上に
は、ギャップ部を形成するための絶縁中間層２３が形成
されている。絶縁中間層２３上には、Ｃｕなどからなる
コイルパターン２４が介在された絶縁層２５が形成され
ている。

絶縁層２５上には、第１の磁性体層２２および絶縁中間
層２３に接触させて上側磁気コアとなる第２の磁性体層
２６が形成されている。第２の磁性体層２６上を含む基
板２１上には、保護層２７が形成されている。

上述した絶縁層２５は、次のように形成されている。

第２図は絶縁層２５を説明するための側面断面図である
。

同図に示すように、基板２１上の第１の磁性体層２２上
に形成された絶縁中間層２３上には、第１の絶縁層２５
ａが形成されている。この第１の絶縁層２５ａは、酸素
濃度的５５ａｔ％のシリコン酸化膜により形成されてい
る。そしてこの第１の絶縁層２５ａ上には、コイルパタ
ーン２４がフォトリソグラフィー技術および電界選択メ
ツキ技術により形成されている。このコイルパターン２
４を形成する際のエツチング工程において、第１の絶縁
層２５ａの端部は傾斜したテーバ状のものとなっている
。

次に、第１の絶縁層２５ａ上に、第２の絶縁層２５ｂを
形成する。この第２の絶縁層２５ｂは、酸素濃度的８５
ａｔ％のシリコン酸化膜により形成されている。そして
この第２の絶縁層２５ｂ上にも、コイルパターン２４が
フォトリソグラフィー技術および電界選択メツキ技術に
より形成されている。

このコイルパターン２４を形成する際のエツチング工程
において、第２の絶縁層２５ｂの端部は傾斜したテーバ
状のものとなっており、第１の絶縁層２５ａの傾斜より
急な傾斜となっている。

この後、第２の絶縁層２５ｂ上に、第３の絶縁層２５ｃ
を形成する。この第３の絶縁層２５ｃは、酸素濃度的５
５ａｔ％のシリコン酸化膜により形成されている。そし
てこの第３の絶縁層２５ｃ上には、フォトリソグラフィ
ー技術により所定の形状のフォトレジスト膜が形成され
、このフォトレジスト膜をエツチングする工程において
、第３の絶縁層２５ｃの端部は、第１の絶縁層２５ａと
同様の傾斜したテーバ状のものとなっている。

上述したように、第１および第３の絶縁層２５ａ、２５
ｃにおけるエツチング速度は、第２の絶縁層２５ｂのエ
ツチング速度に比べ、約２０％程度遅くなるため、第２
図に示したように、第１および第３の絶縁層２５ａ、２
５ｃの傾斜角度θ１と第２の絶縁層２５ｂの傾斜角度θ
２との関係は、θ１くθ２ となるので、略Ｓ字状の傾斜面となる。

したがって、第１〜３の絶縁層２５　ａ、　２５　ｂ。

２５ｃからなる絶縁層２５上に形成する第２の磁性体層
２６が緩かな傾斜に沿って良好に形成させることができ
る。これにより、特性の良い薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。

なお、上述した実施例では、絶縁層２５が３層のものに
ついて説明したが、絶縁層を連続的に形成された１層の
ものとしてもよく、あるいは他の複数の層のものとして
もよい。

［発明の効果コ 以上説明したようにこの発明の薄膜磁気ヘッドは、絶縁
層をシリコン酸化膜により形成するとともに、これらの
シリコン酸化膜による層の磁性体層に近接する側の酸素
濃度を近接しない部分のシリコン酸化膜の酸素濃度より
小さくしたので、シリコン酸化膜である絶縁層における
コイルパターン形成工程のエツチングにより絶縁層の端
部が緩かとなるため、磁気コアとなる磁性体層の欠陥の
発生を防止することができ、特性の良好な薄膜磁気ヘッ
ドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す側
面断面図、第２図は第１図の絶縁層を説明するための側
面断面図、第３図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す側面断
面図、第４図は第３図の絶縁層を説明するための側面断
面図である。 ２１・・・基板、２２・・・第１の磁性体層、２３・・
・絶縁中間層、２４・・・コイルパターン、２５・・・
絶縁層、２５ａ・・・第１の絶縁層、２５ｂ・・・第２
の絶縁層、２５ｃ・・・第３の絶縁層、２６・・・第２
の磁性体層、２７・・・保護層。 出願人　　　　　　株式会社　東芝 代理人　弁理士　　須　山　佐　− 第５図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に第１の磁性体層が形成され、この第１の
   磁性体層上にその一部を除いた層上に複数のコイルパタ
   ーンが介在された絶縁層が形成され、この絶縁層上に前
   記第１の磁性体層の前記一部に接触させて第２の磁性体
   層が形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、前記絶縁層を
   シリコン酸化膜により形成するとともに、これらのシリ
   コン酸化膜による層の前記各磁性体層に近接する側の酸
   素濃度を近接しない部分のシリコン酸化膜の酸素濃度よ
   り小さくしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。