JPH0351772Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0351772Y2 JPH0351772Y2 JP12468985U JP12468985U JPH0351772Y2 JP H0351772 Y2 JPH0351772 Y2 JP H0351772Y2 JP 12468985 U JP12468985 U JP 12468985U JP 12468985 U JP12468985 U JP 12468985U JP H0351772 Y2 JPH0351772 Y2 JP H0351772Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin
- dummy
- thin film
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 107
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 57
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本考案はPCM（Pulse Code Modulation）記
録再生装置等に用いられる薄膜磁気ヘツドに関す
る。
録再生装置等に用いられる薄膜磁気ヘツドに関す
る。
Ｂ 考案の概要
本考案は複数の薄膜ヘツド素子が形成された基
板と保護板とがガラス融着されてなる薄膜磁気ヘ
ツドにおいて、薄膜ヘツド素子間に配されるダミ
ー膜の表面に微細な凹凸を形成することにより、
上部磁性膜の形成時に膜応力を分散させて、膜剥
れを防止することができるようにしたものであ
る。
板と保護板とがガラス融着されてなる薄膜磁気ヘ
ツドにおいて、薄膜ヘツド素子間に配されるダミ
ー膜の表面に微細な凹凸を形成することにより、
上部磁性膜の形成時に膜応力を分散させて、膜剥
れを防止することができるようにしたものであ
る。
Ｃ 従来の技術
薄膜磁気ヘツドは、一般に、磁性基板上にコイ
ル導体、絶縁膜、上部磁性膜からなる複数の薄膜
ヘツド素子を形成した後、保護板をガラス融着す
ることにより製造される。ところで、この薄膜磁
気ヘツドの製造工程において、保護板をガラス融
着する際に、薄膜ヘツド素子を構成する各薄膜に
歪や亀裂が入つたり、コイル導体が多層の場合に
は層間絶縁膜が破壊され導体間が短絡してしまう
ことがある、これは、薄膜ヘツド素子を構成する
コイル導体の存在する領域が構造上最も高く（厚
く）なり、この領域がガラス融着時に加圧力を最
も強く受けるからである。このような保護板のガ
ラス融着時に生ずる不具合を解決すべく、薄膜ヘ
ツド素子を構成する多層膜よりなるダミー膜をト
ラツク部近傍に配してなる薄膜ヘツドを本件出願
人は先に提案している（実願昭59−117496号）。
ル導体、絶縁膜、上部磁性膜からなる複数の薄膜
ヘツド素子を形成した後、保護板をガラス融着す
ることにより製造される。ところで、この薄膜磁
気ヘツドの製造工程において、保護板をガラス融
着する際に、薄膜ヘツド素子を構成する各薄膜に
歪や亀裂が入つたり、コイル導体が多層の場合に
は層間絶縁膜が破壊され導体間が短絡してしまう
ことがある、これは、薄膜ヘツド素子を構成する
コイル導体の存在する領域が構造上最も高く（厚
く）なり、この領域がガラス融着時に加圧力を最
も強く受けるからである。このような保護板のガ
ラス融着時に生ずる不具合を解決すべく、薄膜ヘ
ツド素子を構成する多層膜よりなるダミー膜をト
ラツク部近傍に配してなる薄膜ヘツドを本件出願
人は先に提案している（実願昭59−117496号）。
Ｄ 考案が解決しようとする問題点
上述したダミー膜によれば、該ダミー膜の高さ
（厚み）が薄膜ヘツド素子より高くなることから、
保護板をガラス融着する際に生ずる不具合を解決
することができる。しかしながら、上記ダミー膜
は単純な積層構造であるため、最も薄厚の厚くな
る上部磁性膜の形成時において、膜応力により膜
剥れが生ずることが多く、良好なダミー膜を形成
できないばかりでなく、薄膜ヘツド素子にも悪影
響を及ぼしてしまうという問題点があつた。
（厚み）が薄膜ヘツド素子より高くなることから、
保護板をガラス融着する際に生ずる不具合を解決
することができる。しかしながら、上記ダミー膜
は単純な積層構造であるため、最も薄厚の厚くな
る上部磁性膜の形成時において、膜応力により膜
剥れが生ずることが多く、良好なダミー膜を形成
できないばかりでなく、薄膜ヘツド素子にも悪影
響を及ぼしてしまうという問題点があつた。
そこで、本考案は上述した従来の問題点に鑑み
て提案されたものであり、上部磁性膜の形成時に
おける膜剥れを防止して良好なダミー膜を形成す
ることができるような薄膜磁気ヘツドを提供する
ことを目的とする。
て提案されたものであり、上部磁性膜の形成時に
おける膜剥れを防止して良好なダミー膜を形成す
ることができるような薄膜磁気ヘツドを提供する
ことを目的とする。
Ｅ 問題点を解決するための手段
本考案に係る薄膜磁気ヘツドは、上述した目的
を達成するために、複数の薄膜ヘツド素子が形成
された基板と保護板とがガラス融着されてなる薄
膜磁気ヘツドにおいて、上記薄膜ヘツド素子間に
薄膜ヘツド素子を構成する多層膜よりなるダミー
膜を配し、このダミー膜表面に微細な凹凸が形成
されていることを特徴としている。
を達成するために、複数の薄膜ヘツド素子が形成
された基板と保護板とがガラス融着されてなる薄
膜磁気ヘツドにおいて、上記薄膜ヘツド素子間に
薄膜ヘツド素子を構成する多層膜よりなるダミー
膜を配し、このダミー膜表面に微細な凹凸が形成
されていることを特徴としている。
Ｆ 作用
本考案によれば、表面に微細な凹凸を有するダ
ミー膜により、上部磁性膜形成時における膜応力
が分散される。
ミー膜により、上部磁性膜形成時における膜応力
が分散される。
Ｇ実施例
以下、本考案に係る薄膜磁気ヘツドの実施例に
ついて図面を用いて詳細に説明する。
ついて図面を用いて詳細に説明する。
第１図Ａはダミー膜の一例を示す平面図であ
り、第１図Ｂは第１図Ａにおける−線断面図
である。なお、第１図Ａには要部のみを示してあ
る。
り、第１図Ｂは第１図Ａにおける−線断面図
である。なお、第１図Ａには要部のみを示してあ
る。
この第１図Ａおよび第１図Ｂにおいて、Mn−
Znフエライト等の磁性基板１上には、絶縁膜１
１を介して導体膜１２が形成されている。上記導
体膜１２は各々が矢印Ｙ方向に延設され、矢印Ｘ
方向に等間隔で配されている。また、絶縁膜１１
および導体膜１２上には絶縁膜１３が形成されて
おり、該絶縁膜１３上には導体膜１４が形成され
ている。この導体膜１４は上記導体膜１２と直交
するように、各々が矢印Ｘ方向に延設され、矢印
Ｙ方向に等間隔で配されている。すなわち、導体
膜１２および導体膜１４が格子状に配されてい
る。また、絶縁膜１３および導体膜１４上には絶
縁膜１５が形成されており、該絶縁膜１６上には
磁性膜１６が形成されている。更に、磁性膜１６
上には保護膜１７が形成されている。このような
構造を有するダミー膜１０は、各薄膜が後述する
薄膜ヘツド素子３０を構成する各薄膜と対応して
いる。なお、低融点ガラスからなる融着ガラス層
２１によつて結晶化ガラスの保護板２２が融着接
合されている。
Znフエライト等の磁性基板１上には、絶縁膜１
１を介して導体膜１２が形成されている。上記導
体膜１２は各々が矢印Ｙ方向に延設され、矢印Ｘ
方向に等間隔で配されている。また、絶縁膜１１
および導体膜１２上には絶縁膜１３が形成されて
おり、該絶縁膜１３上には導体膜１４が形成され
ている。この導体膜１４は上記導体膜１２と直交
するように、各々が矢印Ｘ方向に延設され、矢印
Ｙ方向に等間隔で配されている。すなわち、導体
膜１２および導体膜１４が格子状に配されてい
る。また、絶縁膜１３および導体膜１４上には絶
縁膜１５が形成されており、該絶縁膜１６上には
磁性膜１６が形成されている。更に、磁性膜１６
上には保護膜１７が形成されている。このような
構造を有するダミー膜１０は、各薄膜が後述する
薄膜ヘツド素子３０を構成する各薄膜と対応して
いる。なお、低融点ガラスからなる融着ガラス層
２１によつて結晶化ガラスの保護板２２が融着接
合されている。
第２図は本実施例の薄膜磁気ヘツドの要部を示
す平面図である。この第２図に示すように、上記
ダミー膜１０は薄膜ヘツド素子間（本実施例にお
いては、２チヤンネル分の薄膜ヘツド素子３０，
３０を１組とする薄膜ヘツド素子対４０，４０
間）に配設されている。ここで、第２図の−
線断面図である第３図も合わせて参照しながら薄
膜ヘツド素子３０について説明する。Mn−Znフ
エライト等の磁性基板１上には、第１絶縁基３１
を介して第１コイル導体３２がループ状に３ター
ン形成されている。また、第１絶縁膜３１および
第１コイル導体３２上には第２絶縁膜３３が形成
されており、この第２絶縁膜３３上には第１コイ
ル導体３２と接続される第２コイル導体３４がル
ープ状に３ターン形成されている。上記第１コイ
ル導体３２および第２コイル導体３４はいずれも
CuまたはAl等からなつている。また、第２絶縁
膜３３および第２コイル導体３４上には、第３絶
縁膜３５が形成されている。上記第１〜第３絶縁
膜３１，３３，３５はいずれもSiO2またはAl2O3
等からなつている。また、フロントギヤツプ側の
上記磁性基板１上には、磁気ギヤツプｇとなるギ
ヤツプ膜３６がSiO2またはAl2O3等で形成されて
いる。このギヤツプ膜３６および上記第３絶縁膜
３５上には、ループ状のコイル導体３２，３４を
またぎ、バツクギヤツプ側で上記磁性基板１と接
合するセンダスト等の上部磁性膜３７が形成され
ている。また、上部磁性膜３７上、およびバツク
ギヤツプ側の第３絶縁膜３５上には、たとえば
SiO2膜とCr膜の二重膜からなる保護膜３８が形
成されている。これらの各薄膜はいずれもスパツ
タリング等の薄膜形成技術によつて形成される。
す平面図である。この第２図に示すように、上記
ダミー膜１０は薄膜ヘツド素子間（本実施例にお
いては、２チヤンネル分の薄膜ヘツド素子３０，
３０を１組とする薄膜ヘツド素子対４０，４０
間）に配設されている。ここで、第２図の−
線断面図である第３図も合わせて参照しながら薄
膜ヘツド素子３０について説明する。Mn−Znフ
エライト等の磁性基板１上には、第１絶縁基３１
を介して第１コイル導体３２がループ状に３ター
ン形成されている。また、第１絶縁膜３１および
第１コイル導体３２上には第２絶縁膜３３が形成
されており、この第２絶縁膜３３上には第１コイ
ル導体３２と接続される第２コイル導体３４がル
ープ状に３ターン形成されている。上記第１コイ
ル導体３２および第２コイル導体３４はいずれも
CuまたはAl等からなつている。また、第２絶縁
膜３３および第２コイル導体３４上には、第３絶
縁膜３５が形成されている。上記第１〜第３絶縁
膜３１，３３，３５はいずれもSiO2またはAl2O3
等からなつている。また、フロントギヤツプ側の
上記磁性基板１上には、磁気ギヤツプｇとなるギ
ヤツプ膜３６がSiO2またはAl2O3等で形成されて
いる。このギヤツプ膜３６および上記第３絶縁膜
３５上には、ループ状のコイル導体３２，３４を
またぎ、バツクギヤツプ側で上記磁性基板１と接
合するセンダスト等の上部磁性膜３７が形成され
ている。また、上部磁性膜３７上、およびバツク
ギヤツプ側の第３絶縁膜３５上には、たとえば
SiO2膜とCr膜の二重膜からなる保護膜３８が形
成されている。これらの各薄膜はいずれもスパツ
タリング等の薄膜形成技術によつて形成される。
また、コイル導体３２，３４、上部磁性膜３７
等の各薄膜からなる薄膜ヘツド素子３０の形成さ
れた上記磁性基板１には、低融点ガラスの融着ガ
ラス層２１によつて、結晶化ガラスからなる保護
板２２がガラス融着されている。
等の各薄膜からなる薄膜ヘツド素子３０の形成さ
れた上記磁性基板１には、低融点ガラスの融着ガ
ラス層２１によつて、結晶化ガラスからなる保護
板２２がガラス融着されている。
前述したダミー膜１０は、この薄膜ヘツド素子
３０を構成する各薄膜を膜付けする工程と同じ工
程で膜付けされ形成される。また、上記ダミー膜
１０を構成する各薄膜は上記薄膜ヘツド素子３０
を構成する各薄膜と対応していることは勿論であ
る。すなわち、絶縁膜１１，１３，１５はSiO2
またはAl2O3等からなりそれぞれ第１、第２、第
３絶縁膜３１，３３，３５に対応しており、導体
膜１２，１４はCuまたはAl等からなりそれぞれ
第１、第２コイル導体３２，３４に対応してお
り、磁性膜１６はセンダスト等からなり上部磁性
膜３７に対応しており、保護膜１７はたとえば
SiO2膜とCr膜の二重膜からなり保護膜３８に対
応している。更に、上記ダミー膜１０を構成する
各薄膜は、上記薄膜ヘツド素子３０を構成する各
薄膜と同じ膜厚となつている。また、ダミー膜１
０の高さｈ（第１図Ｂ参照）は、導体膜１２上の
絶縁膜１３に更に導体膜１４が積み上げられてい
ることから、薄膜ヘツド素子３０の最高部より高
くなつている。
３０を構成する各薄膜を膜付けする工程と同じ工
程で膜付けされ形成される。また、上記ダミー膜
１０を構成する各薄膜は上記薄膜ヘツド素子３０
を構成する各薄膜と対応していることは勿論であ
る。すなわち、絶縁膜１１，１３，１５はSiO2
またはAl2O3等からなりそれぞれ第１、第２、第
３絶縁膜３１，３３，３５に対応しており、導体
膜１２，１４はCuまたはAl等からなりそれぞれ
第１、第２コイル導体３２，３４に対応してお
り、磁性膜１６はセンダスト等からなり上部磁性
膜３７に対応しており、保護膜１７はたとえば
SiO2膜とCr膜の二重膜からなり保護膜３８に対
応している。更に、上記ダミー膜１０を構成する
各薄膜は、上記薄膜ヘツド素子３０を構成する各
薄膜と同じ膜厚となつている。また、ダミー膜１
０の高さｈ（第１図Ｂ参照）は、導体膜１２上の
絶縁膜１３に更に導体膜１４が積み上げられてい
ることから、薄膜ヘツド素子３０の最高部より高
くなつている。
このように構成された本実施例の薄膜磁気ヘツ
ドによれば、ダミー膜１０の形成の際に、導体膜
１２，１４により微細な凹凸が表面に形成された
後に磁性膜１６が形成されるため、上部磁性膜３
７（磁性膜１６）の形成時において膜応力を分散
させることができ、膜剥れを防止することができ
る。よつて、良好なダミー膜１０を得ることがで
きる。また、このダミー膜１０の高さｈが薄膜ヘ
ツド素子３０より高くなることから、保護板２２
のガラス融着時の加圧力は上記ダミー膜１０が最
も強く受けることとなり、薄膜ヘツド素子３０を
構成する各薄膜に歪や亀裂が入つたり、コイル導
体１２，１４間が短絡してしまうようなことはな
い。
ドによれば、ダミー膜１０の形成の際に、導体膜
１２，１４により微細な凹凸が表面に形成された
後に磁性膜１６が形成されるため、上部磁性膜３
７（磁性膜１６）の形成時において膜応力を分散
させることができ、膜剥れを防止することができ
る。よつて、良好なダミー膜１０を得ることがで
きる。また、このダミー膜１０の高さｈが薄膜ヘ
ツド素子３０より高くなることから、保護板２２
のガラス融着時の加圧力は上記ダミー膜１０が最
も強く受けることとなり、薄膜ヘツド素子３０を
構成する各薄膜に歪や亀裂が入つたり、コイル導
体１２，１４間が短絡してしまうようなことはな
い。
なお、本考案は上述した実施例に限定されるも
のではなく、たとえばコイル導体が一層構造の薄
膜磁気ヘツドに適用することもできる。この場
合、ダミー膜１０は、たとえば第４図Ａおよび第
４図Ａの−線断面図である第４図Ｂに示すよ
うに、導体膜１２を島状に等間隔で形成すれば良
い。
のではなく、たとえばコイル導体が一層構造の薄
膜磁気ヘツドに適用することもできる。この場
合、ダミー膜１０は、たとえば第４図Ａおよび第
４図Ａの−線断面図である第４図Ｂに示すよ
うに、導体膜１２を島状に等間隔で形成すれば良
い。
Ｈ 考案の効果
本考案に係る薄膜磁気ヘツドによれば、ダミー
膜の表面に微細な凹凸を形成したことにより、上
部磁性膜の形成時において膜応力を分散させるこ
とができ、膜剥れを防止することができる。よつ
て、良好なダミー膜が得られると共に、薄膜ヘツ
ド素子に悪影響は及ぼされない。また、上記ダミ
ー膜が保護板のガラス融着時の加圧力を最も強く
受けることとなり、薄膜ヘツド素子を構成する各
薄膜に歪や亀裂が入るのを防止したり、コイル導
体が多層の場合には短絡を防止することができ
る。
膜の表面に微細な凹凸を形成したことにより、上
部磁性膜の形成時において膜応力を分散させるこ
とができ、膜剥れを防止することができる。よつ
て、良好なダミー膜が得られると共に、薄膜ヘツ
ド素子に悪影響は及ぼされない。また、上記ダミ
ー膜が保護板のガラス融着時の加圧力を最も強く
受けることとなり、薄膜ヘツド素子を構成する各
薄膜に歪や亀裂が入るのを防止したり、コイル導
体が多層の場合には短絡を防止することができ
る。
第１図Ａはダミー膜の一例を示す平面図、第１
図Ｂは第１図Ａにおける−線断面図、第２図
は実施例の薄膜磁気ヘツドの要部を示す平面図、
第３図は第２図における−線断面図、第４図
Ａはダミー膜の他の例を示す平面図、第４図Ｂは
第４図Ａにおける−線断面図である。 １……磁性基板、１０……ダミー膜、１２，１
４……導体膜、２１……融着ガラス層、２２……
保護板、３０……薄膜ヘツド素子。
図Ｂは第１図Ａにおける−線断面図、第２図
は実施例の薄膜磁気ヘツドの要部を示す平面図、
第３図は第２図における−線断面図、第４図
Ａはダミー膜の他の例を示す平面図、第４図Ｂは
第４図Ａにおける−線断面図である。 １……磁性基板、１０……ダミー膜、１２，１
４……導体膜、２１……融着ガラス層、２２……
保護板、３０……薄膜ヘツド素子。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 複数の薄膜ヘツド素子が形成された基板と保護
板とがガラス融着されてなる薄膜磁気ヘツドにお
いて、 上記薄膜ヘツド素子間に薄膜ヘツド素子を構成
する多層膜よりなるダミー膜を配し、 このダミー膜表面に微細な凹凸が形成されてい
ることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12468985U JPH0351772Y2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12468985U JPH0351772Y2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235405U JPS6235405U (ja) | 1987-03-02 |
| JPH0351772Y2 true JPH0351772Y2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=31016936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12468985U Expired JPH0351772Y2 (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351772Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP12468985U patent/JPH0351772Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235405U (ja) | 1987-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0163998B1 (en) | Multi-track magnetic thin film heads and a method of producing the same | |
| JPS60157711A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0351772Y2 (ja) | ||
| JPS60175208A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| EP0559432A2 (en) | Laminated, high frequency, magnetic transducer and manufacturing method therefor | |
| JPH03214411A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0664703B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| US4868972A (en) | Method for manufacturing a magnetic head for performing high density recording and reproducing | |
| JP2891817B2 (ja) | 磁気ヘッド製造方法 | |
| JPS63311615A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS62256209A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2635670B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS60226008A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| KR100200809B1 (ko) | 자기헤드 및 그 제조방법 | |
| JP2534082B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2646746B2 (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH03100910A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0719340B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0756684B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6238516A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH06176319A (ja) | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0668424A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0516081B2 (ja) | ||
| JPH01137419A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0485715A (ja) | インラインマルチギャップ磁気ヘッド及びその製造方法 |