JPH01249786A - 有機燐化合物の製造法 - Google Patents
有機燐化合物の製造法Info
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、除草剤の有効成分化合物の中間体として有用
なホスフィニルアミノ酸誘導体の新規な製造法に関する
ものである。
なホスフィニルアミノ酸誘導体の新規な製造法に関する
ものである。
(ロ)従来の技術及び発明が解決しようとする問題点
従来、ホスフィニルアミノ酸誘導体の製造法としては、
例えば下記のものが知られている。
例えば下記のものが知られている。
(1)特開昭58−131993号公報(2)特開昭5
2−139727号公報上記の(1)の公報には、例え
ば次の反応式で示される製造法が記載されている。
2−139727号公報上記の(1)の公報には、例え
ば次の反応式で示される製造法が記載されている。
Clh−P −Cfl=CII□ 十 P h−
CIl=NC1l□C00CJs署 oco、 (V) (IV) 〔上記反応式において、phはフェニル基を示す。〕上
記の(2)の公報には、例えば次の反応式で示される製
造法が記載されている。
CIl=NC1l□C00CJs署 oco、 (V) (IV) 〔上記反応式において、phはフェニル基を示す。〕上
記の(2)の公報には、例えば次の反応式で示される製
造法が記載されている。
Ctls−P−CH=CHz + C11sCON
HCIl(COOCzlls)z0 C1hCHzC1
(■) (■〕 0C11□CH2Cl N11COC113化合物〔■
〕のアンモニウム塩は、市販されている除草剤の有効成
分化合物である。
HCIl(COOCzlls)z0 C1hCHzC1
(■) (■〕 0C11□CH2Cl N11COC113化合物〔■
〕のアンモニウム塩は、市販されている除草剤の有効成
分化合物である。
上記の2つの製造法は、常圧の反応であり、中間体(V
l)又は中間体(X)を経て、化合物〔■〕を製造する
方法であるが、原料のひとつである化合物(V)又は化
合物(IX)は、相当高価であり、工°業的実施として
は有利な製造法とはいえない。
l)又は中間体(X)を経て、化合物〔■〕を製造する
方法であるが、原料のひとつである化合物(V)又は化
合物(IX)は、相当高価であり、工°業的実施として
は有利な製造法とはいえない。
一方、特公昭57−37585号公報には、例えば次の
反応式で示される製造法が記載されている。
反応式で示される製造法が記載されている。
Bz−X + CII+C0NHz +
C0NIICOC1h 〔上記反応式において、Bzはベンジル基、Xはハロゲ
ンを示す。〕 この製造法は、加圧下における反応であるが、一般のア
ミノ酸誘導体の製造法であり、本発明のような燐原子を
含有したホスフィニルアミノ酸誘導体の製造法ではない
。
C0NIICOC1h 〔上記反応式において、Bzはベンジル基、Xはハロゲ
ンを示す。〕 この製造法は、加圧下における反応であるが、一般のア
ミノ酸誘導体の製造法であり、本発明のような燐原子を
含有したホスフィニルアミノ酸誘導体の製造法ではない
。
又、この反応は本発明方法に比べ収率も低い。
(ハ)問題点を解決するための手段
本発明者らは、除草剤の有効成分化合物の中間体として
有用なホスフィニルアミノ酸誘導体の工業的に有利な製
造法について種々検討した結果、燐原子にハロゲノエチ
ル基が直結した化合物を原料のひとつとして用いること
によって、アミドカルボニル化反応が少ない触媒量で且
つ短時間で容易に進行し、高収率、高純度で目的のホス
フィニルアミノ酸誘導体が得られることを見出し本発明
を完成するに至った。
有用なホスフィニルアミノ酸誘導体の工業的に有利な製
造法について種々検討した結果、燐原子にハロゲノエチ
ル基が直結した化合物を原料のひとつとして用いること
によって、アミドカルボニル化反応が少ない触媒量で且
つ短時間で容易に進行し、高収率、高純度で目的のホス
フィニルアミノ酸誘導体が得られることを見出し本発明
を完成するに至った。
即ち、本発明は、−最大(II)
R’−P−CH2−CH,−X
(II)0R” (式中、R’ は低級アルキル基、R2は水素、低級ア
ルキル基、ハロ低級アルキル基又は置換されていてもよ
いフェニル基、Xはハロゲンを示す。) で表される化合物と 一般式(1) %式%([] (式中、R3はアルキル基又は置換されていてもよいフ
ェニル基を示す。) で表される化合物と、 一酸化炭素及び水素とを周期律表第■族金属含有触媒の
存在下、反応させることを特徴とする一般式(1) R’−P CHz−CHz−CHCOOH(r )O
R” ’ NHCOR”で表されるホス
フィニルアミノ酸誘導体の製造法に関するものであり、 一般式(n)で表される化合物と、−最大(III)で
表される化合物と、−酸化炭素及び水素とを周期律表第
■族金属含有触媒の存在下、反応させることを特徴とす
る一般式(1)で表されるホスフィニルアミノ酸誘導体
の製造法に関するものである。
(II)0R” (式中、R’ は低級アルキル基、R2は水素、低級ア
ルキル基、ハロ低級アルキル基又は置換されていてもよ
いフェニル基、Xはハロゲンを示す。) で表される化合物と 一般式(1) %式%([] (式中、R3はアルキル基又は置換されていてもよいフ
ェニル基を示す。) で表される化合物と、 一酸化炭素及び水素とを周期律表第■族金属含有触媒の
存在下、反応させることを特徴とする一般式(1) R’−P CHz−CHz−CHCOOH(r )O
R” ’ NHCOR”で表されるホス
フィニルアミノ酸誘導体の製造法に関するものであり、 一般式(n)で表される化合物と、−最大(III)で
表される化合物と、−酸化炭素及び水素とを周期律表第
■族金属含有触媒の存在下、反応させることを特徴とす
る一般式(1)で表されるホスフィニルアミノ酸誘導体
の製造法に関するものである。
本発明の製造法を反応式で示せば、下記の通りである。
R’−P CHz−CHz−X
R2
(II)
本発明において、置換基のR1としては、例えばメチル
、エチル、ノルマルプロピル、イソプロピル、ノルマル
ブチル、イソブチル、ターシャリブチル基等の低級アル
キル基が挙げられるが、これらの中でメチル基が好まし
いものである。
、エチル、ノルマルプロピル、イソプロピル、ノルマル
ブチル、イソブチル、ターシャリブチル基等の低級アル
キル基が挙げられるが、これらの中でメチル基が好まし
いものである。
置換基R2としては、例えば水素、メチル、エチル、ノ
ルマルプロピル、イソプロピル、ノルマルブチル、イソ
ブチル、ターシャリブチル等の低級アルキル基、ノぐロ
ゲノメチル、ハロゲノエチル、ハロゲノプロピル、ハロ
ゲノブチル等のハロ低級アルキル基、フェニル及びベン
ジル等の置換されていてもよいフェニル基が挙げられる
。
ルマルプロピル、イソプロピル、ノルマルブチル、イソ
ブチル、ターシャリブチル等の低級アルキル基、ノぐロ
ゲノメチル、ハロゲノエチル、ハロゲノプロピル、ハロ
ゲノブチル等のハロ低級アルキル基、フェニル及びベン
ジル等の置換されていてもよいフェニル基が挙げられる
。
ハロ低級アルキル基のハロゲンとしては、塩素、弗素、
沃素、臭素が挙げられる。
沃素、臭素が挙げられる。
置換されていてもよいフェニル基の置換基は特に限定さ
れるものではなく、例えば低級アルキル基、ハロゲン等
が挙げられる。
れるものではなく、例えば低級アルキル基、ハロゲン等
が挙げられる。
ハロゲンとしては、弗素、塩素、臭素、沃素が挙げられ
る。
る。
上記置換基R2の中で、メチル、■−クロルエチル、2
−クロルエチル基等が好ましいものである。
−クロルエチル基等が好ましいものである。
置換基Xとしては、塩素、臭素、沃素から選ばれるハロ
ゲンが挙げられが、特に塩素が好ましい。
ゲンが挙げられが、特に塩素が好ましい。
置換基R3としては、例えば水素、メチル、エチル、ノ
ルマルプロピル、イソプロピル、ノルマルブチル、イソ
ブチル、ターシャリブチル、ドデシル等のアルキル基、
フェニル、メチル置換フェニル、トリメチル置換フェニ
ル、ブチル置換フェニル、メトキシ置換フェニル、シア
ノ置換フェニル、弗素置換フェニル、2弗素置換フエニ
ル、弗素及び塩素で置換されたフェニル、塩素置換フェ
ニル、2塩素置換フエニル、メチル及び塩素で置換され
たフェニル、臭素置換フェニル、ベンゾイル置換フェニ
ル、メチル置換フェニルブチル、ナフチル及びベンジル
等の置換されていてもよいフェニル基、ピリジニル基及
びアミノ基等が挙げられるが、メチル基、フェニル基が
躾ましい。
ルマルプロピル、イソプロピル、ノルマルブチル、イソ
ブチル、ターシャリブチル、ドデシル等のアルキル基、
フェニル、メチル置換フェニル、トリメチル置換フェニ
ル、ブチル置換フェニル、メトキシ置換フェニル、シア
ノ置換フェニル、弗素置換フェニル、2弗素置換フエニ
ル、弗素及び塩素で置換されたフェニル、塩素置換フェ
ニル、2塩素置換フエニル、メチル及び塩素で置換され
たフェニル、臭素置換フェニル、ベンゾイル置換フェニ
ル、メチル置換フェニルブチル、ナフチル及びベンジル
等の置換されていてもよいフェニル基、ピリジニル基及
びアミノ基等が挙げられるが、メチル基、フェニル基が
躾ましい。
原料のモル比は、通常−最大CI[[]の化合物は一般
式(II)の化合物1モルに対して通常0.2〜5モル
の範囲で使用されるが、0.5〜2モルの範囲が好まし
い。
式(II)の化合物1モルに対して通常0.2〜5モル
の範囲で使用されるが、0.5〜2モルの範囲が好まし
い。
一酸化炭素と水素とのガスの混合比は、水素1モルに対
して一酸化炭素が通常、0.1〜10モルの範囲で使用
されるが、0,2〜5モルの範囲が好ましい。
して一酸化炭素が通常、0.1〜10モルの範囲で使用
されるが、0,2〜5モルの範囲が好ましい。
周期律表第■族金属含有触媒としては、鉄、コバルト、
ニッケル、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジ
ウム及び白金等の金属を含有する触媒が挙げられる。
ニッケル、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジ
ウム及び白金等の金属を含有する触媒が挙げられる。
特に、これらのカルボニル化合物が有効でありコバルト
カルボニル化合物及びロジウム化合物が好ましい。
カルボニル化合物及びロジウム化合物が好ましい。
コバルトカルボニル化合物としてはヒドロコバルトテト
ラカルボニル、ジコバルトオクタカルボニル等が挙げら
れる。
ラカルボニル、ジコバルトオクタカルボニル等が挙げら
れる。
触媒は単独で使用しても上記化合物の混合物を使用して
もよい。
もよい。
触媒量は、特に限定されないがコバルトを使用する場合
は一般式(II)の化合物100モルに対して、通常コ
バルト金属として0.01〜IOダラム原子の範囲が使
用されるが、望ましくは0.05〜6グラム原子の範囲
が実用的な使用量である。
は一般式(II)の化合物100モルに対して、通常コ
バルト金属として0.01〜IOダラム原子の範囲が使
用されるが、望ましくは0.05〜6グラム原子の範囲
が実用的な使用量である。
本発明における反応圧力は、10〜400kg/cm2
Gの範囲、好ましくは40〜350 kg/cm”Gの
範囲、更に好ましくは70〜300 kg/cm2Gの
範囲がよい。
Gの範囲、好ましくは40〜350 kg/cm”Gの
範囲、更に好ましくは70〜300 kg/cm2Gの
範囲がよい。
反応温度は、20〜250℃の範囲、好ましくは40〜
200℃の範囲、更に好ましくは60〜170℃の範囲
がよい。
200℃の範囲、更に好ましくは60〜170℃の範囲
がよい。
・本発明反応は、無溶媒でも進行するが溶媒を使用する
こともできる。
こともできる。
通常、−最大(I[[)の化合物を溶解するため溶媒の
使用が好ましい。
使用が好ましい。
溶媒としては、不活性溶媒であれば特に限定されるもの
ではないが、例えばジエチルエーテル、テトラハイドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン
、アセトフェノン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタン等
の脂肪族炭化水素類を使用することができる。
ではないが、例えばジエチルエーテル、テトラハイドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン
、アセトフェノン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタン等
の脂肪族炭化水素類を使用することができる。
本発明反応は、副生ずるハロゲン化水素を中和し反応を
円滑に進行させるため塩基の存在下反応を行ってもよい
。
円滑に進行させるため塩基の存在下反応を行ってもよい
。
塩基としては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水
酸化物、酸化物及び弱酸との塩並びに弱酸のアンモニウ
ム塩等が挙げられる。
酸化物、酸化物及び弱酸との塩並びに弱酸のアンモニウ
ム塩等が挙げられる。
例えば、水酸化ナトリウム、重炭酸ナトリウム、蟻酸ナ
トリウム、酢酸ナトリウム、酸化カルシウム、炭酸カル
シウム、酢酸アンモニウム等である。
トリウム、酢酸ナトリウム、酸化カルシウム、炭酸カル
シウム、酢酸アンモニウム等である。
次に、本発明方法の実施態様は、特に限定されるもので
はなく、例えば−最大(II)の化合物及び−最大(I
II)の化合物を反応容器に仕込んだ後、−酸化炭素と
水素との混合ガスを導入して反応させて一般式(1)の
ホスフィニルアミノ酸誘導体を得る方法等が挙げられる
。
はなく、例えば−最大(II)の化合物及び−最大(I
II)の化合物を反応容器に仕込んだ後、−酸化炭素と
水素との混合ガスを導入して反応させて一般式(1)の
ホスフィニルアミノ酸誘導体を得る方法等が挙げられる
。
(ニ)発明の効果
本発明の製造法は、−i式(1)のホスフィニルアミノ
酸誘導体を少ない触媒量で且つ短時間で容易に高収率で
得ることができるもので、工業的に極めて有利な方法で
ある。
酸誘導体を少ない触媒量で且つ短時間で容易に高収率で
得ることができるもので、工業的に極めて有利な方法で
ある。
又、−最大(1)のホスフィニルアミノ酸誘導体は加水
分解によって容易に化合物〔■〕に導くことができる。
分解によって容易に化合物〔■〕に導くことができる。
C1l:l−P −C1l□C1I□CII C00I
I (■)昌 1 N11□ 上記の化合物〔■]のアンモニウム塩は、市販されてい
る非選択性茎葉処理型除草剤〔−船名:グルフォシネー
ト(Glufosinate) )の有効成分化合物で
ある。
I (■)昌 1 N11□ 上記の化合物〔■]のアンモニウム塩は、市販されてい
る非選択性茎葉処理型除草剤〔−船名:グルフォシネー
ト(Glufosinate) )の有効成分化合物で
ある。
又、−最大(1)のホスフィニルアミノ酸誘導体をシュ
ードモナス属に属する細菌、ストレプトミセス属に属す
る放線菌、アスペルギルス属に属する糸状菌等を使用し
てアシル基を加水分解し、更に、必要により生成物を酸
加水分解することにより容易にL体の化合物(■)
(L−2−アミノ−4−(ヒドロキシメチルホスフィニ
ル)酪酸〕に導くことができる。
ードモナス属に属する細菌、ストレプトミセス属に属す
る放線菌、アスペルギルス属に属する糸状菌等を使用し
てアシル基を加水分解し、更に、必要により生成物を酸
加水分解することにより容易にL体の化合物(■)
(L−2−アミノ−4−(ヒドロキシメチルホスフィニ
ル)酪酸〕に導くことができる。
(ホ)実施例
以下、本発明について実施例を挙げて説明するが本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
実施例1
CII3−P−CII □CIl □X + C
Il:1cON112 + 2CO+ II □
0Cll+ □→ C113−P−CIl□CHzC1lCOOHO
Ctl 3 NlIC0CII 3100mlのス
テンレス製オートクレーブに、ジオキサン50g、メチ
ルクロロエチルホスフィン酸−2−クロルエチルニスエ
ル4.27g(20ミリモル)、アセトアミド1.29
g(22ミリモル)、ジコバルトオクタカルボニル1.
6g(4,6ミリモル)を仕込んだ。
Il:1cON112 + 2CO+ II □
0Cll+ □→ C113−P−CIl□CHzC1lCOOHO
Ctl 3 NlIC0CII 3100mlのス
テンレス製オートクレーブに、ジオキサン50g、メチ
ルクロロエチルホスフィン酸−2−クロルエチルニスエ
ル4.27g(20ミリモル)、アセトアミド1.29
g(22ミリモル)、ジコバルトオクタカルボニル1.
6g(4,6ミリモル)を仕込んだ。
オートクレーブを一酸化炭素と水素との混合ガス(1:
1モル)で置換して110’C1200kg/cm2G
で8時間反応させた。
1モル)で置換して110’C1200kg/cm2G
で8時間反応させた。
オートクレーブを冷却後、反応生成物を取り出しガスク
ロマトグラフィで分析したところ、メチルクロロエチル
ホスフィン酸−2−クロルエチルニスエルの転化率は1
00%であった。
ロマトグラフィで分析したところ、メチルクロロエチル
ホスフィン酸−2−クロルエチルニスエルの転化率は1
00%であった。
この反応生成物をジアゾメタンでメチル化し、ガスクロ
マトグラフィで分析したところ、2−N−アシルアミノ
−4−(2−クロロエトキシ)−4−メチルホスフィニ
ル醋酸の収率は72.5%であった。
マトグラフィで分析したところ、2−N−アシルアミノ
−4−(2−クロロエトキシ)−4−メチルホスフィニ
ル醋酸の収率は72.5%であった。
実施例2
酢酸カリウム1.7g(22ミリモル)を加えた他は、
実施例1と同様に反応を行った。
実施例1と同様に反応を行った。
メチルクロロエチルホスフィン酸−2−クロルエチルニ
スエルの転化率は100%であり、2−N−アシルアミ
ノ−4−(2−クロロエトキシ)−4−メチルホスフィ
ニル酪酸の収率は82.0%であった。
スエルの転化率は100%であり、2−N−アシルアミ
ノ−4−(2−クロロエトキシ)−4−メチルホスフィ
ニル酪酸の収率は82.0%であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中、R^1は低級アルキル基、R^2は水素、低級
アルキル基、ハロ低級アルキル基又は置換されていても
よいフェニル基、Xはハロゲンを示す。) で表される化合物と、 一般式〔III〕 NH_2−COR^3〔III〕 (式中、R^3はアルキル基又は置換されていてもよい
フェニル基を示す。) で表される化合物と、 一酸化炭素及び水素とを周期律表第VIII族金属含有触媒
の存在下、反応させることを特徴とする 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 で表されるホスフィニルアミノ酸誘導体の製造法。 2、R^1がメチル基、R^2が水素、メチル基又はハ
ロゲノエチル基、R^3が低級アルキル基又はフェニル
基である請求項1記載の製造法。 3、反応圧力が40〜350kg/cm^2Gである請
求項1項記載の製造法。 4、反応温度が40〜200℃である請求項1項記載の
製造法。 5、第VIII族金属含有触媒がコバルトカルボニル化合物
である請求項1記載の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63079898A JP2615791B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 有機燐化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63079898A JP2615791B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 有機燐化合物の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01249786A true JPH01249786A (ja) | 1989-10-05 |
JP2615791B2 JP2615791B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=13703098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63079898A Expired - Fee Related JP2615791B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 有機燐化合物の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2615791B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021212910A1 (zh) * | 2020-04-23 | 2021-10-28 | 河北威远生物化工有限公司 | 一种连续化生产草铵膦的工艺与设备 |
JP2023511204A (ja) * | 2020-10-14 | 2023-03-16 | リアー ケミカル カンパニー リミテッド | L-グルホシネートの製造方法 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63079898A patent/JP2615791B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021212910A1 (zh) * | 2020-04-23 | 2021-10-28 | 河北威远生物化工有限公司 | 一种连续化生产草铵膦的工艺与设备 |
JP2023511204A (ja) * | 2020-10-14 | 2023-03-16 | リアー ケミカル カンパニー リミテッド | L-グルホシネートの製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2615791B2 (ja) | 1997-06-04 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |