JPH0124972Y2 - - Google Patents
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- JPH0124972Y2 JPH0124972Y2 JP1981167235U JP16723581U JPH0124972Y2 JP H0124972 Y2 JPH0124972 Y2 JP H0124972Y2 JP 1981167235 U JP1981167235 U JP 1981167235U JP 16723581 U JP16723581 U JP 16723581U JP H0124972 Y2 JPH0124972 Y2 JP H0124972Y2
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、低電圧で作動するSEPP(シングル
エンド・プツシユプル)増幅回路に関し、特に無
効電流が小さく、電力損失が少く、かつ安定に作
動するSEPP増幅回路を提供せんとするものであ
る。 従来、第1図に示す如き増幅回路が公知であ
る。この増幅回路は、入力端子1に印加された信
号を、前段差動増幅回路2で増幅するとともに、
その出力を駆動トランジスタ3でA級増幅した
後、第1及び第2出力トランジスタ4及び5を備
えるSEPP増幅回路6でB級プツシユプル増幅し
て、出力中点Aに出力信号を得、該出力信号によ
つてスピーカ7を駆動して音響を発生するもので
ある。 この第1図に示す増幅回路は、低電圧において
電力損失が大であるという欠点を有する。すなわ
ち、電力損失が無い理想回路における理論出力
Pomは、 Pom=Vcc2/8RL ……(1) 〔ただし、RLは負荷インピーダンス Vccは電源電圧〕 となるが、第1図の増幅回路においては、第1及
び第2出力トランジスタ4及び5のベース・エミ
ツタ間電圧降下(VBE)が存在する為に、その出
力Poが、 Po=(Vcc−2VBE)2/8RL ……(2) となり、第(1)式と第(2)式とからVcc=3V、VBE=
0.7Vとすれば、理論出力Pomと実際出力Poとの
比は、 Po/Pom=(Vcc−2VBE)2/Vcc2=0.28……(3) となり、理論出力の28%の出力しか得られない。 また、第1図の増幅回路は、無効電流が非常に
大であるという欠点を有する。すなわち、第1及
び第2出力トランジスタ4及び5のコレクタ・エ
ミツタ間の飽和電圧(VCE(sat))を下げる為に
は、ベース電流を多く流してやらなければならな
いが、例えば第1及び第2出力トランジスタ4及
び5の電流増幅率を10、最大コレクタ電流を
300mAとすれば、そのベース電流を30mAとしな
ければならず、抵抗8、ダイオード9及び10か
ら成るアイドリング回路に、常時30mAのバイア
ス電流を流しておかなければならない。しかし
て、このバイアス電流は、無信号時にも流れるの
で、その場合無効電流と見做され、電池駆動の際
の電池の消耗が大となるという欠点を有する。 本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、以
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
2図は、本考案の一実施例を示すもので、11は
同導電型の第1及び第2トランジスタ12及び1
3から成る前段差動増幅回路、14は前記第1ト
ランジスタ12のコレクタに発生する出力信号の
うちの負の出力信号を増幅する第1駆動トランジ
スタ、15は該第1駆動トランジスタ14に応じ
て動作する第2駆動トランジスタ、30はベース
及びコレクタが前記第1駆動トランジスタ14の
ベースに、エミツタが前記第1駆動トランジスタ
14のエミツタにそれぞれ接続されたダイオード
接続型のトランジスタ、16は前記第1トランジ
スタ12のコレクタに発生する出力信号のうちの
正の出力信号を増幅する第3駆動トランジスタ、
17は前記第2駆動トランジスタ15のコレクタ
電流を出力中点Aに供給する為の第1電流ミラー
回路、18は前記第3駆動トランジスタ16のコ
レクタ電流に応じた出力電流を発生する第2電流
ミラー回路、19は該第2電流ミラー回路18の
出力電流に応じたコレクタ電流を、出力中点Aか
ら引き出す為の第3電流ミラー回路、20は負荷
となるスピーカ、21は抵抗22とトランジスタ
23及び24とから成るバイアス設定回路であ
る。しかして、前記第1電流ミラー回路17は、
SEPP増幅回路の上側電流増幅段を構成してお
り、また前記第2及び第3電流ミラー回路18及
び19は、SEPP増幅回路の下側電流増幅段を構
成しており、第1及び第2駆動トランジスタ14
及び15と第1電流ミラー回路17とにより定ま
る電流増幅率と、第3駆動トランジスタ16と第
1及び第2電流ミラー回路18及び19とにより
定まる電流増幅率とは、互いに等しくなる様に設
定されている。尚、第1駆動トランジスタ14、
バイアス設定回路21のトランジスタ23及びダ
イオード接続型のトランジスタ30は、PNP型
のトランジスタによつて構成されており、第2駆
動トランジスタ15、第3駆動トランジスタ16
及びバイアス設定回路21のトランジスタ24
は、NPN型のトランジスタによつて構成されて
いる。 いま、入力端子29に正の入力信号が印加され
たとすれば、第1トランジスタ12のコレクタに
負の信号が生じ、第1及び第2駆動トランジスタ
14及び15が導通し、前記第2駆動トランジス
タ15のコレクタに前記入力信号に応じた電流I1
が流れ、前記第1電流ミラー回路17のトランジ
スタ17aのコレクタにも、前記第2駆動トラン
ジスタ15のコレクタ電流と等しい電流I1が流れ
る。その時、第1電流ミラー回路17の電流ミラ
ー比はnに設定されているので、第1電流ミラー
回路17のトランジスタ17bのコレクタには前
記第2駆動トランジスタ15のコレクタ電流のn
倍のコレクタ電流nI1が流れ、それがSEPP増幅回
路の出力電流として、出力中点Aからスピーカ2
0に供給される。 一方、入力端子29に負の入力信号が印加され
たとすれば、第1トランジスタ12のコレクタに
正の信号が生じ、第3駆動トランジスタ16が導
通し、前記第3駆動トランジスタ16のコレクタ
に前記入力信号に応じた電流I2が流れ、第2電流
ミラー回路18のトランジスタ18aのコレクタ
にも、前記第3駆動トランジスタ16のコレクタ
電流と等しい電流I2が流れる。前記第2電流ミラ
ー回路18のミラー比は、mに設定されているの
で、第2電流ミラー回路18を構成するトランジ
スタ18bのコレクタ電流は、mI2となり、第3
電流ミラー回路19を構成するトランジスタ19
aのコレクタ電流もmI2となる。その時、第3電
流ミラー回路19のミラー比は、lに設定されて
いるので、第3電流ミラー回路19を構成するト
ランジスタ19bのコレクタ電流は、lmI2とな
り、出力中点Aから、入力信号に応じた電流lmI2
が引かれる。 従つて、nI1=lmI2とすることにより、上側電
流増幅段と下側電流増幅段の増幅率が等しくな
り、出力中点Aには、入力信号に応じた出力電流
が、プツシユ・プルの関係で印加され、スピーカ
20から正常な音響が発生する。ダイオード接続
型のトランジスタ30は、第1駆動トランジスタ
14と電流ミラー関係に接続されている。その
為、入力端子29に印加される正の入力信号に応
じてダイオード接続型のトランジスタ30にコレ
クタ電流が流れると、同じ大きさの電流が第1駆
動トランジスタ14のコレクタに流れ、それが第
2駆動トランジスタ15のベースに流れる。ま
た、入力端子29に印加される負の入力信号に応
じて、第3駆動トランジスタ16にベース電流が
流れる。そして、前記ダイオード接続型のトラン
ジスタ30を設けることにより、入力信号のレベ
ルに対する、第2及び第3駆動トランジスタ15
及び16の大きさを等しくすることが出来、2段
と1段という駆動段の段数の差を吸収することが
出来、駆動段の利得を等しく設定出来る。 しかして、第2図の回路においては、電力損失
が非常に少いという利点を有する。すなわち、第
1電流ミラー回路17を構成するトランジスタ1
7b及び第3電流ミラー回路19を構成するトラ
ンジスタ19bのコレクタ・エミツタ間飽和電圧
を、VCE(sat)とすれば、出力Poは Po=(Vcc−2VCE(sat))2/8RL ……(4) となり、Vcc=3V、VCE(sat)=0.2Vとして第(1)
式との比を取れば、Po/Pom=75.1%となり、
第1図の回路に比べ電力損失が少くなつているこ
とが明らかである。 また、第1電流ミラー回路17を構成するトラ
ンジスタ17bの電圧損失及び第3電流ミラー回
路19を構成するトランジスタ19bの電圧損失
は等しくVCE(sat)=0.2Vと出来るので、電源電
圧が極度に低下しても、十分なる出力を発生する
ことが出来、低電源電圧の増幅器を提供出来ると
いう利点を有する。 更に、本考案においては、第1乃至第3駆動ト
ランジスタ14乃至16のバイアス設定の為に、
バイアス設定回路21を設けている。前記バイア
ス設定回路21は、第1駆動トランジスタ14及
びダイオード接続型のトランジスタ30に対応す
る第1バイアストランジスタ23とと、第2及び
第3駆動トランジスタ15及び16に対応する第
2バイアストランジスタ24とを備えており、前
記第1駆動トランジスタ14のエミツタ電圧を
2VBRに固定する役割を果す。その為、第1及び
第3駆動トランジスタ14及び16とダイオード
接続型のトランジスタ30のベースバイアス電圧
は、VBEとなり、正又は負の入力信号に応じて第
1又は第3駆動トランジスタ14及び16を直ち
に動作させることが出来、不感領域を生じない。
また、第1駆動トランジスタ14のエミツタ電圧
は、前記第1及び第2バイアストランジスタ23
及び24によつて正確に規定され、温度変化等に
対して非常に安定な動作を行なわしめることが出
来る。また、第1駆動トランジスタ14以降の電
流利得を大きく設定することにより、バイアス設
定の為の電流が非常に少くて済むという利点を有
する。 第3図は、本考案の別の実施例を示すもので、
第1電流ミラー回路17の後段に、第4電流ミラ
ー回路25を設けるとともに、コンデンサ26、
及び抵抗27から成るブートストラツプ回路28
を設けた点を特徴とする。第2図においては、出
力中点Aに接続される出力トランジスタとして、
上側がPNPトランジスタ、下側がNPNトランジ
スタで構成されているので、電流利得の低い
PNPトランジスタと、電流利得の高いNPNトラ
ンジスタとを同一のIC(集積回路)基板上に、同
特性で作成するに際し、IC製造上の困難が存在
する場合がある。その為、第3図においては
NPN型のトランジスタ25a及び25bから成
る第4電流ミラー回路25を設け、上側電流増幅
段と下側電流増幅段との段数を略等しくし、利得
の等価を容易にしている。その場合、第4電流ミ
ラー回路25のトランジスタ25bの電圧降下を
考慮して、ブートストラツプ回路28が設けられ
ており、第3図の如き回路構成とすることによ
り、第2図の回路と略同等の特性を有し、しかも
IC化が容易なプツシユプル増幅回路が提供出来
る。 以上述べた如く、特殊な位相反転部、特殊なプ
ツシユプル増幅部、及び特殊なバイアス部を備え
る本考案は、従来に無い新規なプツシユプル増幅
回路を提供出来るもので、多くの利点を有し、
IC化が容易な実用的なものである。
エンド・プツシユプル)増幅回路に関し、特に無
効電流が小さく、電力損失が少く、かつ安定に作
動するSEPP増幅回路を提供せんとするものであ
る。 従来、第1図に示す如き増幅回路が公知であ
る。この増幅回路は、入力端子1に印加された信
号を、前段差動増幅回路2で増幅するとともに、
その出力を駆動トランジスタ3でA級増幅した
後、第1及び第2出力トランジスタ4及び5を備
えるSEPP増幅回路6でB級プツシユプル増幅し
て、出力中点Aに出力信号を得、該出力信号によ
つてスピーカ7を駆動して音響を発生するもので
ある。 この第1図に示す増幅回路は、低電圧において
電力損失が大であるという欠点を有する。すなわ
ち、電力損失が無い理想回路における理論出力
Pomは、 Pom=Vcc2/8RL ……(1) 〔ただし、RLは負荷インピーダンス Vccは電源電圧〕 となるが、第1図の増幅回路においては、第1及
び第2出力トランジスタ4及び5のベース・エミ
ツタ間電圧降下(VBE)が存在する為に、その出
力Poが、 Po=(Vcc−2VBE)2/8RL ……(2) となり、第(1)式と第(2)式とからVcc=3V、VBE=
0.7Vとすれば、理論出力Pomと実際出力Poとの
比は、 Po/Pom=(Vcc−2VBE)2/Vcc2=0.28……(3) となり、理論出力の28%の出力しか得られない。 また、第1図の増幅回路は、無効電流が非常に
大であるという欠点を有する。すなわち、第1及
び第2出力トランジスタ4及び5のコレクタ・エ
ミツタ間の飽和電圧(VCE(sat))を下げる為に
は、ベース電流を多く流してやらなければならな
いが、例えば第1及び第2出力トランジスタ4及
び5の電流増幅率を10、最大コレクタ電流を
300mAとすれば、そのベース電流を30mAとしな
ければならず、抵抗8、ダイオード9及び10か
ら成るアイドリング回路に、常時30mAのバイア
ス電流を流しておかなければならない。しかし
て、このバイアス電流は、無信号時にも流れるの
で、その場合無効電流と見做され、電池駆動の際
の電池の消耗が大となるという欠点を有する。 本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、以
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
2図は、本考案の一実施例を示すもので、11は
同導電型の第1及び第2トランジスタ12及び1
3から成る前段差動増幅回路、14は前記第1ト
ランジスタ12のコレクタに発生する出力信号の
うちの負の出力信号を増幅する第1駆動トランジ
スタ、15は該第1駆動トランジスタ14に応じ
て動作する第2駆動トランジスタ、30はベース
及びコレクタが前記第1駆動トランジスタ14の
ベースに、エミツタが前記第1駆動トランジスタ
14のエミツタにそれぞれ接続されたダイオード
接続型のトランジスタ、16は前記第1トランジ
スタ12のコレクタに発生する出力信号のうちの
正の出力信号を増幅する第3駆動トランジスタ、
17は前記第2駆動トランジスタ15のコレクタ
電流を出力中点Aに供給する為の第1電流ミラー
回路、18は前記第3駆動トランジスタ16のコ
レクタ電流に応じた出力電流を発生する第2電流
ミラー回路、19は該第2電流ミラー回路18の
出力電流に応じたコレクタ電流を、出力中点Aか
ら引き出す為の第3電流ミラー回路、20は負荷
となるスピーカ、21は抵抗22とトランジスタ
23及び24とから成るバイアス設定回路であ
る。しかして、前記第1電流ミラー回路17は、
SEPP増幅回路の上側電流増幅段を構成してお
り、また前記第2及び第3電流ミラー回路18及
び19は、SEPP増幅回路の下側電流増幅段を構
成しており、第1及び第2駆動トランジスタ14
及び15と第1電流ミラー回路17とにより定ま
る電流増幅率と、第3駆動トランジスタ16と第
1及び第2電流ミラー回路18及び19とにより
定まる電流増幅率とは、互いに等しくなる様に設
定されている。尚、第1駆動トランジスタ14、
バイアス設定回路21のトランジスタ23及びダ
イオード接続型のトランジスタ30は、PNP型
のトランジスタによつて構成されており、第2駆
動トランジスタ15、第3駆動トランジスタ16
及びバイアス設定回路21のトランジスタ24
は、NPN型のトランジスタによつて構成されて
いる。 いま、入力端子29に正の入力信号が印加され
たとすれば、第1トランジスタ12のコレクタに
負の信号が生じ、第1及び第2駆動トランジスタ
14及び15が導通し、前記第2駆動トランジス
タ15のコレクタに前記入力信号に応じた電流I1
が流れ、前記第1電流ミラー回路17のトランジ
スタ17aのコレクタにも、前記第2駆動トラン
ジスタ15のコレクタ電流と等しい電流I1が流れ
る。その時、第1電流ミラー回路17の電流ミラ
ー比はnに設定されているので、第1電流ミラー
回路17のトランジスタ17bのコレクタには前
記第2駆動トランジスタ15のコレクタ電流のn
倍のコレクタ電流nI1が流れ、それがSEPP増幅回
路の出力電流として、出力中点Aからスピーカ2
0に供給される。 一方、入力端子29に負の入力信号が印加され
たとすれば、第1トランジスタ12のコレクタに
正の信号が生じ、第3駆動トランジスタ16が導
通し、前記第3駆動トランジスタ16のコレクタ
に前記入力信号に応じた電流I2が流れ、第2電流
ミラー回路18のトランジスタ18aのコレクタ
にも、前記第3駆動トランジスタ16のコレクタ
電流と等しい電流I2が流れる。前記第2電流ミラ
ー回路18のミラー比は、mに設定されているの
で、第2電流ミラー回路18を構成するトランジ
スタ18bのコレクタ電流は、mI2となり、第3
電流ミラー回路19を構成するトランジスタ19
aのコレクタ電流もmI2となる。その時、第3電
流ミラー回路19のミラー比は、lに設定されて
いるので、第3電流ミラー回路19を構成するト
ランジスタ19bのコレクタ電流は、lmI2とな
り、出力中点Aから、入力信号に応じた電流lmI2
が引かれる。 従つて、nI1=lmI2とすることにより、上側電
流増幅段と下側電流増幅段の増幅率が等しくな
り、出力中点Aには、入力信号に応じた出力電流
が、プツシユ・プルの関係で印加され、スピーカ
20から正常な音響が発生する。ダイオード接続
型のトランジスタ30は、第1駆動トランジスタ
14と電流ミラー関係に接続されている。その
為、入力端子29に印加される正の入力信号に応
じてダイオード接続型のトランジスタ30にコレ
クタ電流が流れると、同じ大きさの電流が第1駆
動トランジスタ14のコレクタに流れ、それが第
2駆動トランジスタ15のベースに流れる。ま
た、入力端子29に印加される負の入力信号に応
じて、第3駆動トランジスタ16にベース電流が
流れる。そして、前記ダイオード接続型のトラン
ジスタ30を設けることにより、入力信号のレベ
ルに対する、第2及び第3駆動トランジスタ15
及び16の大きさを等しくすることが出来、2段
と1段という駆動段の段数の差を吸収することが
出来、駆動段の利得を等しく設定出来る。 しかして、第2図の回路においては、電力損失
が非常に少いという利点を有する。すなわち、第
1電流ミラー回路17を構成するトランジスタ1
7b及び第3電流ミラー回路19を構成するトラ
ンジスタ19bのコレクタ・エミツタ間飽和電圧
を、VCE(sat)とすれば、出力Poは Po=(Vcc−2VCE(sat))2/8RL ……(4) となり、Vcc=3V、VCE(sat)=0.2Vとして第(1)
式との比を取れば、Po/Pom=75.1%となり、
第1図の回路に比べ電力損失が少くなつているこ
とが明らかである。 また、第1電流ミラー回路17を構成するトラ
ンジスタ17bの電圧損失及び第3電流ミラー回
路19を構成するトランジスタ19bの電圧損失
は等しくVCE(sat)=0.2Vと出来るので、電源電
圧が極度に低下しても、十分なる出力を発生する
ことが出来、低電源電圧の増幅器を提供出来ると
いう利点を有する。 更に、本考案においては、第1乃至第3駆動ト
ランジスタ14乃至16のバイアス設定の為に、
バイアス設定回路21を設けている。前記バイア
ス設定回路21は、第1駆動トランジスタ14及
びダイオード接続型のトランジスタ30に対応す
る第1バイアストランジスタ23とと、第2及び
第3駆動トランジスタ15及び16に対応する第
2バイアストランジスタ24とを備えており、前
記第1駆動トランジスタ14のエミツタ電圧を
2VBRに固定する役割を果す。その為、第1及び
第3駆動トランジスタ14及び16とダイオード
接続型のトランジスタ30のベースバイアス電圧
は、VBEとなり、正又は負の入力信号に応じて第
1又は第3駆動トランジスタ14及び16を直ち
に動作させることが出来、不感領域を生じない。
また、第1駆動トランジスタ14のエミツタ電圧
は、前記第1及び第2バイアストランジスタ23
及び24によつて正確に規定され、温度変化等に
対して非常に安定な動作を行なわしめることが出
来る。また、第1駆動トランジスタ14以降の電
流利得を大きく設定することにより、バイアス設
定の為の電流が非常に少くて済むという利点を有
する。 第3図は、本考案の別の実施例を示すもので、
第1電流ミラー回路17の後段に、第4電流ミラ
ー回路25を設けるとともに、コンデンサ26、
及び抵抗27から成るブートストラツプ回路28
を設けた点を特徴とする。第2図においては、出
力中点Aに接続される出力トランジスタとして、
上側がPNPトランジスタ、下側がNPNトランジ
スタで構成されているので、電流利得の低い
PNPトランジスタと、電流利得の高いNPNトラ
ンジスタとを同一のIC(集積回路)基板上に、同
特性で作成するに際し、IC製造上の困難が存在
する場合がある。その為、第3図においては
NPN型のトランジスタ25a及び25bから成
る第4電流ミラー回路25を設け、上側電流増幅
段と下側電流増幅段との段数を略等しくし、利得
の等価を容易にしている。その場合、第4電流ミ
ラー回路25のトランジスタ25bの電圧降下を
考慮して、ブートストラツプ回路28が設けられ
ており、第3図の如き回路構成とすることによ
り、第2図の回路と略同等の特性を有し、しかも
IC化が容易なプツシユプル増幅回路が提供出来
る。 以上述べた如く、特殊な位相反転部、特殊なプ
ツシユプル増幅部、及び特殊なバイアス部を備え
る本考案は、従来に無い新規なプツシユプル増幅
回路を提供出来るもので、多くの利点を有し、
IC化が容易な実用的なものである。
第1図は、従来のプツシユプル増幅回路を示す
回路図、第2図は本考案の一実施例を示す回路
図、及び第3図は本考案の別の実施例を示す回路
図である。 主な図番の説明、11……差動増幅回路、1
4,15,16……駆動トランジスタ、17,1
8,19……電流ミラー回路、21……バイアス
設定回路。
回路図、第2図は本考案の一実施例を示す回路
図、及び第3図は本考案の別の実施例を示す回路
図である。 主な図番の説明、11……差動増幅回路、1
4,15,16……駆動トランジスタ、17,1
8,19……電流ミラー回路、21……バイアス
設定回路。
Claims (1)
- 入力信号中の正及び負信号を独立に増幅する第
1及び第2駆動段と、該第1駆動段の出力信号を
増幅する電流ミラー回路のみで構成された上側電
流増幅段と、前記第2駆動段の出力信号を増幅す
る電流ミラー回路のみで構成された下側電流増幅
段と、前記第1及び第2駆動段のバイアス設定を
行なう為のバイアス段とから成り、前記第1駆動
段を、ベースに入力信号が印加されるダイオード
接続型のPNP型のトランジスタ、該トランジス
タに電流ミラー関係に接続されたPNP型の第1
駆動トランジスタ、及び該第1駆動トランジスタ
によつて駆動されエミツタがアースに接続される
NPN型の第2駆動トランジスタによつて構成し、
前記第2駆動段を、ベースに入力信号が印加され
エミツタがアースに接続されるNPN型の第3駆
動トランジスタによつて構成し、前記バイアス段
を、エミツタが前記第1駆動トランジスタのエミ
ツタと共通接続されるとともに抵抗を介して電源
に接続され、コレクタ及びベースが共通接続され
たPNP型の第1バイアストランジスタ、及びコ
レクタが前記第1駆動トランジスタのエミツタ
に、ベースが前記第1バイアストランジスタのコ
レクタに、エミツタがアースに接続された第2バ
イアストランジスタによつて構成し、前記上側及
び下側電流増幅段の出力信号をプツシユプル関係
で出力中点に印加する様にしたことを特徴とする
プツシユプル増幅回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16723581U JPS5871218U (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | プツシユプル増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16723581U JPS5871218U (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | プツシユプル増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5871218U JPS5871218U (ja) | 1983-05-14 |
JPH0124972Y2 true JPH0124972Y2 (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=29959338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16723581U Granted JPS5871218U (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | プツシユプル増幅回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5871218U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2477572B (en) * | 2010-02-09 | 2012-01-04 | Toshiba Res Europ Ltd | High power wideband amplifier and method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5433830A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-12 | Kurosaki Refractories Co | Plate for sliding nozzle |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP16723581U patent/JPS5871218U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5433830A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-12 | Kurosaki Refractories Co | Plate for sliding nozzle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5871218U (ja) | 1983-05-14 |
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