JPH01246747A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
- Publication number
- JPH01246747A JPH01246747A JP7572088A JP7572088A JPH01246747A JP H01246747 A JPH01246747 A JP H01246747A JP 7572088 A JP7572088 A JP 7572088A JP 7572088 A JP7572088 A JP 7572088A JP H01246747 A JPH01246747 A JP H01246747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- ion
- generation chamber
- vessel
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 abstract 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 32
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910013075 LiBF Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001496 lithium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はイオン注入装置、表面処理装置等に使用される
イオン源に関する。
イオン源に関する。
（従来の技術）
従来、イオン注入装置のイオン源として、例えば第１図
示のように、真空のイオン発生部ａに、前方にスリット
状のイオン引出口すを備えた中空のイオン発生室Ｃを設
け、該イオン発生室Ｃにこれを挿通するフィラメントか
らなるイオン化手段ｄを設けるようにし、該イオン発生
室Ｃのイオン引出口すと対向する側にＰ ｓ Ａｓ等の
固体のイオン化物質ｅを収めた容器ｆを接続するように
したものが知られており、該容器ｆ内のイオン化物質ｅ
をヒータｇで加熱蒸発させてその蒸気ｊをイオン発生室
Ｃへと導き、イオン化手段ａからの熱電子との衝突によ
りイオン化してイオン引出口すからイオンビームｈとし
て引き出す。ｉは該容器ｆの温度を測定する熱電対温度
計で、その検出値をもとにヒータｇの出力を制御し、該
容器ｆの温度即ちイオン化物質ｅの温度を一定になるよ
うに制御する。
示のように、真空のイオン発生部ａに、前方にスリット
状のイオン引出口すを備えた中空のイオン発生室Ｃを設
け、該イオン発生室Ｃにこれを挿通するフィラメントか
らなるイオン化手段ｄを設けるようにし、該イオン発生
室Ｃのイオン引出口すと対向する側にＰ ｓ Ａｓ等の
固体のイオン化物質ｅを収めた容器ｆを接続するように
したものが知られており、該容器ｆ内のイオン化物質ｅ
をヒータｇで加熱蒸発させてその蒸気ｊをイオン発生室
Ｃへと導き、イオン化手段ａからの熱電子との衝突によ
りイオン化してイオン引出口すからイオンビームｈとし
て引き出す。ｉは該容器ｆの温度を測定する熱電対温度
計で、その検出値をもとにヒータｇの出力を制御し、該
容器ｆの温度即ちイオン化物質ｅの温度を一定になるよ
うに制御する。
（発明が解決しようとする課題）
前記第１図示のようなイオン源では、容器ｆが比較的高
温になるイオン発生室Ｃの近傍に取付けられているので
、該容器ｆはイオン発生室Ｃからの輻射熱によって加熱
され、該容器ｆの温度を約３００℃、以下に下げること
が困難であった。そのため例えば最適蒸発温度が７２℃
±５℃のＡＩＣＪ！ ３や該温度が３５℃±５℃のＳＩ
ｌ、、２２５℃±５℃のＬｉＢＦ、を該容器ｆに収める
と急激に蒸発し、蒸発量のコントロールが出来なくなり
、制御されたイオンビームを得ることが出来ない欠点が
あった。
温になるイオン発生室Ｃの近傍に取付けられているので
、該容器ｆはイオン発生室Ｃからの輻射熱によって加熱
され、該容器ｆの温度を約３００℃、以下に下げること
が困難であった。そのため例えば最適蒸発温度が７２℃
±５℃のＡＩＣＪ！ ３や該温度が３５℃±５℃のＳＩ
ｌ、、２２５℃±５℃のＬｉＢＦ、を該容器ｆに収める
と急激に蒸発し、蒸発量のコントロールが出来なくなり
、制御されたイオンビームを得ることが出来ない欠点が
あった。
本発明はこうした困難、欠点を解決し、比較的低温で蒸
発する物質のイオンを得るに適したイオン源を提供する
ことを目的とするものである。
発する物質のイオンを得るに適したイオン源を提供する
ことを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、イオン化手段を備えた中空のイオン発生室
に、固体イオン化物質を収めた容器を接続し、該物質を
ヒータにより加熱蒸発させてイオン発生室へと導くよう
にしたものに於て、該容器をイオン発生室からの輻射熱
を受けない遠隔位置に設け、該容器を冷却する冷却手段
を設けることにより、前記目的を達成するようにした。
に、固体イオン化物質を収めた容器を接続し、該物質を
ヒータにより加熱蒸発させてイオン発生室へと導くよう
にしたものに於て、該容器をイオン発生室からの輻射熱
を受けない遠隔位置に設け、該容器を冷却する冷却手段
を設けることにより、前記目的を達成するようにした。
（作 用）
該容器内に固体イオン化物質を収め、ヒータを作動させ
ると該物質は蒸発し、その蒸気はイオン発生室へ導かれ
そこでイオン化手段によりイオン化され、イオンビーム
として該容器から引出されることは従来のものと同様で
あるが、該容器はイオン化室の輻射熱が及ばない遠隔位
置に設けられており、冷却手段を備えるので、例えば室
温程度の蒸発温度のＳ１１．を温度制御し乍ら蒸発させ
得、正確な蒸発量に制御出来る。
ると該物質は蒸発し、その蒸気はイオン発生室へ導かれ
そこでイオン化手段によりイオン化され、イオンビーム
として該容器から引出されることは従来のものと同様で
あるが、該容器はイオン化室の輻射熱が及ばない遠隔位
置に設けられており、冷却手段を備えるので、例えば室
温程度の蒸発温度のＳ１１．を温度制御し乍ら蒸発させ
得、正確な蒸発量に制御出来る。
（実施例）
本発明の実施例を図面第２図に基づき説明するに、同図
に於て、符号（１）は真空のイオン発生部、（２）は該
イオン発生部（１）に設けられた中空のイオン発生室を
示し、該イオン発生室（２）の前方にはスリット状のイ
オン引出口（３）が設けられ、該イオン発生室（ｂ内を
挿通してイオン引出口（３）に沿ったフィラメントから
なるイオン化手段（４）を設けるようにした。（５）は
該イオン発生室（２）の輻射熱が作用しない遠隔位置に
設けた固体イオン化物質（６）を収容する容器を示し、
図示の例では該容器（５）をイオン発生部（１）を区画
形成する壁板（７）の外部、に設けてこれより配管（８
）を介してイオン発生室（２）内へ連通するようにした
。
に於て、符号（１）は真空のイオン発生部、（２）は該
イオン発生部（１）に設けられた中空のイオン発生室を
示し、該イオン発生室（２）の前方にはスリット状のイ
オン引出口（３）が設けられ、該イオン発生室（ｂ内を
挿通してイオン引出口（３）に沿ったフィラメントから
なるイオン化手段（４）を設けるようにした。（５）は
該イオン発生室（２）の輻射熱が作用しない遠隔位置に
設けた固体イオン化物質（６）を収容する容器を示し、
図示の例では該容器（５）をイオン発生部（１）を区画
形成する壁板（７）の外部、に設けてこれより配管（８
）を介してイオン発生室（２）内へ連通するようにした
。
（９）は該容器（５）内の固体イオン化物質（６）を加
熱蒸発させるヒータ、（１０は該容器（５）の温度を測
定する熱電対温度計で、その測定結果をもとにしてヒー
タ（９）の出力を制御し、該容器（５）の温度を一定に
制御する。該ヒータ（９）及び温度計００は該容器（５
）の周囲を囲む筒形のケース（Ｉｔ）に設けるようにし
、該ケースａ１に純水などの冷媒が流通され該容器（５
）を冷却する冷却パイプからなる冷却手段■を取付けし
た。該冷却手段ａｂによって室温程度で蒸発する固体イ
オン化物質（６）の蒸発制御や高温化した容器（５）を
短時間で冷却することが可能になる。
熱蒸発させるヒータ、（１０は該容器（５）の温度を測
定する熱電対温度計で、その測定結果をもとにしてヒー
タ（９）の出力を制御し、該容器（５）の温度を一定に
制御する。該ヒータ（９）及び温度計００は該容器（５
）の周囲を囲む筒形のケース（Ｉｔ）に設けるようにし
、該ケースａ１に純水などの冷媒が流通され該容器（５
）を冷却する冷却パイプからなる冷却手段■を取付けし
た。該冷却手段ａｂによって室温程度で蒸発する固体イ
オン化物質（６）の蒸発制御や高温化した容器（５）を
短時間で冷却することが可能になる。
その作動を説明するに、容器（５）内に収めた固体イオ
ン化物質（６）をヒータ（９）を作動させて蒸発させ、
その蒸気が配管（８）を介してイオン発生室（２）に導
かれるとイオン化手段（４）のフィラメントから供給さ
れる熱電子によってイオン化され、イオン引出口（３）
からイオン注入、表面処理等のためにイオンビームとし
て引出される。該イオン発生室（２）はイオン化のため
に比較的高温になりその輻射熱の発散で周囲の器物の温
度が上昇するが、固体イオン化物質（６）を収めた容器
（５）は該イオン発生室（２）から離れた輻射熱を受け
ない位置に設けられているので比較的低温となし得、ヒ
ータ（９）によりイオン発生室（２）の熱の影響を受け
ずに低い温度に制御し乍ら該物質（６）を蒸発させるこ
とが出来、例えばＡＪｌＣＩｓ 、ＬｉＢＦ４のイオン
化に好都合であり、室温程度で蒸発するＳｌｌ。
ン化物質（６）をヒータ（９）を作動させて蒸発させ、
その蒸気が配管（８）を介してイオン発生室（２）に導
かれるとイオン化手段（４）のフィラメントから供給さ
れる熱電子によってイオン化され、イオン引出口（３）
からイオン注入、表面処理等のためにイオンビームとし
て引出される。該イオン発生室（２）はイオン化のため
に比較的高温になりその輻射熱の発散で周囲の器物の温
度が上昇するが、固体イオン化物質（６）を収めた容器
（５）は該イオン発生室（２）から離れた輻射熱を受け
ない位置に設けられているので比較的低温となし得、ヒ
ータ（９）によりイオン発生室（２）の熱の影響を受け
ずに低い温度に制御し乍ら該物質（６）を蒸発させるこ
とが出来、例えばＡＪｌＣＩｓ 、ＬｉＢＦ４のイオン
化に好都合であり、室温程度で蒸発するＳｌｌ。
の場合には冷却手段ｑｚに冷媒を流し乍らヒータ（９）
を作動させ蒸発温度を一定に制御することが出来る。
を作動させ蒸発温度を一定に制御することが出来る。
尚、イオン化手段（４）としてマイクロ波を用いること
も可能である。
も可能である。
（発明の効果）
以上のように本発明によるときは、固体イオン化物質を
収めた容器をイオン発生室の輻射熱を受けない遠隔位置
に設けると共に該容器に冷却手段を取付けるようにした
ので、比較的低温に制御し乍ら固体イオン化物質の蒸発
を行なえ、従来のもののような急激な蒸発を防げて制御
されたイオンビームが得られ、該容器が高温化したとき
冷却手段により短時間で冷却出来るので、該物質を容器
に補充する時間を短縮し得て運転効率を高めることが出
来る等の効果がある。
収めた容器をイオン発生室の輻射熱を受けない遠隔位置
に設けると共に該容器に冷却手段を取付けるようにした
ので、比較的低温に制御し乍ら固体イオン化物質の蒸発
を行なえ、従来のもののような急激な蒸発を防げて制御
されたイオンビームが得られ、該容器が高温化したとき
冷却手段により短時間で冷却出来るので、該物質を容器
に補充する時間を短縮し得て運転効率を高めることが出
来る等の効果がある。
第１図は従来例の裁断側面図、第２図は本発明の実施例
の裁断側面図である。 （２）・・・イオン発生室 （４）・・・イオン化手段 （５）・・・容 器 （６）・・・固体イオン化物質 （９）・・・ヒ − タ ａの・・・冷却手段 外３名 第１図
の裁断側面図である。 （２）・・・イオン発生室 （４）・・・イオン化手段 （５）・・・容 器 （６）・・・固体イオン化物質 （９）・・・ヒ − タ ａの・・・冷却手段 外３名 第１図
Claims (1)
- イオン化手段を備えた中空のイオン発生室に、固体イオ
ン化物質を収めた容器を接続し、該物質をヒータにより
加熱蒸発させてイオン発生室へと導くようにしたものに
於て、該容器をイオン発生室からの輻射熱を受けない遠
隔位置に設け、該容器を冷却する冷却手段を設けたこと
を特徴とするイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63075720A JP2729627B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63075720A JP2729627B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246747A true JPH01246747A (ja) | 1989-10-02 |
| JP2729627B2 JP2729627B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=13584382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63075720A Expired - Fee Related JP2729627B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729627B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03134160A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-07 | Japan Steel Works Ltd:The | 化合物の製造方法及び装置 |
| JPH03134161A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-07 | Japan Steel Works Ltd:The | 化合物の製造方法及び装置 |
| JP2014053319A (ja) * | 2006-06-12 | 2014-03-20 | Semequip Inc | イオン注入に使用するためのイオンをイオン源から抽出するための方法および装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370649U (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-12 | ||
| JPS6410946U (ja) * | 1987-07-09 | 1989-01-20 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63075720A patent/JP2729627B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370649U (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-12 | ||
| JPS6410946U (ja) * | 1987-07-09 | 1989-01-20 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03134160A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-07 | Japan Steel Works Ltd:The | 化合物の製造方法及び装置 |
| JPH03134161A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-07 | Japan Steel Works Ltd:The | 化合物の製造方法及び装置 |
| JP2014053319A (ja) * | 2006-06-12 | 2014-03-20 | Semequip Inc | イオン注入に使用するためのイオンをイオン源から抽出するための方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2729627B2 (ja) | 1998-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4478841B2 (ja) | イオン源およびそのための蒸発器 | |
| US4719355A (en) | Ion source for an ion implanter | |
| US4791273A (en) | Vaporizer system for ion source | |
| US3115591A (en) | Ion source for mass spectrometer | |
| JPH01246747A (ja) | イオン源 | |
| JPS61107643A (ja) | 蒸発炉付イオン源 | |
| US2885997A (en) | Vacuum coating | |
| JP2002100298A (ja) | アークチャンバ用フィードガス発生気化器 | |
| DE112014006989B4 (de) | Ionenimplantierungsvorrichtung | |
| US2621296A (en) | Ion source | |
| JPS57155369A (en) | High vacuum ion plating method and apparatus | |
| JP2728417B2 (ja) | マイクロ波加熱型蒸発炉付イオン源 | |
| EP0430081A2 (en) | Fast atom beam source | |
| JPH0836983A (ja) | イオン源 | |
| JPH0542603Y2 (ja) | ||
| JPS5852295B2 (ja) | 金属イオン源 | |
| Liu et al. | Characterization of a tubular hot-cavity surface ionization source | |
| JPH0982230A (ja) | イオン源 | |
| JPH042031A (ja) | イオン源装置 | |
| SU859775A1 (ru) | Способ заправки тепловой трубы теплоносителем | |
| JPH0219187B2 (ja) | ||
| JP2593292Y2 (ja) | 金属イオン源輻射リフレクタ構造 | |
| JP2627000B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| Blackburn et al. | Focused‐Beam Electron Bombardment Evaporator | |
| JPS62274541A (ja) | イオン注入装置用超高温金属イオン源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |