JPH0124198B2 - - Google Patents
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Description
本発明は六方晶系のアパタイト結晶構造を有
し、次の一般式 MeaLnb(AO4)6X2 (式中のMeはCa、Sr、Ba、MgおよびZnの内の
少くとも1種の金属で部分的にPbまたはPbと
Mnにより置換されており、LnはYおよびLaの
内の少くとも1種の金属で、Tbが存在する場合
にはLnの一部分を置換し、(AO4)は部分的に
(PO4)3-および/または(BO4)5-で置換すること
ができる(SiO4)4-を示し、Xは酸素、ハロゲン
および空位の内の少くとも1つを示し、aおよび
bは0でなく、9a+b10を示す)で表わさ
れる組成を有する鉛または鉛およびテルビウムと
マンガンの内の少くとも1種により活性化された
発光物質を備える発光スクリーンに関するもので
ある。 アルカリ土類金属およびYおよび/またはLa
の発光珪酸塩はオランダ国特許出願第7005708号
(PHN4817)はより知られており、かかる珪酸塩
はアパタイト結晶構造を有する。更に特に上記オ
ランダ国特許出願には、上記一般式により定義さ
れるPbとMnで活性化された珪酸塩、例えば
Me2Ln8(SiO4)6O2が記載されている。また公開
されたオランダ国特許出願第7104263号
(PHN5375)にはかかる珪酸塩が記載されてお
り、この珪酸塩においては(SiO4)4-の一部分が
(PO4)3-により置換されている。 公開されているオランダ国特許出願第7802632
号(PHN9074)には、ガドリニウムにより活性
化され、更に第2および第3の活性剤元素を含む
発光物質が披瀝されている。これ等の物質におい
ては励起エネルギー、例えば低圧水銀蒸気放電に
よる短波長紫外線が第2の活性剤元素により吸収
され、ガドリニウムイオンを介して第3の活性剤
元素に移行し、第3の活性剤元素の有効な発光を
可能にする。この特許出願は、かかる物質の一例
としてアパタイト結晶構造を有する鉛およびテル
ビウムで活性化されたガドリニウム含有珪酸ラン
タンを挙げている。この既知珪酸塩は陰イオンと
してLnイオンだけを含むがMeイオンは含まず、
従つて前記一般式を満足しない。既知珪酸塩は比
較的低い量子効率(50%より大でない)を有する
ことが明らかとなつた。 本発明の目的はホスト格子に基づきアパタイト
結晶構造を有する新規な発光物質を得んとするに
ある。 本発明においては、前記形態の発光スクリーン
は発光物質がガドリニウムを含み、このガドリニ
ウムが少くとも部分的にLnを置換したことを特
徴とする。 Me(Ca、Sr、Ba、Mgおよび/またはZn)お
よびLn(Yおよび/またはLa)を含むアパタイト
は、PbおよびGdの両者により活性化すると、例
えば低圧水銀蒸気放電による紫外線により励起さ
れると極めて有効に特徴あるGd放射(310〜315n
mの範囲の線発光)を生ずる発光物質を効果的に
形成することを確めた。更に、活性剤として鉛お
よびガドリニウム以外にテルビウムまたはマンガ
ンを使用する場合には特徴ある緑色のTb発光お
よび約590nmで最高のMn帯発光を夫々有する有
効に発光する物質が得られる。実験から燐酸塩お
よび珪酸塩アパタイトおよびホウ酸塩含有アパタ
イトおよび混合アパタイトは適当なホスト格子を
形成することが明らかとなつた。これ等のホスト
格子はオキシアパタイトまたはハロゲンアパタイ
ト(Xが酸素またはハロゲン、特に弗素を示す)
または混合オキシ−ハロゲンアパタイトの何れか
であり得る。或いは又占有されていないホスト格
子(空位)を表す。化学量論的アパタイト(ここ
でa+b=10、空位Xを有さない)の他に、非化
学量論的物質(9a+b10)が良好なホスト
格子を形成することが明らかとなつた。発光物質
が常にMeおよびLnを含むのが条件(a≠0、b
≠0)である。 本発明における発光物質において、励起エネル
ギーは鉛により吸収され、ガドリニウムに移行す
る。更にTbおよび/またはMnが存在する場合に
は、上記最後の元素への更に有効な移行がおこ
る。本発明における物質の大きな利点は、励起エ
ネルギーの鉛からの移行は、物質がスペクトルの
可視部分において鉛からの発光が実質的に残らな
いほど完全であるということである。このこと
は、前記オランダ国特許出願第7005708号および
第7104263号から既に知られている物質とは対照
的であり、全く予期されなかつた。 本発明における発光物質は、低圧水銀放電灯に
おいて生ずる水銀共鳴放射(主として254nm)
が鉛により十分に吸収されるので、低圧水銀放電
灯の発光スクリーンに用いるのに特に適する。 化学量論的ホスト格子に基づく(即ち一般式に
おいてa+b=10)本発明の発光物質の場合通常
最高の光束が得られるので、一般に本発明による
発光物質が好ましい。 本発明による発光スクリーンの第1の例は、発
光物質が、次式 Me10-y-p-qPbqLny-r-sGdrTbs(PO4)6-y(Si4)y
F2 (式中0.25y6、0.002p1.00、0q
0.25、0.25r、0s3.0、r+sy)によ
り規定される組成を有する。かかるスクリーンは
ホスフエートを含む場合があり、化学量論的(一
般式においてa+b=10)であるフルオロ−シリ
ケートアパタイトを備える。 また化学量論的アパタイトを備える本発明にお
ける発光スクリーンの第2の例は、発光物質が次
式 Me2+x-y-p-qPbpMnqLn8-x+y-r-sGdrTbs(SiO4)6-
x-y(PO4)x(BO4)yO2 (式中0x6、2x6の場合0y6
−x、0x2の場合0y2+x、0.002
p1.00、0q0.25、p+q<2+x−
y、0.25r、0s3.0、r+s8−x+
y)により規定される組成を有する。これ等の発
光物質はオキシー、珪酸塩−および/または燐酸
塩−アパタイトであり、これ等のアパタイトは更
にボレートを含んでもよい。これ等の発光物質
は、特にボレートを含まない場合には、低波長
UV−励起で高い量子効率を有する極めて効果的
な物質である。q=0であるこれ等の物質が好ま
しい。 非化学量論的アパタイトを含み、また高光束が
得られる本発明による一例のスクリーンは次の一
般式 Me1-p-qPbpMnqLn8-r-sGdrTbs(SiO4)6-x-y(PO4)x
(BO4)yF2-2c-x+yOc+x-y (式中0x2、0y2、0c1−
1/2x−1/2y、0.002p1.00、0q0.25
、 p+q1、0.25r、0s3.0、r+s≦
8)により規定される組成を有する。更に特に、
ホスト格子としてMeLn8(SiO4)F2を有するフル
オロ−シリケートが極めて満足であるようであ
る。 尚他の例の本発明による発光スクリーンは発光
物質が次式 Me3-p-1PbpMnqLn6-r-sGdrTbs(SiO4)6-x(PO4)xF
4-2c-xOc+x-2 (式中0x4、2−xc2−1/2、0 c、0.002p1.00、0q0.25、0.25r、
0s3.0、r+s6)により規定される組
成を有する。またこのスクリーンは非化学量論的
アパタイト(一般式においてa+b=9)を備え
る。この群のアパタイトの内特にホスト格子とし
てMe3Ln6(SiO4)6を有するシリケート(x=0)
が高光束を供給するようである。 次に図面を参照し本発明を実施例につき説明す
る。 第1図に管状ガラス壁1を有する低圧水銀放電
灯を示す。電極2および3を放電灯の各端部に設
け、点灯中これ等の電極間に放電を維持する。放
電灯は少量の水銀および出発ガスとしての希ガス
を内蔵する。壁1の内側表面上を発光スクリーン
を構成する発光層4で被覆する。この層4は本発
明による発光物質から成る。層4は壁1に従来の
方法、例えば発光物質を含む懸濁液により塗布す
ることができる。 実施例 1 0.502gのCaCO3、0.414gのCaF2、0.112gの
PbO、1.418gのSrCO3、3.666gのLa2O3、1.359
gのGd2O、2.118gのSiO2の混合物をつくつた。
この混合物に更に2重量%のNH4Fを添加し、こ
れを空気中1350℃で1時間加熱した。得た生成物
に10重量%のNH4Clを添加し乍ら均質にし、然
る後空気中1250℃で1時間第2回目の加熱処理を
行つた。冷却し均質にした後、鉛とガドリニウム
で活性化したフルオロ・アパタイトを得た。この
アパタイトは式Ca2Sr1.9Pb0.1La4.5Gd1.5(SiO4)6F2
で規定される組成を有した。このアパタイト結晶
構造(以下の例の本発明による物質についても同
様)をX線回折分析により測定した。この物質は
短波長紫外線(主として約254nm)により励起
すると、特徴あるGd−線発光(最高312nm)を
示した。第2図はこの発光のスペクトルエネルギ
ー分布を示す。第2図において、波長λ(nm)
を横軸に、相対放射強度を任意の単位で縦軸にプ
ロツトした。この物質は70%の量子効率を有し、
励起放射(254nm)の吸収Aは82%であつた。
Gd発光のピーク高さPは標準物質(Gd0.5La0.487
Bi0.013B3O6)に対して88%であつた。 実施例 2〜12 実施例1と同様の方法により、鉛およびガドリ
ニウムで活性化した、組成の異なるフルオロ−シ
リケートアパタイトを多数製造した。得た物質の
式並びにGd線発光のピーク高さPの測定結果
(実施例1に記載した標準物質に対する%)およ
び254nmの励起放射の吸収A(%)の結果を下表
に示す。
し、次の一般式 MeaLnb(AO4)6X2 (式中のMeはCa、Sr、Ba、MgおよびZnの内の
少くとも1種の金属で部分的にPbまたはPbと
Mnにより置換されており、LnはYおよびLaの
内の少くとも1種の金属で、Tbが存在する場合
にはLnの一部分を置換し、(AO4)は部分的に
(PO4)3-および/または(BO4)5-で置換すること
ができる(SiO4)4-を示し、Xは酸素、ハロゲン
および空位の内の少くとも1つを示し、aおよび
bは0でなく、9a+b10を示す)で表わさ
れる組成を有する鉛または鉛およびテルビウムと
マンガンの内の少くとも1種により活性化された
発光物質を備える発光スクリーンに関するもので
ある。 アルカリ土類金属およびYおよび/またはLa
の発光珪酸塩はオランダ国特許出願第7005708号
(PHN4817)はより知られており、かかる珪酸塩
はアパタイト結晶構造を有する。更に特に上記オ
ランダ国特許出願には、上記一般式により定義さ
れるPbとMnで活性化された珪酸塩、例えば
Me2Ln8(SiO4)6O2が記載されている。また公開
されたオランダ国特許出願第7104263号
(PHN5375)にはかかる珪酸塩が記載されてお
り、この珪酸塩においては(SiO4)4-の一部分が
(PO4)3-により置換されている。 公開されているオランダ国特許出願第7802632
号(PHN9074)には、ガドリニウムにより活性
化され、更に第2および第3の活性剤元素を含む
発光物質が披瀝されている。これ等の物質におい
ては励起エネルギー、例えば低圧水銀蒸気放電に
よる短波長紫外線が第2の活性剤元素により吸収
され、ガドリニウムイオンを介して第3の活性剤
元素に移行し、第3の活性剤元素の有効な発光を
可能にする。この特許出願は、かかる物質の一例
としてアパタイト結晶構造を有する鉛およびテル
ビウムで活性化されたガドリニウム含有珪酸ラン
タンを挙げている。この既知珪酸塩は陰イオンと
してLnイオンだけを含むがMeイオンは含まず、
従つて前記一般式を満足しない。既知珪酸塩は比
較的低い量子効率(50%より大でない)を有する
ことが明らかとなつた。 本発明の目的はホスト格子に基づきアパタイト
結晶構造を有する新規な発光物質を得んとするに
ある。 本発明においては、前記形態の発光スクリーン
は発光物質がガドリニウムを含み、このガドリニ
ウムが少くとも部分的にLnを置換したことを特
徴とする。 Me(Ca、Sr、Ba、Mgおよび/またはZn)お
よびLn(Yおよび/またはLa)を含むアパタイト
は、PbおよびGdの両者により活性化すると、例
えば低圧水銀蒸気放電による紫外線により励起さ
れると極めて有効に特徴あるGd放射(310〜315n
mの範囲の線発光)を生ずる発光物質を効果的に
形成することを確めた。更に、活性剤として鉛お
よびガドリニウム以外にテルビウムまたはマンガ
ンを使用する場合には特徴ある緑色のTb発光お
よび約590nmで最高のMn帯発光を夫々有する有
効に発光する物質が得られる。実験から燐酸塩お
よび珪酸塩アパタイトおよびホウ酸塩含有アパタ
イトおよび混合アパタイトは適当なホスト格子を
形成することが明らかとなつた。これ等のホスト
格子はオキシアパタイトまたはハロゲンアパタイ
ト(Xが酸素またはハロゲン、特に弗素を示す)
または混合オキシ−ハロゲンアパタイトの何れか
であり得る。或いは又占有されていないホスト格
子(空位)を表す。化学量論的アパタイト(ここ
でa+b=10、空位Xを有さない)の他に、非化
学量論的物質(9a+b10)が良好なホスト
格子を形成することが明らかとなつた。発光物質
が常にMeおよびLnを含むのが条件(a≠0、b
≠0)である。 本発明における発光物質において、励起エネル
ギーは鉛により吸収され、ガドリニウムに移行す
る。更にTbおよび/またはMnが存在する場合に
は、上記最後の元素への更に有効な移行がおこ
る。本発明における物質の大きな利点は、励起エ
ネルギーの鉛からの移行は、物質がスペクトルの
可視部分において鉛からの発光が実質的に残らな
いほど完全であるということである。このこと
は、前記オランダ国特許出願第7005708号および
第7104263号から既に知られている物質とは対照
的であり、全く予期されなかつた。 本発明における発光物質は、低圧水銀放電灯に
おいて生ずる水銀共鳴放射(主として254nm)
が鉛により十分に吸収されるので、低圧水銀放電
灯の発光スクリーンに用いるのに特に適する。 化学量論的ホスト格子に基づく(即ち一般式に
おいてa+b=10)本発明の発光物質の場合通常
最高の光束が得られるので、一般に本発明による
発光物質が好ましい。 本発明による発光スクリーンの第1の例は、発
光物質が、次式 Me10-y-p-qPbqLny-r-sGdrTbs(PO4)6-y(Si4)y
F2 (式中0.25y6、0.002p1.00、0q
0.25、0.25r、0s3.0、r+sy)によ
り規定される組成を有する。かかるスクリーンは
ホスフエートを含む場合があり、化学量論的(一
般式においてa+b=10)であるフルオロ−シリ
ケートアパタイトを備える。 また化学量論的アパタイトを備える本発明にお
ける発光スクリーンの第2の例は、発光物質が次
式 Me2+x-y-p-qPbpMnqLn8-x+y-r-sGdrTbs(SiO4)6-
x-y(PO4)x(BO4)yO2 (式中0x6、2x6の場合0y6
−x、0x2の場合0y2+x、0.002
p1.00、0q0.25、p+q<2+x−
y、0.25r、0s3.0、r+s8−x+
y)により規定される組成を有する。これ等の発
光物質はオキシー、珪酸塩−および/または燐酸
塩−アパタイトであり、これ等のアパタイトは更
にボレートを含んでもよい。これ等の発光物質
は、特にボレートを含まない場合には、低波長
UV−励起で高い量子効率を有する極めて効果的
な物質である。q=0であるこれ等の物質が好ま
しい。 非化学量論的アパタイトを含み、また高光束が
得られる本発明による一例のスクリーンは次の一
般式 Me1-p-qPbpMnqLn8-r-sGdrTbs(SiO4)6-x-y(PO4)x
(BO4)yF2-2c-x+yOc+x-y (式中0x2、0y2、0c1−
1/2x−1/2y、0.002p1.00、0q0.25
、 p+q1、0.25r、0s3.0、r+s≦
8)により規定される組成を有する。更に特に、
ホスト格子としてMeLn8(SiO4)F2を有するフル
オロ−シリケートが極めて満足であるようであ
る。 尚他の例の本発明による発光スクリーンは発光
物質が次式 Me3-p-1PbpMnqLn6-r-sGdrTbs(SiO4)6-x(PO4)xF
4-2c-xOc+x-2 (式中0x4、2−xc2−1/2、0 c、0.002p1.00、0q0.25、0.25r、
0s3.0、r+s6)により規定される組
成を有する。またこのスクリーンは非化学量論的
アパタイト(一般式においてa+b=9)を備え
る。この群のアパタイトの内特にホスト格子とし
てMe3Ln6(SiO4)6を有するシリケート(x=0)
が高光束を供給するようである。 次に図面を参照し本発明を実施例につき説明す
る。 第1図に管状ガラス壁1を有する低圧水銀放電
灯を示す。電極2および3を放電灯の各端部に設
け、点灯中これ等の電極間に放電を維持する。放
電灯は少量の水銀および出発ガスとしての希ガス
を内蔵する。壁1の内側表面上を発光スクリーン
を構成する発光層4で被覆する。この層4は本発
明による発光物質から成る。層4は壁1に従来の
方法、例えば発光物質を含む懸濁液により塗布す
ることができる。 実施例 1 0.502gのCaCO3、0.414gのCaF2、0.112gの
PbO、1.418gのSrCO3、3.666gのLa2O3、1.359
gのGd2O、2.118gのSiO2の混合物をつくつた。
この混合物に更に2重量%のNH4Fを添加し、こ
れを空気中1350℃で1時間加熱した。得た生成物
に10重量%のNH4Clを添加し乍ら均質にし、然
る後空気中1250℃で1時間第2回目の加熱処理を
行つた。冷却し均質にした後、鉛とガドリニウム
で活性化したフルオロ・アパタイトを得た。この
アパタイトは式Ca2Sr1.9Pb0.1La4.5Gd1.5(SiO4)6F2
で規定される組成を有した。このアパタイト結晶
構造(以下の例の本発明による物質についても同
様)をX線回折分析により測定した。この物質は
短波長紫外線(主として約254nm)により励起
すると、特徴あるGd−線発光(最高312nm)を
示した。第2図はこの発光のスペクトルエネルギ
ー分布を示す。第2図において、波長λ(nm)
を横軸に、相対放射強度を任意の単位で縦軸にプ
ロツトした。この物質は70%の量子効率を有し、
励起放射(254nm)の吸収Aは82%であつた。
Gd発光のピーク高さPは標準物質(Gd0.5La0.487
Bi0.013B3O6)に対して88%であつた。 実施例 2〜12 実施例1と同様の方法により、鉛およびガドリ
ニウムで活性化した、組成の異なるフルオロ−シ
リケートアパタイトを多数製造した。得た物質の
式並びにGd線発光のピーク高さPの測定結果
(実施例1に記載した標準物質に対する%)およ
び254nmの励起放射の吸収A(%)の結果を下表
に示す。
【表】
実施例 13〜40
実施例1に記載したと同様の方法で鉛、ガドリ
ニウムおよびテルビウムにより活性化したフルオ
ロ−シリケートアパタイトを多数製造した。但し
第1加熱処理中の温度は1330℃で、この加熱後の
冷却を窒素雰囲気で行つた。製造したすべての物
質は特徴ある緑色Tb発光を示した。次表に生成
した物質の式および発光効率LO(標準として使用
したTbで活性したアルミン酸マグネシウムセリ
ウムに対する%)および励起放射(主として
254nm)の吸収A(%)を示す。
ニウムおよびテルビウムにより活性化したフルオ
ロ−シリケートアパタイトを多数製造した。但し
第1加熱処理中の温度は1330℃で、この加熱後の
冷却を窒素雰囲気で行つた。製造したすべての物
質は特徴ある緑色Tb発光を示した。次表に生成
した物質の式および発光効率LO(標準として使用
したTbで活性したアルミン酸マグネシウムセリ
ウムに対する%)および励起放射(主として
254nm)の吸収A(%)を示す。
【表】
示す。
実施例 41〜45 鉛、ガドリニウムおよびマンガンにより活性化
した5種のオキシアパタイトを実施例1に記載し
た方法とほぼ同じ方法で製造した。MnをMnCO3
の形態で、また少量のCaをCaHPO4の、形態で
加熱混合物に添加した。第1加熱処理を1325℃で
行つた。第2加熱処理前のNH4Clの添加を省略
し、第2加熱処理を1325℃で1 1/2時間行い、次
いで窒素雰囲気中で冷却した。生成した物質は
590nmで最高の帯状発光(1/2幅値が約75nm)
を生じた。次表に製造した物質の式並びに発光帯
のピーク高さPHの測定結果(3000Kの色温度を有
するSbおよびMnで活性化された発光ハローサル
フエートのMn帯の高さに対する%)および励起
254nm放射の吸収(%)を示す。
実施例 41〜45 鉛、ガドリニウムおよびマンガンにより活性化
した5種のオキシアパタイトを実施例1に記載し
た方法とほぼ同じ方法で製造した。MnをMnCO3
の形態で、また少量のCaをCaHPO4の、形態で
加熱混合物に添加した。第1加熱処理を1325℃で
行つた。第2加熱処理前のNH4Clの添加を省略
し、第2加熱処理を1325℃で1 1/2時間行い、次
いで窒素雰囲気中で冷却した。生成した物質は
590nmで最高の帯状発光(1/2幅値が約75nm)
を生じた。次表に製造した物質の式並びに発光帯
のピーク高さPHの測定結果(3000Kの色温度を有
するSbおよびMnで活性化された発光ハローサル
フエートのMn帯の高さに対する%)および励起
254nm放射の吸収(%)を示す。
【表】
実施例 46〜49
Mn2+発光を有する本発明による物質の4例の
式を、ピーク高さの測定値(実施例41〜45に記載
した標準に対する%)と一緒に次表に示す。
式を、ピーク高さの測定値(実施例41〜45に記載
した標準に対する%)と一緒に次表に示す。
【表】
実施例 50〜66
PbおよびGdだけでなくTb(実施例50〜65)ま
たはMn(実施例66)により活性化した本発明の
多数の発光物質の例を次表に示す。Tbで活性化
した物質の発光効率LOを、実施例30〜40に挙げ
た標準に対するパーセント(%)で示す。実施例
54〜66は非化学量論的アパタイト(a+b=9)
に関するものである。
たはMn(実施例66)により活性化した本発明の
多数の発光物質の例を次表に示す。Tbで活性化
した物質の発光効率LOを、実施例30〜40に挙げ
た標準に対するパーセント(%)で示す。実施例
54〜66は非化学量論的アパタイト(a+b=9)
に関するものである。
【表】
第1図は本発明の低圧水銀放電灯の一部断面で
示す側面図、第2図は本発明によるPbおよびGd
で活性化した物質の発光のスペクトルエネルギー
分布を示す線図、第3図はPb、GdおよびTbによ
り活性化した物質の発光スペクトル線図、第4図
はPb、GdおよびMnにより活性化した物質の発
光スペクトル線図である。 1……放電灯の管状ガラス壁、2,3……電
極、4……発光層。
示す側面図、第2図は本発明によるPbおよびGd
で活性化した物質の発光のスペクトルエネルギー
分布を示す線図、第3図はPb、GdおよびTbによ
り活性化した物質の発光スペクトル線図、第4図
はPb、GdおよびMnにより活性化した物質の発
光スペクトル線図である。 1……放電灯の管状ガラス壁、2,3……電
極、4……発光層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 六方晶系のアパタイト結晶構造を有し、次の
一般式 MeaLnb(AO4)6X2 (式中のMeはCa、Sr、Ba、MgおよびZnの内の
少くとも1種の金属で、部分的にPbまたはPbと
Mnにより置換されており、LnはYおよびLaの
内の少くとも1種の金属で、Tbが存在する場合
にはTbはLnの一部分と置換され、(AO4)は部
分的に(PO4)3-および/または(BO4)5-で置換
することができる(SiO4)4-を示し、Xは酸素、
ハロゲンおよび空位の内の少くとも1つを示し、
aおよびbは0でなく、9a+b10を示す)
で表わされる組成を有する鉛または鉛およびテル
ビウムとマンガンの内の少くとも1種により活性
化された発光物質を備える発光スクリーンにおい
て、発光物質がガドリニウムを含み、このガドリ
ニウムが少くとも部分的にLnと置換したことを
特徴とする発光スクリーン。 2 発光物質が次式 Mea-p-qPbpMnqLnb-r-sGdrTbs(AO4)6X2 (式中0.002p1.0、0q0.25、0.25r
b−s、0s3.0)で表わされる組成を有
する特許請求の範囲第1項記載の発光スクリー
ン。 3 発光物質が次式 Me10-y-p-qPbpMnqLny-r-sGdrTbs(PO4)6-y(Si4
)yF2 (式中0.25y6、0.002p1.00、0q
0.25、0.25r、0s3.0、r+sy)で表
わされる組成を有する特許請求の範囲第1項また
は第2項記載の発光スクリーン。 4 発光物質が次式 Me2+x-y-p-qPbpMnqLn8-x+y-r-sGdrTbs(SiO4)6-
x-y(PO4)x(BO4)yO2 (式中0x6、2x6の場合0y6
−x、0x2の場合0y2+x、0.002
p1.00、0q0.25、p+q2+x−
y、0.25r、0s3.0、r+s8−x+
y)で表わされる組成を有する特許請求の範囲第
1項または第2項記載の発光スクリーン。 5 y=0である特許請求の範囲第4項記載の発
光スクリーン。 6 発光物質が次式 Me1-p-qPbpMnqLn8-r-sGdrTbs(SiO4)6-x-y(PO4)x
(BO4)yF2-2c-x+yOc+x-y (式中0x2、0y2、0c1−
1/2x+1/2y、0.002p1.00、0q0.25
、 p+q1、0.25r、0s3.0、r+s
8) で表わされる組成を有する特許請求の範囲第1項
または第2項記載の発光スクリーン。 7 発光物質が次式 Me3-p-qPbpMnqLn6-r-sGd3Tb3(SiO4)6-x(PO4)xF
4-2c-xOc+x-2 (式中0x4、2−xc21/2x、0 c、0.002p1.00、0q0.25、0.25r、
0s3.0、r+s6)で表わされる組成を
有する特許請求の範囲第1項または第2項記載の
発光スクリーン。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8006223A NL8006223A (nl) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57109886A JPS57109886A (en) | 1982-07-08 |
JPH0124198B2 true JPH0124198B2 (ja) | 1989-05-10 |
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JP (1) | JPS57109886A (ja) |
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CA (1) | CA1169466A (ja) |
DE (1) | DE3162322D1 (ja) |
ES (1) | ES507024A0 (ja) |
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NL8501600A (nl) * | 1985-06-04 | 1987-01-02 | Philips Nv | Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm. |
NL8501599A (nl) * | 1985-06-04 | 1987-01-02 | Philips Nv | Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm. |
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KR100665299B1 (ko) | 2004-06-10 | 2007-01-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광물질 |
KR100875443B1 (ko) | 2006-03-31 | 2008-12-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
KR101028170B1 (ko) * | 2010-07-14 | 2011-04-08 | 서울반도체 주식회사 | 발광물질 |
TW201226530A (en) | 2010-12-20 | 2012-07-01 | Univ Nat Chiao Tung | Yellow phosphor having oxyapatite structure, preparation method and white light-emitting diode thereof |
CN104232093B (zh) * | 2014-09-28 | 2016-04-27 | 聊城大学 | 一种氟硅酸盐红色荧光粉及制备方法 |
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---|---|---|---|---|
JPS568485A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-28 | Philips Nv | Light emitting silicate and light emitting screen and low pressure mercury vapor discharge lamp |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1522322A (fr) * | 1967-02-28 | 1968-04-26 | Centre Nat Rech Scient | Nouveaux composés luminescents, leur mode de préparation et leurs applications |
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NL7005708A (ja) * | 1970-04-21 | 1971-10-25 | ||
AU2767471A (en) * | 1970-04-21 | 1972-10-19 | Nv. Philips' Gloeilampenfabrieken | Luminescent screen |
NL7104263A (en) * | 1971-03-31 | 1972-10-03 | Luminous materials - contng alkaline earth silicates with - apatite crystal structure for use in low-pressure mercury vapour | |
NL7807274A (nl) * | 1978-03-10 | 1979-09-12 | Philips Nv | Luminescerende stof, luminescerend scherm voorzien van een dergelijke stof en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm. |
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1980
- 1980-11-14 NL NL8006223A patent/NL8006223A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-10-30 DE DE8181201223T patent/DE3162322D1/de not_active Expired
- 1981-10-30 EP EP81201223A patent/EP0052398B1/en not_active Expired
- 1981-11-11 ES ES507024A patent/ES507024A0/es active Granted
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- 1981-11-12 CA CA000389882A patent/CA1169466A/en not_active Expired
- 1981-11-13 JP JP56181285A patent/JPS57109886A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CA1169466A (en) | 1984-06-19 |
EP0052398A1 (en) | 1982-05-26 |
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HU183681B (en) | 1984-05-28 |
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