JPH01238313A - カレントスイッチ回路 - Google Patents
カレントスイッチ回路Info
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- JPH01238313A JPH01238313A JP63066536A JP6653688A JPH01238313A JP H01238313 A JPH01238313 A JP H01238313A JP 63066536 A JP63066536 A JP 63066536A JP 6653688 A JP6653688 A JP 6653688A JP H01238313 A JPH01238313 A JP H01238313A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003503 early effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/04106—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit in field-effect transistor switches
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
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- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明−は、カレントスイッチと定電流源を有したカレ
ント（電流）スイッチ回路に関する。
ント（電流）スイッチ回路に関する。
（従来の技術）
どの種のカレントスイッチ回路の従来例を第４図に示す
、これは、バイポーラトランジスタＱ Ｊ Ｉ Ｑ ’
のエミッタをカップリングし、トランジスタＱ１のベー
スにロジック入力を、トランジスタＱ！のベースに基準
電圧（ロジックスレッシ１ルドアジヤスト）を供給し、
トランジスタＱ１のコレクタを出力段回路１に、トラン
ジスタＱ２のコレクタを電源ＶＤＤＫ接続したカレント
スイッチ２と、バイアス源ＶＢ、抵抗Ｒ１，連続動作す
るバイポーラトランジスタＱ３を有した電流源３とから
なる。
、これは、バイポーラトランジスタＱ Ｊ Ｉ Ｑ ’
のエミッタをカップリングし、トランジスタＱ１のベー
スにロジック入力を、トランジスタＱ！のベースに基準
電圧（ロジックスレッシ１ルドアジヤスト）を供給し、
トランジスタＱ１のコレクタを出力段回路１に、トラン
ジスタＱ２のコレクタを電源ＶＤＤＫ接続したカレント
スイッチ２と、バイアス源ＶＢ、抵抗Ｒ１，連続動作す
るバイポーラトランジスタＱ３を有した電流源３とから
なる。
このカレントスイッチ回路は、トランジスタＱ２のペー
ス電位をある電位に保ち、トランジスタＱ１０ペースを
ロジック入力でドライブしてトランジスタＱ ’ ｔ
Ｑ ’のいずれかをオンさせ、電流の操作を行なう。
ス電位をある電位に保ち、トランジスタＱ１０ペースを
ロジック入力でドライブしてトランジスタＱ ’ ｔ
Ｑ ’のいずれかをオンさせ、電流の操作を行なう。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来技術について、０ＭＯＳインバータの出力でカ
レントスイッチ２をドライブする場合を考える。ＣＭＯ
Ｓインバータの出力で直接ノ々イポーラトランジスタを
ドライブすると、バイポーラトランジスタがサテエレー
シ璽ンを起こしてしまう場合があるため、レベル変換回
路が必要となる。するとこのレベル変換回路によシ、Ｃ
ＭＯＳインバータの出力レベルをバイポーラトランジス
タの動作範囲に設定し直してやることで１回路構成が複
雑になつてしまり。また電界効果トランジスタを用いて
カレントスイツｙ−２．電流源３を構成した場合−カレ
ントスイッチ２についてはレベル変換回路を用いないで
ＣＭＯＳインバータの出力でドライブできるが、電流源
３の特性が悪くなる。これは、電界効果トランジスタの
チャネル変調のためドレイン・ソース間電圧ＶＤ＋９
に対するドレイン電流ＩＤの変化が大きいからで、パ
イーーラトランジスタのアーリー効果を考慮しても、バ
イポーラトランジスタで構成された電流源の方が、安定
した電流を供給できるからである。
レントスイッチ２をドライブする場合を考える。ＣＭＯ
Ｓインバータの出力で直接ノ々イポーラトランジスタを
ドライブすると、バイポーラトランジスタがサテエレー
シ璽ンを起こしてしまう場合があるため、レベル変換回
路が必要となる。するとこのレベル変換回路によシ、Ｃ
ＭＯＳインバータの出力レベルをバイポーラトランジス
タの動作範囲に設定し直してやることで１回路構成が複
雑になつてしまり。また電界効果トランジスタを用いて
カレントスイツｙ−２．電流源３を構成した場合−カレ
ントスイッチ２についてはレベル変換回路を用いないで
ＣＭＯＳインバータの出力でドライブできるが、電流源
３の特性が悪くなる。これは、電界効果トランジスタの
チャネル変調のためドレイン・ソース間電圧ＶＤ＋９
に対するドレイン電流ＩＤの変化が大きいからで、パ
イーーラトランジスタのアーリー効果を考慮しても、バ
イポーラトランジスタで構成された電流源の方が、安定
した電流を供給できるからである。
本発明は、カレントスイアｙ−のドライブを、ロジック
入力のレベル変換を行なうことなくできるようにし、か
つ電流電圧の変動に対して出力を安定′（一定）に供給
できるようにすることを目的としている。
入力のレベル変換を行なうことなくできるようにし、か
つ電流電圧の変動に対して出力を安定′（一定）に供給
できるようにすることを目的としている。
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、同一極性の第１．第２の電界効果トランジス
タのチャネル導電路の一端どうしを接続し、前記第１の
電界効果トランジスタのチャネル導電路の他端を電源（
接地を含む）に接続し。
タのチャネル導電路の一端どうしを接続し、前記第１の
電界効果トランジスタのチャネル導電路の他端を電源（
接地を含む）に接続し。
前記第２の電界効果トランジスタのチャネル導電路の他
端を出力段回路に接続し、前記第１．第２の電界効果ト
ランジスタのゲートにそれぞれロジック入力を、ＭＯＳ
インバータを通して互に逆相としたものを加えるカレン
トスイッチと、ノぐイポーラトランジスタを前記第１．
第２の電界効果トランジスタのチャネル導電路の一端ど
うしの接続端に接続される電流源とを具備したことを特
徴とする。
端を出力段回路に接続し、前記第１．第２の電界効果ト
ランジスタのゲートにそれぞれロジック入力を、ＭＯＳ
インバータを通して互に逆相としたものを加えるカレン
トスイッチと、ノぐイポーラトランジスタを前記第１．
第２の電界効果トランジスタのチャネル導電路の一端ど
うしの接続端に接続される電流源とを具備したことを特
徴とする。
即ち本発明は、電界効果トランジスタによシ構成された
カレントスイッチをＭＯＳインバータの出力で直接ドラ
イブするものである。上記電界効果トランジスタを用い
ることで、レベル変換を不要とするととができる。また
電流源をバイポーラトランジスタ化することで、電源電
圧の変動に対し、電界効果トランジスタを用いた場合の
ドレイン電流変化量よシも、バイポーラトランジスタを
用いた場合のコレクタ電流変化量が小だから、出力電流
を安定（一定）Ｋできるものである。
カレントスイッチをＭＯＳインバータの出力で直接ドラ
イブするものである。上記電界効果トランジスタを用い
ることで、レベル変換を不要とするととができる。また
電流源をバイポーラトランジスタ化することで、電源電
圧の変動に対し、電界効果トランジスタを用いた場合の
ドレイン電流変化量よシも、バイポーラトランジスタを
用いた場合のコレクタ電流変化量が小だから、出力電流
を安定（一定）Ｋできるものである。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図に示される如（ＮＭＯＳ電界効果トランジスタＭ２
、Ｍ２のソースどうしを接続し。
図に示される如（ＮＭＯＳ電界効果トランジスタＭ２
、Ｍ２のソースどうしを接続し。
トランジスタＭ）のドレインを出力段回路１）１）Ｃ接
続ｆ、、 ）ランジスタＭ２のドレインを電源ＶＤＤ
に接続し、ロジック入力を、ＣＭＯＳインバータ１４を
介してトランジスタＭ２のゲートに供給し。
続ｆ、、 ）ランジスタＭ２のドレインを電源ＶＤＤ
に接続し、ロジック入力を、ＣＭＯＳインバータ１４を
介してトランジスタＭ２のゲートに供給し。
上記ロジック入力を、ＣＭＯＳインノ々−夕１４゜１５
を介してトランジスタＭ１のゲートに供給するカレント
スイッチ１２を設ける。上記トランジスタＭｌ、Ｍ２の
ソース接続点くコレクタを接続し、ベースをバイアス源
ＶＢを介して接地し、工ミッタを抵抗Ｒを介して接地し
たバイポーラトランジスタＱ４で定電流源１３を設ける
。抵抗Ｒは電流源１３の電流値を決めるものである。
を介してトランジスタＭ１のゲートに供給するカレント
スイッチ１２を設ける。上記トランジスタＭｌ、Ｍ２の
ソース接続点くコレクタを接続し、ベースをバイアス源
ＶＢを介して接地し、工ミッタを抵抗Ｒを介して接地し
たバイポーラトランジスタＱ４で定電流源１３を設ける
。抵抗Ｒは電流源１３の電流値を決めるものである。
第１図において、例、ｔｉｌ’Ｖ Ｄ Ｄ＝ １２ （
Ｖ：ｌ、Ｖ Ｂ＝ １．０ ［：Ｖ］ 、Ｒ＝ ３ （
ＫＱＩ トＲ定ｔル。
Ｖ：ｌ、Ｖ Ｂ＝ １．０ ［：Ｖ］ 、Ｒ＝ ３ （
ＫＱＩ トＲ定ｔル。
ＮＭ０８スイッチ１２はＣＭＯＳインバータ１４゜１５
０出力（０〜１２ｖ）のクロックでドライブされる。ロ
ジック入力が電源電圧ＶＤＤのときトランジスタＭ１が
動作（オン）して、出力電流を得る。ロジック入力が０
〔Ｖ〕の時はトランジスタＭ１がオフで、出力段１）に
は電流を供給しないものである。
０出力（０〜１２ｖ）のクロックでドライブされる。ロ
ジック入力が電源電圧ＶＤＤのときトランジスタＭ１が
動作（オン）して、出力電流を得る。ロジック入力が０
〔Ｖ〕の時はトランジスタＭ１がオフで、出力段１）に
は電流を供給しないものである。
第２図は、カレントスイッチ回路を４個並列にして、９
段階の出力電流を負荷ＲＬに得られるようにした実施例
、第３図はカレントスイッチ回路を７個並列にした場合
の実施例である。このようにして電流源の電流値（抵抗
値）とカレントスイッチの個数によって、正確な所望の
出力電流を得ることができる。
段階の出力電流を負荷ＲＬに得られるようにした実施例
、第３図はカレントスイッチ回路を７個並列にした場合
の実施例である。このようにして電流源の電流値（抵抗
値）とカレントスイッチの個数によって、正確な所望の
出力電流を得ることができる。
しかして第４図の従来回路の場合、ＣＭＯＳインバータ
でカレントスイッｆ２をドライブすると、ベース電位が
ＶＤＤになった時、出力端１にカレントミラーや抵抗な
どがつくと、バイポーラトランジスタＱ１はコレクタ電
位よりもベース電位が高くなって、サテエレーシ３ンを
起こしてしまう。
でカレントスイッｆ２をドライブすると、ベース電位が
ＶＤＤになった時、出力端１にカレントミラーや抵抗な
どがつくと、バイポーラトランジスタＱ１はコレクタ電
位よりもベース電位が高くなって、サテエレーシ３ンを
起こしてしまう。
このサテエレーシツンを防ぐには、トランジスタＱ１の
ベース電位をレベル変換回路によって、動 ′作範囲に
設定してやらなければいけない。レベル変換回路を必要
とすることは、それだけ回路構成が複雑になることであ
る。本発明の場合ＭＯＳ型電界効果トランジスタでカレ
ントスイッｆ−１２を構成しているため、接地電位から
ＶＤＤの範囲で振れるいわゆるＣ Ｍ Ｏ８レベルでゲ
ートをドライブしても、ＭＯＳ）ランジスタは単なるス
イッチと見なせるので、支障をきたすことはない。この
ため回路設計も容易に行なえる。また電源電圧ＶＤＤの
変動に対して、ＭＯＳトランジスタの −より一■Ｄ８
％性のドレイン電流ＩＤ変化量よシも、バイポーラトラ
ンジスタのｌｏ−ｖｃ、特性のコレクタ電流Ｉｏ変化量
は小になるから、出力段回路１）の電流が安定（一定）
化されるものであゐ。
ベース電位をレベル変換回路によって、動 ′作範囲に
設定してやらなければいけない。レベル変換回路を必要
とすることは、それだけ回路構成が複雑になることであ
る。本発明の場合ＭＯＳ型電界効果トランジスタでカレ
ントスイッｆ−１２を構成しているため、接地電位から
ＶＤＤの範囲で振れるいわゆるＣ Ｍ Ｏ８レベルでゲ
ートをドライブしても、ＭＯＳ）ランジスタは単なるス
イッチと見なせるので、支障をきたすことはない。この
ため回路設計も容易に行なえる。また電源電圧ＶＤＤの
変動に対して、ＭＯＳトランジスタの −より一■Ｄ８
％性のドレイン電流ＩＤ変化量よシも、バイポーラトラ
ンジスタのｌｏ−ｖｃ、特性のコレクタ電流Ｉｏ変化量
は小になるから、出力段回路１）の電流が安定（一定）
化されるものであゐ。
なお本発明は前述の実施例のみに限られず１本発明の要
旨を逸脱しない範囲で種々の応用が可能である。
旨を逸脱しない範囲で種々の応用が可能である。
以上説明した如く本発明によれば、カレントスイッチの
ドライブを、ロジック入力のレベル変換を行なうことな
くでき、かつ電源電圧変動に対して出力を安定に供給で
きるカレントスイッチ回路が提供できるものである。
ドライブを、ロジック入力のレベル変換を行なうことな
くでき、かつ電源電圧変動に対して出力を安定に供給で
きるカレントスイッチ回路が提供できるものである。
第１図ないし第３図は本発明の各実施例の回路図、第４
図は従来のカレントスイッチ回路図である。 １）・・・出力段回路、１２・・・カレントスイッｔ、
１３・・・電流源、１４．１５・・・０ＭＯＳインバー
タ。 Ｍｌ 、Ｍ、？ 、ＭＺＡ−Ｍ、！ＩＡ、ＭＪＢ−Ｍ１
４Ｂ・・・ＮＭＯＳ′Ｉ４界効果トランジスタ、Ｑ４．
ＱＩＡ〜Ｑ４Ａ、ＱＪＢ ＮＱｙＢ・・りぐイポーラト
ランジスタ、Ｒ・・・抵抗、ＶＤＤ・・・電源、ＶＢ・
・・バイアス源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第４図
図は従来のカレントスイッチ回路図である。 １）・・・出力段回路、１２・・・カレントスイッｔ、
１３・・・電流源、１４．１５・・・０ＭＯＳインバー
タ。 Ｍｌ 、Ｍ、？ 、ＭＺＡ−Ｍ、！ＩＡ、ＭＪＢ−Ｍ１
４Ｂ・・・ＮＭＯＳ′Ｉ４界効果トランジスタ、Ｑ４．
ＱＩＡ〜Ｑ４Ａ、ＱＪＢ ＮＱｙＢ・・りぐイポーラト
ランジスタ、Ｒ・・・抵抗、ＶＤＤ・・・電源、ＶＢ・
・・バイアス源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第４図
Claims (2)
- （１）同一極性の第１、第２の電界効果トランジスタの
チャネル導電路の一端どうしを接続し、前記第１の電界
効果トランジスタのチャネル導電路の他端を電源に接続
し、前記第２の電果効果トランジスタのチャネル導電路
の他端を出力段回路に接続し、前記第１、第２の電界効
果トランジスタのゲートにそれぞれロジック入力を、Ｍ
ＯＳインバータを通して互に逆相としたものを加えるカ
レントスイッチと、バイポーラトランジスタを前記第１
、第２の電界効果トランジスタのチャネル導電路の一端
どうしの接続端に接続される電流源とを具備したことを
特徴とするカレントスイッチ回路。 - （２）同一極性の第１、第２の電界効果トランジスタの
チャネル導電路の一端どうしを接続し、前記第１の電界
効果トランジスタのチャネル導電路の他端を電源に接続
し、前記第２の電界効果トランジスタのチャネル導電路
の他端を出力段回路に接続し、前記第１、第２の電界効
果トランジスタのゲートにそれぞれロジック入力を、Ｍ
ＯＳインバータを通して互に逆相としたものを加えるカ
レントスイッチと、バイポーラトランジスタを前記第１
、第２の電界効果トランジスタのチャネル導電路の一端
どうしの接続端に接続される電流源とを具備した回路を
複数個設け、該回路の前記出力段回路は共通で、該出力
段回路に前記第２の電界効果トランジスタのチャネル導
電路の他端は並列接続されるものであり、前記各電流源
間の電流比を選択するものであることを特徴とするカレ
ントスイッチ回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066536A JPH01238313A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | カレントスイッチ回路 |
| EP19890104646 EP0333183A3 (en) | 1988-03-18 | 1989-03-15 | Current switching circuit |
| KR1019890003383A KR920002672B1 (ko) | 1988-03-18 | 1989-03-18 | 전류스위치회로 |
| US07/567,708 US5144164A (en) | 1988-03-18 | 1990-08-14 | BiCMOS current switching circuit having a plurality of resistors of a specified value |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066536A JPH01238313A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | カレントスイッチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238313A true JPH01238313A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13318717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066536A Pending JPH01238313A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | カレントスイッチ回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0333183A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01238313A (ja) |
| KR (1) | KR920002672B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101037156B1 (ko) * | 2008-11-17 | 2011-05-26 | 엘지전자 주식회사 | 세탁물 처리기기 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936423A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-02-28 | Hitachi Ltd | 電流切り換え回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3902078A (en) * | 1974-04-01 | 1975-08-26 | Crystal Ind Inc | Analog switch |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066536A patent/JPH01238313A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-15 EP EP19890104646 patent/EP0333183A3/en not_active Ceased
- 1989-03-18 KR KR1019890003383A patent/KR920002672B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936423A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-02-28 | Hitachi Ltd | 電流切り換え回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0333183A2 (en) | 1989-09-20 |
| KR920002672B1 (ko) | 1992-03-31 |
| EP0333183A3 (en) | 1991-01-02 |
| KR890015506A (ko) | 1989-10-30 |
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