JPH01238122A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体ウェハ（以下、ウェハという）の裏面を
洗浄する半導体製造装置に関し、特に表面にレジスト膜
を塗布形成し、更に、現像処理がなされたウェハの洗浄
に適用される半導体製造装置に関する。

［従来の技術］ 従来、半導体集積回路の製造工程において、ウェハの表
面にレジスト膜を塗布形成し、現像処理をする際は、回
転可能に設けられたウェハチャックの同心円上にウェハ
を偏心なく配置して真空吸着させ、この状態でウェハを
回転させてウェハ下方に設けたノズルからウェハ表面の
周縁部に向けて溶剤を噴射することにより、ウェハの裏
面の周縁部及び側面部のレジスト等の汚れを清掃し除去
していた。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述した従来の半導体製造装置において
は、先ず、ウェハ表面にレジスト膜を塗布形成する際、
レジストを供給するポンプ又はシステムの故障によって
、ウェハを吸着するウェハチャックにレジストが滴下し
、ボタ落ちが発生することがある。このため、ウェハの
裏面中央部にレジストが付着してしまうことが多々発生
していた。

また、その後の現像処理においては、ウェハ表面に現像
液を滴下する際、滴下量のコントロールのバラツキによ
って、現像液がウェハ裏面に廻り込み、更にウェハチャ
ックまで廻り込んでしまうことがある。また、塗布処理
と同様にウェハチャックへ現像液が滴下し、ボタ落ちす
ることが起きていた。このため、ウェハの裏面中央部に
現像液が付着する事態も発生しやすい。

このようなことから、従来、レジストの塗布及び現像処
理工程以降においては、ウェハチャック又は搬送ベルト
がウェハにより汚染されており、このためウェハの搬送
ベルト等を清掃する必要があった。また、ウェハを再生
するための洗浄を随時実施する必要があり、このため作
業Ｔ数が膨大になっていた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
レジストの塗布及び現像処理工程後にウェハの裏面中央
部の洗浄を効果的に行うことができ、その後の工程にお
ける各部の汚れを防止できると共に、ウェハの歩留りを
向上させることができ、且つ１．ウェハ自体の洗浄等の
頻度を著しく減少させることができる半導体製造装置を
提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明に係る半導体製造装置は、レジストの塗布及び現
像処理がなされた後に半導体ウェハを洗浄する半導体製
造装置であって、開口を有しこの開口を囲む周部におい
て前記半導体ウェハの裏面周縁部を保持するウェハ保持
手段と、このウェハ保持手段の前記開口の下方に配設さ
れると共に前記ウェハ保持手段により保持された前記半
導体ウェハの裏面中央部を溶剤により洗浄する洗浄手段
と、この洗浄手段による洗浄の際に前記溶剤と共に前記
半導体ウェハの汚れを回収する洗浄容器とを備えたこと
を特徴とする。

［作用］ 上記構成により本発明の半導体製造装置においては、レ
ジストの塗布及び現像処理がなされたウェハは、その裏
面周縁部がウェハ保持手段により保持されると共に、こ
のウェハ保持手段の開口部に対応する裏面中央部が溶剤
により洗浄され、レジスト及び現像液等による汚れが除
去される。

［実施例］ 以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について具
体的に説明する。第１図は本発明の実施例に係る半導体
製造装置の縦断面図、第２図は同じく平面図である。図
中、１はウェハ吸着ホルダである。このウェハ吸着ホル
ダ１にはウェハ位置決め用の四部２が設けられており、
この凹部２内にウェハ３を載置させるようになっている
。吸着ホルダ１の中央部には開口４が形成されていると
共に、この間口４の近傍の四部２には真空ポンプ（図示
せず）に接続されたウェハ吸着溝５が形成されており、
この吸着溝５を介してウェハ３を真空吸着するようにな
っている。

ウェハ吸着ホルダ１の下方には開口４の中央部の直下域
に溶剤噴射用の洗浄ノズル６が配設されている。この洗
浄ノズル６は、洗浄容器７の側壁に設けられた溶剤供給
口８に連結されており、この溶剤供給０．８から供給さ
れた溶剤をウェハ吸着ホルダ１の薄口４を介してウェハ
３の裏面中央部に向けて均一に噴射し、レジスト及び現
像液等の汚れ部９を洗浄する。

なお、この洗浄時には、洗浄容器７の上面開口部には蓋
体１０を被せるようになっている。また、洗浄容器７の
側壁部には開口４に向けてエア供給ノズル１１が設置さ
れており、開口４に向けてエアを供給することにより溶
剤噴射により洗浄した後のウェハ３の裏面を乾燥させる
ようになっている。更に、洗浄容器７の底部には溶剤排
出口１２が設けられ、洗浄後の溶剤を汚れと共に排出す
るようになっている。

また、洗浄容器７は駆動機構（図示せず）により上下移
動可能となっており、この洗浄容器７の移動に伴い洗浄
ノズル６の高さが調節されるようになっている。

また、上記ウェハ吸着ホルダ１の両側には夫々搬送装置
１３．１４が配設されている。搬送装置１３には１対の
ベルトが相互に適長間隔をおいて１対のブーり間に架は
渡されており、この１対のベルト上に載置されてウェハ
３が搬送される。搬送装置１４も同様の構成を有する。

ウェハ３は前工程のレジスト膜塗布形成及び現像処理部
から搬送装置１３により本実施例装置まで送られてくる
。

搬送装置１３により搬送されてきたウェハ３は停止ピン
１６部において停止され、゛その後ウェハ供給用吸着チ
ャック１５により吸着保持され、更に、開閉可能に設け
られたウェハ搬送口１８を介してウェハ吸着ホルダ１の
凹部２内に送られるようになっている。また、洗浄容器
７内で洗浄されたウェハ３はウェハ搬送用吸着チャック
１７により搬送装置１４に送られ、更に、次工程部まで
搬送されるようになっている。

次に、上記構成の半導体製造装置の動作について説明す
る。先ず、レジスト膜の塗布形成及び現像処理がなされ
たウェハ３は、ウェハ搬送装置１３で搬送されてきた後
、ウェハ停止ピン１６により停止される。続いて、この
ウェハ３はウェハ供給用吸着チャック１５により吸着さ
れ、ウェハ搬送口１８からウェハ吸着ホルダ１の凹部２
内に送られて位置決めがなされる。位置決めされたウェ
ハ３は吸着溝５を介して真空吸着されることにより保持
される。次いで、ウェハ供給用吸着チャック１５が元の
位置に戻り、洗浄容器７が上昇することにより、その上
端開口が蓋体１０により閉じられると共に、ウェハ吸着
ホルダ１のウェハ搬送口１８が閉じられる。

次に、洗浄容器７に装着しである洗浄ノズル６からウェ
ハ３の裏面中央部に向けて溶剤１９が放射状に均一に噴
射され、ウェハ３の裏面のレジスト及び現像液等の汚れ
部９が洗浄される。洗浄が終了した後、エア供給ノズル
１１からエアが開口４を介してウェハ３の裏面に噴射さ
れ、これによりウェハ３が乾燥される。乾燥が終了した
後、洗浄容器７が下降すると共にウェハ吸着ホルダ１も
下降し、更に、ウェハ搬出用吸着チャック１７がウェハ
搬送口１８まで移動してウェハ３を吸着し、ウェハ搬送
装置１４まで搬送する。

第３図は、本発明の他の実施例を示す縦断面図、第４図
は同じく平面図である。本実施例においては、ウェハ３
の裏面中央部の洗浄用として、スポンジ付の回転洗浄ブ
ラシ２０をウェハ吸着ホルダ１の下部に配設し、このブ
ラシ２０を駆動機構（図示せず）により回転及び上下移
動が可能に構成したものである。回転洗浄ブラシ２０に
はその下部に設けた溶剤供給口２１から溶剤が供給され
るようになっており、この溶剤が上面部に設けた噴射溝
２０ａからウェハ３の裏面中央部に向けて噴射されるよ
うになっている。その他の構成部分は第１図及び第２図
と同様であるため、同一物には同一符号を付して説明を
省略する。

本実施例においては、レジスト膜の塗布形成及び現像処
理がなされたウェハ３は上記実施例と同様にしてウェハ
搬送装置１３により搬送されてきた後、ウェハ停止ピン
１６により停止される。続いて、このウェハ３はウェハ
供給用吸着チャック１５により吸着され、ウェハ搬送口
１８からウェハ吸着ホルダ１の凹部２内に送られて位置
決めがなされる。更に、このウェハ３は吸着溝５を介し
て真空吸着される。このときウェハ供給用吸着チャック
１５が元の位置に戻り、回転洗浄ブラシ２０が任意の位
置まで上昇すると同時に洗浄容器７が上昇し、更に、ウ
ェハ吸着ホルダ１のウェハ搬送口１８が閉じる。

次に、回転洗浄ブラシ２０がウェハ３の裏面まで徐々に
上昇し、任意の荷重が加わった状態で接触する。しかる
後、溶剤供給口２１から溶剤を流し続けると共に、回転
洗浄ブラシ２０を回転させることにより、ウェハ３の裏
面中央部のレジスト及び現像液等の汚れ部９が洗浄され
る。洗浄が終了した後、回転洗浄ブラシ２０が下降する
と同時に、溶剤の供給も停止される。次に、エア供給ノ
ズル１１よりエアがウェハ３の裏面に放射され、これに
よりウェハ３の乾燥が行われる。乾燥が終了すると、洗
浄容器７及びウェハ吸着ホルダ１が下降すると同時に、
回転洗浄ブラシ２０も下降し、更に、ウェハ搬出用吸着
チャック１７がウェハ搬送口１８まで移動してウェハ３
を吸着し、このウェハ３をウェハ搬送装置１４まで搬出
させる。

「発明の効果」 以上説明したように本発明の半導体製造装置によれば、
レジストの塗布及び現（象処理かなされたウェハの裏面
中央部を溶剤により洗浄させる手段を有するから、ごみ
の原因となるウェハ裏面のレジスト等による汚れ及び現
像液の裏面廻り込み等による汚れを効果的に除去するこ
とができ、従って、レジスト塗布及び現像処理工程以降
のウェハ搬送によってウェハの裏面に接触する各部への
ごみのまき散らしが防止され、ウェハの歩留りが著しく
向−トする。

更に、ウェハ搬送により接触して付着したごみの定期洗
浄及びウェハ自体の洗浄の頻度を減少させることができ
るという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の実施例に係る半導体製造装
置を示すもので、第１図はその縦断面図、第２図は平面
図、第３図及び第４図は本発明の他の実施例を示すもの
で、第３図はその縦断面図、第４図は平面図である。 １：ウェハ吸着ボルダ、２；凹部、３；ウェハ、４：開
口、５；ウェハ吸着溝、６；洗浄ノズル、７；洗浄容器
、８；溶剤供給口、９；汚れ部、２０；回転洗浄ブラシ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）レジストの塗布及び現像処理がなされた後に半導
   体ウェハを洗浄する半導体製造装置であって、開口を有
   しこの開口を囲む周部において前記半導体ウェハの裏面
   周縁部を保持するウェハ保持手段と、このウェハ保持手
   段の前記開口の下方に配設されると共に前記ウェハ保持
   手段により保持された前記半導体ウェハの裏面中央部を
   溶剤により洗浄する洗浄手段と、この洗浄手段による洗
   浄の際に前記溶剤と共に前記半導体ウェハの汚れを回収
   する洗浄容器とを備えたことを特徴とする半導体製造装
   置。