JPH01235375A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH01235375A JPH01235375A JP63062191A JP6219188A JPH01235375A JP H01235375 A JPH01235375 A JP H01235375A JP 63062191 A JP63062191 A JP 63062191A JP 6219188 A JP6219188 A JP 6219188A JP H01235375 A JPH01235375 A JP H01235375A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法に関し、
高集積Φ高性能の固体撮偉素子のスミャ特性改善を目的
とし、 受光素子と、該素子分離用の厚い酸化膜領域を有し、前
記素子領域の基板表面からは深く、前記素子分離領域の
基板表面からは浅く、基板と同導電型の基板より高濃度
の不純物層が形成されている構成とし九〇 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、
更に詳しく言えば高集積Φ高性能の固体〔従来の技術〕 第３図は、従来の固体撮偉素子構造を説明するための断
面図である。
とし、 受光素子と、該素子分離用の厚い酸化膜領域を有し、前
記素子領域の基板表面からは深く、前記素子分離領域の
基板表面からは浅く、基板と同導電型の基板より高濃度
の不純物層が形成されている構成とし九〇 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、
更に詳しく言えば高集積Φ高性能の固体〔従来の技術〕 第３図は、従来の固体撮偉素子構造を説明するための断
面図である。
図で、１は８１基板（Ｐ型）で、２は受光素子ａ。
５間の電気的分離用の厚い酸化膜であり、３ａ 、 ３
ｂは電荷を貯えるためのポテンシャルの井戸を与えるｎ
型の拡散層である。
ｂは電荷を貯えるためのポテンシャルの井戸を与えるｎ
型の拡散層である。
光が受光部ａ、ｂに入射すると、基板１内で電子嗜正孔
対が発生し、ｎＷ領領域ｐ型領域の接合部の空乏層内で
発生した電子は空乏層内の電場によυ前記ｎ型領域に取
り込まれ、正孔は基板１０表面側に移動する。こうして
、光に対応した電荷が受光部ａ、ｂに貯まることＫなる
。
対が発生し、ｎＷ領領域ｐ型領域の接合部の空乏層内で
発生した電子は空乏層内の電場によυ前記ｎ型領域に取
り込まれ、正孔は基板１０表面側に移動する。こうして
、光に対応した電荷が受光部ａ、ｂに貯まることＫなる
。
ところが、空乏層の外で発生した電子は電場の影響がな
いため、主に拡散によって基板１内を移動し、基板１内
で再結合するか、もしくは前記ｎ型領域３ｍ 、 ３ｂ
に取り込まれる。
いため、主に拡散によって基板１内を移動し、基板１内
で再結合するか、もしくは前記ｎ型領域３ｍ 、 ３ｂ
に取り込まれる。
受光素子を高集積書高解儂度化すると、素子分離領域は
ますます小さくする必要がある。この時、前述の空乏層
外で発生した電子が拡散によって隣接受光部に容易に到
達するようになる（第１図Ｂの光入射〕。これは偽の信
号（スミ穐）であり、このｘミ↓特性が劣化してしまう
という問題がある。
ますます小さくする必要がある。この時、前述の空乏層
外で発生した電子が拡散によって隣接受光部に容易に到
達するようになる（第１図Ｂの光入射〕。これは偽の信
号（スミ穐）であり、このｘミ↓特性が劣化してしまう
という問題がある。
本発明はかかる従来例の問題点に鑑み創作され〔課題を
解決するための手段〕 本発明の半導体装置はその原理を第１図に示すように、
受光素子ａ、ｂと、該素子ａ、ｂの分離用の厚い酸化膜
５からなる分離領域を有し、受光素子ａ、ｂ領域の基板
４の表面から深く、基板４と同導電型で、基板４より高
濃度の不純物層７が形成されている。
解決するための手段〕 本発明の半導体装置はその原理を第１図に示すように、
受光素子ａ、ｂと、該素子ａ、ｂの分離用の厚い酸化膜
５からなる分離領域を有し、受光素子ａ、ｂ領域の基板
４の表面から深く、基板４と同導電型で、基板４より高
濃度の不純物層７が形成されている。
本発明によれば、受光素子ａ、ｂのｎ型拡散層である電
荷蓄積領域６ａ、６ｂは基板４より高濃度で、該基板４
と同導電型不純物層によ沙門まれている。
荷蓄積領域６ａ、６ｂは基板４より高濃度で、該基板４
と同導電型不純物層によ沙門まれている。
これにより、隣接受光部ａへの入射光により励起された
電子は、前記高濃度不純物層によるポテンシャルに阻止
されて、隣接受光部すへ拡散しに？ ＜＜、これによりスミ啼特性を改善することが可能とな
る。
電子は、前記高濃度不純物層によるポテンシャルに阻止
されて、隣接受光部すへ拡散しに？ ＜＜、これによりスミ啼特性を改善することが可能とな
る。
第２図囚ＣＢ）は本発明に係る半導体装置である固体撮
像素子の各形成工程の要部断面図である。
像素子の各形成工程の要部断面図である。
図に於て、４はＳｌ基板、５は素子分離用のフィールド
酸化膜（厚い酸化膜）、６ａ、６ｂは受光部電荷蓄積部
で、ｐイオン等をＳｔ基板４に注入して形成される。７
は基板４より高濃度の咳基板４と同導電型不純物層であ
る。そして、該基板４０表面に１図示せぬ層間絶縁膜、
保護膜等が堆積され、更に転送ゲート用電極配線、 Ｃ
ＯＤ電極配線。
酸化膜（厚い酸化膜）、６ａ、６ｂは受光部電荷蓄積部
で、ｐイオン等をＳｔ基板４に注入して形成される。７
は基板４より高濃度の咳基板４と同導電型不純物層であ
る。そして、該基板４０表面に１図示せぬ層間絶縁膜、
保護膜等が堆積され、更に転送ゲート用電極配線、 Ｃ
ＯＤ電極配線。
透光ＡＪ板衿が形成されて固体撮像素子が構成されるが
、本発明の要部とは無関係のため図示を省略している。
、本発明の要部とは無関係のため図示を省略している。
このようにして、高濃度不純物層７により隣接受光部ａ
、ｂの入射光により励起された電子の拡散を阻止し、ス
ミ↓特性を改善することができる０尚、高濃度不純物層
７は、その外側で発生した電子の流入を阻止するため、
余り浅いと、電荷収集効率が劣化し、感度の悪化となる
ため、１〜２μ程度の深さは必要である。
、ｂの入射光により励起された電子の拡散を阻止し、ス
ミ↓特性を改善することができる０尚、高濃度不純物層
７は、その外側で発生した電子の流入を阻止するため、
余り浅いと、電荷収集効率が劣化し、感度の悪化となる
ため、１〜２μ程度の深さは必要である。
また、本発明装置の形成工程は、先ずＳｉ基板４に通常
の選択熱酸化法（ＬＯＣＯ８法）により素子分離用のフ
ィールド酸化膜５を０．８μ程度成長する（＠３図（４
））０ 電圧がＩＭ＠Ｖで、ドーズ量が約ｌＸｌ０”／−で注入
する。この時、受光素子表面から１μ、フィールド酸化
膜底面から０．２μ程度の部分に濃度のピークを有する
高濃度不純物層７が形成される。
の選択熱酸化法（ＬＯＣＯ８法）により素子分離用のフ
ィールド酸化膜５を０．８μ程度成長する（＠３図（４
））０ 電圧がＩＭ＠Ｖで、ドーズ量が約ｌＸｌ０”／−で注入
する。この時、受光素子表面から１μ、フィールド酸化
膜底面から０．２μ程度の部分に濃度のピークを有する
高濃度不純物層７が形成される。
この後、ｐイオンをイオン注入法によυ、加速電圧が６
０ＫｅＶで、ドーズ量が約ｌＸｌ０”／ｍｌの条件で注
入して電荷蓄積部６ａ、６ｂを形成し、第２回出）の本
発明に係る半導体装置が得られる。
０ＫｅＶで、ドーズ量が約ｌＸｌ０”／ｍｌの条件で注
入して電荷蓄積部６ａ、６ｂを形成し、第２回出）の本
発明に係る半導体装置が得られる。
以上説明したように本発明によれば、受光部を高濃度不
純物層で囲むことにより隣接受光部入射光により励起さ
れた電子の流入を阻止することができ、スミ４特性を劣
化することなく素子分離領域を小さくすることが可能と
なる。
純物層で囲むことにより隣接受光部入射光により励起さ
れた電子の流入を阻止することができ、スミ４特性を劣
化することなく素子分離領域を小さくすることが可能と
なる。
従って、高集積ｅ高解儂度の固体撮像素子の提供が可能
となる。
となる。
第１図は本発明に係る半導体装置の原理を説明するため
の要部断面図、第２図（４）（Ｂ）は本発明に係る固体
撮像素子の各形成工程の状態を示す要部新聞図、第３図
は従来の固体撮像素子の要部断面図である。 〔符号の説明〕 ４ 基板、５ 素子分離用酸化膜、６ａ。 ６ｂ 受光素子の電荷蓄積部、７ ・高濃度不純物
層。 従来−１件撮４＊ｔ＋、断血図 等３ 図
の要部断面図、第２図（４）（Ｂ）は本発明に係る固体
撮像素子の各形成工程の状態を示す要部新聞図、第３図
は従来の固体撮像素子の要部断面図である。 〔符号の説明〕 ４ 基板、５ 素子分離用酸化膜、６ａ。 ６ｂ 受光素子の電荷蓄積部、７ ・高濃度不純物
層。 従来−１件撮４＊ｔ＋、断血図 等３ 図
Claims (1)
- 少なくとも受光素子と、該素子分離用の厚い酸化膜領
域を有し、前記素子領域の基板表面からは深く、前記素
子分離領域の基板表面からは浅く、該基板と同導電型の
基板より高濃度の不純物層が形成されていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63062191A JP2712246B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63062191A JP2712246B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235375A true JPH01235375A (ja) | 1989-09-20 |
| JP2712246B2 JP2712246B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=13193006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63062191A Expired - Fee Related JP2712246B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712246B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100562667B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2006-03-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145078U (ja) * | 1978-03-29 | 1979-10-08 |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP63062191A patent/JP2712246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145078U (ja) * | 1978-03-29 | 1979-10-08 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100562667B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2006-03-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712246B2 (ja) | 1998-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |