JPH0964328A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

固体撮像素子及びその製造方法

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JPH0964328A JP7237897A JP23789795A JPH0964328A JP H0964328 A JPH0964328 A JP H0964328A JP 7237897 A JP7237897 A JP 7237897A JP 23789795 A JP23789795 A JP 23789795A JP H0964328 A JPH0964328 A JP H0964328A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトダイオードの光感度を向上させること
のできる固体撮像素子及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 フォトダイオードを凸レンズ状に成形す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子に係
り、特にスミアを防止し且つ感度を向上させることので
きる固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図1(A)と(B)は従来の固体撮像素
子の断面図を示す。図1(A)を参照すると、従来の固
体撮像素子の構造は次の通りである。n型基板10上に
第1及び第2のp- 型ウェル11,12が形成され、第
1及び第2のp- 型ウェル11,12にはそれぞれn+
型フォトダイオード14と電荷転送領域であるn+ 型V
CCD領域15が形成され、n+ 型フォトダイオード1
4の表面にはp++型表面隔離層16が形成され、n+
VCCD15の下側にそれを囲むように第3のp- 型ウ
ェル13が形成され、画素と画素間を隔離させるための
+ 型チャンネルストップ領域17がフォトダイオード
と一方のVCCD領域との間に形成される。そして、基
板の全面にゲート絶縁膜18が形成され、VCCD領域
15部分のゲート絶縁膜18上にトランスファゲート1
9、層間絶縁膜20、及び遮光膜21が順次形成され、
基板の全面に保護膜22が形成される。さらに保護膜2
2上に第1の平坦化層23が形成され、フォトダイオー
ド14上部の第1の平坦化層23上にカラーフィルタ層
24が形成され、カラーフィルタ層24を含んだ第1の
平坦化層23上に第2の平坦化層25が形成される。カ
ラーフィルタ層24の上側の第2の平坦化層25上にマ
イクロレンズ26が形成される。
【0003】前記従来の固体撮像素子では、カメラレン
ズを通って入射される光はマイクロレンズ26により集
束してカラーフィルタ層24を通過する。カラーフィル
タ層24を選択透過した光は、フォトダイオード14に
入射して電荷に光電変換される。従って、光電変換によ
りフォトダイオードから発生された電荷はVCCD領域
15に転送された後、VCCD領域15のクロック信号
によりHCCD(図示せず)に垂直転送される。HCC
Dに転送された電荷はHCCDのクロック信号により水
平転送され、素子の末端のフローティング拡散により水
平転送された電荷は電圧として感知、増幅されて周辺回
路に転送される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の固体撮
像素子は図1(B)から分かるように、マイクロレンズ
26に入射する光のうち、マイクロレンズの中央部に入
射する光はフォトダイオード14に入射して信号電荷に
光電変換されるが、マイクロレンズの周辺部に入射する
光はVCCD領域15に入射してスミア現象を起こす主
要要因となっている。尚、長波長の光の場合、マイクロ
レンズ26を通って入射する光がフォトダイオードを通
過して第1のp- 型ウェル11まで入射して、所望しな
い信号電荷が発生されるという問題点もあった。しか
も、フォトダイオードとVCCDの上部には段差が発生
するという問題点があった。
【0005】本発明は前記従来の技術の問題点を解決す
るためのものであって、その目的はフォトダイオードの
光感度を向上させることのできる固体撮像素子及びその
製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、
マイクロレンズを通って集束する光がフォトダイオード
領域にのみ集光するようにしてスミア現象を防止できる
固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の固体撮像素子は、凸部を有する第1導電型の
基板と、凸部を除いた基板内に形成された第1導電型の
電荷転送領域と、基板の凸部に形成され、上面が凸レン
ズ状からなる光検出領域と、光検出領域の上部表面上に
形成された第2導電型の光濃度不純物領域と、光検出領
域を除いた基板に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶
縁膜上に形成されたトランスファゲートと、トランスフ
ァゲートを含んだ基板上に形成された平坦化層と、フォ
トダイオード上部の平坦化層上に形成されたマイクロレ
ンズとを含む、その製造方法は、第1導電型の基板をエ
ッチングして凸部を形成する工程と、凸部を除いた基板
に第1導電型の不純物をイオン注入して第1導電型の電
荷転送領域を形成する工程と、電荷転送領域の上部の基
板上にゲート絶縁膜とトランスファゲートを順次形成す
る工程と、トランスファゲートをマスクとして基板の凸
部に第1導電型の不純物をイオン注入して、上部が膨ら
んだ曲面からなる光検出領域を形成する工程と、光検出
領域に第2導電型の高濃度不純物をイオン注入して光検
出領域の表面に第2導電型の高濃度不純物領域を形成す
る工程と、基板の全面にわたって平坦化層を形成する工
程と、フォトダイオードの上部の平坦化層上にマイクロ
レンズを形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳細に説明する。図2(A)と(B)は
本発明の実施の形態による固体撮像素子の断面図を示
す。図2(A)を参照すると、本発明の固体撮像素子に
おいて、n型基板30上に第1及び第2のp- 型ウェル
31,32が形成され、第1のp- 型ウェル31には膨
らんだ曲面の上面を有するフォトダイオード34が形成
され、第2のp- 型ウェル32には電荷転送領域である
VCCD領域35が形成される。フォトダイオード34
の膨らんだ上面にはp++型の表面隔離層36が形成さ
れ、フォトダイオードの膨らんだ上面を除いた基板上に
はゲート絶縁膜38、トランスファゲート39、及び遮
光膜41が形成され、トランスファゲート39と遮光膜
41との間には層間絶縁膜40が形成される。基板の全
面にわたって保護膜42が形成され、保護膜42上には
第1の平坦化層43が形成され、フォトダイオードの上
部の第1の平坦化層43にはカラーフィルタ層44が形
成され、カラーフィルタ層44を含む第1の平坦化層4
3上には第2の平坦化層45が形成され、カラーフィル
タ層の上部の第2の平坦化層45上にはマイクロレンズ
46が形成されている。
【0008】前記構造を有する本発明の固体撮像素子で
は、フォトダイオード34は上面を膨らませて形成して
マイクロレンズのような形態を有するので、図1に示す
従来の固体撮像素子のフォトダイオードより光を受け入
れる受光面積が増加する。また、フォトダイオードが凸
レンズ状に形成されているので、マイクロレンズとフォ
トダイオード間の距離が短縮され、図2(B)に示すよ
うに、マイクロレンズ46を通って集束した光がフォト
ダイオード34にのみ集束するばかりではなく、長波長
の光もフォトダイオード領域にのみ入射するので、従来
のスミア現象等を防止することができる。しかも、フォ
トダイオードの上面が凸レンズ状に形成されてフォトダ
イオードとVCCD領域の上部における段差が改善され
るので、後続工程が容易である。
【0009】図3〜図5は前記構造を有する本発明の固
体撮像素子の製造工程図を示す。図3(A)のように、
n型基板30上に第1及び第2のp- 型ウェル31,3
2を順次形成し、基板の全面にマイクロレンズ用物質を
塗布し、パターニングして第1のp- 型ウェル31上の
基板上にのみマイクロレンズ用物質51を残す。この
際、第1のp- 型ウェル31は基板30にp- 型不純物
を1次イオン注入して形成し、第2のp- 型ウェル32
は前記第1のp- 型ウェル31を除いた部分にp- 型不
純物を2次イオン注入して形成するが、第2のp- 型ウ
ェル32は第1のp- 型ウェル31より大きい接合深さ
を有する。
【0010】100乃至200℃の温度でマイクロレン
ズ用物質51を熱フローさせると、図3(B)のように
第1のp- 型ウェル31の上部の基板上にマイクロレン
ズ52が形成される。マイクロレンズ52が全てエッチ
ングされるように、マイクロレンズ52が形成された基
板をドライエッチングすると、図3(C)のように、基
板はレンズ状の凸部30−1を有することになる。この
際、基板の凸部30−1は後続の工程でフォトダイオー
ドが形成されるべき部分である。
【0011】図3(D)のように、画素と画素間を隔離
させるためのp+ 型チャンネルストップ37を形成し、
次に図4(E)のように凸部30−1を除いた基板30
にp- 型不純物とn+ 型不純物をイオン注入して第3の
- 型ウェル33とn+ 型VCCD35を形成する。
【0012】図4(F)のように、凸部30−1を除い
た基板上に酸化膜と窒化膜からなるゲート絶縁膜38を
形成し、基板の全面にポリシリコン膜を蒸着し、パター
ニングしてゲート絶縁膜38上にトランスファゲート3
9を形成する。
【0013】図4(G)のように、トランスファゲート
39をマスクとして基板の凸部30−1にn+ 型不純物
をイオン注入してn++型フォトダイオード34を形成
し、次にトランスファゲート39をマスクとしてp++
不純物をフォトダイオード34にイオン注入してフォト
ダイオード34の表面にp++型表面隔離層36を形成す
る。
【0014】図5(H)のように、フォトダイオード3
4の膨らんだ上面を除いたトランスファゲート39の上
部に層間絶縁膜40を形成し、基板の全面にわたって金
属膜を蒸着しパターニングして絶縁膜40上に遮光膜4
1を形成する。
【0015】図5(I)のように、基板の全面にわたっ
て窒化膜を蒸着して保護膜42を形成し、その上に第1
の平坦化層43を形成し、フォトダイオード34上部の
第1の平坦化層43上にカラーフィルタ層44を形成す
る。
【0016】最終的に、カラーフィルタ層44を含んだ
第1の平坦化層43上に第2の平坦化層45を形成し、
カラーフィルタ層44の上部の第2の平坦化層45上に
通常のマイクロレンズ形成工程によりマイクロレンズ4
6を形成すると、本発明の実施の形態による固体撮像素
子が製造される。
【0017】
【発明の効果】前記本発明によれば、次の効果が得られ
る。 1.フォトダイオードをマイクロレンズ状に形成するこ
とにより、フォトダイオードの受光面積を従来の固体撮
像素子より大きくし、光感度を向上させることができ
る。 2.フォトダイオードとVCCDの上部における段差を
改善して後続工程を容易に行うことができる。 3.フォトダイオードを膨らんだ形態で形成してマイク
ロレンズとフォトダイオード間の間隔を従来の固体撮像
素子でより短縮させることができる。従って、長波長の
光を含んだマイクロレンズに集束する光を全てフォトダ
イオードにのみ入射させることにより、スミア現象の発
生を完全に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の固体撮像素子の断面図である。
【図2】 本発明の一実施の形態による固体撮像素子の
断面図である。
【図3】 図2の本発明の固体撮像素子の製造工程図で
ある。
【図4】 図2の本発明の固体撮像素子の製造工程図で
ある。
【図5】 図2の本発明の固体撮像素子の製造工程図で
ある。
【符号の説明】
30…シリコン基板、31−33…p型ウェル、34…
フォトダイオード、35…電荷転送領域(VCCD)、
36…p++型表面隔離層、37…p+ 型チャンネルスト
ップ領域、38…ゲート絶縁膜、39…トランスファゲ
ート、40…層間絶縁膜、41…遮光膜、42…保護
膜、43,45…平坦化層、44…カラーフィルタ層、
46…マイクロレンズ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 凸部を有する第1導電型の基板と、 凸部を除いた基板内に形成された第1導電型の電荷転送
    領域と、 基板の凸部に形成され、上面が凸レンズ状からなる光検
    出領域と、 光検出領域の上部表面内に形成された表面隔離層と、 光検出領域を除いた基板に形成されたゲート絶縁膜と、 ゲート絶縁膜上に形成されたトランスファゲートと、 トランスファゲートを含んだ基板上に形成された平坦化
    層と、 フォトダイオードの上側の平坦化層上に形成されたマイ
    クロレンズと、を含むことを特徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項2】 第1導電型の基板をエッチングして凸部
    を形成する工程と、 凸部を除いた基板に第1導電型の不純物をイオン注入し
    て第1導電型の電荷転送領域を形成する工程と、 電荷転送領域の上側の基板上にゲート絶縁膜とトランス
    ファゲートを順次形成する工程と、 トランスファゲートをマスクとして基板の凸部に第1導
    電型の不純物をイオン注入して、上部が膨らんだ曲面を
    有する光検出領域を形成する工程と、 光検出領域に第2導電型の高濃度不純物をイオン注入し
    て光検出領域の表面に表面隔離層を形成する工程と、 基板の全面にわたって平坦化層を形成する工程と、 フォトダイオードの上側の平坦化層上にマイクロレンズ
    を形成する工程と、 を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
  3. 【請求項3】 基板に凸部を形成する工程は、 基板上にマイクロレンズ用物質を塗布する工程と、 マイクロレンズ用物質をパターニングして光検出領域に
    対応する部分にのみマイクロレンズ用物質を残す工程
    と、 マイクロレンズ用物質を熱フローさせて基板上にマイク
    ロレンズを形成する工程と、 基板をドライエッチングしてマイクロレンズを除去する
    とともに、マイクロレンズが除去された部分に凸部を形
    成する工程と、 を含むことを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子の
    製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066537A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Hamamatsu Photonics Kk 光検出装置及びその製造方法
JP2006294781A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Sony Corp 固体撮像素子
JP2010103272A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置
JP2011049579A (ja) * 2010-10-13 2011-03-10 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置
JP4769910B1 (ja) * 2011-02-18 2011-09-07 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP4769911B1 (ja) * 2010-10-29 2011-09-07 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP2012050055A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd 固体撮像装置
CN114664876A (zh) * 2022-05-25 2022-06-24 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种图像传感器及其制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101909144B1 (ko) 2012-03-06 2018-10-17 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 형성 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6435966A (en) * 1987-07-30 1989-02-07 Sony Corp Photodiode
JPH053313A (ja) * 1991-06-26 1993-01-08 Hitachi Ltd 固体撮像素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6435966A (en) * 1987-07-30 1989-02-07 Sony Corp Photodiode
JPH053313A (ja) * 1991-06-26 1993-01-08 Hitachi Ltd 固体撮像素子

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066537A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Hamamatsu Photonics Kk 光検出装置及びその製造方法
JP2006294781A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Sony Corp 固体撮像素子
JP2010103272A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置
US8384809B2 (en) 2008-10-23 2013-02-26 Sony Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus
US8773559B2 (en) 2008-10-23 2014-07-08 Sony Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus
JP2012050055A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd 固体撮像装置
JP2011049579A (ja) * 2010-10-13 2011-03-10 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置
JP4769911B1 (ja) * 2010-10-29 2011-09-07 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
WO2012056586A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP4769910B1 (ja) * 2011-02-18 2011-09-07 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
CN114664876A (zh) * 2022-05-25 2022-06-24 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种图像传感器及其制作方法
CN114664876B (zh) * 2022-05-25 2022-08-23 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种图像传感器及其制作方法

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