JPH01235236A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH01235236A JPH01235236A JP6255388A JP6255388A JPH01235236A JP H01235236 A JPH01235236 A JP H01235236A JP 6255388 A JP6255388 A JP 6255388A JP 6255388 A JP6255388 A JP 6255388A JP H01235236 A JPH01235236 A JP H01235236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- nozzle
- axes
- center
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000111306 Torreya nucifera Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板表面に気相成長膜を形成する気相
成長装置に関し、特に、多数枚の半導体基板を処理でき
る縦型気相成長装置に関するものである。
成長装置に関し、特に、多数枚の半導体基板を処理でき
る縦型気相成長装置に関するものである。
従来、この種の気相成長装置は、形成された薄膜の膜厚
分布及び添加不純物の濃度分布の均一性を向上させるた
め、反応ガスの導入方法に種々の工夫がなされている。
分布及び添加不純物の濃度分布の均一性を向上させるた
め、反応ガスの導入方法に種々の工夫がなされている。
以下にＳｉの気相エピタキシャル成長装置の例を示すが
、Ｖａｎｄｉｍｉｒ Ｓ、Ｂａｎは平行に積み重ねるよ
うに保持した半導体基板をその半導体基板の中心を軸と
して回転させ、この半導体基板の近傍に設けた多数の細
孔を有するノズル管から半導体基板表面に平行に反応ガ
スを供給している。この時、ノズル管の中心を軸として
首振り運動させる事によって形成される薄膜の膜厚、比
抵抗の均一性向上をはかっている＊ （Ｖａｎｄｉｍｉ
ｒ Ｓ、Ｂａｎ ａｎｄ ＥｄｗａｒｄＡ、Ｍｉ ｌ
Ｉｅｒ 、 ”Ａ Ｎｅｗ Ｒｅａｃｔｏｒ Ｆｏｒ
Ｓ ｉ ｌ １ｃｏｎ Ｅｐｉ ｔａｘｙ” 、Ｐ−ｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｒ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎＣｈｅｍ−ｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、Ｔｈｅ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｃ。
、Ｖａｎｄｉｍｉｒ Ｓ、Ｂａｎは平行に積み重ねるよ
うに保持した半導体基板をその半導体基板の中心を軸と
して回転させ、この半導体基板の近傍に設けた多数の細
孔を有するノズル管から半導体基板表面に平行に反応ガ
スを供給している。この時、ノズル管の中心を軸として
首振り運動させる事によって形成される薄膜の膜厚、比
抵抗の均一性向上をはかっている＊ （Ｖａｎｄｉｍｉ
ｒ Ｓ、Ｂａｎ ａｎｄ ＥｄｗａｒｄＡ、Ｍｉ ｌ
Ｉｅｒ 、 ”Ａ Ｎｅｗ Ｒｅａｃｔｏｒ Ｆｏｒ
Ｓ ｉ ｌ １ｃｏｎ Ｅｐｉ ｔａｘｙ” 、Ｐ−ｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｒ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎＣｈｅｍ−ｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、Ｔｈｅ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｃ。
１９７９、ＰＰ１０２〜１２５）。
また、特開昭６２〜２３５７２８では、多数のノズル管
を用い、各ノズル管から互いにほぼ平行に、かつ半導体
基板表面に平行に供給される反応ガスの流量を調節して
、回転する半導体基板の周辺部の反応ガス濃度を中心部
より高くする装置が提案されている。
を用い、各ノズル管から互いにほぼ平行に、かつ半導体
基板表面に平行に供給される反応ガスの流量を調節して
、回転する半導体基板の周辺部の反応ガス濃度を中心部
より高くする装置が提案されている。
上述した様な首振りノズル管を用いる気相成長装置では
、気密が保たれた反応管内でノズルに首振り運動をさせ
るための機構が必要であり、この部位で気密性保持に障
害が生じやすい、このため大気が反応管内にリークし、
気相成長した膜の膜質に悪影響を及ぼすという問題が生
じやすい、さらに、首振りノズル管を用いる気相成長装
置は、通常の固定式のノズル管を用いる気相成長装置よ
りも構造が複雑となり、装置コストの面及び保守管理の
面でも不利となる。また、半導体基板が大口径化した場
合、均一性の維持は極めて困難である。
、気密が保たれた反応管内でノズルに首振り運動をさせ
るための機構が必要であり、この部位で気密性保持に障
害が生じやすい、このため大気が反応管内にリークし、
気相成長した膜の膜質に悪影響を及ぼすという問題が生
じやすい、さらに、首振りノズル管を用いる気相成長装
置は、通常の固定式のノズル管を用いる気相成長装置よ
りも構造が複雑となり、装置コストの面及び保守管理の
面でも不利となる。また、半導体基板が大口径化した場
合、均一性の維持は極めて困難である。
多数の固定式のノズル管を用い、個々のノズル管よりほ
ぼ平行に供給される反応ガスの流量を制御しようとする
気相成長装置では、必要とされるノズル管の本数も多く
、特に、大口径半導体基板に薄膜を気相成長する際には
、膜厚等の均一性を確保する事が困難である。
ぼ平行に供給される反応ガスの流量を制御しようとする
気相成長装置では、必要とされるノズル管の本数も多く
、特に、大口径半導体基板に薄膜を気相成長する際には
、膜厚等の均一性を確保する事が困難である。
本発明によれば多数枚の半導体基板をほぼ水平に積み重
ねる様に保持して回転させ多数の細孔を有する複数本の
ノズル管から反応ガスを供給する気相成長装置において
、各ノズル管より供給される反応ガス流の放出軸が、該
半導体基板上で交差し、かつこれらの交点が該半導体基
板の中心を含まない位置にある気相成長装置が得られる
。
ねる様に保持して回転させ多数の細孔を有する複数本の
ノズル管から反応ガスを供給する気相成長装置において
、各ノズル管より供給される反応ガス流の放出軸が、該
半導体基板上で交差し、かつこれらの交点が該半導体基
板の中心を含まない位置にある気相成長装置が得られる
。
すなわち、本発明の気相成長装置は、多数の細孔を有す
る複数のノズル管を用いて、回転する半導体基板表面に
反応ガスを供給する際、そのノズル管の細孔から放出さ
れる反応ガスの放出軸が互いに交差し、この交差点が半
導体基板の中心部の領域を含まない、ノズル管側の平面
上に位置するようにこれらノズル管の細孔が設けられて
いる。
る複数のノズル管を用いて、回転する半導体基板表面に
反応ガスを供給する際、そのノズル管の細孔から放出さ
れる反応ガスの放出軸が互いに交差し、この交差点が半
導体基板の中心部の領域を含まない、ノズル管側の平面
上に位置するようにこれらノズル管の細孔が設けられて
いる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の横断面の概念図であり
、２本のノズル管を用いた場合の例である。
、２本のノズル管を用いた場合の例である。
半導体基板１は中心Ｏを中心に回転する様に設置され、
その半導体基板１の近傍に、基板の一主面に垂直に２本
のノズル管Ｉ２．ノズル管■３が設置されている。各々
のノズル管から放出される反応ガスの放出軸Ａ’ 、Ｂ
’は、各々のノズル管の中心から半導体基板の中心を結
ぶ直線Ａ、Ｂに対し、各々ω、θの角度で傾いた状態と
なり、各放出軸が交差するようノズル管の細孔が開孔さ
れている。この時、ω、θの値は各々Ｏ°以外に設定さ
れ、放出軸Ａ’ 、Ｂ’の交点０′は半導体基板の中心
０とは一致しない。角度ω、θの値は、半導体基板の大
きさ、ノズル管の設置位置に依存して変化させる必要が
あるが、交点０′の位置は半導体基板の４主面上に想定
される半径γの同心円４（ただしγは半導体基板の半径
Ｒの３０％、即ちγ＝ ０．３ Ｒである）より外方で
、かつ、ノズル管側で半円を成す領域（第１図中斜線部
）の半導体基板上に設定される事が望ましい。これは、
ノズル管より供給される反応ガス流が半導体基板中心近
傍に集中すると中心部分の気相成長膜が厚くなり全体の
膜厚分布が中心で厚く、周辺で薄い基板５はほぼ水平に
積み重ねる様に、回転可能な基板ホルダー６に保持され
、内管７の内部に設置されている。ノズル管理８及びノ
ズル管■９は、内管７の内部にほぼ垂直に設置され反応
ガスを供給する。この時、ノズル管の細孔は第１図で説
明した様に両ノズル管から供給される反応ガスの放出軸
が半導体基板５の中心以外の領域で交差するよう開孔さ
れている。両ノズル管から供給された反応ガスは半導体
基板５上を通り内管７の壁面に設けられた排気用の細孔
１０を経て、外管１１に開孔している排気口１２から排
気される。Ｓｉ基板５の加熱は、外管１１の外部に設置
さｈた抵抗加熱炉１３によって行なわれる。
その半導体基板１の近傍に、基板の一主面に垂直に２本
のノズル管Ｉ２．ノズル管■３が設置されている。各々
のノズル管から放出される反応ガスの放出軸Ａ’ 、Ｂ
’は、各々のノズル管の中心から半導体基板の中心を結
ぶ直線Ａ、Ｂに対し、各々ω、θの角度で傾いた状態と
なり、各放出軸が交差するようノズル管の細孔が開孔さ
れている。この時、ω、θの値は各々Ｏ°以外に設定さ
れ、放出軸Ａ’ 、Ｂ’の交点０′は半導体基板の中心
０とは一致しない。角度ω、θの値は、半導体基板の大
きさ、ノズル管の設置位置に依存して変化させる必要が
あるが、交点０′の位置は半導体基板の４主面上に想定
される半径γの同心円４（ただしγは半導体基板の半径
Ｒの３０％、即ちγ＝ ０．３ Ｒである）より外方で
、かつ、ノズル管側で半円を成す領域（第１図中斜線部
）の半導体基板上に設定される事が望ましい。これは、
ノズル管より供給される反応ガス流が半導体基板中心近
傍に集中すると中心部分の気相成長膜が厚くなり全体の
膜厚分布が中心で厚く、周辺で薄い基板５はほぼ水平に
積み重ねる様に、回転可能な基板ホルダー６に保持され
、内管７の内部に設置されている。ノズル管理８及びノ
ズル管■９は、内管７の内部にほぼ垂直に設置され反応
ガスを供給する。この時、ノズル管の細孔は第１図で説
明した様に両ノズル管から供給される反応ガスの放出軸
が半導体基板５の中心以外の領域で交差するよう開孔さ
れている。両ノズル管から供給された反応ガスは半導体
基板５上を通り内管７の壁面に設けられた排気用の細孔
１０を経て、外管１１に開孔している排気口１２から排
気される。Ｓｉ基板５の加熱は、外管１１の外部に設置
さｈた抵抗加熱炉１３によって行なわれる。
以下に第１図、第２図で示した本実施例によるシリコン
（Ｓｉ）気相エピタキシャル成長例を示す。
（Ｓｉ）気相エピタキシャル成長例を示す。
直径１５０ｍｍのＳｉ基板５を水平に基板ホルダー６に
保持し、５ ｒｐｍで回転させながら１１００℃に昇温
したノズル管■、■よりジクロロシラン（Ｓ １Ｈｘｃ
ｉ７ｚ） ３００ＳＣＣＭ、水素（Ｈ２）を２５３ＬＭ
、Ｈｚで希釈したホスフィン（ＰＨ３）を２０ＳＣＣＭ
流し、１０Ｔｏｒｒの減圧下でＩ Ｏ，ｕｍのＮ型Ｓｉ
エピタキシャル膜の成長を行なった。第３図に反応ガス
放出軸の交点の位置をγ＝Ｏｍｍ（中心０）。
保持し、５ ｒｐｍで回転させながら１１００℃に昇温
したノズル管■、■よりジクロロシラン（Ｓ １Ｈｘｃ
ｉ７ｚ） ３００ＳＣＣＭ、水素（Ｈ２）を２５３ＬＭ
、Ｈｚで希釈したホスフィン（ＰＨ３）を２０ＳＣＣＭ
流し、１０Ｔｏｒｒの減圧下でＩ Ｏ，ｕｍのＮ型Ｓｉ
エピタキシャル膜の成長を行なった。第３図に反応ガス
放出軸の交点の位置をγ＝Ｏｍｍ（中心０）。
及びγ＝１５ｎｎｍ、またはγ＝３５ｍａ＋の各同心円
の円周上で、かつ、半導体基板中心と各ノズル管中心と
を結ぶ直線と、半導体基板の円周部で構成される扇状の
領域内に設定した時のＳｉエピタキシャル膜の面内の膜
厚分布を示した。γ＝０胴では中心部で凸の膜厚分布で
あり、周辺部分ではほとんどＳｉエピタキシャル膜の成
長は認められなかった。γ＝１５ｍｍでは中心部直径６
０〜７０■の領域では良好な膜厚分布を示したが、周辺
３０〜４０閣では膜厚が薄くなった。これに対し、γ＝
３５ｍｍではＳｉ基板全面に均一な膜厚でＳｉエピタキ
シャル膜が成長し、バラツキも±３％以内と極めて良好
であった。
の円周上で、かつ、半導体基板中心と各ノズル管中心と
を結ぶ直線と、半導体基板の円周部で構成される扇状の
領域内に設定した時のＳｉエピタキシャル膜の面内の膜
厚分布を示した。γ＝０胴では中心部で凸の膜厚分布で
あり、周辺部分ではほとんどＳｉエピタキシャル膜の成
長は認められなかった。γ＝１５ｍｍでは中心部直径６
０〜７０■の領域では良好な膜厚分布を示したが、周辺
３０〜４０閣では膜厚が薄くなった。これに対し、γ＝
３５ｍｍではＳｉ基板全面に均一な膜厚でＳｉエピタキ
シャル膜が成長し、バラツキも±３％以内と極めて良好
であった。
なお、Ｓｉエピタキシャル膜の面内比抵抗分布に関して
も膜厚分布とほぼ同等の結果が得られ、γ＝３５鵬でバ
ラツキ±５％と良好であった。
も膜厚分布とほぼ同等の結果が得られ、γ＝３５鵬でバ
ラツキ±５％と良好であった。
第４図にγを０〜６５ｍｍとした時の膜厚の面内のバラ
ツキを示した。γが２５ｍｍより小さくなるとバラツキ
は急激に増大し、さらにγが０．３Ｒ（＝ ２２．５
ａｍ）より小さくなると実用にたえる均一性は得られな
かった。
ツキを示した。γが２５ｍｍより小さくなるとバラツキ
は急激に増大し、さらにγが０．３Ｒ（＝ ２２．５
ａｍ）より小さくなると実用にたえる均一性は得られな
かった。
この成長例では反応ガス放出軸の交点位置をノズル管近
傍の特定の扇状の領域内としたが、ノズル管側の半円の
領域（ただしγ−２２，５ｍの同心円内な除く）として
も、上述の結果に大きな差異は無く、はぼ同等の膜厚分
布、比抵抗分布が得られた。
傍の特定の扇状の領域内としたが、ノズル管側の半円の
領域（ただしγ−２２，５ｍの同心円内な除く）として
も、上述の結果に大きな差異は無く、はぼ同等の膜厚分
布、比抵抗分布が得られた。
第５図は本発明の第２実施例の横断面の概念図であり、
３本のノズル管を用いた場合の例である。
３本のノズル管を用いた場合の例である。
半導体基板１４ｔ＄中心Ｏを中心に回転する様に設置さ
れ、その半導体基板１４の近傍に、基板の−主面に対し
垂直に３本のノズル管１１５．ノズル管■１６．ノズル
管！＋１１７が設置されている。
れ、その半導体基板１４の近傍に、基板の−主面に対し
垂直に３本のノズル管１１５．ノズル管■１６．ノズル
管！＋１１７が設置されている。
各々のノズル管から放出される反応ガスの放出軸ａ’
、ｂ’ 、ｃ’は各々のノズル管の中心がら半導体基板
の中心０を結ぶ軸ａ、ｂ、ｃに対し各々α、β、γの角
度で傾いた状態となり各放出軸が交差するように各ノズ
ル管の細孔が開孔されている。この時α、β、γの値は
各々０°以外に設定され、各放出軸の交点Ｏ′、０″、
０″は半導体基板の中心０とは一致しない。角度α、β
、γは半導体基板の大きさノズル管の設置位置によって
変化させるものとするが、交点ｏ’、ｏ’、ｏ″′の位
置は、第１の実施例と同様に半導体基板の４主面上に想
定される半径γ′の同心円１８（ただし、γ゛は半導体
基板の半径Ｒ′の３０％、即ちγ’＝０．３Ｒ’）より
外方でかっ、ノズル管側で半円をなす領域（第４図中斜
線部）の半導体基板上に設定される事が望ましい。
、ｂ’ 、ｃ’は各々のノズル管の中心がら半導体基板
の中心０を結ぶ軸ａ、ｂ、ｃに対し各々α、β、γの角
度で傾いた状態となり各放出軸が交差するように各ノズ
ル管の細孔が開孔されている。この時α、β、γの値は
各々０°以外に設定され、各放出軸の交点Ｏ′、０″、
０″は半導体基板の中心０とは一致しない。角度α、β
、γは半導体基板の大きさノズル管の設置位置によって
変化させるものとするが、交点ｏ’、ｏ’、ｏ″′の位
置は、第１の実施例と同様に半導体基板の４主面上に想
定される半径γ′の同心円１８（ただし、γ゛は半導体
基板の半径Ｒ′の３０％、即ちγ’＝０．３Ｒ’）より
外方でかっ、ノズル管側で半円をなす領域（第４図中斜
線部）の半導体基板上に設定される事が望ましい。
以下に第５図で示した第２の実施例２にょるＳｉ気相エ
ピタキシャル成長例を示す、なお、使用したＳｉ気相エ
ピタキシャル成長装置は第１の実施例の第２図で示した
ものと同等のものでノズル管を３本にしたものである。
ピタキシャル成長例を示す、なお、使用したＳｉ気相エ
ピタキシャル成長装置は第１の実施例の第２図で示した
ものと同等のものでノズル管を３本にしたものである。
直径２００閣のＳｉ基板５を水平に基板ホルダー６に保
持し、８ｒｐｍで回転させながら１１００℃に加熱し、
ノズル管１．ＩＩ、Ｉ［ｌよす５ｉＨｔＣＡｚ４００Ｓ
ＣＣＭ、 Ｈ！ ３０ Ｓ ＬＭＨ！で希釈したジボラ
ン（Ｂ＊Ｈｓ） ２０ＳＣＣＭ流して１０Ｔｏｒｒの減
圧下で５μｍのＰ型Ｓｉエピタキシャル膜の成長を行な
った。この成長例では放出軸の交点ｐ ｌ。
持し、８ｒｐｍで回転させながら１１００℃に加熱し、
ノズル管１．ＩＩ、Ｉ［ｌよす５ｉＨｔＣＡｚ４００Ｓ
ＣＣＭ、 Ｈ！ ３０ Ｓ ＬＭＨ！で希釈したジボラ
ン（Ｂ＊Ｈｓ） ２０ＳＣＣＭ流して１０Ｔｏｒｒの減
圧下で５μｍのＰ型Ｓｉエピタキシャル膜の成長を行な
った。この成長例では放出軸の交点ｐ ｌ。
Ｏ″、Ｏ″が一致し、かつ、３本のノズル管のうち両端
に位置するノズル管の中心と半導体基板の中心とを結ぶ
軸とＳｉ基板の円周部で構成される扇状の領域内にこの
交点が位置する様各放出軸の角度を設定した。
に位置するノズル管の中心と半導体基板の中心とを結ぶ
軸とＳｉ基板の円周部で構成される扇状の領域内にこの
交点が位置する様各放出軸の角度を設定した。
第６図に放出軸の交点位置をγ’＝Ｏｍｍ、２５ｍｍ、
６０ｍｍの同心円の円周上に設定した時のＳｉエピタキ
シャル膜の面内膜厚分布を示した。
６０ｍｍの同心円の円周上に設定した時のＳｉエピタキ
シャル膜の面内膜厚分布を示した。
γ’ ＝Ｏｍｍでは中心部で凸状の膜厚分布を示し、γ
’＝２５ｍａ＋では、中心部分は平坦になるものの台形
状の膜厚分布を示した。これに対し、γ＝６０閣では均
一な膜厚分布が得られ、バラツキも±３％以内と極めて
良好であった。
’＝２５ｍａ＋では、中心部分は平坦になるものの台形
状の膜厚分布を示した。これに対し、γ＝６０閣では均
一な膜厚分布が得られ、バラツキも±３％以内と極めて
良好であった。
なお、本実施例はノズル管の３本と第１の実施例より多
く半導体基板が大口径化し、直径２００１以上となった
場合においても膜厚等の均一性が維持されるという利点
を有する。
く半導体基板が大口径化し、直径２００１以上となった
場合においても膜厚等の均一性が維持されるという利点
を有する。
以上説明したように、本発明は、複数のノズル管から供
給される反応ガス流の放出軸が薄膜を気相成長しようと
する半導体基板上で交差し、さらに、これらの交点が半
導体基板のノズル管側の半面上で、かつ、半導体基板半
径の３０％の同心円より外方の領域に位置するように調
整する事によって形成される気相成長膜の膜厚、不純物
濃度の均一性を著しく改善できる効果がある。
給される反応ガス流の放出軸が薄膜を気相成長しようと
する半導体基板上で交差し、さらに、これらの交点が半
導体基板のノズル管側の半面上で、かつ、半導体基板半
径の３０％の同心円より外方の領域に位置するように調
整する事によって形成される気相成長膜の膜厚、不純物
濃度の均一性を著しく改善できる効果がある。
第１図は本発明の１の実施例の横断面の概念図、第２図
は本発明によるＳｉエピタキシャル成長装置の縦断面図
、第３図は第１の実施例における膜厚分布図、第４図は
第１の実施例の交点の位置と膜厚のバラツキの相関図、
第５図は本発明の第２の実施例の横断面の概念図、第６
図は第２の実施例における膜厚分布を示した図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ノズル管Ｉ
、３・・・・・・ノズル管■、４・・・・・・同心円、
Ａ、Ｂ・・・・・・軸、Ａ’ 、Ｂ’・・・・・・放出
軸、５・・・・・・Ｓｉ基板、６・・・・・・基板ホル
ダー、７・・・・・・内管、８・・・・・・ノズル管１
１９・・・・・・ノズル管■、１０・・・・・・細孔、
１１・・川・外管、１２・・・・・・排気口、１３・・
・・・・抵抗加熱炉、１４・・・・・・半導体基板、１
５・・・・・・ノズル管Ｉ、１６・・・・・・ノズル管
■、１７・・・・・・ノズル管■、１８・・・・・・同
心円、ａ、ｂ、Ｃ・・・・・・軸、ａ″、ｂ’ 、ｃ’
・旧・・放出軸。 代理人 弁理士 内 原 音 Ａ＃ ！軸 ＄ｔｒＭ −ｖ −４クー２０ ０ ２７） ４θ ｔθ＆基板
弔ピｉシ譚ｓｅｗ濃（悟− 茅 ３［ θ ２０ ４θ にθ ”？”（−−λ 第 ４ 」
は本発明によるＳｉエピタキシャル成長装置の縦断面図
、第３図は第１の実施例における膜厚分布図、第４図は
第１の実施例の交点の位置と膜厚のバラツキの相関図、
第５図は本発明の第２の実施例の横断面の概念図、第６
図は第２の実施例における膜厚分布を示した図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ノズル管Ｉ
、３・・・・・・ノズル管■、４・・・・・・同心円、
Ａ、Ｂ・・・・・・軸、Ａ’ 、Ｂ’・・・・・・放出
軸、５・・・・・・Ｓｉ基板、６・・・・・・基板ホル
ダー、７・・・・・・内管、８・・・・・・ノズル管１
１９・・・・・・ノズル管■、１０・・・・・・細孔、
１１・・川・外管、１２・・・・・・排気口、１３・・
・・・・抵抗加熱炉、１４・・・・・・半導体基板、１
５・・・・・・ノズル管Ｉ、１６・・・・・・ノズル管
■、１７・・・・・・ノズル管■、１８・・・・・・同
心円、ａ、ｂ、Ｃ・・・・・・軸、ａ″、ｂ’ 、ｃ’
・旧・・放出軸。 代理人 弁理士 内 原 音 Ａ＃ ！軸 ＄ｔｒＭ −ｖ −４クー２０ ０ ２７） ４θ ｔθ＆基板
弔ピｉシ譚ｓｅｗ濃（悟− 茅 ３［ θ ２０ ４θ にθ ”？”（−−λ 第 ４ 」
Claims (2)
- （１）多数枚の半導体基板をほぼ水平に積み重ねる様に
保持して回転させ多数の細孔を有する複数本のノズル管
から反応ガスを供給する気相成長装置において、各ノズ
ル管より供給される反応ガス流の放出軸が、該半導体基
板上で交差し、かつこれらの交点が該半導体基板の中心
を含まない位置にある事を特徴とする気相成長装置 - （２）前記反応ガス流の放出軸の交点が、前記半導体基
板の前記ノズル管側の半面領域であり、かつ該半導体基
板の半径の３０％の半径を有する同心より外方の領域に
ある請求項１記載の気相成長装置
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6255388A JPH01235236A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 気相成長装置 |
| EP88115622A EP0308946B1 (en) | 1987-09-22 | 1988-09-22 | Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness |
| US07/247,850 US4992301A (en) | 1987-09-22 | 1988-09-22 | Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness |
| DE88115622T DE3885833T2 (de) | 1987-09-22 | 1988-09-22 | Chemischer Dampfabscheidungsapparat für die Herstellung von hochqualitativen epitaktischen Schichten mit gleichmässiger Dichte. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6255388A JPH01235236A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235236A true JPH01235236A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13203564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6255388A Pending JPH01235236A (ja) | 1987-09-22 | 1988-03-15 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235236A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7651733B2 (en) | 2001-04-25 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Method for forming a vapor phase growth film |
| JP2010141223A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP2020136301A (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-31 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP6255388A patent/JPH01235236A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7651733B2 (en) | 2001-04-25 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Method for forming a vapor phase growth film |
| JP2010141223A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP2020136301A (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-31 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4992301A (en) | Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness | |
| EP0683249B1 (en) | Method for the growth of compound semiconductor layer | |
| US8349403B2 (en) | Vapor-phase process apparatus, vapor-phase process method, and substrate | |
| JPH07193015A (ja) | ウェハ処理チャンバ用ガス入口 | |
| JPH01235236A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2745819B2 (ja) | 気相膜成長装置 | |
| JPS6090894A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2783041B2 (ja) | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 | |
| JPH03263818A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPH01235235A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2007109685A (ja) | 化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法 | |
| JPH0658880B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JP2775837B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPS63232317A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH04163912A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02102524A (ja) | ウェハーボート | |
| JPH01157519A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02156523A (ja) | 縦型ウェハーボート | |
| JPH04154117A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP3231312B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3252644B2 (ja) | 気相成長方法及びその装置 | |
| JPH01257321A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6240720A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH01117315A (ja) | 半導体薄膜結晶の気相成長方法 | |
| JPS5972721A (ja) | 気相成長装置 |