JPH01232727A - マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理方法及び装置Info
- Publication number
- JPH01232727A JPH01232727A JP5830888A JP5830888A JPH01232727A JP H01232727 A JPH01232727 A JP H01232727A JP 5830888 A JP5830888 A JP 5830888A JP 5830888 A JP5830888 A JP 5830888A JP H01232727 A JPH01232727 A JP H01232727A
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- Japan
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- microwave power
- microwave
- power
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- Pending
Links
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 5
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に係り。
特に拳導体素子基板等の試料をマイクロ波プラズマによ
りエツチング処理や成膜処理するのに好適なマイクロ波
プラズマ処理方法及びＭ置に関するものである。
りエツチング処理や成膜処理するのに好適なマイクロ波
プラズマ処理方法及びＭ置に関するものである。
従来のマイクロ波プラズマ処理技術としては。
有磁場または無磁場のマイクロ波プラズマを発生させ、
該プラズマにより試料をエツチング処理。
該プラズマにより試料をエツチング処理。
成膜処理するものが知られている。
なお、この棟の技術として関連するものには、例えば、
特開昭６２−２２１１１５号、Ｖ囲器６２−２２９８２
３号、特開昭６２−２０ ’５６２７号、特開昭６２−
２４３７７３号等が挙げられる。
特開昭６２−２２１１１５号、Ｖ囲器６２−２２９８２
３号、特開昭６２−２０ ’５６２７号、特開昭６２−
２４３７７３号等が挙げられる。
上記従来技術は、マイクロ波発振用のマグネトロンに供
給されるマグネトロンアノード電流ｔ流を任意設定値と
一致させていたが、実際には、処理室に導入されるマイ
クロ波入射波電力（パワー）については配慮されておら
ず、連続処理による経時変化で、エツチングや成膜性能
の再現性が得られにくいという問題があった。
給されるマグネトロンアノード電流ｔ流を任意設定値と
一致させていたが、実際には、処理室に導入されるマイ
クロ波入射波電力（パワー）については配慮されておら
ず、連続処理による経時変化で、エツチングや成膜性能
の再現性が得られにくいという問題があった。
本発明の目的は、エツチングや成膜性能の高再現性を実
現できるマイクロ波プラズマ処理方法及び装置を提供す
ることにある。
現できるマイクロ波プラズマ処理方法及び装置を提供す
ることにある。
上記目的は、マイクロ波プラズマ処理方法を、マイクロ
波数゛框により生成されるプラズマによりに料を処理す
る工程と、 ＩＩＩ前記マイクロ波パワーをモニタし該
モニタされたマイクロ波パワーを前記試料の処理に要求
されるマイクロ波パワーに制御する工程とを有する方法
とし、マイクロ波プラズマ処理装置を、マイクロ波を５
ａ振するマイクロ波発振手段と、Ｈ記マイクロ波バク−
をモニタするマイクロ波パワーモニタ手段と、Ｈ記モニ
タされタマイクロ波ｚ？ワーと設定マイクロ波パワート
ヲ比較演箆し該演算結果に基いて前記マイクロ波発振手
段からの前記マイクロ波パワーをＨ記設定マイクロ波パ
ワーに制御する手段とを具備したものとすることにより
、達成される。
波数゛框により生成されるプラズマによりに料を処理す
る工程と、 ＩＩＩ前記マイクロ波パワーをモニタし該
モニタされたマイクロ波パワーを前記試料の処理に要求
されるマイクロ波パワーに制御する工程とを有する方法
とし、マイクロ波プラズマ処理装置を、マイクロ波を５
ａ振するマイクロ波発振手段と、Ｈ記マイクロ波バク−
をモニタするマイクロ波パワーモニタ手段と、Ｈ記モニ
タされタマイクロ波ｚ？ワーと設定マイクロ波パワート
ヲ比較演箆し該演算結果に基いて前記マイクロ波発振手
段からの前記マイクロ波パワーをＨ記設定マイクロ波パ
ワーに制御する手段とを具備したものとすることにより
、達成される。
マイクロ波発振手段から発振されたマイクロ波パワーは
、マイクロ波パワーモニタ手段によりモニタされる。マ
イクロ波パワーモニ９手ｍでモニタされたマイクロ波パ
ワーは、マイクロ波パワー制御手段で設定マイクロ波バ
ク−と比較演算され該ｆ１４算結果に基いてマイクロ波
発振手段からのマイクロ波パワーは、試料の処理に要求
されるマイクロ波パワー、つまり、設定マイクロ波パワ
ーに制御される。従って、例えば、試料のマイクロ波プ
ラズマ処理の連ｌ＊実施において、マグネトロン発振手
段の３熱や、例えば、導波管や放′屯管の状態変化によ
らず、試料のエツチングや成膜に寄与するマイクロ波パ
ワーを設定マイクロ波パワーに常に保持でき、試料のエ
ツチング処理や成膜処理を再現性良〈実施することがで
きる。
、マイクロ波パワーモニタ手段によりモニタされる。マ
イクロ波パワーモニ９手ｍでモニタされたマイクロ波パ
ワーは、マイクロ波パワー制御手段で設定マイクロ波バ
ク−と比較演算され該ｆ１４算結果に基いてマイクロ波
発振手段からのマイクロ波パワーは、試料の処理に要求
されるマイクロ波パワー、つまり、設定マイクロ波パワ
ーに制御される。従って、例えば、試料のマイクロ波プ
ラズマ処理の連ｌ＊実施において、マグネトロン発振手
段の３熱や、例えば、導波管や放′屯管の状態変化によ
らず、試料のエツチングや成膜に寄与するマイクロ波パ
ワーを設定マイクロ波パワーに常に保持でき、試料のエ
ツチング処理や成膜処理を再現性良〈実施することがで
きる。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、放電管ｌＯの外側には、放電管ｌＯを内部に
含み導波管美が設けられている。導波管２１は８波管囚
に連通してその一端が導波管Ｘに連結されている。導波
管囚の他端には、マグネトロン園が設けられている。マ
グネトロンＩには、直流電源装置ｉ！４０が接続されて
いる。この場合、導波管乙の途中には、マイクロ波パワ
ーモニタ望が設けられている。マイクロ波パワーモニタ
父は、制御用マイクロコンピュータωに接続されている
。制御用マイクロコンピュータ団は、直ｔｉＬ電源装置
切に接続されている。制御用マイクロコンピュータωに
は、外部設定器７０が接続されている。なお、第１図で
図示省略したが、この他に、放電管１０内を減圧排気す
る手段や放電管１０内に処理用ガスな導入する手段等が
設けられ、また、有磁場マイクロ波プラズマ処理装置の
場合、磁場発生用の手段が設けられる。
含み導波管美が設けられている。導波管２１は８波管囚
に連通してその一端が導波管Ｘに連結されている。導波
管囚の他端には、マグネトロン園が設けられている。マ
グネトロンＩには、直流電源装置ｉ！４０が接続されて
いる。この場合、導波管乙の途中には、マイクロ波パワ
ーモニタ望が設けられている。マイクロ波パワーモニタ
父は、制御用マイクロコンピュータωに接続されている
。制御用マイクロコンピュータ団は、直ｔｉＬ電源装置
切に接続されている。制御用マイクロコンピュータωに
は、外部設定器７０が接続されている。なお、第１図で
図示省略したが、この他に、放電管１０内を減圧排気す
る手段や放電管１０内に処理用ガスな導入する手段等が
設けられ、また、有磁場マイクロ波プラズマ処理装置の
場合、磁場発生用の手段が設けられる。
動作としては、外部設定器πから設定されたマイクロ波
パワーとなるよう制御用マイクロコンビエータωでフィ
ードバック制御するもので、マイクロ波パワーモニタ（
資）からの人力と外部設定器７０からの設定値とを制御
用マイクロコンピュータωで比較演算しその結果に基い
て直流電源５ｊｔａ４ｏにマグネトロンアノード電流を
設定する動作を繰り発すことにより、常に任意設定され
たマイクロ波パワーを得ることができる。
パワーとなるよう制御用マイクロコンビエータωでフィ
ードバック制御するもので、マイクロ波パワーモニタ（
資）からの人力と外部設定器７０からの設定値とを制御
用マイクロコンピュータωで比較演算しその結果に基い
て直流電源５ｊｔａ４ｏにマグネトロンアノード電流を
設定する動作を繰り発すことにより、常に任意設定され
たマイクロ波パワーを得ることができる。
本実施例によれば、任意設定されたマイクロ波パワーが
再現性よく放電管に導入されるため、エツチングや成膜
性能の＾再現性が得られる。
再現性よく放電管に導入されるため、エツチングや成膜
性能の＾再現性が得られる。
本発明によれば、試料のエツチングで成膜に寄与するマ
イクロ波パワーを設定マイクロ波パワーに常に保持でき
るので、エツチングや成膜性能の晶貴現性を実現できる
効果がある。
イクロ波パワーを設定マイクロ波パワーに常に保持でき
るので、エツチングや成膜性能の晶貴現性を実現できる
効果がある。
第１図は、本発明の一実施例のマイクロ波プラズマ処理
装置の要部構成図である。 ｌＯ・・・・・・放電管、加、２１・・・・・・導波管
、３０・・曲マグネトロン、４０・・・・・・直流電源
装置ｉｆ、５Ｇ・・・・・・マイクロｉ１１ハワーモニ
タ、ω・・・・・・制御用マイクロコンピュータ、７０
・・・・・・外部設定器 才１図 ７０−一一タＦｆＰＪ心くスシ
装置の要部構成図である。 ｌＯ・・・・・・放電管、加、２１・・・・・・導波管
、３０・・曲マグネトロン、４０・・・・・・直流電源
装置ｉｆ、５Ｇ・・・・・・マイクロｉ１１ハワーモニ
タ、ω・・・・・・制御用マイクロコンピュータ、７０
・・・・・・外部設定器 才１図 ７０−一一タＦｆＰＪ心くスシ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マイクロ波放電により生成されるプラズマにより試
料を処理する工程と、前記マイクロ波パワーをモニタし
該モニタされたマイクロ波パワーを前記試料の処理に要
求されるマイクロ波パワーに制御する工程とを有するこ
とを特徴とするマイクロ波プラズマ処理方法。 ２、マイクロ波放電により生成されるプラズマにより複
数個の試料を連続的に処理する工程と、前記マイクロ波
パワーを前記試料の処理時にモニタし該モニタされたマ
イクロ波パワーを前記試料の処理に要求されるマイクロ
波パワーに制御する工程とを有する第１請求項に記載の
マイクロ波プラズマ処理方法。 ３、マイクロ波を発振するマイクロ波発振手段と、前記
マイクロ波パワーをモニタするマイクロ波パワーモニタ
手段と、前記モニタされたマイクロ波パワーと設定マイ
クロ波パワーとを比較演算し該演算結果に基いて前記マ
イクロ波発振手段からの前記マイクロ波パワーを前記設
定マイクロ波パワーに制御する手段とを具備したことを
特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5830888A JPH01232727A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5830888A JPH01232727A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232727A true JPH01232727A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13080610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5830888A Pending JPH01232727A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232727A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10652991B2 (en) | 2012-08-07 | 2020-05-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and microwave output device |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP5830888A patent/JPH01232727A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10652991B2 (en) | 2012-08-07 | 2020-05-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and microwave output device |
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