JPH01232711A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH01232711A JPH01232711A JP1010966A JP1096689A JPH01232711A JP H01232711 A JPH01232711 A JP H01232711A JP 1010966 A JP1010966 A JP 1010966A JP 1096689 A JP1096689 A JP 1096689A JP H01232711 A JPH01232711 A JP H01232711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- manganese
- manganese dioxide
- manganese nitrate
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 40
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 13
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000473 manganese(VI) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000004685 tetrahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G45/00—Compounds of manganese
- C01G45/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/10—Solid density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、弁作用金属からなる焼結された陽極体と、こ
の陽極体に施された誘電体として作用する酸化被膜と、
硝酸マンガン含有溶液又は融液に繰り返し浸漬し引続き
熱分解により分解することによって製造される二酸化マ
ンガンからなる半導体電解質層と、この二酸化マンガン
層上に施された黒鉛層と、その上に施された軟ろう付け
可能の層とを有する固体電解コンデンサを製造する方法
に関する。
の陽極体に施された誘電体として作用する酸化被膜と、
硝酸マンガン含有溶液又は融液に繰り返し浸漬し引続き
熱分解により分解することによって製造される二酸化マ
ンガンからなる半導体電解質層と、この二酸化マンガン
層上に施された黒鉛層と、その上に施された軟ろう付け
可能の層とを有する固体電解コンデンサを製造する方法
に関する。
例えばタンタル又はニオブのような適当な弁作用金属か
らなる焼結体は、陽極酸化処理によりその内面及び外面
を誘電体として作用する酸化被膜で被覆されている。焼
結体内及び焼結体上の二酸化マンガン層は対向電極とし
て働き、その上の黒鉛層及び軟ろう付け可能の層（例え
ば銀導電塗料からなる）はコンデンサの陰極引出し部に
接続される。陽極引出し部としては、焼結体内に一緒に
焼結された弁作用金属からなる導線が利用されている。
らなる焼結体は、陽極酸化処理によりその内面及び外面
を誘電体として作用する酸化被膜で被覆されている。焼
結体内及び焼結体上の二酸化マンガン層は対向電極とし
て働き、その上の黒鉛層及び軟ろう付け可能の層（例え
ば銀導電塗料からなる）はコンデンサの陰極引出し部に
接続される。陽極引出し部としては、焼結体内に一緒に
焼結された弁作用金属からなる導線が利用されている。
タンタル−固体電解コンデンサは静電容量、残留電流、
損失因子及び皮相インピーダンスが温度によって僅かに
影響されるにすぎないことの他に耐用年数が長いことに
よって優れている。この場合量も安全な構造は、コンデ
ンサが金属ケース内に軟ろう及び遮断ガラス仮により湿
気から完全に保護されている、密閉された気密な構造で
ある。
損失因子及び皮相インピーダンスが温度によって僅かに
影響されるにすぎないことの他に耐用年数が長いことに
よって優れている。この場合量も安全な構造は、コンデ
ンサが金属ケース内に軟ろう及び遮断ガラス仮により湿
気から完全に保護されている、密閉された気密な構造で
ある。
プラスチックケースによる実施態様の場合ケースの熱膨
張に関して一層高い機械的な負荷以外に湿気に対する絶
対的な保護は得られない、プラスチック被覆は根本的に
水蒸気を浸出し、その結果場合によっては有害なイオン
が浸出する水によって活性化するおそれがある。
張に関して一層高い機械的な負荷以外に湿気に対する絶
対的な保護は得られない、プラスチック被覆は根本的に
水蒸気を浸出し、その結果場合によっては有害なイオン
が浸出する水によって活性化するおそれがある。
従ってプラスチックで被覆されたコンデンサはその内部
構造により湿気の影響に対して一層抵抗性を有するよう
に構成する必要がある。この場合確実性に関する尺度と
しては厳しい気象条件下での耐久試験におけるコンデン
サの残留電流を参考にすることができる。すなわち例え
ば２０μＦ／２０Ｖコンデンサの場合、耐久試験（８５
°Ｃ２相対湿度９５％、バイアス抵抗なしの定格電圧運
転による）後の残留電流は３０ＩＩＡを越すことはない
（室温での残留電流測定）。
構造により湿気の影響に対して一層抵抗性を有するよう
に構成する必要がある。この場合確実性に関する尺度と
しては厳しい気象条件下での耐久試験におけるコンデン
サの残留電流を参考にすることができる。すなわち例え
ば２０μＦ／２０Ｖコンデンサの場合、耐久試験（８５
°Ｃ２相対湿度９５％、バイアス抵抗なしの定格電圧運
転による）後の残留電流は３０ＩＩＡを越すことはない
（室温での残留電流測定）。
この場合五酸化タンタル層の僅かな反応性が直列等価抵
抗の少ない高導電性電解質の使用を可能とすることは有
利である。しかしタンタル−固体電解コンデンサの場合
、陰掻被膜は、黒鉛及び導電塗料との直接接触から誘電
体を保護するために、二酸化マンガンからなる十分な厚
さの層を有する必要がある。それというのも黒鉛又は導
電塗料は周知の通り直接五酸化タンタル層上に数％の化
成電圧で短絡するからである。
抗の少ない高導電性電解質の使用を可能とすることは有
利である。しかしタンタル−固体電解コンデンサの場合
、陰掻被膜は、黒鉛及び導電塗料との直接接触から誘電
体を保護するために、二酸化マンガンからなる十分な厚
さの層を有する必要がある。それというのも黒鉛又は導
電塗料は周知の通り直接五酸化タンタル層上に数％の化
成電圧で短絡するからである。
従って二酸化マンガン層を製造するには公知方法で成形
された焼結体を硝酸マンガンに浸漬し、これにより誘電
表面を硝酸マンガンで濡らす、更に硝酸マンガンの熱的
分解（熱分解）を２００〜３５０°Ｃの温度で行うが、
そのＶＡＭｎｏ、が焼結体の内部及び表面に発生ずる。
された焼結体を硝酸マンガンに浸漬し、これにより誘電
表面を硝酸マンガンで濡らす、更に硝酸マンガンの熱的
分解（熱分解）を２００〜３５０°Ｃの温度で行うが、
そのＶＡＭｎｏ、が焼結体の内部及び表面に発生ずる。
この熱分解を乾燥空気中でか又は水蒸気を含む空気中で
繰り返しく８〜１５回）行うことにより多層ＭｎＯ，層
が生じ、これは良好な導電性黒鉛層とそれに続く軟ろう
付け可能の層とを十分に隔離する。
繰り返しく８〜１５回）行うことにより多層ＭｎＯ，層
が生じ、これは良好な導電性黒鉛層とそれに続く軟ろう
付け可能の層とを十分に隔離する。
従来製造されているこれらの二酸化マンガン層は標準的
な要求には十分答えるものである。例えばこの種のコン
デンサは高めた温度及び定格電圧を越える使用電圧（１
２５°Ｃ，ｔＪＨ；１０５°Ｃ１ＵＨ・１．３５ ）下
における耐久試験で（但し大気中の湿気なしで）良好な
結果を示す（こうして処理したコンデンサの約１％だけ
が残留電流〉３０μＡを有していた）。
な要求には十分答えるものである。例えばこの種のコン
デンサは高めた温度及び定格電圧を越える使用電圧（１
２５°Ｃ，ｔＪＨ；１０５°Ｃ１ＵＨ・１．３５ ）下
における耐久試験で（但し大気中の湿気なしで）良好な
結果を示す（こうして処理したコンデンサの約１％だけ
が残留電流〉３０μＡを有していた）。
しかし高い大気中の湿度での耐久試験では（８５℃及び
相対湿度９５％で１ｏｏｏ時間、Ｕｉ＋）、この種のコ
ンデンサは安全性が減少した（コンデンサの約１０％が
残留電流＞３０ Ｉ／Ａを有し、その大部分は短絡して
いた）。
相対湿度９５％で１ｏｏｏ時間、Ｕｉ＋）、この種のコ
ンデンサは安全性が減少した（コンデンサの約１０％が
残留電流＞３０ Ｉ／Ａを有し、その大部分は短絡して
いた）。
乾燥した空気中での耐久試験の場合極く稀に発生する故
障は、潜在する製品欠陥又は材料不純物に起因する典型
的な初期故障であるが、高い大気中湿気での耐久試験で
は、その故障はコンデンサの構造に起因する欠陥に基づ
く、湿気内での滞留ｖＩｌｕＩが長引くに伴い、故障の
回数は屡許容範囲を越えて上昇する。
障は、潜在する製品欠陥又は材料不純物に起因する典型
的な初期故障であるが、高い大気中湿気での耐久試験で
は、その故障はコンデンサの構造に起因する欠陥に基づ
く、湿気内での滞留ｖＩｌｕＩが長引くに伴い、故障の
回数は屡許容範囲を越えて上昇する。
比較可能の帯電及び定格電圧を有するが、金属ケースに
気密に内蔵されている、比較の対象として製造されたコ
ンデンサの場合、耐久試験中湿気による影響は全く認め
られない。
気密に内蔵されている、比較の対象として製造されたコ
ンデンサの場合、耐久試験中湿気による影響は全く認め
られない。
非晶質の五酸化タンタル層の遮断機能の故障原因は、そ
れ自体にあるか又は不完全な二酸化マンガン層にある。
れ自体にあるか又は不完全な二酸化マンガン層にある。
酸化被膜中の不純物量が多い場合、遮断機能は妨害され
、局部的に高い残留電流により結晶状態が形成され、こ
れは、残留電流が誘電体の全厚にわたって広がると即座
に短絡を生ずる。
、局部的に高い残留電流により結晶状態が形成され、こ
れは、残留電流が誘電体の全厚にわたって広がると即座
に短絡を生ずる。
酸化被膜中に結晶状の島が存在する場合、これは故障危
険性のある範囲ではあるが、場合によっては二酸化マン
ガンを導電性の不良な酸化段階に部分的に変えることに
よって（ＭｎＯｚ→Ｍ ｎ ｚｃｈ、ζ（ＭｎＯｚ ）
〜１−１０１−１Ｏ０ｈ、ζ（Ｍｎ。
険性のある範囲ではあるが、場合によっては二酸化マン
ガンを導電性の不良な酸化段階に部分的に変えることに
よって（ＭｎＯｚ→Ｍ ｎ ｚｃｈ、ζ（ＭｎＯｚ ）
〜１−１０１−１Ｏ０ｈ、ζ（Ｍｎ。
Ｏｓ ）〜１０’ １０’ Ｏｈｍ−ｃ＋ｍ）、筋
められた抵抗を介して保護することができる。
められた抵抗を介して保護することができる。
酸化被膜の妨げとなる不純物によるこれらの故障メカニ
ズムは勿論、湿気中での故障に際しての単独の原因とし
ては問題にならない、それというのも五酸化タンタル層
を再検査した場合、これがその構成及び構造に関して整
然としていることを示すからである。酸化被膜の不純物
又は欠陥のある構造による残留電流の増加は認められな
い。
ズムは勿論、湿気中での故障に際しての単独の原因とし
ては問題にならない、それというのも五酸化タンタル層
を再検査した場合、これがその構成及び構造に関して整
然としていることを示すからである。酸化被膜の不純物
又は欠陥のある構造による残留電流の増加は認められな
い。
従って故障原因は、プラスチックケースの不十分な耐湿
性により誘電体の逆方向電流挙動に不利な影響を八ぼす
可能性のある二酸化マンガン層に求めることができる。
性により誘電体の逆方向電流挙動に不利な影響を八ぼす
可能性のある二酸化マンガン層に求めることができる。
これらの影響は、二酸化マンガン層の細孔を通って入り
込みまた誘電体の前方の数箇所で陰捲箔の抵抗を下げる
黒鉛及び導電塗料粒子であり得る。
込みまた誘電体の前方の数箇所で陰捲箔の抵抗を下げる
黒鉛及び導電塗料粒子であり得る。
ケースを通って拡散する水蒸気は、粘着性の劣る黒鉛及
び銀粒子を簡単に拡散（より大きな体積成分の流動運動
による物質搬送）させ、従って誘電体の前方で小さすぎ
るバイアス抵抗により短絡を生ずるおそれがある。軟ろ
う付け可能の層として使用されるｇＭ−ｊＪｌｌを塗料
の場合、銀粒子は一定の温度負荷容量を有するを機の結
合剤中に混入される。僅かな加熱ですでに導電塗料の熱
による破壊が始まり、従って銀粒子が機械的に遊離する
。更に浸入した水は誘電体と二酸化マンガン層とをより
良好に接続させる。すなわち二酸化マンガンにより場合
によっては誘電体の接続されていない欠陥箇所が付加的
に接続される。従って通常は妨げとならない五酸化クン
タル層の局部的な欠陥箇所が少なすぎるバイアス抵抗の
１箇所と重なると、電位欠損箇所を生じる０局部的に高
められた残留電流は加熱により電界の存在下に電界結晶
を生じ、従って短絡をもたらす。
び銀粒子を簡単に拡散（より大きな体積成分の流動運動
による物質搬送）させ、従って誘電体の前方で小さすぎ
るバイアス抵抗により短絡を生ずるおそれがある。軟ろ
う付け可能の層として使用されるｇＭ−ｊＪｌｌを塗料
の場合、銀粒子は一定の温度負荷容量を有するを機の結
合剤中に混入される。僅かな加熱ですでに導電塗料の熱
による破壊が始まり、従って銀粒子が機械的に遊離する
。更に浸入した水は誘電体と二酸化マンガン層とをより
良好に接続させる。すなわち二酸化マンガンにより場合
によっては誘電体の接続されていない欠陥箇所が付加的
に接続される。従って通常は妨げとならない五酸化クン
タル層の局部的な欠陥箇所が少なすぎるバイアス抵抗の
１箇所と重なると、電位欠損箇所を生じる０局部的に高
められた残留電流は加熱により電界の存在下に電界結晶
を生じ、従って短絡をもたらす。
二酸化マンガン層中の黒鉛、銀粒子及び水によって不純
化された領域（これは誘電体に密着している）はＭｎ０
ｚからＭｎ、０３への遷移による回復メカニズムの作用
を不活性化する可能性があり、その結果Ｍｎｚ Ｏｘの
高い比抵抗は失われる。
化された領域（これは誘電体に密着している）はＭｎ０
ｚからＭｎ、０３への遷移による回復メカニズムの作用
を不活性化する可能性があり、その結果Ｍｎｚ Ｏｘの
高い比抵抗は失われる。
従って先に記載した諸理由から、十分な厚さを有する、
平滑で細孔の少ない二酸化マンガン層を製造することが
必要である。
平滑で細孔の少ない二酸化マンガン層を製造することが
必要である。
熱分解による熱負荷の結果誘電体層が損傷する可能性が
あることは公知であることから、１ｆｆｆｉ度の硝酸マ
ンガン溶液に浸漬することにより二酸化マンガン層を製
造し得ることが予測できる。この場合規定の層厚を得る
ためには浸漬及び熱分解工程を少なくすることが必要で
あるが、その場合には十分に滑らかで細孔の少ない二酸
化マンガン層は得られない、それというのも特に予備乾
燥することなしに熱分解した場合、より深い内部から硝
気が漏出することにより外側の二酸化マンガン層中に大
きな細孔が生じるからである。極度に稀釈された溶液の
場合細孔が生じる危険性は減少するが、冒頭に記載した
通り、十分に厚い二酸化マンガン層を製造するには約８
〜１５回の個々の浸漬及び熱分解工程が必要であり、こ
れにより良好な導電性の黒鉛層及び次の軟ろう付け可能
の層を酸化被膜から十分に間隔を置くことが保証される
。
あることは公知であることから、１ｆｆｆｉ度の硝酸マ
ンガン溶液に浸漬することにより二酸化マンガン層を製
造し得ることが予測できる。この場合規定の層厚を得る
ためには浸漬及び熱分解工程を少なくすることが必要で
あるが、その場合には十分に滑らかで細孔の少ない二酸
化マンガン層は得られない、それというのも特に予備乾
燥することなしに熱分解した場合、より深い内部から硝
気が漏出することにより外側の二酸化マンガン層中に大
きな細孔が生じるからである。極度に稀釈された溶液の
場合細孔が生じる危険性は減少するが、冒頭に記載した
通り、十分に厚い二酸化マンガン層を製造するには約８
〜１５回の個々の浸漬及び熱分解工程が必要であり、こ
れにより良好な導電性の黒鉛層及び次の軟ろう付け可能
の層を酸化被膜から十分に間隔を置くことが保証される
。
２００〜３５０ ℃で乾燥空気中において熱分解した場
合には数回の熱分解処理後にすでに０．１ ｔｍ又はそ
れ以上の厚い二酸化マンガン層が得られるか、これらは
極めて多孔性で目が粗くまた気孔率が大きすぎることか
ら誘電体に対する黒鉛層の間隔を十分に保つことができ
ない、これに対して２００〜２５０℃の温度で水蒸気を
含む空気中において分解させた場合には、−層滑らかで
細孔が少な（また−層厚い二酸化マンガン層が生ずるが
、この場合十分な層厚を得るには浸漬及び引続いての熱
分解工程を多数回実施することが必要である。
合には数回の熱分解処理後にすでに０．１ ｔｍ又はそ
れ以上の厚い二酸化マンガン層が得られるか、これらは
極めて多孔性で目が粗くまた気孔率が大きすぎることか
ら誘電体に対する黒鉛層の間隔を十分に保つことができ
ない、これに対して２００〜２５０℃の温度で水蒸気を
含む空気中において分解させた場合には、−層滑らかで
細孔が少な（また−層厚い二酸化マンガン層が生ずるが
、この場合十分な層厚を得るには浸漬及び引続いての熱
分解工程を多数回実施することが必要である。
乾燥した空気中でと水蒸気を含む空気中とで交互に分解
処理することによって、８〜１５回繰り返した後に、コ
ンデンサの使用可能な電力を生じる二酸化マンガン層が
得られる。しかしこの場合にも誘電体を損なう可能性の
ある熱分解工程を多数口実ｈｓする必要がある。
処理することによって、８〜１５回繰り返した後に、コ
ンデンサの使用可能な電力を生じる二酸化マンガン層が
得られる。しかしこの場合にも誘電体を損なう可能性の
ある熱分解工程を多数口実ｈｓする必要がある。
（発明が解決しようとする課題〕
従って本発明は、僅かな熱分解処理回数で十分な厚さの
また細孔の少ない二酸化マンガン層を焼結体上に製造す
ることのできる方法を提供することを課題とする。
また細孔の少ない二酸化マンガン層を焼結体上に製造す
ることのできる方法を提供することを課題とする。
この課題は先に記載した形式の方法で本発明により、先
ず焼結体内部の細孔を公知方法で硝酸マンガン含有溶液
の熱分解によりほぼ二酸化マンガンで満たし、次にこの
焼結体を硝酸マンガンの水分の少ない融液と二酸化マン
ガン粉末とからなる混合物中に１回又は数回浸漬し、各
浸漬処理後に炉中で熱分解を実施して、まず焼結体を乾
燥雰囲気中で数秒以内に約１００°Ｃに加熱し、引続き
細かい水滴をこの加熱された焼結体の表面に施し、熱分
解を？ｊｉＬ過性霧状水蒸気中で完了させることによっ
て解決される。
ず焼結体内部の細孔を公知方法で硝酸マンガン含有溶液
の熱分解によりほぼ二酸化マンガンで満たし、次にこの
焼結体を硝酸マンガンの水分の少ない融液と二酸化マン
ガン粉末とからなる混合物中に１回又は数回浸漬し、各
浸漬処理後に炉中で熱分解を実施して、まず焼結体を乾
燥雰囲気中で数秒以内に約１００°Ｃに加熱し、引続き
細かい水滴をこの加熱された焼結体の表面に施し、熱分
解を？ｊｉＬ過性霧状水蒸気中で完了させることによっ
て解決される。
一定の使用分野にとっては焼結体を硝酸マンガンの水分
の少ない融液と二酸化マンガン粉末とからなる混合物に
浸漬する前に、二酸化マンガン添加物を含まない水分の
少ない硝酸マンガン融液に１回又は数回浸漬し、各浸漬
後に混合物に浸漬した後と同様の熱分解を施すことが有
利である。
の少ない融液と二酸化マンガン粉末とからなる混合物に
浸漬する前に、二酸化マンガン添加物を含まない水分の
少ない硝酸マンガン融液に１回又は数回浸漬し、各浸漬
後に混合物に浸漬した後と同様の熱分解を施すことが有
利である。
目的に応じて霧状水蒸気を炉内に配設された冷却バッフ
ルに、小水滴の噴射による焼結体の洗出が阻止されるよ
うに導く。
ルに、小水滴の噴射による焼結体の洗出が阻止されるよ
うに導く。
特に有利なのは、焼結体を予め乾燥することなく炉中に
入れることである。
入れることである。
焼結体内部の細孔を場合によっては数回の浸７ａ及び熱
分解工程で充填した後、水分の少ない硝酸マンガン融液
から二酸化マンガン層を製造する前に中間成形を行うこ
ともできる。
分解工程で充填した後、水分の少ない硝酸マンガン融液
から二酸化マンガン層を製造する前に中間成形を行うこ
ともできる。
細孔を充填するために使用される硝酸マンガン溶液は約
１．１〜１．４ｇ／ｃ！の密度を有するのが有利であり
、また水分の少ない硝酸マンガン融液、例えば四水化物
の融液（Ｍｎ（Ｎｏｔ）！Ｘ４Ｈ！（’））は約１．８
〜２．０ ｇ ／ｃｍ３の密度を有する。
１．１〜１．４ｇ／ｃ！の密度を有するのが有利であり
、また水分の少ない硝酸マンガン融液、例えば四水化物
の融液（Ｍｎ（Ｎｏｔ）！Ｘ４Ｈ！（’））は約１．８
〜２．０ ｇ ／ｃｍ３の密度を有する。
二酸化マンガン粒子の添加量はを利には４０〜６０重量
％であり、この場合使用した二酸化マンガン粒子の粒径
は≦１８０μ鴫である。
％であり、この場合使用した二酸化マンガン粒子の粒径
は≦１８０μ鴫である。
一実施態様では硝酸マンガン溶液及び／又は融液の少な
くとも一方に二酸化珪素を、有利には０゜５〜ｌＯ重景
％加えるが、これは有利には酸水素加水分解により５ｉ
Ｃ１＜から製造され、例えば７〜４０ｎｍの粒径合有す
る。
くとも一方に二酸化珪素を、有利には０゜５〜ｌＯ重景
％加えるが、これは有利には酸水素加水分解により５ｉ
Ｃ１＜から製造され、例えば７〜４０ｎｍの粒径合有す
る。
（実施例〕
次に本発明の利点を以下の実施例に基づき詳述する。
成形したタンタル焼結体を密度約１．３ ｇ ／ ｃｊ
の硝酸マンガン水溶液中に浸漬し、引続き水蒸気を含む
雰囲気中で２００〜３５０°Ｃで熱分解させる。
の硝酸マンガン水溶液中に浸漬し、引続き水蒸気を含む
雰囲気中で２００〜３５０°Ｃで熱分解させる。
この熱分解を１〜３回行うことにより焼結体の細孔は二
酸化マンガンでほぼ完全に充填される。
酸化マンガンでほぼ完全に充填される。
焼結体の細孔の大きさに応じて硝酸マンガン溶液にチキ
ソトロープ粘稠剤として、酸水素加水分解により大きな
活性表面を有する無品質二酸化珪素を添加することがを
利である。この種の二酸化珪素は市販されており、例え
ば「アエロジル」 （＾ｅｒｏｓｉｌ）の商品名で入手
することができる。
ソトロープ粘稠剤として、酸水素加水分解により大きな
活性表面を有する無品質二酸化珪素を添加することがを
利である。この種の二酸化珪素は市販されており、例え
ば「アエロジル」 （＾ｅｒｏｓｉｌ）の商品名で入手
することができる。
添加量としては粒径７〜４０ｎｍの二酸化珪素０．５〜
ｌＯ重量％が適当である。
ｌＯ重量％が適当である。
熱分解に続き、焼結体を陽極二次成形処理して、熱の作
用により生じた酸化被膜の損傷箇所を取り除く。
用により生じた酸化被膜の損傷箇所を取り除く。
焼結体の細孔を上記のようにしてほぼ充填した後、焼結
体を例えば１．８ ｇ ／ｃｆｉｌの密度を有するＭｎ
（ＮＯ３） ！ ・４Ｈ！０の水分の少ない硝酸マ
ンガン融液中に浸漬し、熱分解により別の二酸化マンガ
ン層を製造する。
体を例えば１．８ ｇ ／ｃｆｉｌの密度を有するＭｎ
（ＮＯ３） ！ ・４Ｈ！０の水分の少ない硝酸マ
ンガン融液中に浸漬し、熱分解により別の二酸化マンガ
ン層を製造する。
硝酸マンガン融液にＭｎＯ□粉末（βＭｎＯよ）４０〜
６０重量％及び場合によっては、更に上記した特性を有
する無品質の二酸化珪素０．５〜ｌＯ重量％を混入する
こともできる。
６０重量％及び場合によっては、更に上記した特性を有
する無品質の二酸化珪素０．５〜ｌＯ重量％を混入する
こともできる。
ＭｎＯ，粉末は次の粒径を有することが好ましい：
〈１８０μ鴎 ９９．９
％７５〜１８０μ醜 ５．０
％４５〜７５μｍ １０．
０％く４５μ−８５，０％ 優れた混合物はＭｎ（ＮＯｓ）ｔ ・４８１０６０重
量％及びＳｉｎ、粉末が０．５重量％混入されているＭ
ｎＯ２４０重量％からなる。蒸留水を添加することによ
って混合物の密度を例えば２．０ｇ／ｃｍ３に調整する
ことができる。
％７５〜１８０μ醜 ５．０
％４５〜７５μｍ １０．
０％く４５μ−８５，０％ 優れた混合物はＭｎ（ＮＯｓ）ｔ ・４８１０６０重
量％及びＳｉｎ、粉末が０．５重量％混入されているＭ
ｎＯ２４０重量％からなる。蒸留水を添加することによ
って混合物の密度を例えば２．０ｇ／ｃｍ３に調整する
ことができる。
この混合物中に浸漬した焼結体を引続き予備乾燥するこ
となく熱分解炉内に入れる。その際まず焼結体を熱い乾
燥炉空気中で数秒以内に約１００゛Ｃに加熱するが、こ
の時間は焼結体の大きさに左右される。この場合重要な
ことは焼結体を上記の温度に加熱することである。
となく熱分解炉内に入れる。その際まず焼結体を熱い乾
燥炉空気中で数秒以内に約１００゛Ｃに加熱するが、こ
の時間は焼結体の大きさに左右される。この場合重要な
ことは焼結体を上記の温度に加熱することである。
引続き純粋な水滴を湿った焼結体の表面に吹き付ける。
この場合重要なことは、圧縮空気によって加速された水
滴の一部が焼結体に当った後初めて蒸発し、生じる硝気
と共に炉室から吸い取られることである。熱分解の終了
時に焼結体は温度２００〜３５０ ℃の流過する霧状水
蒸気中に置かれ炉内には冷却バッフルを介して、水滴の
噴射による焼結体の洗出を阻止する適当な空気を導くこ
とが有利である。
滴の一部が焼結体に当った後初めて蒸発し、生じる硝気
と共に炉室から吸い取られることである。熱分解の終了
時に焼結体は温度２００〜３５０ ℃の流過する霧状水
蒸気中に置かれ炉内には冷却バッフルを介して、水滴の
噴射による焼結体の洗出を阻止する適当な空気を導くこ
とが有利である。
浸漬した焼結体をまず乾燥した空気のみを含む炉内に急
速に導入することによって、硝酸マンガンを乾燥空気中
で分解させる。その際水分の少ない混合物によって混合
物の内部から水はほとんど漏出せず、乾燥空気中での分
解に際してと同様のＭ ｎ Ｏｔが部分的に生じる。
速に導入することによって、硝酸マンガンを乾燥空気中
で分解させる。その際水分の少ない混合物によって混合
物の内部から水はほとんど漏出せず、乾燥空気中での分
解に際してと同様のＭ ｎ Ｏｔが部分的に生じる。
しかし分解の初期に生じるＭｎＯ，はなお硝酸マンガン
と混在しており、これは熱分解が更に進行した時点で初
めて水又は水蒸気で分解される。
と混在しており、これは熱分解が更に進行した時点で初
めて水又は水蒸気で分解される。
次いで分解開始後初めて外部から導入された水によって
平滑で細孔の少ないＭｎＯ□層が生じる。
平滑で細孔の少ないＭｎＯ□層が生じる。
硝酸マンガンと二酸化マンガン粉末とからなる前記混合
物は浸漬に際して一層厚く塗付されるだけでなく、焼結
体を湿す硝酸マンガンの厚さに対して僅少量のガスを漏
出することによってより緊密なＭｎＯ，層をもたらす。
物は浸漬に際して一層厚く塗付されるだけでなく、焼結
体を湿す硝酸マンガンの厚さに対して僅少量のガスを漏
出することによってより緊密なＭｎＯ，層をもたらす。
添加したＭ ｎ Ｏを粉末の粒子はガスを放出せず、熱
分解に際して生じるＭｎＯ，によって包含される。
分解に際して生じるＭｎＯ，によって包含される。
従ってこの混合物の１回の熱分解で、従来の熱分解では
８〜１０回の分解後に初めて得られるような厚さのＭｎ
ｏｚ層が得られる。より大きなＭｎＯ３粒子成分は、焼
結体上におけるＭｎＯ，層の十分な機械的安定性をもた
らす。
８〜１０回の分解後に初めて得られるような厚さのＭｎ
ｏｚ層が得られる。より大きなＭｎＯ３粒子成分は、焼
結体上におけるＭｎＯ，層の十分な機械的安定性をもた
らす。
チキソトロープ粘稠剤として二酸化珪素を添加すること
によって、焼結体は１〜３回の浸漬処理で十分な厚さの
ＭｎＯ，層（１００〜２５０ＩＩｍ＋）が得られるよう
に確実に濡らされる。
によって、焼結体は１〜３回の浸漬処理で十分な厚さの
ＭｎＯ，層（１００〜２５０ＩＩｍ＋）が得られるよう
に確実に濡らされる。
この場合添加された二酸化珪素はチキソトロープ処理に
よる焼結体の浸漬を容易にするばかりでなく、その活性
表面に基づきイオン性不純物を著しく吸着させる。この
吸着はプラスチックケースに内蔵されるコンデンサにと
っては有利である。
よる焼結体の浸漬を容易にするばかりでなく、その活性
表面に基づきイオン性不純物を著しく吸着させる。この
吸着はプラスチックケースに内蔵されるコンデンサにと
っては有利である。
すなわちこのケースは浸入する湿気に対して完全には保
護されない。浸入した湿気によって可動化されたイオン
性不純物は二酸化珪素によって吸収され、誘電体中の欠
陥箇所を介して生じる漏れ電流にはほとんど接しない。
護されない。浸入した湿気によって可動化されたイオン
性不純物は二酸化珪素によって吸収され、誘電体中の欠
陥箇所を介して生じる漏れ電流にはほとんど接しない。
第１図には８５℃及び相対湿度９５％で１０００時間貯
蔵した定格データ２０μＦ／２０ Ｖのコンデンサでの
耐久実験結果を示す。第１図では残留電流■８がコンデ
ンサの数との関係で％で示されている０曲線１は、本発
明による方法で製造した陰極箔を有するコンデンサに関
し、曲線２は従来の陰極箔を有するコンデンサに関する
。
蔵した定格データ２０μＦ／２０ Ｖのコンデンサでの
耐久実験結果を示す。第１図では残留電流■８がコンデ
ンサの数との関係で％で示されている０曲線１は、本発
明による方法で製造した陰極箔を有するコンデンサに関
し、曲線２は従来の陰極箔を有するコンデンサに関する
。
この図面から本発明により製造されたコンデンサは欠陥
を示さないが、従来のコンデンサは約１５％損傷したこ
とが読み取れる。
を示さないが、従来のコンデンサは約１５％損傷したこ
とが読み取れる。
超低速での比較実験を各コンデンサで実施する他の可能
性はいわゆる蒸気圧試験である。この場合各コンデンサ
を約１１０℃の温度で約２バールの圧力で貯蔵する。
性はいわゆる蒸気圧試験である。この場合各コンデンサ
を約１１０℃の温度で約２バールの圧力で貯蔵する。
第２図には、各コンデンサを上記の条件で水蒸気中にお
いて無負荷の状態下に４０時間貯蔵した蒸気圧貯蔵の結
果が示されている。
いて無負荷の状態下に４０時間貯蔵した蒸気圧貯蔵の結
果が示されている。
この図面の場合にも残留電流■１の分布がコンデンサの
数との関連において％で示されている。
数との関連において％で示されている。
曲線３は本発明による方法で製造されたコンデンサに対
するものであり、曲線４は従来のコンデンサに関するも
のである。
するものであり、曲線４は従来のコンデンサに関するも
のである。
この苛酷な条件下においても本発明により製造されたコ
ンデンサは極く僅かな欠陥を示すにすぎない（く１０％
）が、従来のコンデンサではその約半分が故障した。
ンデンサは極く僅かな欠陥を示すにすぎない（く１０％
）が、従来のコンデンサではその約半分が故障した。
第１図及び第２図に基づくコンデンサの残留電流は、室
温及び定格電圧Ｕ、で求められた。
温及び定格電圧Ｕ、で求められた。
先に記載した実施例から、本発明により製造された二酸
化マンガン層は従来の方法で製造された層よりも滑らか
でかつ細孔が少ないことを読み取ることができる。陰極
箔中のこの減少した多孔率によって水の浸入による導電
性粒子の移動は困難となり、その際付加的に大きな活性
表面を有する二酸化珪素の吸着工程が拡散作用を減少さ
せる。
化マンガン層は従来の方法で製造された層よりも滑らか
でかつ細孔が少ないことを読み取ることができる。陰極
箔中のこの減少した多孔率によって水の浸入による導電
性粒子の移動は困難となり、その際付加的に大きな活性
表面を有する二酸化珪素の吸着工程が拡散作用を減少さ
せる。
従って本発明による方法で製造されたコンデンサは特に
プラスチックケースに組み込むのに適している。
プラスチックケースに組み込むのに適している。
第１図は従来の方法で製造されたコンデンサと本発明に
より製造したコンデンサの電圧下における耐久試験後に
おける残留電流分布曲線図、第２図は従来の方法で製造
されたコンデンサと本発明により製造したコンデンサの
、水中で無負荷状態で貯蔵した後の残留電流分布曲線図
である。
より製造したコンデンサの電圧下における耐久試験後に
おける残留電流分布曲線図、第２図は従来の方法で製造
されたコンデンサと本発明により製造したコンデンサの
、水中で無負荷状態で貯蔵した後の残留電流分布曲線図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 弁作用金属からなる焼結された陽極体と、この陽
極体に施された誘電体として作用する酸化被膜と、硝酸
マンガン含有溶液又は融液に繰り返し浸漬し引続き熱分
解により分解することによって製造される二酸化マンガ
ンからなる半導体電解質層と、この二酸化マンガン層上
に施された黒鉛層と、その上に施された軟ろう付け可能
の層とを有する固体電解コンデンサを製造する方法にお
いて、まず焼結体内部の細孔を公知方法で硝酸マンガン
含有溶液の熱分解によりほぼ二酸化マンガンで満たし、
次にこの焼結体を硝酸マンガンの水分の少ない融液と二
酸化マンガン粉末とからなる混合物中に１回又は数回浸
漬し、各浸漬処理後に炉中で熱分解を実施して、まず焼
結体を乾燥雰囲気中で数秒間以内に約１００℃に加熱し
、引続き細かい水滴をこの加熱された焼結体の表面に施
し、熱分解を流過性霧状水蒸気中で完了させることを特
徴とする固体電解コンデンサの製法。 ２） 焼結体を硝酸マンガンの水分の少ない融液と二酸
化マンガン粉末とからなる混合物に浸漬する前に、二酸
化マンガン添加物を含まない水分の少ない硝酸マンガン
融液に１回又は数回浸漬し、各浸漬後に混合物に浸漬し
た後と同様の熱分解を施すことを特徴とする請求項１記
載の方法。 ３） 霧状水蒸気を炉内に配設された冷却バッフルに、
小水滴の噴射による焼結体の洗出が阻止されるように導
くことを特徴とする請求項１又は２記載の方法。 ４） 焼結体を予め乾燥することなく炉中に入れること
を特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の方法。 ５） 焼結体内部の細孔を場合によっては数回の浸漬及
び熱分解工程で充填した後、水分の少ない硝酸マンガン
融液から二酸化マンガン層を製造する前に中間成形を行
うことを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の方
法。 ６） 硝酸マンガン融液に４０〜６０重量％の二酸化マ
ンガン粒子を混入することを特徴とする請求項１ないし
５の１つに記載の方法。 ７） 粒径≦１８０μｍの二酸化マンガン粒子を使用す
ることを特徴とする請求項６記載の方法。 ８） 細孔を充填するために密度約１．１〜１．４ｇ／
ｃｍ＾３の硝酸マンガン溶液を使用することを特徴とす
る請求項１ないし７の１つに記載の方法。 ９） 密度約１．８〜２．０ｇ／ｃｍ＾３の水分の少な
い硝酸マンガン融液を使用することを特徴とする請求項
１ないし８の１つに記載の方法。 １０） 硝酸マンガン溶液及び／又は融液の少なくとも
一方に二酸化珪素を混入することを特徴とする請求項１
ないし９の１つに記載の方法。 １１） ０．５〜１０重量％の二酸化珪素を混入するこ
とを特徴とする請求項１０記載の方法。 １２） 二酸化マンガン及び二酸化珪素添加物を有する
水分の少ない硝酸マンガン融液の密度を、蒸留水の付加
により約２．０−２．６ｇ／ｃｍ＾３に調整することを
特徴とする請求項１０又は１１記載の方法。 １３） 酸水素加水分解によりＳｉＣｌ＿４から製造さ
れかつ粒径が７〜４０ｎｍである二酸化珪素を使用する
ことを特徴とする請求項１０ないし１２の１つに記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3801729.6 | 1988-01-21 | ||
| DE3801729A DE3801729A1 (de) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | Verfahren zum herstellen von fest-elektrolytkondensatoren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232711A true JPH01232711A (ja) | 1989-09-18 |
| JP3209995B2 JP3209995B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=6345739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01096689A Expired - Fee Related JP3209995B2 (ja) | 1988-01-21 | 1989-01-18 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4984342A (ja) |
| EP (1) | EP0325203B1 (ja) |
| JP (1) | JP3209995B2 (ja) |
| BR (1) | BR8900246A (ja) |
| DE (2) | DE3801729A1 (ja) |
| ES (1) | ES2042809T3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153496A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Hitachi Aic Inc | 固体電解コンデンサ用硝酸マンガンクローズドリサイクルシステム |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4132329A1 (de) * | 1991-09-27 | 1993-04-01 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen des pyrolyseendpunktes bei der pyrolytischen herstellung von halbleitenden metalloxidschichten |
| US5622746A (en) * | 1995-03-07 | 1997-04-22 | Kemet Electronics Corporation | Tantalum capacitor impregnation process |
| JP3669191B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2005-07-06 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2000235937A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| CN112038093B (zh) * | 2020-09-23 | 2022-07-26 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 钽电容器固体电解质及其制备方法、钽电容器和用电器 |
| CN112927940B (zh) * | 2021-01-26 | 2022-09-13 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种降低钽电容器负温损耗角正切值的阴极制备方法 |
| CN114974901B (zh) * | 2022-06-07 | 2023-05-23 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种提升钽电容器电容量引出率的被膜方法 |
| CN114974898A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-08-30 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 电容器芯子及其制造方法、电解电容器及其制造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1289186B (de) * | 1965-04-06 | 1969-02-13 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit Elektroden aus Aluminium, mit einem anodischen Oxidfilm als Dielektrikum und einer Manganoxidschicht als Gegenelektrode |
| FR1540654A (fr) * | 1966-10-12 | 1968-09-27 | Int Standard Electric Corp | Méthode de production de couches de bioxyde de manganèse à l'état gris |
| US4041359A (en) * | 1972-12-06 | 1977-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making an electrolytic capacitor and electrolytic capacitor made thereby |
| US4042420A (en) * | 1974-11-20 | 1977-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing manganese oxide solid electrolyte capacitor |
| US4104704A (en) * | 1974-12-23 | 1978-08-01 | P.R. Mallory & Co. Inc. | Capacitor including an electroplated layer thereover |
| US3950842A (en) * | 1975-04-21 | 1976-04-20 | Sprague Electric Company | Method for making a solid electrolyte capacitor |
| DE2532971C3 (de) * | 1975-07-23 | 1979-06-21 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung eines Trocken-Elektrolytkondensators |
| JPS5857897B2 (ja) * | 1975-11-08 | 1983-12-22 | 松下電器産業株式会社 | コタイデンカイコンデンサ |
| JPS596502B2 (ja) * | 1976-11-04 | 1984-02-13 | マルコン電子株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPS5384157A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Fujitsu Ltd | Method of making solid electrolytic capacitor |
| JPS54132763A (en) * | 1978-04-05 | 1979-10-16 | Fujitsu Ltd | Method of producing solid electrolytic capacitor |
| JPS6016745B2 (ja) * | 1979-05-18 | 1985-04-27 | マルコン電子株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPS5615026A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing solid electrolytic condenser |
| GB2110878B (en) * | 1981-12-01 | 1986-02-05 | Standard Telephones Cables Ltd | Batch process for making capacitors |
| US4706375A (en) * | 1986-08-15 | 1987-11-17 | Sprague Electric Company | Method of forming a solid tantalum capacitor |
-
1988
- 1988-01-21 DE DE3801729A patent/DE3801729A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-01-13 US US07/296,800 patent/US4984342A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-17 ES ES89100725T patent/ES2042809T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-17 EP EP89100725A patent/EP0325203B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-17 DE DE89100725T patent/DE58905491D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-18 JP JP01096689A patent/JP3209995B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-19 BR BR898900246A patent/BR8900246A/pt not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153496A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Hitachi Aic Inc | 固体電解コンデンサ用硝酸マンガンクローズドリサイクルシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE58905491D1 (de) | 1993-10-14 |
| BR8900246A (pt) | 1989-09-19 |
| DE3801729A1 (de) | 1989-07-27 |
| EP0325203A1 (de) | 1989-07-26 |
| JP3209995B2 (ja) | 2001-09-17 |
| ES2042809T3 (es) | 1993-12-16 |
| US4984342A (en) | 1991-01-15 |
| EP0325203B1 (de) | 1993-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Brachet et al. | Solder-reflow resistant solid-state micro-supercapacitors based on ionogels | |
| US6010660A (en) | Method for doping sintered tantalum pellets with nitrogen | |
| US8958197B2 (en) | Electrode for capacitor, process for producing same, and capacitor including the electrode | |
| EP2290664A1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing thereof | |
| EP1693867A1 (en) | Electric double-layer capacitor, its manufacturing method, and electronic device using same | |
| JP2003525522A (ja) | ハーメチック電解質シールを有する多重電極二重層コンデンサ | |
| JPH01232711A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4131709B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4719823B2 (ja) | ニオブ固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3416637B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2007173454A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| Teverovsky | Effect of moisture on characteristics of surface mount solid tantalum capacitors | |
| JP4547780B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| CA1041620A (en) | Cathode electrode for an electrical device and method | |
| JP2004071676A (ja) | Ｎｂコンデンサおよびこれの製造方法 | |
| JP2010192502A (ja) | コンデンサーおよびコンデンサーの製造方法 | |
| JP2004111598A (ja) | コンデンサ陽極体およびその製造方法 | |
| EP0607781A1 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| JP2006147900A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0645200A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4678094B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2003142344A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH03256313A (ja) | アルミニウム固体電解コンデンサ | |
| JPH03101207A (ja) | 金属化プラスチックフィルムコンデンサおよびその製造法 | |
| JP2009224673A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |