JPH01232553A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH01232553A JPH01232553A JP63057823A JP5782388A JPH01232553A JP H01232553 A JPH01232553 A JP H01232553A JP 63057823 A JP63057823 A JP 63057823A JP 5782388 A JP5782388 A JP 5782388A JP H01232553 A JPH01232553 A JP H01232553A
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Landscapes
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光によって情報を記録再生することの
できる光情報記録媒体に関し、更に詳しくは、基板上に
下地層を形成し、この下地層上にレーザー光によって記
録再生が可能な記録層を形成した光情報記録媒体に関す
るものである。
できる光情報記録媒体に関し、更に詳しくは、基板上に
下地層を形成し、この下地層上にレーザー光によって記
録再生が可能な記録層を形成した光情報記録媒体に関す
るものである。
従来、レーザー光の照射によシ非可逆的な特性変化おる
いは形状変化を利用して情報を記録する、いわゆる追記
型の記録媒体としては、その記録層として、Ｔｅ 、
Ｂｉ等の低融点金属およびその合金化合物、おるいは分
散物等が用いられ、静止画ファイリングシステムの記録
材料として実用化されてきた。
いは形状変化を利用して情報を記録する、いわゆる追記
型の記録媒体としては、その記録層として、Ｔｅ 、
Ｂｉ等の低融点金属およびその合金化合物、おるいは分
散物等が用いられ、静止画ファイリングシステムの記録
材料として実用化されてきた。
しかし、コンピューターのデータベース等、高速での記
録再生が必要とされる用途には、記録感度の点で従来の
媒体では十分な性能を有しておらず、この記録感度の向
上を図る様々な試みが成されてきた。
録再生が必要とされる用途には、記録感度の点で従来の
媒体では十分な性能を有しておらず、この記録感度の向
上を図る様々な試みが成されてきた。
そのひとつとして基板上に何らかの下地層を設け、その
上に記録層を設けることによシ感度を向上させる方法が
、特開昭５８−１６６５４８号公報等に報告されている
。しかし、これらに報告されている下地層は有機高分子
層であり、記録層が真空槽内で形成される場合には、別
の工程、装置、例えばスピンナー塗布装置等を設ける必
要があるという問題があった。さらに、これらの有機高
分子層は、ガラス基板を用いた場合には、記録感度の向
上が見られるが、ポリカーボネート基板や、アクリル基
板等のグラスチック基板においてはその効果が顕著でな
いことが、本発明者等の、検討によシ明らかとなってい
る。
上に記録層を設けることによシ感度を向上させる方法が
、特開昭５８−１６６５４８号公報等に報告されている
。しかし、これらに報告されている下地層は有機高分子
層であり、記録層が真空槽内で形成される場合には、別
の工程、装置、例えばスピンナー塗布装置等を設ける必
要があるという問題があった。さらに、これらの有機高
分子層は、ガラス基板を用いた場合には、記録感度の向
上が見られるが、ポリカーボネート基板や、アクリル基
板等のグラスチック基板においてはその効果が顕著でな
いことが、本発明者等の、検討によシ明らかとなってい
る。
本発明者等は、グラスチック基板においても、記録感度
が向上する様な下地層を種々検討した結果、下地層とし
てチタンを含む無機化合物又はチタン金属又はチタン合
金又はそれらの少くとも２種からなる薄膜を用いること
により、高性能な記録特性の光情報記録媒体が得られる
ことを見出し本発明を完成するに到った。
が向上する様な下地層を種々検討した結果、下地層とし
てチタンを含む無機化合物又はチタン金属又はチタン合
金又はそれらの少くとも２種からなる薄膜を用いること
により、高性能な記録特性の光情報記録媒体が得られる
ことを見出し本発明を完成するに到った。
即ち本発明は基板上に形成された下地層とこの下地層上
に形成された記録層とを含む光情報記録媒体において、
下地層がチタンを含む無機化合物又はチタン金属又はチ
タン合金又はそれらの少くとも２種からなる薄膜である
ことを特徴とする光情報記録媒体に係わるものである。
に形成された記録層とを含む光情報記録媒体において、
下地層がチタンを含む無機化合物又はチタン金属又はチ
タン合金又はそれらの少くとも２種からなる薄膜である
ことを特徴とする光情報記録媒体に係わるものである。
本発明で用いられる基板は、一般にディスク形状である
が、カードやドラム状のものであってもよい。基板材料
としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂（ポリ
メチルメタクリレート樹脂等）等のグラスチックやガラ
スが用いられる。
が、カードやドラム状のものであってもよい。基板材料
としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂（ポリ
メチルメタクリレート樹脂等）等のグラスチックやガラ
スが用いられる。
本発明で用いる下地層は、チタンを含む無機化合物又は
金属チタン又はチタン合金から成るか又はそれらの２種
以上を含む薄膜である。これらは真空蒸着法、ス・ンツ
タリング法等により成膜することができ、後述する記録
膜のうち、真空槽内で成膜するものについては同一装置
内で同一工程でこの下地層と記録層の２つの層を成膜す
ることが可能である。下地層の膜厚については、下地層
の種類及び用途により異なるが、一般的に良好なＣＮ比
を得てかつ記録感度に対しても効果のある膜厚範囲とし
ては１０〜５００Ｘが好ましく、更に好ましくは１０〜
３００Ｘである。チタンを含む無機化合物としては、酸
化チタン、窒化チタン、炭化チタン、硼化チタン、珪化
チタンからなる群から選ばれる少くとも一種の化合物を
含むものが用いられる。
金属チタン又はチタン合金から成るか又はそれらの２種
以上を含む薄膜である。これらは真空蒸着法、ス・ンツ
タリング法等により成膜することができ、後述する記録
膜のうち、真空槽内で成膜するものについては同一装置
内で同一工程でこの下地層と記録層の２つの層を成膜す
ることが可能である。下地層の膜厚については、下地層
の種類及び用途により異なるが、一般的に良好なＣＮ比
を得てかつ記録感度に対しても効果のある膜厚範囲とし
ては１０〜５００Ｘが好ましく、更に好ましくは１０〜
３００Ｘである。チタンを含む無機化合物としては、酸
化チタン、窒化チタン、炭化チタン、硼化チタン、珪化
チタンからなる群から選ばれる少くとも一種の化合物を
含むものが用いられる。
又チタン合金としては、Ｔｉを主成分とし、Ａｔ。
Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｚｒからなる群より選
ばれた元素の内、少くとも一種を含む合金が用いられる
。
ばれた元素の内、少くとも一種を含む合金が用いられる
。
本発明に用いられる記録層は、レーザー光の吸収率が良
くかつ低融点の金属系又は有機色素系の光記録材料によ
って作ることができ、これは追記型または消去可能型い
ずれのをのものでも良い。
くかつ低融点の金属系又は有機色素系の光記録材料によ
って作ることができ、これは追記型または消去可能型い
ずれのをのものでも良い。
具体的には、追記型の記録材料としては、Ｔｃ系合金、
例えばＴｅ−８ｅ 、 Ｔｏ−Ａｓ 、 Ｔｏ−８ｂ
、 Ｔｅ−Ｉｎ 。
例えばＴｅ−８ｅ 、 Ｔｏ−Ａｓ 、 Ｔｏ−８ｂ
、 Ｔｅ−Ｉｎ 。
Ｔｅ−８ｎ 、 Ｔｅ−Ｐｂ 、 Ｔｅ−Ｂ１ 、 Ｔ
ｅ−８ｅ−Ｔｉ 、 Ｔｅ−３ｅ−Ｐｂ。
ｅ−８ｅ−Ｔｉ 、 Ｔｅ−３ｅ−Ｐｂ。
Ｔｅ−８ｓ−８ｂ 、 Ｔｅ−８ｅ−Ｉｎ 、 Ｔｅ−
８ｅ−Ｂｉ １Ｔｅ−８ｅ−Ｔｉ −Ａｇ；Ｔｅの分散
物、例えばＴｅ−Ｃ、Ｔｅ−Ｃ３ｚ 、 ＴｅＯｘ：多
層膜、例えば５ｂ−８ｅ／Ｂｉ −Ｔｅ ；有機色素膜
、フタロシアニン系色素、シアニン系色素等を挙げるこ
とができる。また、消去可能型の記録材料としては、希
土類−遷移金属の光磁気材料、例えばＴｈＦｅ。
８ｅ−Ｂｉ １Ｔｅ−８ｅ−Ｔｉ −Ａｇ；Ｔｅの分散
物、例えばＴｅ−Ｃ、Ｔｅ−Ｃ３ｚ 、 ＴｅＯｘ：多
層膜、例えば５ｂ−８ｅ／Ｂｉ −Ｔｅ ；有機色素膜
、フタロシアニン系色素、シアニン系色素等を挙げるこ
とができる。また、消去可能型の記録材料としては、希
土類−遷移金属の光磁気材料、例えばＴｈＦｅ。
ＴｂＦｅＣｏ 、 ＧｄＴｂＦｅ 、 ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ ａ、 Ｔｅ系合金、例えばＴｅ−０−８ｎ−Ｇｏ
ｒ ５ｎ−Ｔｅ−８ｅ ｐ Ｉｎ−８ｂ−Ｔｅ ｐ Ｇ
ａ−Ｔｅ−８ｅ ＋Ｇｅ−Ｔｅ ；その他、相転移型合
金、例えばＩｎ−８ｂ。
ｏ ａ、 Ｔｅ系合金、例えばＴｅ−０−８ｎ−Ｇｏ
ｒ ５ｎ−Ｔｅ−８ｅ ｐ Ｉｎ−８ｂ−Ｔｅ ｐ Ｇ
ａ−Ｔｅ−８ｅ ＋Ｇｅ−Ｔｅ ；その他、相転移型合
金、例えばＩｎ−８ｂ。
Ｉｎ−８ｂ−３ｅ 、 ５ｉＳｎ 、 ＧｅＳｎ 、
ＣｕＡＬ 、 ＡｇＺｎ等を挙げることができる。これ
らのうちＴｅ合金等のＴｅを含む薄膜が好ましく、特に
Ｔｅ及びＳｓを主成分とし、’ｒｉ 、 Ａｇ 、 Ｃ
ｒ 、 Ａｔ、 Ｓｂ 、 Ｐｂ 、 Ａｓ 、 Ｉｎ
＋ Ｇａ ＋ Ｇｅ ｔＳｌ及びＣｕからなる群より
選ばれた元素の内少なくとも一種を含む薄膜が好ましい
。
ＣｕＡＬ 、 ＡｇＺｎ等を挙げることができる。これ
らのうちＴｅ合金等のＴｅを含む薄膜が好ましく、特に
Ｔｅ及びＳｓを主成分とし、’ｒｉ 、 Ａｇ 、 Ｃ
ｒ 、 Ａｔ、 Ｓｂ 、 Ｐｂ 、 Ａｓ 、 Ｉｎ
＋ Ｇａ ＋ Ｇｅ ｔＳｌ及びＣｕからなる群より
選ばれた元素の内少なくとも一種を含む薄膜が好ましい
。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
直径１３０■、厚さ１．２■のポリカーボネート樹脂製
ス・ぐイラル溝付ディスク基板にＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法により、酸化チタン（ＴｉＯ□）ターケ゛
ソトを用いて、１００Ａの厚さで酸化チタン薄膜を成膜
し、次いでＤＣスパッタリング法によりＴｅ 、 Ｓｅ
、 Ｔｉ 、 Ａｇよりなる四元合金を３００Ｘの厚
さで成膜した。
ス・ぐイラル溝付ディスク基板にＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法により、酸化チタン（ＴｉＯ□）ターケ゛
ソトを用いて、１００Ａの厚さで酸化チタン薄膜を成膜
し、次いでＤＣスパッタリング法によりＴｅ 、 Ｓｅ
、 Ｔｉ 、 Ａｇよりなる四元合金を３００Ｘの厚
さで成膜した。
このディスクを８３０ｎｍの半導体レーザーを用いて、
周波数５ ＭＨｚ ｄａｔ７４０％の反復信号を２４０
Ｏｒｐｍの条件で直径１１８箇の位置にレーザー出力を
変化させて書込み、記録感度及びＣＮ比を測定した。そ
の結果を表−１に示す。
周波数５ ＭＨｚ ｄａｔ７４０％の反復信号を２４０
Ｏｒｐｍの条件で直径１１８箇の位置にレーザー出力を
変化させて書込み、記録感度及びＣＮ比を測定した。そ
の結果を表−１に示す。
比較例１
実施例１と同様のディスク基板に、Ｔ ｒ ０２の下地
層を付けずに実施例１と同様の組成のＴｅ＋ Ｓｅ 。
層を付けずに実施例１と同様の組成のＴｅ＋ Ｓｅ 。
Ｔｉ、Ａｇよシなる四元合金のみを３００Ｘの厚さでＤ
Ｃス・ぐツタリング法にょシ成膜した。
Ｃス・ぐツタリング法にょシ成膜した。
このディスクについて実施例１と同様の方法によって記
録感度とＣＮ比の評価を行った。その結果を表−１に示
す。
録感度とＣＮ比の評価を行った。その結果を表−１に示
す。
比較例２
実施例１と同様のディスク基板上にニトロセルロース（
ダイセル化学工業（株）製のＲ８１／２ 、以下ＮＣと
略す）をスピンコード法によって１００Ｘの膜厚で塗布
した。このディスクを比較例１と同様の方法で、実施例
１．比較例１と同様のＴｅ 、 Ｓｅ 。
ダイセル化学工業（株）製のＲ８１／２ 、以下ＮＣと
略す）をスピンコード法によって１００Ｘの膜厚で塗布
した。このディスクを比較例１と同様の方法で、実施例
１．比較例１と同様のＴｅ 、 Ｓｅ 。
Ｔｉ、Ａｇよりなる四元合金膜を３００Ｘの厚みで成膜
した。
した。
この下地層ＫＮＣを用いたディスクについて実施例１と
同様の方法によって、記録感度とい比の評価を行った。
同様の方法によって、記録感度とい比の評価を行った。
その結果を表１に示す。
実施例２
実施例１のポリカーボネート樹脂製ディスク基板の代わ
りにポリメチルメタクリレート樹脂製スパイラル溝付デ
ィスク基板を用いて、実施例１と同様の成膜を行い、実
施例１と同様の記録感度及びい比の評価を行った。
りにポリメチルメタクリレート樹脂製スパイラル溝付デ
ィスク基板を用いて、実施例１と同様の成膜を行い、実
施例１と同様の記録感度及びい比の評価を行った。
その結果を表１に示す。
実施例３
実施例１でＴｉＯ□の代わシに窒化チタン（ＴｉＮ ）
を１００Ｘの厚さでＲＦマグネトロンスパッタリング法
により下地層として成膜し、次いで実施例１と同様の記
録膜を成膜した。このディスクについて実施例１と同様
の記録感度及びＣＮ比の評価を行った。その結果を表１
に示す。
を１００Ｘの厚さでＲＦマグネトロンスパッタリング法
により下地層として成膜し、次いで実施例１と同様の記
録膜を成膜した。このディスクについて実施例１と同様
の記録感度及びＣＮ比の評価を行った。その結果を表１
に示す。
実施例４
実施例１でＴｉＯ７の代わシに炭化チタン（ＴｉＣ）を
１００Ｘの厚さでＲＦマグネトロンスノやツタリング法
によシ下地層として成膜し、次いで実施例１と同様の記
録膜を成膜した。このディスクについて実施例１と同様
の記録感度及びＣＮ比の評価を行った。その結果を表１
に示す。
１００Ｘの厚さでＲＦマグネトロンスノやツタリング法
によシ下地層として成膜し、次いで実施例１と同様の記
録膜を成膜した。このディスクについて実施例１と同様
の記録感度及びＣＮ比の評価を行った。その結果を表１
に示す。
実施例５
実施例１でＴｉＯ７の代わりに硼化チタン（Ｔ ｉ Ｂ
２ ）を１００Ｘの厚さでＲＦ’マグネトロンスノ？
ツタリング法により下地層として成膜し、次いで実施例
１と同様の記録膜を成膜した。このディスクについて実
施例１と同様の記録感度及びＣＮ比の評価を行った。そ
の結果を表−１に示す。
２ ）を１００Ｘの厚さでＲＦ’マグネトロンスノ？
ツタリング法により下地層として成膜し、次いで実施例
１と同様の記録膜を成膜した。このディスクについて実
施例１と同様の記録感度及びＣＮ比の評価を行った。そ
の結果を表−１に示す。
実施例６
実施例１でＴ １０２の代わりに珪化チタン（Ｔ ＞
Ｓ ｉ２ ）を１００Ｘの厚さでＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法により下地層として成膜し、次いで実施例
１と同様の記録膜を成膜した。このディスクについて、
実施例１と同様の記録感度及びＣＮ比の評価を行った。
Ｓ ｉ２ ）を１００Ｘの厚さでＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法により下地層として成膜し、次いで実施例
１と同様の記録膜を成膜した。このディスクについて、
実施例１と同様の記録感度及びＣＮ比の評価を行った。
その結果を表−１に示す。
実施例７
実施例１でＴｉＯ□の代わシに金属チタン（Ｔｉ）を５
０Ｘの厚さでＲＦスパッタリング法により下地層として
成膜し、次いで実施例１と同様の記録膜を成膜した。
０Ｘの厚さでＲＦスパッタリング法により下地層として
成膜し、次いで実施例１と同様の記録膜を成膜した。
このディスクについて実施例１と同様の記録感度及びＣ
Ｎ比の評価を行った。その結果を表−１に示す。
Ｎ比の評価を行った。その結果を表−１に示す。
実施例８
実施例１にＴ ｉＯ２の代わシにＴｉ−Ａｇ合金（以下
Ｔｉ−Ａｇと略す）ｋ５０Ｘの厚さでＤＣスノソツタリ
ング法により下地層として成膜し、次いで実施例１と同
様の記録膜を成膜した。
Ｔｉ−Ａｇと略す）ｋ５０Ｘの厚さでＤＣスノソツタリ
ング法により下地層として成膜し、次いで実施例１と同
様の記録膜を成膜した。
このディスクについて実施例１と同様の記録感度及びＣ
Ｎ比の評価を行った。その結果を表−１に示す。
Ｎ比の評価を行った。その結果を表−１に示す。
実施例９
実施例１でＴｉＯ２の代わりにＴｉ−Ａｔ合金（以下Ｔ
ｉ−Ａｔと略す）を５０Ｘの厚さでＴｉターケ゛ットと
ｋｔターデソトを同時スパッタリングする（ＴｉはＤＣ
スパッタリング、 ＡｔはＲＦスパッタリング）ことに
より下地層として成膜し、次いで実施例１と同様の記録
膜を成膜した。このディスクについて実施例１と同様の
記録感度及びＣＮ比の評価を行った。その結果を表−１
に示す。
ｉ−Ａｔと略す）を５０Ｘの厚さでＴｉターケ゛ットと
ｋｔターデソトを同時スパッタリングする（ＴｉはＤＣ
スパッタリング、 ＡｔはＲＦスパッタリング）ことに
より下地層として成膜し、次いで実施例１と同様の記録
膜を成膜した。このディスクについて実施例１と同様の
記録感度及びＣＮ比の評価を行った。その結果を表−１
に示す。
表 −１
本再生ＲＦ出力がその最大値の９０％に達する時の記録
レーザー出力 〔発明の効果〕 以下の結果から明らかな様に本発明による下地層を設け
た光ディスクは記録感度が大幅に向上することが確認さ
れた。
レーザー出力 〔発明の効果〕 以下の結果から明らかな様に本発明による下地層を設け
た光ディスクは記録感度が大幅に向上することが確認さ
れた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上に形成された下地層とこの下地層上に形成
された記録層とを含む光情報記録媒体において、下地層
がチタンを含む無機化合物、又は金属チタン又はチタン
合金又はそれらの２種以上から形成される薄膜であるこ
とを特徴とする光情報記録媒体 （２）上記下地層の膜厚が１０〜５００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒体 （３）上記基板材料がポリカーボネート樹脂又はポリメ
チルメタクリレート樹脂又はガラスであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項あるいは第２項に記載の光情
報記録媒体（４）上記のチタンを含む無機化合物が、酸
化チタン、窒化チタン、炭化チタン、硼化チタン、珪化
チタンからなる群から選ばれる少くとも一種の化合物を
含むことを特徴とする、特許請求の範囲第１項〜第３項
いずれか一項に記載の光情報記録媒体 （５）上記のＴｉ合金がＴｉを主成分とし、Ａｌ、Ａｇ
、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｚｒからなる群より選ばれ
た元素の内、少くとも１種の元素を含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか一項に記載
の光情報記録媒体 （６）上記記録層がＴｅを含む薄膜であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項〜第５項のいずれか一項に記
載の光情報記録媒体 （７）上記薄膜がＴｅ合金で構成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第６項記載の光情報記録媒体 （８）上記薄膜がＴｅ及びＳｅを主成分とし、Ｔｉ、Ａ
ｇ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ
、Ｓｉ及びＣｕからなる群より選ばれた元素の内、少な
くとも一種を含むことを特徴とする特許請求の範囲第６
項記載の光情報記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057823A JPH01232553A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057823A JPH01232553A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232553A true JPH01232553A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13066644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63057823A Pending JPH01232553A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232553A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7128959B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-10-31 | General Electric Company | Reflective article and method for the preparation thereof |
| US7132149B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-11-07 | General Electric Company | Data storage medium and method for the preparation thereof |
| US7300742B2 (en) * | 2002-08-23 | 2007-11-27 | General Electric Company | Data storage medium and method for the preparation thereof |
| US7329462B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-02-12 | General Electric Company | Reflective article and method for the preparation thereof |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP63057823A patent/JPH01232553A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7128959B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-10-31 | General Electric Company | Reflective article and method for the preparation thereof |
| US7132149B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-11-07 | General Electric Company | Data storage medium and method for the preparation thereof |
| US7300742B2 (en) * | 2002-08-23 | 2007-11-27 | General Electric Company | Data storage medium and method for the preparation thereof |
| US7329462B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-02-12 | General Electric Company | Reflective article and method for the preparation thereof |
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