JPH01194150A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザー光によって情報を記録・再生する光情
報記録媒体に関し、更に詳しくは、記録感度に優れ、基
板と記録層との間に下地層を有する光情報記録媒体に関
する。

〔従来の技術〕

近年、半導体レーザの実用化に伴い、光ディスク等を記
録媒体とした情報記録手段の開発が盛んに行われている
。光ディスクは、磁気ディスクに比べて、記録密度が１
０倍以上も高いため画像等の大量のデータ保存に好適で
ある。

このような光ディスクに使用される記録材料は記録方式
により種々のもが使用されているが、レーザー光照射に
より記録層にピットを形成させる追記型方式では、一般
に、Ｔｅ、　Ｂｉ等の低融点金属、その合金化合物、ま
たはその分散物等が用いられている。

しかし、コンピューターのデータベース等、高速での記
録・再生が必要とされる用途には記録感度の点で未だ不
十分であるため、記録感度の向上を図る様々な試みが成
されている。

そのひとつとして基板上に有機高分子よりなる下地層を
設け、その上に記録層を形成することにより記録感度を
向上させる方法が、特開昭５８−１６６５４８号公報等
に報告されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記有機高分子層を用いた記録媒体は、基板材
料にガラスを用いた場合には記録感度の向上が見られる
が、ポリカーボネートやアクリル等のプラスチック基板
においては記録感度が十分でないという問題が本発明者
等によって明らかとなった。さらに、下地層に有機高分
子を使用するために、製造工程が煩雑化するという問題
があった。特に、上記のような有機高分子層の形成は記
録層を形成するためのスパッタリング法や真空蒸着法に
不向きであり、真空槽内でスピンナー塗布が不可能であ
るた釣下地層及び記録層を連続工程で形成できないとい
う欠点があった。

そこで、本発明の目的は、良好なＣ７Ｎ比及び高い記録
感度を有し、簡単な製造工程で製造でき、しかもプラス
チック基板を使用しても高い記録感度を有する光情報記
録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上記問題点を鋭意検討・研究した結果、
記録媒体を３層構造とし記録層の下地層を所定の無機化
合物等で構成することによって、種々の基板を使用して
も優れた記録感度を有する光情報記録媒体を開発するこ
とに成功した。

即ち、本発明は、基板と記録層との間に下地層を含む光
情報記録媒体であって、該下地層が、Ｓｉ３Ｎ４．Ｓｉ
０２、ＳｉＣ、及びＳｉからなる群から選ばれる少なく
とも“一種よりなる薄膜であることを特徴とする光情報
記録媒体を提供するものである。

本発明の光情報記録媒体は基本的には、基板、下地層及
び記録層の３層から順次構成されている。本発明で用い
られる下地層は、Ｓｉ３Ｎ、、５ｉＯ７、ＳｉＣ及びＳ
ｉよりなる群から選ばれる少な（とも１種よりなる薄膜
で構成される。これらのうち２種以上よりなる場合は、
これらの均一な混合物として薄膜を構成するものである
。このような薄膜は、Ｓｉ３Ｎ、等の原料物質を真空蒸
着法、スパッタリング法等により基板上に堆積させるこ
とよって得られる。薄膜の膜厚は、下地層の種類及び用
途により異なるが、一般に良好なＣ／Ｎ比を維持し且つ
高い記録感度を得るためには、１０〜５００人が好まし
く、特に１０〜３００人が好ましい。

本発明は、記録層の下地からの反射光と記録層からの反
射光の干渉効果を利用して記録感度を向上させるという
公知技術とは異なるため、上記膜厚は使用するレーザ光
の波長に対して何等制限されない。

上記の下地層を堆積させる基板は、光ディスクを対象と
するディスク状のものに限らず、光カード等を対象とし
たカード状、ドラム状等種々の形態の基板が使用できる
。また、基板材料としてはガラス、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂（ポリメチルメタクリレート樹脂等）
等のプラスチックスを使用することができる。

プラスチックス基板の使用は、従来の下地層に有機材料
を使用した光情報記録媒体では記録感度が不十分であっ
たが、本発明では高い記録感度を有するため特に有効で
ある。

本発明の光情報記録媒体の表面層である記録層は、レー
ザー光の吸収効率が高くかつ低融点の特性を有する材料
が使用されるが、記録方式に適応した材料により異なる
。追記型の光ディスクに使用される記録材料としては、
例えば、Ｔｅ−３ｅ、　Ｔｅ−Ａｓ、　Ｔｅ　＝ＳｂＳ
Ｔｅ−Ｉｎ、　Ｔｅ−３ｎ、　Ｔｅ−ｐｂＳＴｅ−Ｂｉ
、Ｔｅ−３ｅ−Ｔｉ、Ｔｅ−３ｅ−Ｐｂ、　Ｔｅ　−３
ｅ−３ｂ、　Ｔｅ−３ｅ−Ｉｎ、　Ｔｅ−３ｅ−Ｂｉ、
Ｔｅ−３ｅ−Ｔｉ−Ａｇ等のＴｅ系合金；Ｔｅ−Ｃ５Ｔ
ｅ−Ｃ３２、Ｔｅｎ。

等のＴｅの分散物；フタロシアニン系色素、シアニン系
色素等を含む有機邑素膜が挙げられ、５ｂ−３ｅ／Ｂ１
−Ｔｅ等の多層膜も使用できる。一方、消去可能型の光
ディスクに使用される記録材料としては、例えば、Ｔｂ
Ｆｅ、　ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、　ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等の希土類−遷移金属の光磁気材料；Ｔｅ−０−３
ｎ−Ｇｅ、　Ｓｎ　−Ｔｅ−３ｅ、　１ｎ−３ｂ−Ｔｅ
、　Ｇａ　−Ｔｅ−３ｅ、　Ｇｅ−Ｔｅ等のＴｅ系合金
が挙げられ、その他、Ｉｎ−３ｂ、　Ｉｎ　−３ｂ−５
ｅ、　５ｉＳｎ、　ＧｅＳｎ、　ＣｕＡ３ＡｇＸｎ等の
相転移型合金も使用できる。本発明においては、このよ
うな材料のうちＴｅ合金等のＴｅを含むものが、Ｔｅの
融点が低いことに加え、レーザ光による熱吸収特性に優
れ、記録感度の向上に貢献するため好ましく、特にＴｅ
及びＳｅを主成分とし、Ｔ１、Ａｇ、　Ｃｒ、　Ａｌ、
Ｓｂ、　Ｐｂ、　Ａｓ、　Ｉｎ。

Ｇａ５Ｇｅ、　Ｓｉ及びＣｕか・らなる群より選ばれた
元素の内生なくとも１種を含むことが、記録・再生特性
を最適にし、信号の読み出し等による記録槽の劣化を防
くため好ましい。

このような材料を上記の下地層の上に記録層として堆積
するには、真空蒸着法、スパンクリング法等が使用でき
るが、上記の下地層の形成方法との関係上、同一の薄膜
形成方法が利用できるため下地層および記録層を連続的
に同一装置内で形成できるという製造上の利点がある。

〔実　施　例〕

以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが本発
明はこれらに何等限定されない。

実施例１ φ１３０　ｍｍポリカーボネート樹脂製スパイラル溝付
ディスク基板上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法
により、Ｓｉ、Ｎ、をターゲツト材に使用して、１００
　Ａの厚さでＳｉ３Ｎ４よりなる下地層を成膜した。次
いで、記録層として、ＤＣＣスパッタング法により、Ｔ
ｅ、　Ｓｅ、　Ｔｉ及びＡｇよりなる４元合金を、３０
０人の厚さで成膜した。

このようにして得られたディスクを２４００ｒｐｍで回
転させディスクの中心から１１８ｍｍの円周上に、半導
体レーザー（λ＝８３０ｎｍ　’）を用いて、周波数５
　ＭＨｚ、ｄｕｔｙ　４０％の反復信号を、レーザー光
出力を変化させながら書込み、その記録感度及びＣ，／
Ｎ比を測定した。得られた結果を第１表に示す。第１表
中、記録感度は再生ＲＦ出力がその最大値の９０％に達
する時の記録レーザ光出力を示す。

比較例１ 下地層を形成させず基板上に直接、Ｔｅ、　Ｓｅ、Ｔｉ
及びＡｇよりなる４元合金の薄膜を成膜した以外は、実
施例１と同様にしてディスクを得た。

このディスクについて実施例１と同様の方法及び条件に
よって記録感度とＣ／Ｎ比を測定した。得られた結果を
第１表に示す。

比較例２ 実施例１で使用したディスク基板と同様の基板上にニト
ロセルロース（ダイセル化学工業■製Ｒ３１／２、以下
ＮＣと略す）をスピンコード法によって１００　人の膜
厚で塗布した。さらに、この薄膜上に、実施例１と同様
にしてＴｅ、　Ｓｅ、　Ｔｉ及びＡｇよりなる４元合金
膜を３００Ａの膜厚で成膜した。

こうして得られたディスクについて、実施例１と同様の
方法及び条件で記録感度及びＣ／　Ｎ比を測定した。得
られた結果を第１表に示す。

実施例２ 実施例１で使用したポリカーボネート樹脂製ディスク基
板の代わりにポリメチルメタクリレート樹脂製スパイラ
ル溝付ディスク基板を用いた以外は、実施例１と同様に
して下地層及び記録層を順次形成した。こうして得られ
たディスクにつき、実施例１と同様にして記録感度及び
Ｃ／Ｎ比を測定した。得られた結果を第１表に示す。

実施例３ 実施例１で使用した下地層であるＳｉ３Ｎ４の代わりに
５ｉＯ７を１０ＯＡの厚さでＲＦマグネトロンスパンタ
リング法により成膜した以外は、実施例１と同様にして
記録層を形成したディスクを得た。このディスクについ
て実施例１と同様にして記録感度及びＣ／Ｎ比を測定し
た。得られた結果を第１表に示す。

実施例４ 実施例１で使用した下地層であるＳｉ３Ｎ４の代わりに
ＳｉＣを１００Ａの厚さでＲＦマグネトロンスパッタリ
ング法により下地層として成膜した以外は、実施例１と
同様にして記録層を形成したディスクを得た。このディ
スクについて実施例１と同様にして記録感度及びＣ／Ｎ
比を測定した。得られた結果を第１表に示す。

実施例５ 実施例１で使用した下地層であるＳｉ、Ｎ、の代わりに
Ｓｉを３ＯＡの厚さでＲＦマグネトロンスパッタリング
法により成膜した以外は、実施例１と同様にして記録層
を形成したディスクを得た。

このディスクについて実施例１と同様にして記録感度及
びＣ／　Ｎ比を測定した。得られた結果を第１表に示す
。

第１表より、実施例１と比較例１．２の結果の比較及び
実施例２〜５の結果の評価をすることにより、本発明に
よる所定の下地層を有する光ディスクは記録時のレーザ
光強度が低く記録感度において優れ、しかも従来のディ
スクと同程度のＣ／Ｎ比が維持されていることがわかる
。

〔発明の効果〕

以上の説明してきたように、本発明の光情報記録媒体は
、従来の光ディスクに対して十分高い記録感度を有する
。さらに、本発明ではプラスチック基板を使用した場合
にも記録感度が向上するという従来の３層構造の記録媒
体では得られなかった効果を有する。

さらに、下地層及び記録層を同一装置内で連続的に形成
できるため製造工程が複雑化せず、下地層に有機材料を
使用した光ディスクの製造方法に比べ生産性を向上でき
るという利点がある。

出願人代理人　　古　谷　　　馨

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　基板と記録層との間に下地層を含む光情報記録媒体
   であって、 該下地層が、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＳｉＯ＿２、ＳｉＣ、及
   びＳｉからなる群から選ばれた少なくとも一種よりなる
   薄膜であることを特徴とする光情報記録媒体。 ２　上記薄膜の膜厚が、１０〜５００Åである特許請求
   の範囲第１項に記載の光情報記録媒体。 ３　上記基板が、ポリカーボネート樹脂又はポリメチル
   メタクリレート樹脂よりなる特許請求の範囲第１項又は
   第２項に記載の光情報記録媒体。 ４　上記記録層が、Ｔｅを含む特許請求の範囲第１項〜
   第３項のうちいずれか一項に記載の光情報記録媒体。 ５　上記記録層が、Ｔｅ合金よりなる特許請求の範囲第
   ４項に記載の光情報記録媒体。 ６　上記記録層が、Ｔｅ及びＳｅを主成分とし、Ｔｉ、
   Ａｇ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇ
   ｅ、Ｓｉ及びＣｕからなる群より選ばれた少なくとも１
   種の元素を含む特許請求の範囲第４項に記載の光情報記
   録媒体。