JPH06328854A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH06328854A JPH06328854A JP5115762A JP11576293A JPH06328854A JP H06328854 A JPH06328854 A JP H06328854A JP 5115762 A JP5115762 A JP 5115762A JP 11576293 A JP11576293 A JP 11576293A JP H06328854 A JPH06328854 A JP H06328854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- optical recording
- reflective layer
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造が容易で、生産性に優れ、廉価で耐久性
に優れた反射層を有する光記録媒体を提供する。 【構成】 光記録媒体の記録層２は、ＡｇとＢｉとＳと
を含有する。
に優れた反射層を有する光記録媒体を提供する。 【構成】 光記録媒体の記録層２は、ＡｇとＢｉとＳと
を含有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体に関し、より
詳細にはライトワンス型の光記録媒体に関するものであ
る。
詳細にはライトワンス型の光記録媒体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のライトワンス型の光記録媒体とし
ては、例えば、図１に斜視図で示すような構造のものが
知られている。図１において、１は透光性を有するドー
ナツ板状の基板である。この基板１の上には有機色素か
らなる記録層２が形成されている。記録層２は、基板１
を透過して照射されたレーザー光を吸収して発熱し、溶
融，蒸発，昇華，変形または変性し、記録層２や基板１
の表面にピットを形成する作用を有する層である。
ては、例えば、図１に斜視図で示すような構造のものが
知られている。図１において、１は透光性を有するドー
ナツ板状の基板である。この基板１の上には有機色素か
らなる記録層２が形成されている。記録層２は、基板１
を透過して照射されたレーザー光を吸収して発熱し、溶
融，蒸発，昇華，変形または変性し、記録層２や基板１
の表面にピットを形成する作用を有する層である。
【０００３】この記録層２の上には、金の結晶質の反射
層３が形成されている。反射層３の厚さは、通常５０〜
２００ｎｍ程度である。さらに、この反射層３の上に
は、反射層３等を保護するための保護層４が形成されて
いる。そして、反射層には酸化等による腐蝕を起しにく
い、金が使用されている。
層３が形成されている。反射層３の厚さは、通常５０〜
２００ｎｍ程度である。さらに、この反射層３の上に
は、反射層３等を保護するための保護層４が形成されて
いる。そして、反射層には酸化等による腐蝕を起しにく
い、金が使用されている。
【０００４】上記光記録媒体は既存のコンパクトディス
クに用いられるプレーヤにより再生できることが望まれ
ている。このため、反射率は６５％以上であることが実
用上要求されている。
クに用いられるプレーヤにより再生できることが望まれ
ている。このため、反射率は６５％以上であることが実
用上要求されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機色
素を記録層に設けた光記録媒体では、所定の反射率を得
るために、記録層に使用される色素の膜厚を１００ｎｍ
以上に厚く塗布しなければならず、従って、基板のグル
ープ（溝）を深くする必要があった。しかし、スタンパ
に形成された深いグループは射出成形により基板を作成
する際に、転写性が悪く、基板の製造安定性に欠けてい
た。
素を記録層に設けた光記録媒体では、所定の反射率を得
るために、記録層に使用される色素の膜厚を１００ｎｍ
以上に厚く塗布しなければならず、従って、基板のグル
ープ（溝）を深くする必要があった。しかし、スタンパ
に形成された深いグループは射出成形により基板を作成
する際に、転写性が悪く、基板の製造安定性に欠けてい
た。
【０００６】厚い膜厚でありかつ均一な膜厚の記録層
を、スピンコート法を用いて形成するには製造条件の設
定が難しい。また、スピンコート法で記録層を形成し、
さらにスパッタリング法で反射層を作成することは、湿
式と乾式の両方を用いているので、生産性は著しく悪
い。
を、スピンコート法を用いて形成するには製造条件の設
定が難しい。また、スピンコート法で記録層を形成し、
さらにスパッタリング法で反射層を作成することは、湿
式と乾式の両方を用いているので、生産性は著しく悪
い。
【０００７】さらに、反射層の耐久性を向上するため
に、反射層には金が使用されており、光記録媒体の価格
が上昇していた。
に、反射層には金が使用されており、光記録媒体の価格
が上昇していた。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上述した問題点
を解消し、製造が容易であり、生産性に優れ、さらに、
廉価で耐久性に優れた反射層を有する光記録媒体を提供
することにある。
を解消し、製造が容易であり、生産性に優れ、さらに、
廉価で耐久性に優れた反射層を有する光記録媒体を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に
設けられた記録層と、該記録層上に設けられた反射層と
を有する光記録媒体において、前記記録層はＡｇとＢｉ
とＳとを含有することを特徴とする。
るために、本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に
設けられた記録層と、該記録層上に設けられた反射層と
を有する光記録媒体において、前記記録層はＡｇとＢｉ
とＳとを含有することを特徴とする。
【００１０】Ａｇの組成範囲は５０〜９８ａｔ％、Ｂｉ
の組成範囲は１〜４８ａｔ％、およびＳの組成範囲は１
〜５ａｔ％であることが好ましい。
の組成範囲は１〜４８ａｔ％、およびＳの組成範囲は１
〜５ａｔ％であることが好ましい。
【００１１】また、記録層にさらに含有されるＭｇ，
Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，ＮまたはＢの組成範囲は０．１
〜５ａｔ％であり、ＡｕまたはＡｇからなる反射層に含
有されるＭｇ，Ｗ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｂ，Ｎ，
Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓ，ＣまたはＦの組成範囲は０．１
ａｔ％以上であることが好ましい。
Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉ，ＮまたはＢの組成範囲は０．１
〜５ａｔ％であり、ＡｕまたはＡｇからなる反射層に含
有されるＭｇ，Ｗ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｂ，Ｎ，
Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓ，ＣまたはＦの組成範囲は０．１
ａｔ％以上であることが好ましい。
【００１２】
【作用】本発明の作用については明らかではないが、以
下のように推測される。ＡｇとＢｉとＳとを含有する記
録層は、書き込みに使用されるレーザー光の熱により昇
華してピットが形成され、Ｍｇ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔ
ｉ，ＮまたはＢを含有することにより昇華の速度が増す
と考えられる。
下のように推測される。ＡｇとＢｉとＳとを含有する記
録層は、書き込みに使用されるレーザー光の熱により昇
華してピットが形成され、Ｍｇ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔ
ｉ，ＮまたはＢを含有することにより昇華の速度が増す
と考えられる。
【００１３】Ｍｇ，Ｗ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｂ，
Ｎ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓ，ＣまたはＦを含有するＡｕ
またはＡｇからなる反射層は、耐蝕性を改善することが
できる。
Ｎ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓ，ＣまたはＦを含有するＡｕ
またはＡｇからなる反射層は、耐蝕性を改善することが
できる。
【００１４】ＺｎＳ層を設けることにより、記録層に含
有されるＳイオンの反射層への拡散が抑制され、反射層
の耐久性が向上する。
有されるＳイオンの反射層への拡散が抑制され、反射層
の耐久性が向上する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが本発明は
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
【００１６】実施例１ チャンバ内において９９．９９％の純度を有するＡｇタ
ーゲット上に、Ｂｉ3Ｓ4 化合物チップを置いた複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法によりポリカーボ
ネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を形成した。
ーゲット上に、Ｂｉ3Ｓ4 化合物チップを置いた複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法によりポリカーボ
ネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を形成した。
【００１７】さらに、９９．９９％の純度を有するＡｕ
ターゲットを用いて、６０ｎｍの反射層をスパッタリン
グ法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピンコー
ト法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
ターゲットを用いて、６０ｎｍの反射層をスパッタリン
グ法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピンコー
ト法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
【００１８】実施例２ 同一チャンバ内において９９．９９％の純度を有するＡ
ｇターゲットとＢｉ3Ｓ4 ターゲットとを用いて、同時
スパッタリング法によりポリカーボネート基板上に、膜
厚５０ｎｍの記録層を形成した。
ｇターゲットとＢｉ3Ｓ4 ターゲットとを用いて、同時
スパッタリング法によりポリカーボネート基板上に、膜
厚５０ｎｍの記録層を形成した。
【００１９】さらに、９９．９９％の純度を有するＡｇ
ターゲットを用いて、６０ｎｍの反射層をスパッタリン
グ法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピンコー
ト法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
ターゲットを用いて、６０ｎｍの反射層をスパッタリン
グ法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピンコー
ト法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
【００２０】実施例３ 同一チャンバ内においてＡｇ−Ｃｕターゲットと、Ｂｉ
3 Ｓ4 ターゲットとを用いて、同時スパッタリング法に
よりポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層
を形成した。
3 Ｓ4 ターゲットとを用いて、同時スパッタリング法に
よりポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層
を形成した。
【００２１】さらに、９９．９９％の純度を有するＡｇ
ターゲットを用いて、６０ｎｍの反射層をスパッタリン
グ法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピンコー
ト法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
ターゲットを用いて、６０ｎｍの反射層をスパッタリン
グ法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピンコー
ト法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
【００２２】実施例４ Ａｇ−Ｍｇターゲット上に、Ｂｉ3 Ｓ4 化合物チップを
置いた複合ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
りポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を
形成した。
置いた複合ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
りポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を
形成した。
【００２３】さらに、９９．９９％の純度を有するＡｇ
ターゲットを用いて、６０ｎｍの反射層をスパッタリン
グ法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピンコー
ト法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
ターゲットを用いて、６０ｎｍの反射層をスパッタリン
グ法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピンコー
ト法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
【００２４】実施例５ Ａｇ−Ｗターゲット上に、Ｂｉ3 Ｓ4 化合物チップを置
いた複合ターゲットを用いて、スパッタリング法により
ポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を形
成した。
いた複合ターゲットを用いて、スパッタリング法により
ポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を形
成した。
【００２５】さらに、９９．９９％Ａｇターゲットを用
いて、流量が１００ｓｃｃｍの窒素ガスとＣＦ4 ガスで
ある混合ガス雰囲気中で、６０ｎｍの反射層をスパッタ
リング法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピン
コート法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
いて、流量が１００ｓｃｃｍの窒素ガスとＣＦ4 ガスで
ある混合ガス雰囲気中で、６０ｎｍの反射層をスパッタ
リング法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピン
コート法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
【００２６】実施例６ Ａｇ−Ｔｉターゲット上に、Ｂｉ3 Ｓ4 化合物チップを
置いた複合ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
りポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を
形成した。
置いた複合ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
りポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を
形成した。
【００２７】さらに、９９．９９％Ａｇターゲットを用
いて、流量が１００ｓｃｃｍの窒素ガスとＣＦ4 ガスで
ある混合ガス雰囲気中で、６０ｎｍの反射層をスパッタ
リング法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピン
コート法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
いて、流量が１００ｓｃｃｍの窒素ガスとＣＦ4 ガスで
ある混合ガス雰囲気中で、６０ｎｍの反射層をスパッタ
リング法で形成した。反射層の上に有機保護膜をスピン
コート法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
【００２８】実施例７ Ａｇ−Ｍｇターゲット上に、Ｂｉ3 Ｓ4 化合物チップを
置いた複合ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
りポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を
形成した。
置いた複合ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
りポリカーボネート基板上に、膜厚５０ｎｍの記録層を
形成した。
【００２９】さらに、Ａｇ−Ｃｕターゲットを用いて、
６０ｎｍの反射層をスパッタリング法で形成した。反射
層の上に有機保護膜をスピンコート法によって厚さ約８
μｍの保護層を形成した。
６０ｎｍの反射層をスパッタリング法で形成した。反射
層の上に有機保護膜をスピンコート法によって厚さ約８
μｍの保護層を形成した。
【００３０】実施例８ ９９．９９％の純度を有するＡｇターゲット上に、Ｂｉ
3 Ｓ4 化合物チップを置いた複合ターゲットを用いて、
スパッタリング法によりポリカーボネート基板上に、膜
厚５０ｎｍの記録層を形成した。
3 Ｓ4 化合物チップを置いた複合ターゲットを用いて、
スパッタリング法によりポリカーボネート基板上に、膜
厚５０ｎｍの記録層を形成した。
【００３１】ＺｎＳターゲットを用いて１０ｎｍの中間
層を蒸着法で形成し、さらに、９９．９９％Ａｇターゲ
ットを用いて流量が１００ｓｃｃｍの窒素ガスとＣＦ4
ガスである混合ガス雰囲気中で、６０ｎｍの反射層をス
パッタリング法で形成した。反射層の上に有機保護膜を
スピンコート法によって厚さ約８μｍの保護層を形成し
た。
層を蒸着法で形成し、さらに、９９．９９％Ａｇターゲ
ットを用いて流量が１００ｓｃｃｍの窒素ガスとＣＦ4
ガスである混合ガス雰囲気中で、６０ｎｍの反射層をス
パッタリング法で形成した。反射層の上に有機保護膜を
スピンコート法によって厚さ約８μｍの保護層を形成し
た。
【００３２】比較例１ ポリカーボネート基板上に、シアニン系有機色素（ＮＫ
−２９２９，（株）日本感光色素研究所製）をスピンコ
ート法により塗布し記録層とした。さらに９９．９９％
Ａｇターゲットを用いて、流量４０ｓｃｃｍのＡｒ雰囲
気中でスパッタリング法により膜厚１５０ｎｍの反射層
を形成した。さらに、反射層の上に有機保護膜をスピン
コート法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
−２９２９，（株）日本感光色素研究所製）をスピンコ
ート法により塗布し記録層とした。さらに９９．９９％
Ａｇターゲットを用いて、流量４０ｓｃｃｍのＡｒ雰囲
気中でスパッタリング法により膜厚１５０ｎｍの反射層
を形成した。さらに、反射層の上に有機保護膜をスピン
コート法によって厚さ約８μｍの保護層を形成した。
【００３３】比較例２ ポリカーボネート基板上に、比較例１と同様なシアニン
系有機色素をスピンコート法により塗布し記録層とし
た。さらにＡｕターゲットを用いて、流量４０ｓｃｃｍ
のＡｒ雰囲気中でスパッタリング法により膜厚１５０ｎ
ｍの反射層を形成した。さらに、反射層の上に有機保護
膜をスピンコート法によって厚さ約８μｍの保護層を形
成した。
系有機色素をスピンコート法により塗布し記録層とし
た。さらにＡｕターゲットを用いて、流量４０ｓｃｃｍ
のＡｒ雰囲気中でスパッタリング法により膜厚１５０ｎ
ｍの反射層を形成した。さらに、反射層の上に有機保護
膜をスピンコート法によって厚さ約８μｍの保護層を形
成した。
【００３４】実施例１ないし８により形成された記録層
と反射層との元素分析の結果を表１に示す。
と反射層との元素分析の結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】上記方法によって得られた光記録媒体に波
長７８０ｎｍの半導体レーザーを線速１．２ｍ／ｓｅ
ｃ、記録パワー６．０ｍＷで照射し、０．５ｍＷの再生
レーザーで再生を行いジッターを測定した。また、記録
後の反射率を測定した。さらに、耐久性試験として８５
℃（温度），８５％Ｒ．Ｈ．（相対湿度）雰囲気中に上
記光記録媒体を２００時間投入して、反射層に亀裂ある
いは腐蝕がいかに発生するかを調べた。結果を表２に示
す。
長７８０ｎｍの半導体レーザーを線速１．２ｍ／ｓｅ
ｃ、記録パワー６．０ｍＷで照射し、０．５ｍＷの再生
レーザーで再生を行いジッターを測定した。また、記録
後の反射率を測定した。さらに、耐久性試験として８５
℃（温度），８５％Ｒ．Ｈ．（相対湿度）雰囲気中に上
記光記録媒体を２００時間投入して、反射層に亀裂ある
いは腐蝕がいかに発生するかを調べた。結果を表２に示
す。
【００３７】
【表２】
【００３８】表２より明らかなように、本発明の光記録
媒体のジッター，反射率は記録層にシアニン色素を用い
た比較例に示した光記録媒体と比較して、同等あるいは
それ以上の性能を示しており、光記録媒体として使用で
きるものである。特に、記録層にＣｕ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔｉ
を加えている実施例３〜７はジッター，反射率の値が優
れている。
媒体のジッター，反射率は記録層にシアニン色素を用い
た比較例に示した光記録媒体と比較して、同等あるいは
それ以上の性能を示しており、光記録媒体として使用で
きるものである。特に、記録層にＣｕ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔｉ
を加えている実施例３〜７はジッター，反射率の値が優
れている。
【００３９】本発明の光記録媒体は比較例の光記録媒体
とは異なり、スピンコート法を使用して記録層を形成し
ていないので、比較例の光記録媒体より生産性に優れて
いる。また、本発明では、反射層にＡｕを使用した光記
録媒体と反射層にＡｇを使用した光記録媒体とでは、反
射率に差が見られないので反射層にＡｇを使用でき、光
記録媒体を廉価に製造できる。
とは異なり、スピンコート法を使用して記録層を形成し
ていないので、比較例の光記録媒体より生産性に優れて
いる。また、本発明では、反射層にＡｕを使用した光記
録媒体と反射層にＡｇを使用した光記録媒体とでは、反
射率に差が見られないので反射層にＡｇを使用でき、光
記録媒体を廉価に製造できる。
【００４０】さらに、耐久性試験が示すように、本発明
の光記録媒体は比較例２の反射層にＡｕを使用した光記
録媒体と比較して、同等あるいはそれ以上の性能を示し
ている。反射層にＣ，Ｆ，Ｎ，Ｃｕを加えている実施例
５〜７は耐久性試験の結果が優れており、中間層ＺｎＳ
を設けた実施例８はさらに好ましい。
の光記録媒体は比較例２の反射層にＡｕを使用した光記
録媒体と比較して、同等あるいはそれ以上の性能を示し
ている。反射層にＣ，Ｆ，Ｎ，Ｃｕを加えている実施例
５〜７は耐久性試験の結果が優れており、中間層ＺｎＳ
を設けた実施例８はさらに好ましい。
【００４１】なお、上記実施例では記録層にＡｌ，Ｎ，
Ｂを含有していないが、これらの元素を含む光記録媒体
についても実施例と同様の結果を得ている。また、上記
実施例では反射層にＭｇ，Ｗ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｂ，
Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓを含有していないが、これらの元
素を含む光記録媒体についても実施例と同様の結果を得
ている。
Ｂを含有していないが、これらの元素を含む光記録媒体
についても実施例と同様の結果を得ている。また、上記
実施例では反射層にＭｇ，Ｗ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｂ，
Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓを含有していないが、これらの元
素を含む光記録媒体についても実施例と同様の結果を得
ている。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録層をスピンコート法を用いて製造する必要がないの
で、生産性に優れる。さらに、本発明の光記録媒体に使
用される基板のグループは、記録層に色素を用いた光記
録媒体に使用される基板のグループよりも浅くすること
ができるので、基板の製造を容易に行うことができる。
記録層をスピンコート法を用いて製造する必要がないの
で、生産性に優れる。さらに、本発明の光記録媒体に使
用される基板のグループは、記録層に色素を用いた光記
録媒体に使用される基板のグループよりも浅くすること
ができるので、基板の製造を容易に行うことができる。
【００４３】
【図１】ライトワンス型の光記録媒体の切り欠き斜視図
である。
である。
１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 保護層
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、 該基板上に設けられた記録層と、 該記録層上に設けられた反射層とを有する光記録媒体に
おいて、 前記記録層はＡｇとＢｉとＳとを含有することを特徴と
する光記録媒体。 - 【請求項２】 前記記録層中にさらにＭｇ，Ｗ，Ａｌ，
Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎ，Ｂの少なくとも一種を含有することを
特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記反射層はＡｕまたはＡｇからなるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記反射層はさらにＭｇ，Ｗ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｂ，Ｎ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓ，Ｃ，
Ｆの少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項
１ないし３のいずれかの項に記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記記録層と前記反射層との間にＺｎＳ
層を設けられていることを特徴とする請求項１ないし４
のいずれかの項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5115762A JPH06328854A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5115762A JPH06328854A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06328854A true JPH06328854A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=14670419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5115762A Pending JPH06328854A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06328854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416681C (zh) * | 2004-06-29 | 2008-09-03 | 株式会社神户制钢所 | 用于光学信息记录介质的半反射膜和反射膜，光学信息记录介质以及溅射靶 |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP5115762A patent/JPH06328854A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416681C (zh) * | 2004-06-29 | 2008-09-03 | 株式会社神户制钢所 | 用于光学信息记录介质的半反射膜和反射膜，光学信息记录介质以及溅射靶 |
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