JPH01225323A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01225323A JPH01225323A JP5212688A JP5212688A JPH01225323A JP H01225323 A JPH01225323 A JP H01225323A JP 5212688 A JP5212688 A JP 5212688A JP 5212688 A JP5212688 A JP 5212688A JP H01225323 A JPH01225323 A JP H01225323A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006266 Vinyl film Polymers 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＴＡＢ （
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法
の半導体装置の金属電極（金属バンプ）の高精度化と、
基板厚の高精度化を同時に実現することのできる半導体
装置の製造方法に関する。
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法
の半導体装置の金属電極（金属バンプ）の高精度化と、
基板厚の高精度化を同時に実現することのできる半導体
装置の製造方法に関する。
従来のＴＡＢ方法の半導体装置の製造方法としては例え
ば数μｍの薄いフォトレジストをマスクにして１０μｍ
〜２０μｍの厚い金属バンプなメッキにより形成し、フ
ォトレジストの除去等の必要な工程を経た後、半導体基
板厚を所望の厚さに調整するための基板の裏面の研削を
行なう方法がある。
ば数μｍの薄いフォトレジストをマスクにして１０μｍ
〜２０μｍの厚い金属バンプなメッキにより形成し、フ
ォトレジストの除去等の必要な工程を経た後、半導体基
板厚を所望の厚さに調整するための基板の裏面の研削を
行なう方法がある。
しかし上述の様な方法によると、■：バンプ厚がフォト
レジスト厚より薄いため、構成がりが大きくバンプピッ
チの微細化に対応できない、■：突出したバンプを保護
しながら裏面の研削を行なうために、表面に概ね１００
μｍ以上もの厚いビ丹−ルフィルムを貼付けて研削する
必要がある、等の不都合があった。特に■の問題を回避
するためにリストン等の厚いフォトレジストを用いる場
合でも、■の問題が避けられず、ビニールフィルム自身
の厚さのバラツキや貼付時の引っ張り具合による厚さの
バラツキが、研削後の半導体基板厚のバラツキとな、す
、精度よい基板厚が得にくいという欠点があった。
レジスト厚より薄いため、構成がりが大きくバンプピッ
チの微細化に対応できない、■：突出したバンプを保護
しながら裏面の研削を行なうために、表面に概ね１００
μｍ以上もの厚いビ丹−ルフィルムを貼付けて研削する
必要がある、等の不都合があった。特に■の問題を回避
するためにリストン等の厚いフォトレジストを用いる場
合でも、■の問題が避けられず、ビニールフィルム自身
の厚さのバラツキや貼付時の引っ張り具合による厚さの
バラツキが、研削後の半導体基板厚のバラツキとな、す
、精度よい基板厚が得にくいという欠点があった。
上述した従来の製法に対し、本発明はバンプピッチの微
細化を可能にしつつ、ビニールフィルム等の貼付けを要
さない裏面研削を実現することにより基板厚精度を向上
できるという相違点を有する。
細化を可能にしつつ、ビニールフィルム等の貼付けを要
さない裏面研削を実現することにより基板厚精度を向上
できるという相違点を有する。
即ち本発明は金属バンプより厚いフォトレジストを予め
形成しておき、次いで金属バンプを形成し、前記フォト
レジストを表面の保護膜としてそのまま用いて半導体基
板の裏面の研削を行なうことを特徴とする半導体装置の
製法である。本発明によれば金属バンプがフォトレジス
ト表面より低い位置にあるため、何らかの特別なバンプ
の保護を要さず裏面の研削が可能となり、精度高い研削
後の基板厚を得ることができ、それのみならずバンプの
横広がりがないのでバンプピッチの微細化にも十分対応
可能となる。
形成しておき、次いで金属バンプを形成し、前記フォト
レジストを表面の保護膜としてそのまま用いて半導体基
板の裏面の研削を行なうことを特徴とする半導体装置の
製法である。本発明によれば金属バンプがフォトレジス
ト表面より低い位置にあるため、何らかの特別なバンプ
の保護を要さず裏面の研削が可能となり、精度高い研削
後の基板厚を得ることができ、それのみならずバンプの
横広がりがないのでバンプピッチの微細化にも十分対応
可能となる。
次に、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図〜第２図は本発明の第１の実施例を示す断面図で
ある。第２図において半導体基板１上にシリコン酸化膜
２．シリコン窒化膜３．Ｐｔ／Ｔｉ膜配線４を形成した
後、例えばアクリル系フォトレジストを回転塗布するこ
とによりフォトレジスト膜５を形成する。アクリル系フ
ォトレジストを用いれば膜厚２０μｍ程度、均−性数μ
ｍ以内の良好な膜が形成できる。次いで通常の方法で露
光し、例えば１，１．１）リクロルエタン等で現像した
後、電解メッキ法により１５μｍ厚の金属バンプ６を形
成する（第２図）、然る後に平坦な多孔質の真空吸着機
により半導体基板表面を吸着させつつ、裏面をダイヤモ
ンドホイールにて研削し、所望の厚さに基板厚を調整す
る（第１図）。次いで前記フォトレジストを有機溶剤に
より除去する。
ある。第２図において半導体基板１上にシリコン酸化膜
２．シリコン窒化膜３．Ｐｔ／Ｔｉ膜配線４を形成した
後、例えばアクリル系フォトレジストを回転塗布するこ
とによりフォトレジスト膜５を形成する。アクリル系フ
ォトレジストを用いれば膜厚２０μｍ程度、均−性数μ
ｍ以内の良好な膜が形成できる。次いで通常の方法で露
光し、例えば１，１．１）リクロルエタン等で現像した
後、電解メッキ法により１５μｍ厚の金属バンプ６を形
成する（第２図）、然る後に平坦な多孔質の真空吸着機
により半導体基板表面を吸着させつつ、裏面をダイヤモ
ンドホイールにて研削し、所望の厚さに基板厚を調整す
る（第１図）。次いで前記フォトレジストを有機溶剤に
より除去する。
これにより横広がりのないバンプと精度よい基板厚を兼
ね備えた半導体装置力ｉ得られる。。
ね備えた半導体装置力ｉ得られる。。
第３図〜第４図は本発明の第２の実施例を示す断面図で
ある。本実施例においては第１の実施例と同様に金バン
プを形成した後、通常のゴム系フォトレジスト９を基板
表面に薄く（数μｍ）さらに被着して（第３図）から裏
面の研削を行なう（第４図）。本実施例では研削前後で
バンプ表面が薄いフォトレジストで覆われているので、
研削屑等の汚れがバンプ表面に付着することがなく、゛
バンプ表面の清浄度をより高く保つことができ
る。
ある。本実施例においては第１の実施例と同様に金バン
プを形成した後、通常のゴム系フォトレジスト９を基板
表面に薄く（数μｍ）さらに被着して（第３図）から裏
面の研削を行なう（第４図）。本実施例では研削前後で
バンプ表面が薄いフォトレジストで覆われているので、
研削屑等の汚れがバンプ表面に付着することがなく、゛
バンプ表面の清浄度をより高く保つことができ
る。
尚、第３図、第４図において第１図、第２図と同一の機
能の個所は同じ符号で示している。
能の個所は同じ符号で示している。
以上説明した様に本発明はバンプ形成に用いた厚いフォ
トレジストをそのまま裏面研削用の表面保護膜として用
いるため、研削後の基板厚の精度を非常に高くすること
ができ、あわせて横広がりのない精度よいバンプをも得
ることができるという大きな効果がある。
トレジストをそのまま裏面研削用の表面保護膜として用
いるため、研削後の基板厚の精度を非常に高くすること
ができ、あわせて横広がりのない精度よいバンプをも得
ることができるという大きな効果がある。
第１図および第２図は本発明の第１の実施例を示す断面
図、第３図および第４図は第２の実施例を示す断面図で
ある。 符号の説明、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・
・シリコン酸化膜、３・・・・・・シリコン窒（ｔＪ、
４・・・・・・Ｐｔ、／Ｔｉ膜、５・・・・・・アクリ
ル系フォトレジスト、６・・・・・・金バンプ、７・・
・・・・多孔質真空吸着機、８・・・・・・ダイヤモン
ドホイール、９・・・・・・ゴム系フォトレジスト。 代理人 弁理士 内 原 晋
図、第３図および第４図は第２の実施例を示す断面図で
ある。 符号の説明、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・
・シリコン酸化膜、３・・・・・・シリコン窒（ｔＪ、
４・・・・・・Ｐｔ、／Ｔｉ膜、５・・・・・・アクリ
ル系フォトレジスト、６・・・・・・金バンプ、７・・
・・・・多孔質真空吸着機、８・・・・・・ダイヤモン
ドホイール、９・・・・・・ゴム系フォトレジスト。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- フォトレジストを半導体基板表面上に被着する工程と
、前記フォトレジストを露光現像によりパターニングす
る工程と、前記フォトレジストパターンの開口部にメッ
キ法により、フォトレジスト厚より薄く金属電極を形成
する工程と、前記フォトレジストを除去せずに、半導体
基板表面を真空吸着機により吸着し、半導体基板裏面を
ダイヤモンドホイールで研削し、半導体基板厚を減少さ
せる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5212688A JPH01225323A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5212688A JPH01225323A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225323A true JPH01225323A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12906184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5212688A Pending JPH01225323A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225323A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051473A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの裏面研削方法 |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP5212688A patent/JPH01225323A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051473A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの裏面研削方法 |
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