JPH01223723A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH01223723A JPH01223723A JP4882188A JP4882188A JPH01223723A JP H01223723 A JPH01223723 A JP H01223723A JP 4882188 A JP4882188 A JP 4882188A JP 4882188 A JP4882188 A JP 4882188A JP H01223723 A JPH01223723 A JP H01223723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inert
- reaction chamber
- synthetic quartz
- gas
- quartz window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 26
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 16
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
この発明は、光化学気相成長を行う半導体製造装置に関
するものである。
するものである。
第３図は光化学気相成長を行う従来の半導体製造装置の
一例のａ急回である。
一例のａ急回である。
この図において、１は反応室、２は排気ポンプ、３は材
料ガス導入管、４はヒータ、５は基板、６は紫外線ラン
プ、７は不活性ガス導入管、８は合成石英窓、９は圧力
調整バルブである。
料ガス導入管、４はヒータ、５は基板、６は紫外線ラン
プ、７は不活性ガス導入管、８は合成石英窓、９は圧力
調整バルブである。
次に、従来の半導体製造装置の使用方法をを説明する。
まず、反応室１を排気ポンプ２によって真空に排気した
のち、材料ガス導入管３より材料ガスを反応室１内部に
導入して、反応室１内部の圧力をある一定の圧力（０，
１〜ｌ ００Ｔｏ ｒ ｒ程度）に保持する。この後、
紫外線ランプ６から合成石英窓８を通して反応室１内に
例又は（波長３００ｎｔｎ以下の）紫外光を照射すると
、反応室１内部の材料ガスが励起され、あらかじめヒー
タ４により一定の温度（１００〜４００℃程度）に加熱
された基板５上に分解されたものが薄膜となって形成さ
れる。このとき、紫外光が透過する合成石英窓８に、分
解生成物が付着するのを防止するため、照射される紫外
光に対して不活性なガス、例えば、ヘリウムガス、アル
ゴンガス、水素ガスを不活性ガス導入管７より合成石英
窓８に吹きつけるとともに、７士ンブリンオイルを塗布
している。しかし、合成石英窓８への分解生成物の付着
は避けられず、合成石英窓８に分解生成物が付着するご
とに、合成石英窓８を交換する必要があった。
のち、材料ガス導入管３より材料ガスを反応室１内部に
導入して、反応室１内部の圧力をある一定の圧力（０，
１〜ｌ ００Ｔｏ ｒ ｒ程度）に保持する。この後、
紫外線ランプ６から合成石英窓８を通して反応室１内に
例又は（波長３００ｎｔｎ以下の）紫外光を照射すると
、反応室１内部の材料ガスが励起され、あらかじめヒー
タ４により一定の温度（１００〜４００℃程度）に加熱
された基板５上に分解されたものが薄膜となって形成さ
れる。このとき、紫外光が透過する合成石英窓８に、分
解生成物が付着するのを防止するため、照射される紫外
光に対して不活性なガス、例えば、ヘリウムガス、アル
ゴンガス、水素ガスを不活性ガス導入管７より合成石英
窓８に吹きつけるとともに、７士ンブリンオイルを塗布
している。しかし、合成石英窓８への分解生成物の付着
は避けられず、合成石英窓８に分解生成物が付着するご
とに、合成石英窓８を交換する必要があった。
上記のような従来の半導体製造装置は、分解生成物が付
着した合成石英窓８を交換する場合に、反応室１を大気
にさらすことが必要であるうえ、その交換は１回の薄膜
形成ごとに行わなければ、反応室１内に照射される紫外
光がばらつき、再現性が得られないという問題点があっ
た。
着した合成石英窓８を交換する場合に、反応室１を大気
にさらすことが必要であるうえ、その交換は１回の薄膜
形成ごとに行わなければ、反応室１内に照射される紫外
光がばらつき、再現性が得られないという問題点があっ
た。
この発明（よ、かかる課題を解決するためにためになさ
れたもので、光入射窓の交換を頻繁に行うこと無く、薄
膜の形成が行え、再現性を高めることが可能な半導体製
造装置を得ることを目的とする。
れたもので、光入射窓の交換を頻繁に行うこと無く、薄
膜の形成が行え、再現性を高めることが可能な半導体製
造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、光入射窓に、入射さ
れる光に対して不活性なガスを噴出させる手段を設けた
ものである。
れる光に対して不活性なガスを噴出させる手段を設けた
ものである。
この発明においては、膜形成時に不活性なガスを絶えず
噴出させて光入射窓を覆うことによ′す、材料ガスおよ
び分解生成物が光入射窓に到達しなくなる。
噴出させて光入射窓を覆うことによ′す、材料ガスおよ
び分解生成物が光入射窓に到達しなくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の半導体製造装置の一実施例の概念図
である。
である。
この図において、１０はこの発明の光入射窓としての不
活性ガス導入合成石英窓で、不活性ガス導入管７が接続
されている。そして、その下面には第２図に示すような
不活性ガス噴出穴１１が設けられており、この不活性ガ
ス噴出穴１１より不活性ガスが反応室１内に噴出する。
活性ガス導入合成石英窓で、不活性ガス導入管７が接続
されている。そして、その下面には第２図に示すような
不活性ガス噴出穴１１が設けられており、この不活性ガ
ス噴出穴１１より不活性ガスが反応室１内に噴出する。
次に、使用方法について説明する。
薄膜形成は従来方法と同じであり、まず、反応室１を排
気ポンプ２によって排気したのち、材料ガス導入管３よ
り材料ガスを反応室１内部に導入して、反応室１内部の
圧力を圧力調整バルブ９によっである一定の圧力（０，
１〜１００Ｔｏ ｒ ｒ程度）に保持する。この後、紫
外線ランプ６から不活性ガス導入合成石英窓１０を通し
て反応室１内に紫外光を照射すると、反応室１内部の材
料ガスが励起され、あらかじめヒータ４により一定の温
度（１００〜４００℃程度）に加熱された基板５上に分
解されたものが薄膜となって形成される。
気ポンプ２によって排気したのち、材料ガス導入管３よ
り材料ガスを反応室１内部に導入して、反応室１内部の
圧力を圧力調整バルブ９によっである一定の圧力（０，
１〜１００Ｔｏ ｒ ｒ程度）に保持する。この後、紫
外線ランプ６から不活性ガス導入合成石英窓１０を通し
て反応室１内に紫外光を照射すると、反応室１内部の材
料ガスが励起され、あらかじめヒータ４により一定の温
度（１００〜４００℃程度）に加熱された基板５上に分
解されたものが薄膜となって形成される。
しかし、この発明の装置では、薄膜形成時に、紫外光が
透過する不活性ガス導入合成石英窓１０の不活性ガス噴
出穴１１からアルゴン、ヘリウム、水素などの不活性ガ
スが噴出されるため、噴出量を最適に調整すれば不活性
ガス導入合成石英窓１゜の近傍に分解生成物が存在しな
くなり、分解生成物が不活性ガス導入合成石英窓１ｏに
付着することがなくなる。
透過する不活性ガス導入合成石英窓１０の不活性ガス噴
出穴１１からアルゴン、ヘリウム、水素などの不活性ガ
スが噴出されるため、噴出量を最適に調整すれば不活性
ガス導入合成石英窓１゜の近傍に分解生成物が存在しな
くなり、分解生成物が不活性ガス導入合成石英窓１ｏに
付着することがなくなる。
したがって、不活性ガス導入合成石英窓１ｏの交換を頻
繁に行わなくとも、再現性良く膜形成を行うことができ
るほか、反応室１を大気にさらす回数を極力少なくする
ことができる。
繁に行わなくとも、再現性良く膜形成を行うことができ
るほか、反応室１を大気にさらす回数を極力少なくする
ことができる。
この発明は以上説明したとおり、光入射窓に、反応室内
に入射される光に対して不活性なガスを反応室内に噴出
させる手段を設けたので、光入射窓に分解生成物が付着
することがなくなり、光入射窓の交換を頻繁に行う必要
もなくなる。したがって、反応室を大気にさらす頻度が
さがり、形成する半導体に不純物が取り込まれる可能性
が減じ、半導体形成の再現性が高まるという効果がある
つ
に入射される光に対して不活性なガスを反応室内に噴出
させる手段を設けたので、光入射窓に分解生成物が付着
することがなくなり、光入射窓の交換を頻繁に行う必要
もなくなる。したがって、反応室を大気にさらす頻度が
さがり、形成する半導体に不純物が取り込まれる可能性
が減じ、半導体形成の再現性が高まるという効果がある
つ
第１図はこの発明の半導体製造装置の一実施例を示す概
念図、第２図は不活性ガス導入合成石英窓の下面図、第
３図は従来の半導体製造装置を示す概念図である。 図において、１は反応室、２は排気ポンプ、３は材料ガ
ス導入管、４はヒータ、５は基板、６は紫外線ランプ、
７は不活性ガス導入管、９は圧力調整バルブ、１０は不
活性ガス導入合成石英窓、１１は不活性ガス噴出穴であ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 １１ 不活中１がス１土穴 第３図
念図、第２図は不活性ガス導入合成石英窓の下面図、第
３図は従来の半導体製造装置を示す概念図である。 図において、１は反応室、２は排気ポンプ、３は材料ガ
ス導入管、４はヒータ、５は基板、６は紫外線ランプ、
７は不活性ガス導入管、９は圧力調整バルブ、１０は不
活性ガス導入合成石英窓、１１は不活性ガス噴出穴であ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 １１ 不活中１がス１土穴 第３図
Claims (1)
- 反応室内の材料ガスの励起、分解に光入射窓から入射
される光を用いて光化学気相成長を行う半導体製造装置
において、前記光入射窓に、前記反応室内に入射される
光に対して不活性なガスを前記反応室内に噴出させる手
段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4882188A JPH01223723A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4882188A JPH01223723A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223723A true JPH01223723A (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=12813887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4882188A Pending JPH01223723A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01223723A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043240A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Japan Storage Battery Co Ltd | 紫外線処理装置 |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP4882188A patent/JPH01223723A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043240A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Japan Storage Battery Co Ltd | 紫外線処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04358075A (ja) | 薄膜および多層膜の製造方法およびその製造装置 | |
| JPH05175135A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| EP0054189A1 (en) | Improved photochemical vapor deposition method | |
| JPH01223723A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3174787B2 (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPS63317675A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| Larciprete | Photoprocesses in organometallics | |
| JPH05198512A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH0572473B2 (ja) | ||
| JPH0830272B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| SU901352A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий | |
| JPH0717146Y2 (ja) | ウエハ処理装置 | |
| JPH0684538B2 (ja) | 炭素薄膜の形成方法及びその装置 | |
| JPS61119028A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
| JPS60236215A (ja) | レ−ザｃｖｄ方法 | |
| JPS6052013A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPS6161665B2 (ja) | ||
| JPH06168897A (ja) | 光励起化学蒸着式薄膜形成装置 | |
| JPH03104867A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH0422902A (ja) | ファブリ・ペローエタロンの製法方法 | |
| JPS6128443A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
| JPS62136017A (ja) | レ−ザ−励起ｃｖｄ法によるアモルフアスシリコンの製造方法 | |
| JPS6281020A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPS63114972A (ja) | 光化学反応利用装置 | |
| JPS63314828A (ja) | 光ｃｖｄ装置 |