JPS62136017A - レ−ザ−励起ｃｖｄ法によるアモルフアスシリコンの製造方法 - Google Patents
レ−ザ−励起ｃｖｄ法によるアモルフアスシリコンの製造方法Info
- Publication number
- JPS62136017A JPS62136017A JP27607285A JP27607285A JPS62136017A JP S62136017 A JPS62136017 A JP S62136017A JP 27607285 A JP27607285 A JP 27607285A JP 27607285 A JP27607285 A JP 27607285A JP S62136017 A JPS62136017 A JP S62136017A
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- Japan
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- gas
- amorphous silicon
- laser
- material gas
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
未発明は、珪素含有化合物ガスを分解することによりア
モルファスシリコンを製造する方法に関し、特にレーザ
ー照射により珪素含有化合物ガスを分解するようにした
レーザー励起ＣＶＤ法によるアモルファスシリコンの製
造方法に関する。
モルファスシリコンを製造する方法に関し、特にレーザ
ー照射により珪素含有化合物ガスを分解するようにした
レーザー励起ＣＶＤ法によるアモルファスシリコンの製
造方法に関する。
従来のレーザー励起ＣＶＤ法によるアモルファスシリコ
ンの製造に用いられている装置の概略が第１図に示され
ている。真空室ｌ内をロータリーポンプ２及び油拡散ポ
ンプ３で排気した後、珪素含有化合物ガス、例えばＳ
ｔ Ｈａを入口４から真空室ｌ内に導入する。勿論ａ−
５ＩのＰ、Ｎ制御の為にホスフィン（ＰＨ２）或いはボ
ラン（Ｂ２Ｈ２）の如き添加物を同時に導入してもよい
。予め真空室ｌ内に配置されていた基板５は必要に応し
加熱して予定の基板温度にしておく。真空室１の上部に
設けられた石英製窓６を通し、炭酸ガスレーザーの如き
レーザー光によって基板５上を照射する。基板５上のレ
ーザーが照射された付近の材料ガスは光励起され、ラジ
カルやイオンに分解し、アモルファスシリコンとなって
基板５上に堆積していく。
ンの製造に用いられている装置の概略が第１図に示され
ている。真空室ｌ内をロータリーポンプ２及び油拡散ポ
ンプ３で排気した後、珪素含有化合物ガス、例えばＳ
ｔ Ｈａを入口４から真空室ｌ内に導入する。勿論ａ−
５ＩのＰ、Ｎ制御の為にホスフィン（ＰＨ２）或いはボ
ラン（Ｂ２Ｈ２）の如き添加物を同時に導入してもよい
。予め真空室ｌ内に配置されていた基板５は必要に応し
加熱して予定の基板温度にしておく。真空室１の上部に
設けられた石英製窓６を通し、炭酸ガスレーザーの如き
レーザー光によって基板５上を照射する。基板５上のレ
ーザーが照射された付近の材料ガスは光励起され、ラジ
カルやイオンに分解し、アモルファスシリコンとなって
基板５上に堆積していく。
前記従来法では、真空室ｌ内全域に珪素含有化合物ガス
及び必要に応じその他材料ガスを導入するためガスの使
用量が多く、その利用効率も低い。
及び必要に応じその他材料ガスを導入するためガスの使
用量が多く、その利用効率も低い。
更に実際に反応が起こる基板５近傍のガス量及び濃度の
制御が難しく、成■り速度も遅い。更に未反応のガスや
成膜に使用されなかったラジカルやイオンが真空室ｌ内
に漂っている時間が長い為に反応副生成物が発生し易く
、ＩＩＩ質の劣化、ひいてはそのアモルファスシリコン
膜を用いたデバイスの特性の劣化を招くことがある。
制御が難しく、成■り速度も遅い。更に未反応のガスや
成膜に使用されなかったラジカルやイオンが真空室ｌ内
に漂っている時間が長い為に反応副生成物が発生し易く
、ＩＩＩ質の劣化、ひいてはそのアモルファスシリコン
膜を用いたデバイスの特性の劣化を招くことがある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明の目的
は、前記従来法の欠点を解消することにあり、その目的
を、基板の限定された領域へ向けて珪素含有化合物ガス
及び必要に応しその他の材料ガスを送り、その限定され
た領域をレーザーで照射し、材料ガスの流れの下流で然
も前記領域の近傍に使用済みガスの吸入口を設け、ガス
を系外へ速やかに排出する手段を設けることにより達成
するものである。
は、前記従来法の欠点を解消することにあり、その目的
を、基板の限定された領域へ向けて珪素含有化合物ガス
及び必要に応しその他の材料ガスを送り、その限定され
た領域をレーザーで照射し、材料ガスの流れの下流で然
も前記領域の近傍に使用済みガスの吸入口を設け、ガス
を系外へ速やかに排出する手段を設けることにより達成
するものである。
本発明方法を実施するのに好ましい装置の概略を第２図
及び第３図に示す。
及び第３図に示す。
真空室１内に配置された基板５上には、Ｓ ｉ ！（。
等の材料ガスを基板５の限定された領域へのみ送るため
の噴出部材７が配置されており、その噴出部材７はガス
導入管４に連結されている。噴出部材７は第３図に示す
如く多数の噴出口を備えた噴出管でもよい。基板５上の
噴出部材７より噴出された材料ガスが基板５と衝突する
位置付近へ向けてレーザーを照射できるようにしておく
。基板５に衝突したガスが流れる下流で然もガスが衝突
する限られた基板領域の近くに、ガス吸入部材８が設け
られており、そのガス吸入部材８はガス排出系９に連結
されている。
の噴出部材７が配置されており、その噴出部材７はガス
導入管４に連結されている。噴出部材７は第３図に示す
如く多数の噴出口を備えた噴出管でもよい。基板５上の
噴出部材７より噴出された材料ガスが基板５と衝突する
位置付近へ向けてレーザーを照射できるようにしておく
。基板５に衝突したガスが流れる下流で然もガスが衝突
する限られた基板領域の近くに、ガス吸入部材８が設け
られており、そのガス吸入部材８はガス排出系９に連結
されている。
基板５は駆動装置１０を備えた基板支持体１１上に配置
され、駆動装置１０を操作することにより基板５の希望
の範囲に亘ってアモルファスシリコン層の形成を行うこ
とができるようになっている。
され、駆動装置１０を操作することにより基板５の希望
の範囲に亘ってアモルファスシリコン層の形成を行うこ
とができるようになっている。
前記の如く構成された装置を用い、例えば次の９０くし
でアモルファスシリコンの形成を行うことができる。
でアモルファスシリコンの形成を行うことができる。
真空室１内をロータリーポンプ２及び油拡散ポンプ３を
用いて排気する。必要に応じ予め加熱された基板上にＳ
、Ｈ，等の材料ガスを基板５の限られた領域の近傍に設
けられた噴出部材７より基板５上へ放出する。基板５の
その限定された領域のレーザー照射面を基準として噴出
部材７と対称的な位置に設けたガス吸入部材８に連結し
たガス排出系のバルブ１５を開とし、基板周辺のガスは
主にここから排気される。この時真空室１内も所定の圧
力となる様に真空室用排気系１２のパルプも適当に開け
ておく。炭酸ガスレーザーのスイッチを入れ、必要に応
じ偏光器１４及び基板支持体１１の駆動装置１０を操作
し、基板５の所定の位置にレーザー光を照射していく。
用いて排気する。必要に応じ予め加熱された基板上にＳ
、Ｈ，等の材料ガスを基板５の限られた領域の近傍に設
けられた噴出部材７より基板５上へ放出する。基板５の
その限定された領域のレーザー照射面を基準として噴出
部材７と対称的な位置に設けたガス吸入部材８に連結し
たガス排出系のバルブ１５を開とし、基板周辺のガスは
主にここから排気される。この時真空室１内も所定の圧
力となる様に真空室用排気系１２のパルプも適当に開け
ておく。炭酸ガスレーザーのスイッチを入れ、必要に応
じ偏光器１４及び基板支持体１１の駆動装置１０を操作
し、基板５の所定の位置にレーザー光を照射していく。
このレーザー光照射により、照射点付近の材料ガスは励
起されてラジカルやイオンに分解され、アモルファスシ
リコンとなって基板５の表面に堆積していく。未反応ガ
ス及び基板５に堆積しなかったラジカル等は、前記基板
５近傍に配置したガス吸入部材８により吸引し、排気す
る。
起されてラジカルやイオンに分解され、アモルファスシ
リコンとなって基板５の表面に堆積していく。未反応ガ
ス及び基板５に堆積しなかったラジカル等は、前記基板
５近傍に配置したガス吸入部材８により吸引し、排気す
る。
本発明による効果及び利点としては次のような点を挙げ
ることができる。
ることができる。
ｌ）ｊ仕積させようとする基板上に直接材料ガスを吹き
付ける為ガスの使用量が従来の真空室内全域に導入する
方法に比べて少なくて済む。
付ける為ガスの使用量が従来の真空室内全域に導入する
方法に比べて少なくて済む。
２） ｌ）の理由により材料ガスの利用効率も高く、
堆積速度も大きい。
堆積速度も大きい。
３） 基板近傍にガスの吸入口を設けたことにより、未
反応ガス及び成膜に使用されなかったラジカル等は速や
かに真空室外へ排気され、基板表面近傍における二次的
な反応副生成物の生成もなく、良質なアモルファスシリ
コンが得られる。
反応ガス及び成膜に使用されなかったラジカル等は速や
かに真空室外へ排気され、基板表面近傍における二次的
な反応副生成物の生成もなく、良質なアモルファスシリ
コンが得られる。
４） 従来の様に基板の微小部分への選択的成膜も可能
であるが、駆動装置、レーザー光偏光器を操作すること
により大面積に均一に効率より成膜させることができる
。
であるが、駆動装置、レーザー光偏光器を操作すること
により大面積に均一に効率より成膜させることができる
。
５） 基板がベルト状や円筒状のものでも同様な方法に
より均一で良好なアモルファスシリコンが得られる為、
電子写真用感光体の製造などにも反応が可能である。
より均一で良好なアモルファスシリコンが得られる為、
電子写真用感光体の製造などにも反応が可能である。
６） 本発明の方法は、レーザー励起ＣＶＤ法を用いて
行われる全てのアモルファスシリコンの成膜、に通用す
ることができる。例えばアモルファスシリコン薄膜トラ
ンジスター、アモルファスシリコンイメージセンサ−、
アモルファスシリコン電子写真用感光体などの製造の際
に通用することができる。
行われる全てのアモルファスシリコンの成膜、に通用す
ることができる。例えばアモルファスシリコン薄膜トラ
ンジスター、アモルファスシリコンイメージセンサ−、
アモルファスシリコン電子写真用感光体などの製造の際
に通用することができる。
第１図は従来のアモルファスシリコン膜形成に用いられ
る装置の概略図、第２図は本発明の方法を適用したアモ
ルファスシリコン膜形成に用いられる装置の概略図、第
３図は第２図に示した装置における材料ガス噴出部材、
ガス喚入部材、照射されるレーザーの相対的関係を示す
概略図である。 １・・・・真空室、４・・・・材料ガス導入管、５基板
、７・・・・材料ガス噴出部材、８・・・・ガス吸入部
材、ｌＯ・・・・駆動部材、１１・・・・基板支持体。 第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和６１年１２月９日
る装置の概略図、第２図は本発明の方法を適用したアモ
ルファスシリコン膜形成に用いられる装置の概略図、第
３図は第２図に示した装置における材料ガス噴出部材、
ガス喚入部材、照射されるレーザーの相対的関係を示す
概略図である。 １・・・・真空室、４・・・・材料ガス導入管、５基板
、７・・・・材料ガス噴出部材、８・・・・ガス吸入部
材、ｌＯ・・・・駆動部材、１１・・・・基板支持体。 第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和６１年１２月９日
Claims (1)
- 基板上で珪素含有材料ガスをレーザー照射により分解し
てアモルファスシリコン層を基板上に形成するレーザー
励起ＣＶＤ法によるアモルファスシリコンの製造方法に
おいて、前記基板を移動できる駆動装置を備えた基板支
持体上に前記基板を配置し、前記基板上の限定された領
域上に向けてその近くから前記材料ガスを放出し、前記
領域へレーザーを照射して前記材料ガスを分解し、前記
放出ガスの下流で且つ前記領域の近くに配置された吸入
部材により使用済み材料ガスを吸引して系外へ排出し、
前記基板を移動させることにより希望の範囲に亘って基
板上にアモルファスシリコン層を形成するようにしたこ
とを特徴とするレーザー励起ＣＶＤ法によるアモルファ
スシリコンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27607285A JPS62136017A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | レ−ザ−励起ｃｖｄ法によるアモルフアスシリコンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27607285A JPS62136017A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | レ−ザ−励起ｃｖｄ法によるアモルフアスシリコンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136017A true JPS62136017A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17564409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27607285A Pending JPS62136017A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | レ−ザ−励起ｃｖｄ法によるアモルフアスシリコンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136017A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475285B2 (en) * | 2000-03-28 | 2002-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition apparatus |
| CN108570664A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | Hb技术有限公司 | 薄膜形成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266884A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process for forming film on base material |
| JPS5961920A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法およびその装置 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP27607285A patent/JPS62136017A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266884A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process for forming film on base material |
| JPS5961920A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法およびその装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475285B2 (en) * | 2000-03-28 | 2002-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition apparatus |
| CN108570664A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | Hb技术有限公司 | 薄膜形成装置 |
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