JPH0572473B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0572473B2 JPH0572473B2 JP12845586A JP12845586A JPH0572473B2 JP H0572473 B2 JPH0572473 B2 JP H0572473B2 JP 12845586 A JP12845586 A JP 12845586A JP 12845586 A JP12845586 A JP 12845586A JP H0572473 B2 JPH0572473 B2 JP H0572473B2
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- light
- cvd
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光CVD装置における光入射窓への堆
積防止方法に関するものである。
積防止方法に関するものである。
光CVD装置は反応室内に基板を設置し、原料
ガスを導入しかつ、原料ガスを分解する光を入射
窓から入射させ分解した物質を基板上に堆積させ
るものである。このような光CVD装置において
は、成長時間が長くなると、本来成長を生じさせ
るべき基板の上だけでなく光入射窓の上にも堆積
が進行する。この堆積物は入射窓の入射光透過率
を著しく下げる。従つて長時間のCVDにおいて
は成膜のエネルギー源である入射光の強度が徐々
に弱まり、この結果堆積速度の低下をまねくこと
になる。これを避ける方法として従来は入射窓へ
不活性ガスを吹付ける方法がとられてきた。この
方法は入射窓表面に積極的に不活性ガスを送るこ
とによつて、CVD原料ガスが窓付近へ到達する
確率を低くし、窓上でのCVD原料ガスの光分解
を防止しようというものである。この方法では、
窓への堆積物の堆積速度を減ずることはできる
が、原料ガスの窓付近のまわり込みは完全には避
けられず、長時間のCVDでは窓への堆積物の影
響をまぬがれない。この方法を改善したものとし
て窓を２重構造にする方法が沼沢らによつて60年
度春季電子通信学会全国大会予稿集の講演番号１
−322の論文中に発表されている。この方法は原
料ガスの窓付近へのまわり込みを低減するため
に、上記の窓と基板の間にCVDガスが窓方向へ
流入するのを防止するための第２の窓を設け両窓
間に不活性ガスを流している。又、第２の窓には
微細な孔を一面にあけ、不活性ガスが第２の窓表
面を拡散するようにしている。この方法を用いれ
ば、さらに窓への堆積速度は低減するがやはり長
時間のCVDではCVD原料ガスの影響が避けられ
ない。本発明の目的はこのような従来の問題を解
決した光堆積方法を得ることにある。
ガスを導入しかつ、原料ガスを分解する光を入射
窓から入射させ分解した物質を基板上に堆積させ
るものである。このような光CVD装置において
は、成長時間が長くなると、本来成長を生じさせ
るべき基板の上だけでなく光入射窓の上にも堆積
が進行する。この堆積物は入射窓の入射光透過率
を著しく下げる。従つて長時間のCVDにおいて
は成膜のエネルギー源である入射光の強度が徐々
に弱まり、この結果堆積速度の低下をまねくこと
になる。これを避ける方法として従来は入射窓へ
不活性ガスを吹付ける方法がとられてきた。この
方法は入射窓表面に積極的に不活性ガスを送るこ
とによつて、CVD原料ガスが窓付近へ到達する
確率を低くし、窓上でのCVD原料ガスの光分解
を防止しようというものである。この方法では、
窓への堆積物の堆積速度を減ずることはできる
が、原料ガスの窓付近のまわり込みは完全には避
けられず、長時間のCVDでは窓への堆積物の影
響をまぬがれない。この方法を改善したものとし
て窓を２重構造にする方法が沼沢らによつて60年
度春季電子通信学会全国大会予稿集の講演番号１
−322の論文中に発表されている。この方法は原
料ガスの窓付近へのまわり込みを低減するため
に、上記の窓と基板の間にCVDガスが窓方向へ
流入するのを防止するための第２の窓を設け両窓
間に不活性ガスを流している。又、第２の窓には
微細な孔を一面にあけ、不活性ガスが第２の窓表
面を拡散するようにしている。この方法を用いれ
ば、さらに窓への堆積速度は低減するがやはり長
時間のCVDではCVD原料ガスの影響が避けられ
ない。本発明の目的はこのような従来の問題を解
決した光堆積方法を得ることにある。
上記の問題点を解決するために、本発明の光堆
積方法においては以下の手段を用いることを特徴
とする。光を用いる成膜装置にとり付けられた光
入射用の窓へ付着する成膜用の原料ガスからの堆
積物と反応して揮発性化合物を生成するエツチン
グガスを入射窓に吹きつけるとともにエツチング
ガスを光を利用して活性化することを特徴とす
る。
積方法においては以下の手段を用いることを特徴
とする。光を用いる成膜装置にとり付けられた光
入射用の窓へ付着する成膜用の原料ガスからの堆
積物と反応して揮発性化合物を生成するエツチン
グガスを入射窓に吹きつけるとともにエツチング
ガスを光を利用して活性化することを特徴とす
る。
本発明においては、CVDによる堆積物が活性
化された特定ガスと反応して揮発性化合物となり
堆積基板から離脱することを利用して、光CVD
過程において生成した入射窓への堆積物を、窓へ
この堆積物と反応して揮発性化合物を生じさせる
エツチングガスを吹きつけ、CVD用光源を利用
してこのガスを活性化し窓への堆積物を揮発性化
合物として窓から離脱させる。エツチングガスが
CVD用光源では活性化しにくい、又はしない場
合には、別途、特定波長の光照射を利用して反応
を促がし堆積物を入射窓材から離脱させる。
化された特定ガスと反応して揮発性化合物となり
堆積基板から離脱することを利用して、光CVD
過程において生成した入射窓への堆積物を、窓へ
この堆積物と反応して揮発性化合物を生じさせる
エツチングガスを吹きつけ、CVD用光源を利用
してこのガスを活性化し窓への堆積物を揮発性化
合物として窓から離脱させる。エツチングガスが
CVD用光源では活性化しにくい、又はしない場
合には、別途、特定波長の光照射を利用して反応
を促がし堆積物を入射窓材から離脱させる。
以下本発明を光CVDによるアモルフアスシリ
コンの成長に適用した実施例を図面を参照して詳
細に説明する。この実施例は、エツチングガスを
励起光源以外の光を用いて活性化する場合の実施
例である。本発明において使用した装置は、低圧
水銀ランプ６を成膜の励起源に使用する光CVD
装置に加えて、入射窓へのCl2ガス吹付けノズル
１１、Cl2ガス活性化のためのXeClレーザ光照射
用側面窓１０、窓側室と反応室を分離するための
分離障壁７、窓側室内のCl2ガスが反応室に入り
込むことを避けるための窓側室用ロータリーポン
プ３を有することを特徴とする。図において、ジ
シランSi2H4は低圧水銀ランプ（185mm、254mm）
６により光化学分離されてSi基板１上にアモルフ
アスシリコン膜が形成する。この際低圧水銀ラン
プ６を照射するための合成石英製の入射窓８上に
アモルフアスシリコンが堆積するのを避けるため
Cl2ガスをノズル１１によつて入射窓８に吹きつ
ける。又、Cl2ガスを活性化して励起状態にしア
モルフアスシリコンとの反応を促がす光源として
Cl2ガスの吸収波長に発振波長を有するXeClレー
ザ９の光を側面窓１０を通してこのCl2ガスに照
射した。又、Cl2ガスのSi基板１上にへのまわり
込みを避けるため入射窓８とSi基板１の間に分離
障壁７を設け窓側室５と反応室２を別々に排気す
る。この時Cl2ガスが基板には廻り込まないよう
にさせるため窓側室５が反応室２より低圧となる
ようにする。このため窓側室用のロータリーポン
プ３は、反応室用ロータリーポンプ４に較べ排気
速度の大きいものを選んだ。
コンの成長に適用した実施例を図面を参照して詳
細に説明する。この実施例は、エツチングガスを
励起光源以外の光を用いて活性化する場合の実施
例である。本発明において使用した装置は、低圧
水銀ランプ６を成膜の励起源に使用する光CVD
装置に加えて、入射窓へのCl2ガス吹付けノズル
１１、Cl2ガス活性化のためのXeClレーザ光照射
用側面窓１０、窓側室と反応室を分離するための
分離障壁７、窓側室内のCl2ガスが反応室に入り
込むことを避けるための窓側室用ロータリーポン
プ３を有することを特徴とする。図において、ジ
シランSi2H4は低圧水銀ランプ（185mm、254mm）
６により光化学分離されてSi基板１上にアモルフ
アスシリコン膜が形成する。この際低圧水銀ラン
プ６を照射するための合成石英製の入射窓８上に
アモルフアスシリコンが堆積するのを避けるため
Cl2ガスをノズル１１によつて入射窓８に吹きつ
ける。又、Cl2ガスを活性化して励起状態にしア
モルフアスシリコンとの反応を促がす光源として
Cl2ガスの吸収波長に発振波長を有するXeClレー
ザ９の光を側面窓１０を通してこのCl2ガスに照
射した。又、Cl2ガスのSi基板１上にへのまわり
込みを避けるため入射窓８とSi基板１の間に分離
障壁７を設け窓側室５と反応室２を別々に排気す
る。この時Cl2ガスが基板には廻り込まないよう
にさせるため窓側室５が反応室２より低圧となる
ようにする。このため窓側室用のロータリーポン
プ３は、反応室用ロータリーポンプ４に較べ排気
速度の大きいものを選んだ。
入射窓８の内壁に堆積したアモルフアスシリコ
ンをCl2ガスによつて光エツチングしながらCVD
を行うことにより、数時間堆積速度一定のまま
CVDを行なうことができた。入射窓８は石英製
であるのでCl2ガスとXeClレーザではエツチング
されないので、長時間のCVDにおいても損傷を
生じることはなかつた。また、Cl2ガスの基板へ
のまわり込みの影響もほとんどなく、形成したア
モルフアスシリコンの膜質も、不活性ガスを窓材
吹付けに用いた場合と較べ遜色はなかつた。なお
この実施例では、Cl2ガスの活性化にXeｌレーザ
を用いているが、必らずしもXeClレーザ光を使
用する必要はなく、CVD励起源である低圧水銀
ランプの254mm光を利用してもよい。但しこの場
合はエツチングの効率がXeClレーザに較べて下
がる。
ンをCl2ガスによつて光エツチングしながらCVD
を行うことにより、数時間堆積速度一定のまま
CVDを行なうことができた。入射窓８は石英製
であるのでCl2ガスとXeClレーザではエツチング
されないので、長時間のCVDにおいても損傷を
生じることはなかつた。また、Cl2ガスの基板へ
のまわり込みの影響もほとんどなく、形成したア
モルフアスシリコンの膜質も、不活性ガスを窓材
吹付けに用いた場合と較べ遜色はなかつた。なお
この実施例では、Cl2ガスの活性化にXeｌレーザ
を用いているが、必らずしもXeClレーザ光を使
用する必要はなく、CVD励起源である低圧水銀
ランプの254mm光を利用してもよい。但しこの場
合はエツチングの効率がXeClレーザに較べて下
がる。
以上説明したように、本発明によれば光CVD
過程中に、光照射窓への堆積物に対しては光エツ
チングを同時に行なうことにより、窓の透過率を
減ずることなく長時間の光CVDを行なうことが
できる。
過程中に、光照射窓への堆積物に対しては光エツ
チングを同時に行なうことにより、窓の透過率を
減ずることなく長時間の光CVDを行なうことが
できる。
第１図は本発明を適用した１実施例を示す模式
図である。 １……Si基板、２……反応室、３……窓側室用
ロータリーポンプ、４……反応室用ロータリーポ
ンプ、５……窓側室、６……低圧水銀ランプ、７
……分離障壁、８……入射窓、９……XeClレー
ザ、１０……側面壁、１１……ノズル。
図である。 １……Si基板、２……反応室、３……窓側室用
ロータリーポンプ、４……反応室用ロータリーポ
ンプ、５……窓側室、６……低圧水銀ランプ、７
……分離障壁、８……入射窓、９……XeClレー
ザ、１０……側面壁、１１……ノズル。
Claims (1)
- １ 反応室内に基板を設置し、この基板上に原料
ガスを導入するとともに、外部より原料ガスを分
解する光を反応室の窓を通して入射させて基板上
に薄膜を堆積する光堆積方法において、反応室の
光入射窓にその窓に付着する堆積物と反応して揮
発性化合物を生成するエツチングガスを吹きつけ
るとともに、このエツチングガスを活性化する光
を導入することを特徴とする光堆積方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12845586A JPS62284080A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光堆積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12845586A JPS62284080A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光堆積方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284080A JPS62284080A (ja) | 1987-12-09 |
| JPH0572473B2 true JPH0572473B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14985130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12845586A Granted JPS62284080A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 光堆積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62284080A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5258241B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2013-08-07 | 日本エー・エス・エム株式会社 | Ｕｖ照射チャンバーをクリーニングする方法 |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12845586A patent/JPS62284080A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62284080A (ja) | 1987-12-09 |
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