JPH01214138A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01214138A JPH01214138A JP4115688A JP4115688A JPH01214138A JP H01214138 A JPH01214138 A JP H01214138A JP 4115688 A JP4115688 A JP 4115688A JP 4115688 A JP4115688 A JP 4115688A JP H01214138 A JPH01214138 A JP H01214138A
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-
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- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特性上アルミ合金を配線及びボンディングパッ
ドとして使用する半導体装置に関し、特に配線およびボ
ンディングパッドの耐食性の改善に関する。
ドとして使用する半導体装置に関し、特に配線およびボ
ンディングパッドの耐食性の改善に関する。
従来、アルミ合金を配線材料として使用する場合ボンデ
ィングパッド配線の表面は、構成元素であるアルミニウ
ムと、添加元素、シリコンもしくは銅などの合金となっ
ていた。
ィングパッド配線の表面は、構成元素であるアルミニウ
ムと、添加元素、シリコンもしくは銅などの合金となっ
ていた。
LSIの配線材料はアルミニウムに少量の添加元素を加
えたアルミ合金が広く使用されている。
えたアルミ合金が広く使用されている。
特に高集積された微細LSIではアルミニウムーシリコ
ン合金や、アルミニウムー銅−シリコン合金の使用は浅
いPn接合へのオーミックコンタクトを形成し、耐マイ
グレーシヨン耐量の改善のため必要となっているが、一
方で、アルミ合金は純アルミニウムと比べ均一な酸化保
護膜を生成せず、また合金元素間でイオン化傾向の異な
る為ガルバニック腐食を生じやすく耐食性が純アルミニ
ウムより悪いという欠点がある。
ン合金や、アルミニウムー銅−シリコン合金の使用は浅
いPn接合へのオーミックコンタクトを形成し、耐マイ
グレーシヨン耐量の改善のため必要となっているが、一
方で、アルミ合金は純アルミニウムと比べ均一な酸化保
護膜を生成せず、また合金元素間でイオン化傾向の異な
る為ガルバニック腐食を生じやすく耐食性が純アルミニ
ウムより悪いという欠点がある。
本発明の半導体装置の配線およびボンディングパッドは
下地にアルミニウムと小量、添加元素として銅やシリコ
ンを含むアルミ合金層と、そのアルミ合金層の上層に純
アルミニウム層を有している。
下地にアルミニウムと小量、添加元素として銅やシリコ
ンを含むアルミ合金層と、そのアルミ合金層の上層に純
アルミニウム層を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例でボンディングパッド部分の
縦断面図である。第1図において、酸化膜1を下地とし
て、スパッタ法などによりアルミ合金層2を付ける。連
続して純アルミニウム層3を形成し保護膜4を形成して
ボンディングパッドを形成する。
縦断面図である。第1図において、酸化膜1を下地とし
て、スパッタ法などによりアルミ合金層2を付ける。連
続して純アルミニウム層3を形成し保護膜4を形成して
ボンディングパッドを形成する。
第2図は本発明の実施例2の縦断面図である。
7ノペ合金層2と、純アルミニウム層3の中間に高融点
金属薄膜タングステン膜5を、熱拡散防止用のバリアと
して使用している。
金属薄膜タングステン膜5を、熱拡散防止用のバリアと
して使用している。
以上説明したように本発明はアルミ配線やアルミボンデ
ィングパッドの表面を純アルミニウム層で被覆し、化学
的な活性なアルミ合金層を下層とする多層構造を採用す
ることにより化学的に安定で腐食に強いアルミ配線やア
ルミポンデイソゲバッドを得られる効果がある。
ィングパッドの表面を純アルミニウム層で被覆し、化学
的な活性なアルミ合金層を下層とする多層構造を採用す
ることにより化学的に安定で腐食に強いアルミ配線やア
ルミポンデイソゲバッドを得られる効果がある。
第1図は本発明の一実施例のボンディングパッド部分の
縦断面図である。 1・・・・・・酸化膜、2・・・・・・純アルミニウム
層、3・・・・・・アルミ合金層、4・・・・・・保護
膜、第2図は本発明の実施例2のボンディングパッド部
分の縦断面図である。 1・・・・・・酸化膜、2・・・・・・純アルミニウム
層、3・・・・・・アルミ合金層、4・・・・・・保護
膜、5・・・・・・高融点金属層。 代理人 弁理士 内 原 音
縦断面図である。 1・・・・・・酸化膜、2・・・・・・純アルミニウム
層、3・・・・・・アルミ合金層、4・・・・・・保護
膜、第2図は本発明の実施例2のボンディングパッド部
分の縦断面図である。 1・・・・・・酸化膜、2・・・・・・純アルミニウム
層、3・・・・・・アルミ合金層、4・・・・・・保護
膜、5・・・・・・高融点金属層。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- アルミ合金層を下層として純アルミ層を上層とする多
層構造のボンディングパッドと配線を有することを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4115688A JPH01214138A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4115688A JPH01214138A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01214138A true JPH01214138A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12600558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4115688A Pending JPH01214138A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01214138A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08220382A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nec Corp | 2次元光ファイバアレイ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP4115688A patent/JPH01214138A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08220382A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nec Corp | 2次元光ファイバアレイ及びその製造方法 |
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