JPH01209768A - 有機太陽電池 - Google Patents
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- JPH01209768A JPH01209768A JP63033997A JP3399788A JPH01209768A JP H01209768 A JPH01209768 A JP H01209768A JP 63033997 A JP63033997 A JP 63033997A JP 3399788 A JP3399788 A JP 3399788A JP H01209768 A JPH01209768 A JP H01209768A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は有機太陽電池に関するものである。
〈従来の技術とその問題点〉
有機太陽電池はシリコンなどと有機色素間にpn接合を
形成させ、あるいは金属と有機色素を結合し、光エネル
ギーを電気エネルギーに変換させるものであり、例えば
、クロロフィルなどの天然色素、メロシアニン、フタロ
シアニンなどの合成色素・顔料、ポリアセチレンなどの
導電性高分子材料、あるいはそれらの複合材料を用いて
真空蒸着やキャスト法により薄膜化したものが知られて
いる。
形成させ、あるいは金属と有機色素を結合し、光エネル
ギーを電気エネルギーに変換させるものであり、例えば
、クロロフィルなどの天然色素、メロシアニン、フタロ
シアニンなどの合成色素・顔料、ポリアセチレンなどの
導電性高分子材料、あるいはそれらの複合材料を用いて
真空蒸着やキャスト法により薄膜化したものが知られて
いる。
有機太陽電池は、従来のシリコン、ダルマニウム等の単
結晶にpn接合を形成させたものに比べ、峰済性に秀れ
、安価に製造できるという利点を有している之め、民生
用の太陽電池として近年、着目され、開発されているも
のである。
結晶にpn接合を形成させたものに比べ、峰済性に秀れ
、安価に製造できるという利点を有している之め、民生
用の太陽電池として近年、着目され、開発されているも
のである。
ところで、一般に有機光導電材料を太陽電池として用い
る場合、生成した光キャリアは有機光導電層と金属電極
間に形成されるショットキー接合のポテンシャル差に従
って、移動し、光起電力を発生するが、有機光導電材料
を含む層には、キャリアトラップが多くキャリアモビリ
ティ−が低いなどキャリアの輸送性に難があるため、有
機光導を層を電荷発生物質と電荷輸送物質に機能分離・
させ、キャリアの流れをスムーズに行なうという新しい
形態が考案されている。
る場合、生成した光キャリアは有機光導電層と金属電極
間に形成されるショットキー接合のポテンシャル差に従
って、移動し、光起電力を発生するが、有機光導電材料
を含む層には、キャリアトラップが多くキャリアモビリ
ティ−が低いなどキャリアの輸送性に難があるため、有
機光導を層を電荷発生物質と電荷輸送物質に機能分離・
させ、キャリアの流れをスムーズに行なうという新しい
形態が考案されている。
しかしこのような機能分離型の有機太陽電池に用込る電
荷輸送物質は、その大部分が短波長光に吸収を持つため
、太陽光などの光を長時間照射すると、電荷輸送物質の
異性化に伴うキャリアトラップの増加やモビリティの低
下を生じ、キャリア移動の妨げとなり、強い照射光に対
する不安定性による変換効率の低下という問題点があっ
た。
荷輸送物質は、その大部分が短波長光に吸収を持つため
、太陽光などの光を長時間照射すると、電荷輸送物質の
異性化に伴うキャリアトラップの増加やモビリティの低
下を生じ、キャリア移動の妨げとなり、強い照射光に対
する不安定性による変換効率の低下という問題点があっ
た。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであっ
て、その目的とするところは、電荷輸送物質の光劣化を
抑えて連続使用安定性を確保しかつ光電変換効率の高い
有機太1湯電池を提供するにある。
て、その目的とするところは、電荷輸送物質の光劣化を
抑えて連続使用安定性を確保しかつ光電変換効率の高い
有機太1湯電池を提供するにある。
く問題点を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、本発明に係る有機太陽電池
は、450nm以下の短波長光を遮光するための保護層
を被覆した。
は、450nm以下の短波長光を遮光するための保護層
を被覆した。
〈実施例〉
第1図は本発明に係る有機太陽電池の一実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
3は有機光導電分散薄膜であシ、これを、第1図におい
て、上側よプ光透過性電極2、下側よシ対向電極4でサ
ンドイッチ状にはさんでおシ、対向電極4は基板5にょ
シ支持されている。これに第1図に示すように上方より
光が照射されると、生成した光キャリアが有機光導電分
散薄膜3と電極2との間に形成されたショットキー接合
のポテンシャル差に従って移動し、光起電力が発生する
。
て、上側よプ光透過性電極2、下側よシ対向電極4でサ
ンドイッチ状にはさんでおシ、対向電極4は基板5にょ
シ支持されている。これに第1図に示すように上方より
光が照射されると、生成した光キャリアが有機光導電分
散薄膜3と電極2との間に形成されたショットキー接合
のポテンシャル差に従って移動し、光起電力が発生する
。
本発明に係る有機太陽電池6では、光透過性電極2をそ
の外側よシ保護層1で被覆している。
の外側よシ保護層1で被覆している。
保護層lは450 nm (lnm= 10−’m )
以下の短波長光t−a光するものでなければならない。
以下の短波長光t−a光するものでなければならない。
有機光導電分散薄膜3内の電荷輸送物質は大部分450
nm以下に光吸収端があることが多く、従って450n
m以下の短波長光を遮光することによシ、電荷輸送物質
の短波長光吸収を防止できるからである。
nm以下に光吸収端があることが多く、従って450n
m以下の短波長光を遮光することによシ、電荷輸送物質
の短波長光吸収を防止できるからである。
なお、保護層lの吸収端をλI C”m) を電荷輸送
物質の吸収端λ。[nm]とすると、 λ≦λ≦λ。+50 であることが好ましい。電荷輸送層の吸収端λ。
物質の吸収端λ。[nm]とすると、 λ≦λ≦λ。+50 であることが好ましい。電荷輸送層の吸収端λ。
と保W層の吸収端λ、との差を小さく抑えこれによシ保
護層lによシ必要以上の遮光が行なわれるのを抑え、保
護層を通過する可視光のiを大きくし、これによシ光電
変換効率を高めるためである。
護層lによシ必要以上の遮光が行なわれるのを抑え、保
護層を通過する可視光のiを大きくし、これによシ光電
変換効率を高めるためである。
更に、保護層IFi可視光に対し、少なくとも60チ以
上の透過率、好ましくは80係以上の透過率を有してい
ることが望ましい。本発明に係る有機太陽電池の光電変
換効率を損なわないためである。
上の透過率、好ましくは80係以上の透過率を有してい
ることが望ましい。本発明に係る有機太陽電池の光電変
換効率を損なわないためである。
保護層1は例えば染料色素又は顔料色素を樹脂中に分散
した有色被覆層を用いることができる。
した有色被覆層を用いることができる。
この有色色素物質としては、例えば、アゾ染料、アクリ
ジン染料、ニトロ染料、トリフェニル・メタン染料、ア
ゾメチン染料、デンセン染料、インジがイド染料、ペン
!及びナフトキノン染料、アントラキノン染料、媒染染
料、ビラシーロン染料、スチルベン染料、キノリン染料
、チアゾール染料、ヒドラゾン染料、螢光染料、カドミ
ウムイエロー、モリブデンオレンジ、カドミウムレッド
等の色素顔料が挙げられ、これらを単独にて又は1種又
は2種以上組合せて用いることができるが、450nm
以下の短波長光に対して遮光効果を有するものでなけれ
ばならない。
ジン染料、ニトロ染料、トリフェニル・メタン染料、ア
ゾメチン染料、デンセン染料、インジがイド染料、ペン
!及びナフトキノン染料、アントラキノン染料、媒染染
料、ビラシーロン染料、スチルベン染料、キノリン染料
、チアゾール染料、ヒドラゾン染料、螢光染料、カドミ
ウムイエロー、モリブデンオレンジ、カドミウムレッド
等の色素顔料が挙げられ、これらを単独にて又は1種又
は2種以上組合せて用いることができるが、450nm
以下の短波長光に対して遮光効果を有するものでなけれ
ばならない。
また、保護層lの結着剤として用いる樹脂としては、例
えば、ボリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリア
ミド樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アルキ
ド樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ナイロンな
どを挙げることができる。
えば、ボリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリア
ミド樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、アルキ
ド樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ナイロンな
どを挙げることができる。
保護層lの膜厚は、5〜50μmgましくは8〜20μ
mであシ、有色色素物質と結着材との重量比は、使用膜
厚における可視光に対する透過率が60チ以上、好まし
くは80%以上になるように形成する。
mであシ、有色色素物質と結着材との重量比は、使用膜
厚における可視光に対する透過率が60チ以上、好まし
くは80%以上になるように形成する。
保護層lは有機太陽電池6の全体を覆ってもよく、また
光照射面上を覆ってもよく、光照射面のうち電荷輸送物
質に光劣化を起こさせ光電変換効率の低下を引き起こす
部分にのみ被覆してもよい。
光照射面上を覆ってもよく、光照射面のうち電荷輸送物
質に光劣化を起こさせ光電変換効率の低下を引き起こす
部分にのみ被覆してもよい。
基板5を透明性−のものとし、基板5側より光照射を行
う場合は、基板5の外側又は基板5と対向電極4との間
に保護層を設ける。
う場合は、基板5の外側又は基板5と対向電極4との間
に保護層を設ける。
保護層の形成法としては、浸漬コーティング法、スプレ
ーコーティング法、スピンナーコーティング法、ピード
コーティング法、マイヤーパーコーチインク法、プレー
ドコーチインl”法、o −5−コーティング法、カー
テンコーティング法などのコーティング法とインクレー
ジョン成形法、押出し成形法などの加工法を用いること
ができる。
ーコーティング法、スピンナーコーティング法、ピード
コーティング法、マイヤーパーコーチインク法、プレー
ドコーチインl”法、o −5−コーティング法、カー
テンコーティング法などのコーティング法とインクレー
ジョン成形法、押出し成形法などの加工法を用いること
ができる。
なお、有機の電荷輸送物質の例としては、N−メチル−
N−7エニルヒドラジノー3−メチリデン−9−エチル
カルバゾール、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
N−α−ナフチル−N−フェニルヒドラゾンなどのヒド
ラゾン系化合物、4−ジエチルアミノ−47−シフエニ
ルアミノビフエニルなどのベンジン系化合物、α・フェ
ニル−4−N、 N’ジフェニルアミノスチルベン、5
−(4−ジメチルアミノベンジリデン)−5H−ジベン
ゾ1: a、d)シクロヘプタンなどのスチリル系化合
物等の450 nm以下の波長に吸収を有するものが挙
げられる。
N−7エニルヒドラジノー3−メチリデン−9−エチル
カルバゾール、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
N−α−ナフチル−N−フェニルヒドラゾンなどのヒド
ラゾン系化合物、4−ジエチルアミノ−47−シフエニ
ルアミノビフエニルなどのベンジン系化合物、α・フェ
ニル−4−N、 N’ジフェニルアミノスチルベン、5
−(4−ジメチルアミノベンジリデン)−5H−ジベン
ゾ1: a、d)シクロヘプタンなどのスチリル系化合
物等の450 nm以下の波長に吸収を有するものが挙
げられる。
また、電荷発生物質として、アゾ顔料フタロシアニン顔
料、キノン顔料、ペリレン顔料などが考えられ、上記電
荷輸送物質と、電荷発生物質とをそれぞれ適当な結着剤
と共に塗料化し、混合による単層化または積層化するこ
とにょシ有機光導電層を形成することができる。
料、キノン顔料、ペリレン顔料などが考えられ、上記電
荷輸送物質と、電荷発生物質とをそれぞれ適当な結着剤
と共に塗料化し、混合による単層化または積層化するこ
とにょシ有機光導電層を形成することができる。
次に本発明の具体的な実施例について説明する。
実施例 l
光透過性電極2としてIn2O5!極、対向電極4とし
てAt電極を用い、その間て、銅フタロシアニン(以下
Cu−Paと略記)からなる電荷発生物質と下記構造式
(1)の電荷輸送物質 とブチラール樹脂(商品名、エスレックBM−2゜漬水
化学)の分散薄M3が密着保持されている。
てAt電極を用い、その間て、銅フタロシアニン(以下
Cu−Paと略記)からなる電荷発生物質と下記構造式
(1)の電荷輸送物質 とブチラール樹脂(商品名、エスレックBM−2゜漬水
化学)の分散薄M3が密着保持されている。
一方、保護層1として、第2図に示すように450 n
m以下に吸収を持つイエローフィルム((1幻キモトH
)’@:用いた。
m以下に吸収を持つイエローフィルム((1幻キモトH
)’@:用いた。
この有機太陽電池セル6に保護層l側から白色光100
mW/3 の光’1loo時間照射して、照射開始
前と100時間照射終了後の光電流を測定した結果、光
電流の変動が8俤と小さく、良好な特性が得られた。ま
た、この保躇層の可視光に対する透過率は87優であυ
、変換効率も良好な結果が得られた。結果を表1に示す
。
mW/3 の光’1loo時間照射して、照射開始
前と100時間照射終了後の光電流を測定した結果、光
電流の変動が8俤と小さく、良好な特性が得られた。ま
た、この保躇層の可視光に対する透過率は87優であυ
、変換効率も良好な結果が得られた。結果を表1に示す
。
実施例 2
実施例1と同じ電極を用込、電極間に下記構造式(2)
の電荷発生物質と 閣χ 下記構造式(3)の電荷輸送物質と ブチラール樹脂(エスレツクBM−2,槓水化学)の分
散薄膜3ft密着保持した。
の電荷発生物質と 閣χ 下記構造式(3)の電荷輸送物質と ブチラール樹脂(エスレツクBM−2,槓水化学)の分
散薄膜3ft密着保持した。
一方、保護層lは、下記構造式(4)の染料とポリカー
ボネート(商品名、)母ンライト L−1250)をそ
れぞれ1重量部の割合で分散し膜厚20μmIC塗工し
て形成した。実施例1と同様の評価を行なった所、実施
例1と同様光電流の変動の小さい良好な特性が得られた
。結果は表1に併記した。
ボネート(商品名、)母ンライト L−1250)をそ
れぞれ1重量部の割合で分散し膜厚20μmIC塗工し
て形成した。実施例1と同様の評価を行なった所、実施
例1と同様光電流の変動の小さい良好な特性が得られた
。結果は表1に併記した。
実施例3
実施例1と同じ電極を用い、電極間に下記構造式(5)
の電荷発生物質と 下記構造式(6)の電荷輸送物質とベンザール樹脂(又
はポリメチルメタアクリレート樹脂)の分教薄a3を密
着保持した。
の電荷発生物質と 下記構造式(6)の電荷輸送物質とベンザール樹脂(又
はポリメチルメタアクリレート樹脂)の分教薄a3を密
着保持した。
二方保纒層は、下記構造式(7)の染料とBIJ5N&
5°5“1(7) ポリカーボネート(商品名、パンライトL −1250
)をそれぞれ1重量部の割合で分散し膜厚20μmに途
工して形成した。実施例1と同様の評価を行なった所、
実施例1と同様光電流の変動の小さい良好な特性が得ら
れた。結果は表1に併記した。
5°5“1(7) ポリカーボネート(商品名、パンライトL −1250
)をそれぞれ1重量部の割合で分散し膜厚20μmに途
工して形成した。実施例1と同様の評価を行なった所、
実施例1と同様光電流の変動の小さい良好な特性が得ら
れた。結果は表1に併記した。
実施例 4
実施例1と同じ電極音用い、At対向電極4側に電荷発
生層としてCu−Pcとブチラール樹脂の分散薄膜を設
け、更にその上に構造式(1)の電荷輸送物質とブチラ
ール樹脂の分散薄膜を形成し、その上からInks電極
2で密着保持した。
生層としてCu−Pcとブチラール樹脂の分散薄膜を設
け、更にその上に構造式(1)の電荷輸送物質とブチラ
ール樹脂の分散薄膜を形成し、その上からInks電極
2で密着保持した。
一方、保1層1として下記構造式(8)の染料とe
ポリカーボネートをそれぞれlrL量部の割合で分散し
、膜厚20μmK塗工、形成した。
、膜厚20μmK塗工、形成した。
実施例1と同様の評価を行なった所、実施例1と同様光
電流の変動の小さい良好な特性が得られた。結果は表1
に併記した。
電流の変動の小さい良好な特性が得られた。結果は表1
に併記した。
比較例 1
保護層がないほかは実施例1と同様に作成し、測定を行
なった。光電流の変動が45俤と大きく電荷輸送物質の
光劣化が生じた。結果は表II/c示した。
なった。光電流の変動が45俤と大きく電荷輸送物質の
光劣化が生じた。結果は表II/c示した。
比較例 2
保護層がないほかは実施例2と同様【作成し、測定を行
なった。結果は表IK併記した。
なった。結果は表IK併記した。
比較例 3
実施例1と同じ電極を用い、電極間に構造式(2)の電
荷発生物質と下記構造式(9)の電荷輸送物質とブチラ
ール樹脂(商品名、エスレックBM−2)の分散薄膜3
を密着保持した。
荷発生物質と下記構造式(9)の電荷輸送物質とブチラ
ール樹脂(商品名、エスレックBM−2)の分散薄膜3
を密着保持した。
一方、保護層1は構造式(4)の染料とポリカーポネー
ト(商品名、)譬ンライトL−1250)をそれぞれ1
重量部の割合て分散し、膜厚2oμmK塗工して形成し
た。
ト(商品名、)譬ンライトL−1250)をそれぞれ1
重量部の割合て分散し、膜厚2oμmK塗工して形成し
た。
実施例1と同様の測定を行なった所、電荷輸送層の吸収
端が保護層の吸収端よシ大きいため、保護層lを通過し
た光が電荷輸送層に吸収され、電荷輸送物質の光劣化に
伴う充電流変動が大きく良好な特性は得られなかった。
端が保護層の吸収端よシ大きいため、保護層lを通過し
た光が電荷輸送層に吸収され、電荷輸送物質の光劣化に
伴う充電流変動が大きく良好な特性は得られなかった。
結果は表1に併記した。
比較例 4
保護層1として第3図に示すように500 nn+以下
に吸収を持つレッドフィルム((株)キモト製)を用い
た他は、実施例4と同様に作成し測定を行なった。光電
流の変動は良好であったが、保護層の吸収端が実施例4
に比し長波長側に50 nmシフトしたため通過する可
視光が減少し、光キヤリア発生を阻外し変換効率が低下
してしまった。結果は表1に併記した。
に吸収を持つレッドフィルム((株)キモト製)を用い
た他は、実施例4と同様に作成し測定を行なった。光電
流の変動は良好であったが、保護層の吸収端が実施例4
に比し長波長側に50 nmシフトしたため通過する可
視光が減少し、光キヤリア発生を阻外し変換効率が低下
してしまった。結果は表1に併記した。
〈発明の効果〉
本発明に係る有機太陽電池は、450nm以下の短波長
光を遮光するための保護層を被覆したため、短波長光に
よる経時劣化を抑止しもって連続使用安定性を確保し、
また4 00 nm〜750 nmからなる可視光の大
部分は光電変、換に寄与しうるため高い光電変換効率を
維持することができる。
光を遮光するための保護層を被覆したため、短波長光に
よる経時劣化を抑止しもって連続使用安定性を確保し、
また4 00 nm〜750 nmからなる可視光の大
部分は光電変、換に寄与しうるため高い光電変換効率を
維持することができる。
第1図は本発明に係る有機太陽電池の一実施例を示す縦
断面図、第2図は具体的実施例1の保護層に用いたイエ
買−フィルムの光透過率−波長曲線、第3図は比較例4
の保護層に用いたレッドフィルムの光透過率−波長曲線
である。 l・・・保護層、2・・・光透過性電極、3・・・有機
光導電分散薄膜、4・・・対向電極、5・・・基板、6
・・・本発明に係る有機太陽電池。 代理人 弁理士 山 下 櫃 平 第1図 七 88 ■
断面図、第2図は具体的実施例1の保護層に用いたイエ
買−フィルムの光透過率−波長曲線、第3図は比較例4
の保護層に用いたレッドフィルムの光透過率−波長曲線
である。 l・・・保護層、2・・・光透過性電極、3・・・有機
光導電分散薄膜、4・・・対向電極、5・・・基板、6
・・・本発明に係る有機太陽電池。 代理人 弁理士 山 下 櫃 平 第1図 七 88 ■
Claims (3)
- (1)450nm以下の短波長光を遮光するための保護
層を被覆したことを特徴とする有機太陽電池。 - (2)上記保護層が可視光に対し、少なくとも60%以
上の透過率を有することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の有機太陽電池。 - (3)上記保護層の光吸収端をλ_1[nm]、有機光
導電層の電荷輸送物質の光吸収端をλ_0[nm]とす
るとき、次の条件式 λ_0≦λ_1≦λ_0+50 を満足することを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
第2項記載の有機太陽電池。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63033997A JPH01209768A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 有機太陽電池 |
US07/308,636 US4963196A (en) | 1988-02-18 | 1989-02-10 | Organic solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63033997A JPH01209768A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 有機太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01209768A true JPH01209768A (ja) | 1989-08-23 |
JPH0466394B2 JPH0466394B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=12402107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63033997A Granted JPH01209768A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 有機太陽電池 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4963196A (ja) |
JP (1) | JPH01209768A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2004013914A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2006-09-28 | 株式会社ブリヂストン | 多層ヘテロ構造膜、その製造方法及びこれを用いた光学素子 |
JP2011529631A (ja) * | 2008-07-29 | 2011-12-08 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | 光起電力デバイスのためのペリレンテトラカルボキシイミド誘導体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03118547A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-21 | Canon Inc | 電子写真感光体及びそれを搭載した電子写真装置 |
DE69313330T2 (de) * | 1992-03-23 | 1998-02-26 | Canon Kk | Solarzelle mit einer aus Polymer bestehenden Schutzschicht |
US6013871A (en) * | 1997-07-02 | 2000-01-11 | Curtin; Lawrence F. | Method of preparing a photovoltaic device |
US6833200B2 (en) * | 1998-04-28 | 2004-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Luminescent device with a triarylamine compound |
US6352777B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-03-05 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes |
EP2287922A1 (en) * | 1998-08-19 | 2011-02-23 | The Trustees of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic device |
US6451415B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer |
AU2008200818C1 (en) * | 1998-08-19 | 2014-02-13 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic device |
EP1407495A4 (en) * | 2001-05-16 | 2006-06-21 | Berkshire Lab Inc | HIGH EFFICIENCY SOLAR CELLS |
US6657378B2 (en) * | 2001-09-06 | 2003-12-02 | The Trustees Of Princeton University | Organic photovoltaic devices |
AU2003295731A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-06-15 | Berkshire Laboratories, Inc. | High efficiency solar cells |
US7372069B2 (en) * | 2003-01-14 | 2008-05-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Interface for UV-curable adhesives |
US20040211458A1 (en) * | 2003-04-28 | 2004-10-28 | General Electric Company | Tandem photovoltaic cell stacks |
TWI220239B (en) * | 2003-08-01 | 2004-08-11 | Ind Tech Res Inst | Self-charged organic electro-luminescence display |
JP2006100766A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 |
GB2437362A (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-24 | Riso Nat Lab | Photovoltaic Device and Method of Measuring Cumulative Exposure to Light |
US20100065834A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Plextronics, Inc. | Integrated organic photovoltaic and light emitting diode device |
US20140012002A1 (en) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | Basf Se | Organic dyes comprising a hydrazone moiety and their use in dye-sensitized solar cells |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3057947A (en) * | 1959-10-01 | 1962-10-09 | Calvin Melvin | Photoelectric cell using organic materials |
JPS5217827A (en) * | 1975-08-01 | 1977-02-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photosensitive material using carotenoid |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63033997A patent/JPH01209768A/ja active Granted
-
1989
- 1989-02-10 US US07/308,636 patent/US4963196A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2004013914A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2006-09-28 | 株式会社ブリヂストン | 多層ヘテロ構造膜、その製造方法及びこれを用いた光学素子 |
JP2011529631A (ja) * | 2008-07-29 | 2011-12-08 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | 光起電力デバイスのためのペリレンテトラカルボキシイミド誘導体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0466394B2 (ja) | 1992-10-23 |
US4963196A (en) | 1990-10-16 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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