JPH03118547A - 電子写真感光体及びそれを搭載した電子写真装置 - Google Patents
電子写真感光体及びそれを搭載した電子写真装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電、子写真感光体に関し、詳しくは光導電キャ
リアが導電性支持体と電荷発生物質との界面近傍で多数
発生する電子写真感光体及び該感光体及びその内側に光
源を備えた電子写真装置に関する。
リアが導電性支持体と電荷発生物質との界面近傍で多数
発生する電子写真感光体及び該感光体及びその内側に光
源を備えた電子写真装置に関する。
[従来の技術]
一般に、カールソンタイプの電子写真感光体は、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプと、電荷発生物質及
び電荷輸送物質を混合状態で単層化したタイプとに大別
できる。これらの感光体はいずれも光導電キャリアを発
生させるために、電荷発生物質と電荷輸送物質とのエネ
ルギー差を利用している。この型の感光体として良好な
感度を得るためには、電荷発生物質と電荷輸送物質との
適切なマツチング化(組合せ)を図らなければならず、
それらの材料の選定には困難な面があった。
生層と電荷輸送層を積層したタイプと、電荷発生物質及
び電荷輸送物質を混合状態で単層化したタイプとに大別
できる。これらの感光体はいずれも光導電キャリアを発
生させるために、電荷発生物質と電荷輸送物質とのエネ
ルギー差を利用している。この型の感光体として良好な
感度を得るためには、電荷発生物質と電荷輸送物質との
適切なマツチング化(組合せ)を図らなければならず、
それらの材料の選定には困難な面があった。
更に、広い波長域に良好な感度を有する電子写真感光体
を作成するためには、特開昭59−32788号公報な
どに記載されているように2種類以上の電荷発生物質を
混合した層を設けたり、電荷発生層を複数個積層するこ
とが提案されている。このような感光体の場合には、複
数種の電荷発生物質を用いていることから、異種の電荷
発生物質間のキャリア移動の制御が単一種の電荷発生物
質の場合よりも更に困難となる結果、電位安定性の面で
も不安定となる欠点を有していた。
を作成するためには、特開昭59−32788号公報な
どに記載されているように2種類以上の電荷発生物質を
混合した層を設けたり、電荷発生層を複数個積層するこ
とが提案されている。このような感光体の場合には、複
数種の電荷発生物質を用いていることから、異種の電荷
発生物質間のキャリア移動の制御が単一種の電荷発生物
質の場合よりも更に困難となる結果、電位安定性の面で
も不安定となる欠点を有していた。
し発明が解決しようとする課題]
本発明の目的は、従来の感光体に比べて電荷発生物質と
電荷輸送物質との選定基準を明らかにし、それによって
電位特性の優れた電子写真感光体を提供すると共に該感
光体及びその内側光源とを備えた耐久性良好な電子写真
装置を提供することにある。
電荷輸送物質との選定基準を明らかにし、それによって
電位特性の優れた電子写真感光体を提供すると共に該感
光体及びその内側光源とを備えた耐久性良好な電子写真
装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の電子写真感光体は光透過性の導電性支持体上に
電荷発生物質を含有する感光層を有する電子写真感光体
において、導電性支持体と電荷発生物質との間に形成さ
れる接触電位差により光導電キャリアが生成することを
特徴とし、該支持体と電荷発生物質との界面近傍に形成
される接触電位差で光キャリアを多数発生させることが
できる。
電荷発生物質を含有する感光層を有する電子写真感光体
において、導電性支持体と電荷発生物質との間に形成さ
れる接触電位差により光導電キャリアが生成することを
特徴とし、該支持体と電荷発生物質との界面近傍に形成
される接触電位差で光キャリアを多数発生させることが
できる。
次に、本発明の電子写真装置は該電子写真感光体及びそ
の光透過性支持体側から感光層に光を照射する光源を備
えていることを特徴とする画像耐久性良好な装置である
。
の光透過性支持体側から感光層に光を照射する光源を備
えていることを特徴とする画像耐久性良好な装置である
。
さらに、該電子写真感光体が該導電性支持体側から、1
つまたは複数の異なる光源による像露光を行なう構成の
電子写真装置で用いられるに適する構造を有することを
特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体である。
つまたは複数の異なる光源による像露光を行なう構成の
電子写真装置で用いられるに適する構造を有することを
特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体である。
従来の電子写真感光体は光導電キャリアを発生させるた
めに電荷発生物質と電荷輸送物質とのエネルギー差を利
用して、光によって励起したキャリアを分離及び注入す
る過程を経る様に構成されてきた。
めに電荷発生物質と電荷輸送物質とのエネルギー差を利
用して、光によって励起したキャリアを分離及び注入す
る過程を経る様に構成されてきた。
このように従来の感光体は光導電キャリアの分離と注入
の2つの過程を電荷発生物質と電荷輸送物質とのエネル
ギー差を利用して行なわなければならず、両者の最適な
マツチングを得るためには両者の選択に困難を伴なった
。
の2つの過程を電荷発生物質と電荷輸送物質とのエネル
ギー差を利用して行なわなければならず、両者の最適な
マツチングを得るためには両者の選択に困難を伴なった
。
そこで本発明では、導電性支持体と電荷発生物質との界
面における接触電位差を利用して両者の界面近傍に光導
電キャリアを多数発生させる様にした結果、電荷発生物
質から電荷輸送物質へのキャリア注入が両者間の僅かな
エネルギー差で充分に行なわれ得る様になり、延いては
電荷輸送物質の選定が容易となった。
面における接触電位差を利用して両者の界面近傍に光導
電キャリアを多数発生させる様にした結果、電荷発生物
質から電荷輸送物質へのキャリア注入が両者間の僅かな
エネルギー差で充分に行なわれ得る様になり、延いては
電荷輸送物質の選定が容易となった。
また、本発明は特開昭63−240554号公報に記載
されている様に、導電性支持体側から露光と現像を同時
に行なうプロセスとは異なり、導電性支持体側と電荷輸
送層側から像形成のための露光を行なうという全く新し
いプロセスにも用いることができる電子写真感光体を提
供し得るものである。
されている様に、導電性支持体側から露光と現像を同時
に行なうプロセスとは異なり、導電性支持体側と電荷輸
送層側から像形成のための露光を行なうという全く新し
いプロセスにも用いることができる電子写真感光体を提
供し得るものである。
次に、本発明の電子写真感光体の光導電機構について図
に基いて詳しく説明する。
に基いて詳しく説明する。
第1図(a)及び(b)は光透過性の導電性支持体1上
に電荷発生層2及び電荷輸送層3を順次設けた電子写真
感光体に負帯電を施し、それぞれ電荷輸送層側から、と
導電性支持体側から光を照射した場合を示す。
に電荷発生層2及び電荷輸送層3を順次設けた電子写真
感光体に負帯電を施し、それぞれ電荷輸送層側から、と
導電性支持体側から光を照射した場合を示す。
第1図(a)に示されている様に電荷輸送層3側から光
を照射した場合には、電荷発生層2の吸光度の高い波長
域では、電荷発生層2の電荷輸送層3側で光が強く吸収
されるだけで、光導電キャリア生成には到らない。それ
に反して、吸光度の低い波長域の光は容易に導電性支持
体1と電荷発生層2との界面に達して、両者の接触電位
差によって、光導電キャリアを生成させる。
を照射した場合には、電荷発生層2の吸光度の高い波長
域では、電荷発生層2の電荷輸送層3側で光が強く吸収
されるだけで、光導電キャリア生成には到らない。それ
に反して、吸光度の低い波長域の光は容易に導電性支持
体1と電荷発生層2との界面に達して、両者の接触電位
差によって、光導電キャリアを生成させる。
一方、第1図(b)に示されている様に導電性支持体1
側から光を照射した場合には、電荷発生層2の吸光度の
高い波長域の光は電荷発生層2の導電性支持体1側で強
く吸収される結果、両者の接触電位差によって光導電キ
ャリアを生成させる。
側から光を照射した場合には、電荷発生層2の吸光度の
高い波長域の光は電荷発生層2の導電性支持体1側で強
く吸収される結果、両者の接触電位差によって光導電キ
ャリアを生成させる。
それに反して、吸光度の低い波長域の光は電荷輸送層3
と電荷発生層2の界面に達するが、光導電キャリア生成
には到らない。
と電荷発生層2の界面に達するが、光導電キャリア生成
には到らない。
これらの状況を第2図に相対感度と波長との関係で表わ
す。
す。
以上説明してきた光導電機構は光導電キャリアが電荷輸
送層3と電荷発生N2の界面で、はとんど発生しない構
成の電子写真感光体についてである。
送層3と電荷発生N2の界面で、はとんど発生しない構
成の電子写真感光体についてである。
次に、電荷発生物質と電荷輸送物質とのエネルギー差で
若干の光導電性を生ずる場合について説明を行なう。
若干の光導電性を生ずる場合について説明を行なう。
第3図(a)及び(b)は導電性支持体1上に電荷発生
層2及び電荷輸送層3を順次設けた電子写真感光体に負
帯電を印加し、それぞれ電荷輸送層3側からと導電性支
持体1側から光を照射した場合を示す。
層2及び電荷輸送層3を順次設けた電子写真感光体に負
帯電を印加し、それぞれ電荷輸送層3側からと導電性支
持体1側から光を照射した場合を示す。
第3図(b)に示されている様に導電性支持体1側から
光を照射した場合の方が、同図(a)の電荷輸送層3側
から光を照射した場合よりも高効率で光導電キャリアを
生成させ、高い相対感度を実現し得る。これらの状況を
第4図に示した。
光を照射した場合の方が、同図(a)の電荷輸送層3側
から光を照射した場合よりも高効率で光導電キャリアを
生成させ、高い相対感度を実現し得る。これらの状況を
第4図に示した。
この様に分光感度スペクトルの形を損わずに、光透過性
の導電性支持体1側から像形成のための露光を行なうこ
とによって高感度化を図ることもできる。
の導電性支持体1側から像形成のための露光を行なうこ
とによって高感度化を図ることもできる。
以上の様に、本発明の電子写真感光体は導電性支持体と
電荷発生物質との接触電位差を利用して多くの光導電キ
ャリアを発生させるものである。
電荷発生物質との接触電位差を利用して多くの光導電キ
ャリアを発生させるものである。
従って、光導電キャリアを効率よ(発生させる為には、
接触電位差を可能な限り太き(とらなければならない。
接触電位差を可能な限り太き(とらなければならない。
そのためには、導電性支持体と電荷発生物質との仕事関
数差を少なくとも0.3 [eV]以上に選ぶことが必
要で、好ましくは、0.5 [eV]以上に選ぶ。
数差を少なくとも0.3 [eV]以上に選ぶことが必
要で、好ましくは、0.5 [eV]以上に選ぶ。
更に、負帯電において上記の仕事関数差の範囲で電荷発
生物質の仕事関数が導電性支持体の仕事関数よりも大き
い場合には、両者の接触による電位障壁は導電性支持体
から電荷発生物質への正孔の注入を妨げるように働くた
め、暗部電位の低下を抑制する効果がある。
生物質の仕事関数が導電性支持体の仕事関数よりも大き
い場合には、両者の接触による電位障壁は導電性支持体
から電荷発生物質への正孔の注入を妨げるように働くた
め、暗部電位の低下を抑制する効果がある。
また、光導電キャリアの多くが導電性支持体と電荷発生
物質の界面近傍で発生するため、正帯電の場合には電子
が、負帯電の場合には正孔が速やかに電荷発生物質問を
移動しなければならない。
物質の界面近傍で発生するため、正帯電の場合には電子
が、負帯電の場合には正孔が速やかに電荷発生物質問を
移動しなければならない。
光導電キャリアがトラップされたり、再結合して消滅す
れば、感度やフォトメモリーなど電位安定性に弊害を及
ぼすことから、電子または正孔の移動度[cm”/V−
secl と寿命[seclの積は、少なくともI X
10−”[cm2/V]以上、好ましくは1×10
”8[cm”/V1以上に設定する。
れば、感度やフォトメモリーなど電位安定性に弊害を及
ぼすことから、電子または正孔の移動度[cm”/V−
secl と寿命[seclの積は、少なくともI X
10−”[cm2/V]以上、好ましくは1×10
”8[cm”/V1以上に設定する。
また、第2図に示した分光感度スペクトルを有する本発
明の電子写真感光体は一種のバイビーク感光体であり、
光透過性の導電性支持体側からと電荷輸送層側から、異
なる光源の光を照射するプロセスを行なう電子写真装置
で用いることができる。
明の電子写真感光体は一種のバイビーク感光体であり、
光透過性の導電性支持体側からと電荷輸送層側から、異
なる光源の光を照射するプロセスを行なう電子写真装置
で用いることができる。
その場合に用いる光源としては、蛍光灯、キセノンラン
プ、ハロゲン光源、タングステンランプ、半導体レーザ
ー、ガスレーザー LEDなどが挙げられる。
プ、ハロゲン光源、タングステンランプ、半導体レーザ
ー、ガスレーザー LEDなどが挙げられる。
例えば第2図に示した電子写真感光体は電荷輸送層側か
ら半導体レーザーによる像露光と光透過性の導電性支持
体側からハロゲン光による像露光とを同時中たけデ11
々番こ行なう宴丘1.い雷半互盲プロセスに用いること
が可能であり、従来とは異なり、異種の電荷発生物質相
互の混合や電荷発生層の積層化が不要となる。
ら半導体レーザーによる像露光と光透過性の導電性支持
体側からハロゲン光による像露光とを同時中たけデ11
々番こ行なう宴丘1.い雷半互盲プロセスに用いること
が可能であり、従来とは異なり、異種の電荷発生物質相
互の混合や電荷発生層の積層化が不要となる。
本発明においては、感光層は電荷発生層と電荷輸送層と
に機能分離した積層構造型でも、両者混在の単一層型で
も良い。
に機能分離した積層構造型でも、両者混在の単一層型で
も良い。
積層構造型感光体の場合には、電荷発生層は分子内に電
子供与性部と電子受容性部を有する化合物を始めとして
スーダンレッド、グイアンプル−などのアゾ顔料、ピレ
ンキノン、アントアントロンなどのキノン顔料、キノシ
アニン顔料、ペリレン顔料、インジゴ、チオインジゴな
どのインジゴ顔料、アズレニウム塩顔料、銅フタロシア
ニンなどのフタロシアニン顔料などのうち本発明の特許
請求の範囲を満足する電荷発生物質をポリビニルブチラ
ール、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、
ポリビニルピロリドン、エチルセルロース、酢酸−酪酸
セルロースなどの結着剤栃脂に分散させた液状物とし、
この分散液を前述の中間層のトに塗工することによって
形成できる。
子供与性部と電子受容性部を有する化合物を始めとして
スーダンレッド、グイアンプル−などのアゾ顔料、ピレ
ンキノン、アントアントロンなどのキノン顔料、キノシ
アニン顔料、ペリレン顔料、インジゴ、チオインジゴな
どのインジゴ顔料、アズレニウム塩顔料、銅フタロシア
ニンなどのフタロシアニン顔料などのうち本発明の特許
請求の範囲を満足する電荷発生物質をポリビニルブチラ
ール、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、
ポリビニルピロリドン、エチルセルロース、酢酸−酪酸
セルロースなどの結着剤栃脂に分散させた液状物とし、
この分散液を前述の中間層のトに塗工することによって
形成できる。
このような、電荷発生層の膜厚は通常5μm以下、好ま
しくは0.05〜2μmである。
しくは0.05〜2μmである。
電荷発生層の上に設ける電荷輸送層は主鎖または側鎖に
ビフェニレン、アントラセン、ピレン、フェナントレン
などの構造を有する多環芳香族化合物、インドール、カ
ルバゾール、オキサジアゾール、ピラゾリンなどの含窒
素複素環式化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物
等の電荷輸送性物質を必要に応じて成膜性を有する樹脂
に溶解させた塗工液を用いて作製することができる。
ビフェニレン、アントラセン、ピレン、フェナントレン
などの構造を有する多環芳香族化合物、インドール、カ
ルバゾール、オキサジアゾール、ピラゾリンなどの含窒
素複素環式化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物
等の電荷輸送性物質を必要に応じて成膜性を有する樹脂
に溶解させた塗工液を用いて作製することができる。
このような成膜性を有する樹脂としてはポリエステル、
ポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステル、ポリス
チレンなどが挙げられる。
ポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステル、ポリス
チレンなどが挙げられる。
電荷輸送層の厚さは通常5〜40μm、好ましくは10
〜301.Lmである。
〜301.Lmである。
また、積層構造型感光体は電荷輸送層の上に電荷発生層
が積層された構造であってもよい。
が積層された構造であってもよい。
さらに、単一層型感光体の場合には、前述のような電荷
発生物質と電荷輸送物質とを樹脂中に含有させて作製す
ることができる。
発生物質と電荷輸送物質とを樹脂中に含有させて作製す
ることができる。
一方、導電性支持体は本発明に用いる電荷発生物質の光
吸収を阻害せず半透明でかつ導電性を有するものであれ
ば何れのものでもよく、例えばアルミニウム、金、銀、
クロム、ニッケル、亜鉛、鉛、ヨウ化銅、酸化インジウ
ム、酸化スズ等を例えばプラスチックフィルム等に蒸着
したもの、あるいは、導電性物質を単独又は適当なバイ
ングー樹′脂と共に塗布して導電性層を設けたプラスチ
ックフィルムなどが挙げられる。
吸収を阻害せず半透明でかつ導電性を有するものであれ
ば何れのものでもよく、例えばアルミニウム、金、銀、
クロム、ニッケル、亜鉛、鉛、ヨウ化銅、酸化インジウ
ム、酸化スズ等を例えばプラスチックフィルム等に蒸着
したもの、あるいは、導電性物質を単独又は適当なバイ
ングー樹′脂と共に塗布して導電性層を設けたプラスチ
ックフィルムなどが挙げられる。
また、本発明では、この導電性支持体の上に接着層とし
ての機能を有する中間層を設けることもできる。この様
に導電性支持体と感光層との間に中間層を設けても、電
子写真特性に悪影響はみられない。
ての機能を有する中間層を設けることもできる。この様
に導電性支持体と感光層との間に中間層を設けても、電
子写真特性に悪影響はみられない。
該中間層に用いられる樹脂としては、ポリアミド、ポリ
エステル、アクリル樹脂、ポリアミノ酸ニススル、ポリ
酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリビニルホルマール
、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルキルエーテル
、ポリアルキレンエーテル、ポリウレタンエラストマー
などの熱可塑性樹脂や、熱硬化性ポリウレタン、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ
る。
エステル、アクリル樹脂、ポリアミノ酸ニススル、ポリ
酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリビニルホルマール
、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルキルエーテル
、ポリアルキレンエーテル、ポリウレタンエラストマー
などの熱可塑性樹脂や、熱硬化性ポリウレタン、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ
る。
中間層の厚さは通常0.1〜10.0μm、好ましくは
0.5〜5.0μmであり、例えば浸漬コーティング、
スプレーコーティング、ロールコーティングなどの手段
により、塗工することができる。
0.5〜5.0μmであり、例えば浸漬コーティング、
スプレーコーティング、ロールコーティングなどの手段
により、塗工することができる。
次に、本発明の電子写真感光体を用いた電子写真装置の
画像形成プロセスの一例について説明する。
画像形成プロセスの一例について説明する。
感光体15を一次帯電器16により負に帯電させた後、
ハロゲン光源17による内側からの像露光と半導体レー
ザ光18による従来の像露光とを同時に行なって潜像を
形成させる。
ハロゲン光源17による内側からの像露光と半導体レー
ザ光18による従来の像露光とを同時に行なって潜像を
形成させる。
更に、現像器19で感光体15にポジトナーを付着させ
、普通紙上に転写帯電器20によって転写後に像を定着
させる。
、普通紙上に転写帯電器20によって転写後に像を定着
させる。
この様に異なる2種の露光を同時に行なうこと以外にも
、異なる複数の露光を同時にまたは別々に行なう方式で
一つの現像器または複数の現像器による画像形成も可能
である。
、異なる複数の露光を同時にまたは別々に行なう方式で
一つの現像器または複数の現像器による画像形成も可能
である。
以下に、具体的実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
実施例1〜3及び比較例1〜2
厚さ504zmのポリエチレンテレフタレート(PET
)フィルム上にアルミニウム、ヨウ化銅又は酸化スズを
それぞれ半透明かつ導電性保有するように500人の膜
厚に蒸着して実施例1〜3の導電性支持体とした。また
、ニッケル、白金も同様に蒸着して比較例1〜2の導電
性支持体とした。
)フィルム上にアルミニウム、ヨウ化銅又は酸化スズを
それぞれ半透明かつ導電性保有するように500人の膜
厚に蒸着して実施例1〜3の導電性支持体とした。また
、ニッケル、白金も同様に蒸着して比較例1〜2の導電
性支持体とした。
次に下記の構造式で表わされる化合物4部、ビスフェノ
ール2型ポリカーボネート(重量平均分子量25000
) 2部およびシクロへキサノン34部を直径1m
mのガラスピーズを収容したサンドミル装置で20時間
混合及び分散した後、メチルエチルケトン60部を加え
て電荷発生層用分散液を調製した。この分散液を上記そ
れぞれの導電性支持体上にワイヤーバーでコーティング
し、80℃で15分間乾燥させて膜厚0.20μmの電
荷発生層を作製した。
ール2型ポリカーボネート(重量平均分子量25000
) 2部およびシクロへキサノン34部を直径1m
mのガラスピーズを収容したサンドミル装置で20時間
混合及び分散した後、メチルエチルケトン60部を加え
て電荷発生層用分散液を調製した。この分散液を上記そ
れぞれの導電性支持体上にワイヤーバーでコーティング
し、80℃で15分間乾燥させて膜厚0.20μmの電
荷発生層を作製した。
次に、下記構造式で表わされるスチリル化合物10部
及びビスフェノールZ型ポリカーボネート(重量平均分
子量33000) 10部をジクロルメタン40部及び
モノクロルベンゼン20部の混合溶媒中に溶解し、この
溶液を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーテイン
グ後に120℃で60分間乾燥させて膜厚25μmの電
荷輸送層を形成させた。
子量33000) 10部をジクロルメタン40部及び
モノクロルベンゼン20部の混合溶媒中に溶解し、この
溶液を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーテイン
グ後に120℃で60分間乾燥させて膜厚25μmの電
荷輸送層を形成させた。
このようにして製造した電子写真感光体について、第5
図に・示した測定機を用いて分光感度及び暗減衰の測定
を行なった。
図に・示した測定機を用いて分光感度及び暗減衰の測定
を行なった。
電荷輸送層側から光を照射する場合には、第6図(a)
の測定系を用いて感光体に電圧を印加しく図中14)、
同図(c)に示したシーケンス(除電のために光源4に
よる光を10m5ec照射し、1see後に電圧を印加
する。電圧印加1 sec後に暗減衰(ΔVdd)を測
定する。更にその後に10m5ec間光を照射し、50
0 m5ec後に電位を測定する)で暗減衰(ΔV d
d)及び感度を求めた。
の測定系を用いて感光体に電圧を印加しく図中14)、
同図(c)に示したシーケンス(除電のために光源4に
よる光を10m5ec照射し、1see後に電圧を印加
する。電圧印加1 sec後に暗減衰(ΔVdd)を測
定する。更にその後に10m5ec間光を照射し、50
0 m5ec後に電位を測定する)で暗減衰(ΔV d
d)及び感度を求めた。
また、導電性支持体1側から光を照射する場合には、第
6図(b)の測定系を用い、同図(c)に示したシーケ
ンスで同様に測定を行なった。その際に導電性支持体1
で吸収された光の損失分の補正も行なっている。
6図(b)の測定系を用い、同図(c)に示したシーケ
ンスで同様に測定を行なった。その際に導電性支持体1
で吸収された光の損失分の補正も行なっている。
実施例1の分光感度特性を第6図に感度(El/2)及
び暗減衰(ΔV dd)の結果を表1に示す。
び暗減衰(ΔV dd)の結果を表1に示す。
また、表面分析装置(理研計器製AC−1型)を用いて
、電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定し
た。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.5 [e
V]であり、各導電性支持体の仕事関数は表1に示す通
りである。
、電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定し
た。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.5 [e
V]であり、各導電性支持体の仕事関数は表1に示す通
りである。
表1かられかるように、電荷発生物質と導電性支持体の
仕事関数と差が0.5 [eV]以上であるものは、暗
減衰も小さく、バイビーク型の分光感度を持ち、かつ高
感度である。
仕事関数と差が0.5 [eV]以上であるものは、暗
減衰も小さく、バイビーク型の分光感度を持ち、かつ高
感度である。
実施例4〜6及び比較例3〜4
厚さ50μmのPETフィルム上にアルミニウム、亜鉛
又は酸化インジウムをそれぞれ半透明かつ導電性を有す
るように500人の膜厚に蒸着して実施例4〜6の導電
性支持体とした。また、酸化チタン、銅もそれぞれ同様
に蒸着し、比較例3〜4の導電性支持体とした。
又は酸化インジウムをそれぞれ半透明かつ導電性を有す
るように500人の膜厚に蒸着して実施例4〜6の導電
性支持体とした。また、酸化チタン、銅もそれぞれ同様
に蒸着し、比較例3〜4の導電性支持体とした。
次に下記の構造式で表わされる化合物4部、ビスフェノ
ール2型ポリカーボネート(重量平均分子量25000
) 2部およびシクロへキサノン34部をφ−1mm
のガラスピーズを収容したサンドミル装置で20時間混
合分散した後にテトラヒドロフラン(THF)60部を
加えて電荷発生層用分散液を調製した。この分散液を上
記それぞれの導電性支持体上にワイヤーバーでコーティ
ングし、80℃で15分間乾燥させて膜厚0゜18μm
の電荷発生層を形成させた。
ール2型ポリカーボネート(重量平均分子量25000
) 2部およびシクロへキサノン34部をφ−1mm
のガラスピーズを収容したサンドミル装置で20時間混
合分散した後にテトラヒドロフラン(THF)60部を
加えて電荷発生層用分散液を調製した。この分散液を上
記それぞれの導電性支持体上にワイヤーバーでコーティ
ングし、80℃で15分間乾燥させて膜厚0゜18μm
の電荷発生層を形成させた。
次に実施例1で用いたスチリル化合物10部及びビスフ
ェノール2型ポリカーボネート(重量平均分子量330
00) 10部をジクロルメタン40部及びモノクロル
ベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解し、この溶液
を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーティングし
、120℃で60分間乾燥させて膜厚25μmの電荷輸
送層を形成させた。
ェノール2型ポリカーボネート(重量平均分子量330
00) 10部をジクロルメタン40部及びモノクロル
ベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解し、この溶液
を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーティングし
、120℃で60分間乾燥させて膜厚25μmの電荷輸
送層を形成させた。
このようにして製造した電子写真−感光体に対して、実
施例1と同様に分光感度、暗減衰(ΔVdd)の測定を
行なった。実施例4の分光感度特性を第7図に、感度(
El/2)及び暗減衰(△Vdd)の結果を表2に示す
。
施例1と同様に分光感度、暗減衰(ΔVdd)の測定を
行なった。実施例4の分光感度特性を第7図に、感度(
El/2)及び暗減衰(△Vdd)の結果を表2に示す
。
また、表面分析装置(理研計器製AC−1型)を用いて
、電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定し
た。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.3 [e
V]であり、各導電性支持体の仕事関数は表2に示す通
りである。
、電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定し
た。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.3 [e
V]であり、各導電性支持体の仕事関数は表2に示す通
りである。
表2から判るように、電荷発生物質と導電性支持体との
仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは、
暗減衰(ΔVdd)も小さく、バイビーク型の分光感度
を持ちかつ高感度である。
仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは、
暗減衰(ΔVdd)も小さく、バイビーク型の分光感度
を持ちかつ高感度である。
実施例7〜9及び比較例5〜6
厚さ50μmのPETフィルム上に酸化アルミニウム、
インジウム又はスズをそれぞれ半透明かつ導電性を保有
するように500人の膜厚に蒸着して実施例7〜9の導
電性支持体とした。また、金、酸化スズを同様にそれぞ
れ蒸着して比較例5〜6の導電性支持体とした。
インジウム又はスズをそれぞれ半透明かつ導電性を保有
するように500人の膜厚に蒸着して実施例7〜9の導
電性支持体とした。また、金、酸化スズを同様にそれぞ
れ蒸着して比較例5〜6の導電性支持体とした。
次に構造式
の化合物4部、ビスフェノールZ型ポリカーボネート(
重量平均分子量25000 ) 2部およびシクロへキ
サノン34部を直径1mmのガラスピーズを収容したサ
ンドミル装置で20時間混合分散した後にテトラヒドロ
フラン(THF)60部を加えて電荷発生層用分散液を
調製した。この分散液を上記それぞれの導電性支持体上
にワイヤーバーでコーティングし、80℃で15分間乾
燥させて膜厚0.16μmの電荷発生層を形成させた。
重量平均分子量25000 ) 2部およびシクロへキ
サノン34部を直径1mmのガラスピーズを収容したサ
ンドミル装置で20時間混合分散した後にテトラヒドロ
フラン(THF)60部を加えて電荷発生層用分散液を
調製した。この分散液を上記それぞれの導電性支持体上
にワイヤーバーでコーティングし、80℃で15分間乾
燥させて膜厚0.16μmの電荷発生層を形成させた。
次に実施例1で用いたスチリル化合物10部及びビスフ
ェノール2型ポリカーボネート(重量平均分子量330
00) 10部をジクロルメタン40部及びモノクロル
ベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解し、この溶液
を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーティングし
、120℃で60分間乾燥させて膜厚20μmの電荷輸
送層を形成させた。
ェノール2型ポリカーボネート(重量平均分子量330
00) 10部をジクロルメタン40部及びモノクロル
ベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解し、この溶液
を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーティングし
、120℃で60分間乾燥させて膜厚20μmの電荷輸
送層を形成させた。
このようにして製造した電子写真感光体に対して、実施
例1と同様に分光感度及び暗減衰の測定を行なった。実
施例7の分光感度特性を第8図に、感度(El/2)及
び暗減衰(ΔVdd)の測定結果を表3に示す。
例1と同様に分光感度及び暗減衰の測定を行なった。実
施例7の分光感度特性を第8図に、感度(El/2)及
び暗減衰(ΔVdd)の測定結果を表3に示す。
また、表面分析装置(理研計器製AC−1型)を用いて
電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定した
。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.1 [eV
]であり、各導電性支持体の仕事関数は表3に示す通り
であった。
電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定した
。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.1 [eV
]であり、各導電性支持体の仕事関数は表3に示す通り
であった。
表3を見て判るように、電荷発生物質と導電性支持体と
の仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは
、暗減衰(ΔVdd)が小さく、バイビーク型の分光感
度を持ち、かつ高感度である。
の仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは
、暗減衰(ΔVdd)が小さく、バイビーク型の分光感
度を持ち、かつ高感度である。
実施例10〜12及び比較例7〜8
厚さ50μmのPETフィルム上にアルミニウム、銀又
は鉛をそれぞれ半透明かつ導電性保有する様に500人
の膜厚に蒸着して実施例10〜12の導電性支持体とし
た。またヨウ化銅、金を同様にそれぞれ蒸着して比較例
7〜8の導電性支持体とした。次にアルコール可溶性ナ
イロン樹脂5部をメタノール95部に溶解し、これを上
記導電性支持体上にワイヤーバーでコーティングし、8
0℃で20分間乾燥させて膜厚1.5μmの中間層を形
成させた。
は鉛をそれぞれ半透明かつ導電性保有する様に500人
の膜厚に蒸着して実施例10〜12の導電性支持体とし
た。またヨウ化銅、金を同様にそれぞれ蒸着して比較例
7〜8の導電性支持体とした。次にアルコール可溶性ナ
イロン樹脂5部をメタノール95部に溶解し、これを上
記導電性支持体上にワイヤーバーでコーティングし、8
0℃で20分間乾燥させて膜厚1.5μmの中間層を形
成させた。
次に下記構造式の化合物4部、
ベンザール樹脂(重量平均分子量24000 ) 2部
およびシクロへキサノン34部を直径1mmのガラスピ
ーズを収容したサンドミル装置で20時間混合分散した
後、テトラヒドロフラン(THF)60部を加えて電荷
発生層用分散液を調製した。この分散液を上記それぞれ
の導電性支持体上にワイヤーバーでコーティングし、8
0℃で15分間乾燥させて膜厚0.18μmの電荷発生
層を形成させた。
およびシクロへキサノン34部を直径1mmのガラスピ
ーズを収容したサンドミル装置で20時間混合分散した
後、テトラヒドロフラン(THF)60部を加えて電荷
発生層用分散液を調製した。この分散液を上記それぞれ
の導電性支持体上にワイヤーバーでコーティングし、8
0℃で15分間乾燥させて膜厚0.18μmの電荷発生
層を形成させた。
次に実施例1で用いたスチリル化合物10部及びビスフ
ェノールZ型車リカーボネート(重量平均分子量330
00) 10部をジクロルメタン40部及びモノクロル
ベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解し、この溶液
を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーティングし
、120℃で60分間乾燥させて膜厚20μmの電荷輸
送層を形成させた。
ェノールZ型車リカーボネート(重量平均分子量330
00) 10部をジクロルメタン40部及びモノクロル
ベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解し、この溶液
を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーティングし
、120℃で60分間乾燥させて膜厚20μmの電荷輸
送層を形成させた。
このようにして製造した電子写真感光体に対して実施例
1と同様に分光感度、暗減衰(ΔVdd)の測定を行な
った。実施例10の分光感度特性を第9図に、感度(E
l/2)及び暗減衰(ΔVdd)の結果を表4に示す。
1と同様に分光感度、暗減衰(ΔVdd)の測定を行な
った。実施例10の分光感度特性を第9図に、感度(E
l/2)及び暗減衰(ΔVdd)の結果を表4に示す。
また、表面分析装置(理研計器製AC−1型)を用いて
、電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定し
た。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.0 [e
V]であり、各導電性支持体の仕事関数は表4に゛示す
通りであった。
、電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定し
た。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.0 [e
V]であり、各導電性支持体の仕事関数は表4に゛示す
通りであった。
表4かられかるように、電荷発生物質と導電性支持体と
の仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは
、暗減衰(ΔVdd)が小さ(、導電性支持体側より照
射した場合の方が高感度を示す。
の仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは
、暗減衰(ΔVdd)が小さ(、導電性支持体側より照
射した場合の方が高感度を示す。
実施例13〜15及び比較例9〜10
厚さ50μmのPETフィルム上にマグネシウム、マン
ガン又は酸化スズをそれぞれ半透明かつ導電性を保有す
る様に500人の膜厚に蒸着して実施例13〜15の導
電性支持体とした。
ガン又は酸化スズをそれぞれ半透明かつ導電性を保有す
る様に500人の膜厚に蒸着して実施例13〜15の導
電性支持体とした。
またニッケル、白金を同様に蒸着して比較例9〜10の
導電性支持体とした。
導電性支持体とした。
次に構造式
の化合物6部、ベンザール樹脂(重量平均分子量700
00 ) 2部およびシクロへキサノン44部を直径1
mmのガラスピーズを収容したサンドミル装置で40時
間混合分散した後にテトラヒドロフラン(THF)60
部を加えて電荷発生層用分散液を調製した。この分散液
を上記それぞれの導電性支持体上にワイヤーバーでコー
ディングし、80℃で15分間乾燥させて膜厚0,21
μmの電荷発生層を形成させた。
00 ) 2部およびシクロへキサノン44部を直径1
mmのガラスピーズを収容したサンドミル装置で40時
間混合分散した後にテトラヒドロフラン(THF)60
部を加えて電荷発生層用分散液を調製した。この分散液
を上記それぞれの導電性支持体上にワイヤーバーでコー
ディングし、80℃で15分間乾燥させて膜厚0,21
μmの電荷発生層を形成させた。
次に下記構造式で表わされるヒドラゾン化合物10部
及びビスフェノールZ型車リカーボネート(重量平均分
子量39000 ) 10部をジクロルメタン40部及
びモノクロルベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解
し、この溶液を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコ
ーティングし、120℃で60分間乾燥させて膜厚20
μmの電荷輸送層を形成した。
子量39000 ) 10部をジクロルメタン40部及
びモノクロルベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解
し、この溶液を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコ
ーティングし、120℃で60分間乾燥させて膜厚20
μmの電荷輸送層を形成した。
このようにルて製造した電子写真感光体に対して実施例
1と同様に分光感度、暗減衰の測定を行なった。実施例
13の分光感度特性を第11図に、感度(El/2)及
び暗減衰(△Vdd)の結果を表5に示す。
1と同様に分光感度、暗減衰の測定を行なった。実施例
13の分光感度特性を第11図に、感度(El/2)及
び暗減衰(△Vdd)の結果を表5に示す。
また、表面分析装置(理研計器製AC−1型)を用いて
電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定した
。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.5 [eV
]であり、各導電性支持体の仕事関数は表5に示す通り
であった。
電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定した
。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.5 [eV
]であり、各導電性支持体の仕事関数は表5に示す通り
であった。
表5をみてわかるように、電荷発生物質と導電性支持体
の仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは
、暗減衰(△Vdd)が小さ(、バイビーク型の分光感
度を持ち、かつ高感度である。
の仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは
、暗減衰(△Vdd)が小さ(、バイビーク型の分光感
度を持ち、かつ高感度である。
実施例16〜18及び比較例11〜12厚さ50IJ、
mのPETフィルム上にカドミウム、鉄又は酸化インジ
ウムをそれぞれ半透明かつ導電性を保有するように50
0人の膜厚に蒸着して実施例16〜18の導電性支持体
とした。またアンチモン、テルルを同様にそれぞれ蒸着
して比較例11〜12の導電性支持体とした。
mのPETフィルム上にカドミウム、鉄又は酸化インジ
ウムをそれぞれ半透明かつ導電性を保有するように50
0人の膜厚に蒸着して実施例16〜18の導電性支持体
とした。またアンチモン、テルルを同様にそれぞれ蒸着
して比較例11〜12の導電性支持体とした。
次に構造式
の化合物5部、ブチラール樹脂(ブチラール化度60%
重量平均分子量55000 ) 3部およびシクロへキ
サノン34部を直径1mmのガラスピーズを収容したサ
ンドミル装置で20時間混合分散した後にテトラヒドロ
フラン(THF)60部を加えて電荷発生層用分散液を
調製した。この分散液を上記それぞれの導電性支持体上
にワイヤーバーでコーティングし、80℃で15分間乾
燥させて膜厚0.15μmの電荷発生層を形成させた。
重量平均分子量55000 ) 3部およびシクロへキ
サノン34部を直径1mmのガラスピーズを収容したサ
ンドミル装置で20時間混合分散した後にテトラヒドロ
フラン(THF)60部を加えて電荷発生層用分散液を
調製した。この分散液を上記それぞれの導電性支持体上
にワイヤーバーでコーティングし、80℃で15分間乾
燥させて膜厚0.15μmの電荷発生層を形成させた。
次に実施例13で用いたヒドラゾン化合物10部及びビ
スフェノールZ型ポリカーボネート(重量平均分子量3
9000 ) 10部をジクロルメタン40部及びモ
ノクロルベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーテ
ィングし、120℃で60分間乾燥させて膜厚25μm
の電荷輸送層を形成した。
スフェノールZ型ポリカーボネート(重量平均分子量3
9000 ) 10部をジクロルメタン40部及びモ
ノクロルベンゼン20部からなる混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上にワイヤーバーでコーテ
ィングし、120℃で60分間乾燥させて膜厚25μm
の電荷輸送層を形成した。
このようにして製造した電子写真感光体に対して実施例
1と同様に分光感度、暗減衰の測定を行なった。実施例
16の分光感度特性を第12図に、感度(El/2)及
び暗減衰(ΔVdd)の結果を表6に示す。
1と同様に分光感度、暗減衰の測定を行なった。実施例
16の分光感度特性を第12図に、感度(El/2)及
び暗減衰(ΔVdd)の結果を表6に示す。
また、表面分析装置(理研計器製AC−1型)を用いて
電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定した
。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.3 [eV
]であり、各導電性支持体の仕事関数は表6に示す通り
であった。
電荷発生物質及び各導電性支持体の仕事関数を測定した
。その結果、電荷発生物質の仕事関数は5.3 [eV
]であり、各導電性支持体の仕事関数は表6に示す通り
であった。
表6をみてわかるように、電荷発生物質と導電性支持体
の仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは
、暗減衰(ΔVdd)が小さ(、バイビーク型の分光感
度を持ちかつ高感度である。
の仕事関数差が0.5 [eV]以上である組合せでは
、暗減衰(ΔVdd)が小さ(、バイビーク型の分光感
度を持ちかつ高感度である。
[発明の効果]
本発明の電子写真感光体は導電性支持体と電荷発生物質
との界面近傍で多数の光導電キアリアを発生させる様に
構成されているので、従来の感光体に比べて電荷発生物
質と電荷輸送物質との選定が容易となった。
との界面近傍で多数の光導電キアリアを発生させる様に
構成されているので、従来の感光体に比べて電荷発生物
質と電荷輸送物質との選定が容易となった。
更に、導電性支持体と電荷発生物質との仕事関数差を0
.3 [eV]以上に設定することにより、光透過性の
導電性支持体側から光を照射した方が高感度を発揮し、
かつ電位安定性の面でも優れた電子写真感光体を得るこ
とができた。
.3 [eV]以上に設定することにより、光透過性の
導電性支持体側から光を照射した方が高感度を発揮し、
かつ電位安定性の面でも優れた電子写真感光体を得るこ
とができた。
また、電荷輸送層側から光を照射した場合と光透過性の
導電性支持体側から光を照射した場合とで分光感度特性
曲線の形が異なることを利用する為に光源としてハロゲ
ン光とLED又はハロゲン光と半導体レーザー等の組み
合せを用いれば、バイビーク感光体としての応用が可能
である。従来とは異なり、異種の電荷発生物質の混合や
積層化の必要も無いので本発明の電子写真感光体は容易
に製造可能で電位特性の優れたものである。
導電性支持体側から光を照射した場合とで分光感度特性
曲線の形が異なることを利用する為に光源としてハロゲ
ン光とLED又はハロゲン光と半導体レーザー等の組み
合せを用いれば、バイビーク感光体としての応用が可能
である。従来とは異なり、異種の電荷発生物質の混合や
積層化の必要も無いので本発明の電子写真感光体は容易
に製造可能で電位特性の優れたものである。
第1図(a)及び(b)並びに第3図(a)及び(b)
は本発明の感光体の模式的断面、第2図及び第4図は該
感光体に光を照射した場合に観測される相対感度の波長
依存性を示すグラフ、第5図は本発明の感光体を用いて
電子写真装置の断面図、第6図(a)及び(b)は本発
明の感光体に対して感光体支持体側から光を照射する場
合の光線の経路及び関連機器の相対的配置を示す本発明
の電子写真装置の構成図、第6図(c)は本発明の感光
体に帯電後に光を照射することによる電位の経時変化を
示2− すグラフ、第7図〜第セ守図は本発明の各種感光体にお
ける感度と照射光の波長との関係を示すグラフである。 1・・・光透過性の導電性支持体 2・・・電荷発生層 3・・・電荷輸送層 4・・・除電用露光光源 4°・・・感光体露光光源 5・・・導電体支持体側から照射 6・・・電荷輸送層側から照射 7・・・電荷発生層の吸光スペクトル 8・・・NESAガラス 9・・・シャッター 10・・・モーター 11・・・NDフィルター 12・・・干渉フィルター 13・・・ミラー 14・・・高圧OPアンプ及び表面電位測定ユニットへ
接続 15・・・感光体 16・・・−成帯電器 17・・・ハロゲン光源 18・・・半導体レーザー光源 19・・・現像器 20・・・転写・分離帯電器 21・・・クリーナー 22・・・前露光 23・・・普通紙 24・・・定着器 第 図 尤 $2図 殖!− 液 長 (n m ) −表 乎 3 図 ネ 短− 浚 長(nm) →表 第5 図 0 ネ 図 (b) 第 図 (C) 第 7 図 汲 菱 (nm) 隼 図 り庚 表 (nm) 第 図 5文 長 (n m) 液 表 (n m) 葛 11 液 表 (n m) j麦 支 (nm)
は本発明の感光体の模式的断面、第2図及び第4図は該
感光体に光を照射した場合に観測される相対感度の波長
依存性を示すグラフ、第5図は本発明の感光体を用いて
電子写真装置の断面図、第6図(a)及び(b)は本発
明の感光体に対して感光体支持体側から光を照射する場
合の光線の経路及び関連機器の相対的配置を示す本発明
の電子写真装置の構成図、第6図(c)は本発明の感光
体に帯電後に光を照射することによる電位の経時変化を
示2− すグラフ、第7図〜第セ守図は本発明の各種感光体にお
ける感度と照射光の波長との関係を示すグラフである。 1・・・光透過性の導電性支持体 2・・・電荷発生層 3・・・電荷輸送層 4・・・除電用露光光源 4°・・・感光体露光光源 5・・・導電体支持体側から照射 6・・・電荷輸送層側から照射 7・・・電荷発生層の吸光スペクトル 8・・・NESAガラス 9・・・シャッター 10・・・モーター 11・・・NDフィルター 12・・・干渉フィルター 13・・・ミラー 14・・・高圧OPアンプ及び表面電位測定ユニットへ
接続 15・・・感光体 16・・・−成帯電器 17・・・ハロゲン光源 18・・・半導体レーザー光源 19・・・現像器 20・・・転写・分離帯電器 21・・・クリーナー 22・・・前露光 23・・・普通紙 24・・・定着器 第 図 尤 $2図 殖!− 液 長 (n m ) −表 乎 3 図 ネ 短− 浚 長(nm) →表 第5 図 0 ネ 図 (b) 第 図 (C) 第 7 図 汲 菱 (nm) 隼 図 り庚 表 (nm) 第 図 5文 長 (n m) 液 表 (n m) 葛 11 液 表 (n m) j麦 支 (nm)
Claims (3)
- (1)光透過性の導電性支持体上に電荷発生物質を含有
する感光層が存在する電子写真感光体において、導電性
支持体と電荷発生物質との間に形成される接触電位差に
より光導電キャリアが生成することを特徴とする電子写
真感光体。 - (2)該電子写真感光体において、導電性支持体と電荷
発生物質との仕事関数差が0.3eV以上となる様な両
者の組合わせからなることを特徴とする請求項1に記載
の電子写真感光体。 - (3)電子写真感光体およびその光透過性の導電性支持
体側から感光層に対して露光する光源を組み込んだ構造
であることを特徴とする請求項1に記載の電子写真装置
。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1255324A JPH03118547A (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 電子写真感光体及びそれを搭載した電子写真装置 |
US07/985,438 US5338632A (en) | 1989-10-02 | 1992-12-03 | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic device using the same |
US08/269,360 US5500718A (en) | 1989-10-02 | 1994-06-30 | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1255324A JPH03118547A (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 電子写真感光体及びそれを搭載した電子写真装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03118547A true JPH03118547A (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=17277201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1255324A Pending JPH03118547A (ja) | 1989-10-02 | 1989-10-02 | 電子写真感光体及びそれを搭載した電子写真装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5338632A (ja) |
JP (1) | JPH03118547A (ja) |
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US6233027B1 (en) * | 1997-01-07 | 2001-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and process for production thereof |
US5994013A (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-30 | Lexmark International, Inc. | Dual layer photoconductors with charge generation layer containing charge transport compound |
EP1271251A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Seiko Epson Corporation | Image forming apparatus |
JP4354189B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2009-10-28 | 東海ゴム工業株式会社 | 現像ロール |
Citations (1)
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---|---|---|---|---|
JPS6363052A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-19 | Seiko Epson Corp | 電子写真用感光体 |
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US4034709A (en) * | 1975-10-22 | 1977-07-12 | Xerox Corporation | Developer roll |
JPS5932788A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-22 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 粉粒体の冷却装置 |
JPS6033578A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Toshiba Corp | 現像装置 |
US4764841A (en) * | 1984-12-14 | 1988-08-16 | Xerox Corporation | Toner charging apparatus with coated toner transport members |
US4701395A (en) * | 1985-05-20 | 1987-10-20 | Exxon Research And Engineering Company | Amorphous photoreceptor with high sensitivity to long wavelengths |
JPS63240553A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Seiko Epson Corp | 感光体 |
JPS63240554A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Seiko Epson Corp | 感光体 |
JPS63240552A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-06 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体 |
US4859553A (en) * | 1987-05-04 | 1989-08-22 | Xerox Corporation | Imaging members with plasma deposited silicon oxides |
US4882257A (en) * | 1987-05-27 | 1989-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic device |
JPH01209768A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Canon Inc | 有機太陽電池 |
US4989044A (en) * | 1988-04-27 | 1991-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Developing apparatus for developing electrostatic latent images |
US4920022A (en) * | 1988-05-07 | 1990-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member comprising aryl amine charge transport material |
-
1989
- 1989-10-02 JP JP1255324A patent/JPH03118547A/ja active Pending
-
1992
- 1992-12-03 US US07/985,438 patent/US5338632A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-30 US US08/269,360 patent/US5500718A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6363052A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-19 | Seiko Epson Corp | 電子写真用感光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5338632A (en) | 1994-08-16 |
US5500718A (en) | 1996-03-19 |
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