JPH01201839A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガスレーザ、半導体レーザ等の集束光を照射
させて光学的に情報の記録・再生、あるいは記録・再生
・消去を行う光ディスク、光磁気ディスク等光記録媒体
に係わり、特に、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等が向上し、
かつ、再生ノイズ、サーボ信号ノイズも小さく、しかも
長期に亘って記録性能が劣化しない光記録媒体の改良に
関するものである。

［従来の技術］ 従来の光記録媒体は、片面側に記録層を備えるタイプを
例に挙げて説明すると、第１０図〜第１１図に示すよう
にフォーカシング及びトラッキングサーボ用のプリグル
ー７　（Ｏｒｅ−ｇｒｏＯＶｅ）　　（ａ　）が施され
た透明基板（ｂ）と、この基板（ｂ）全面に設けられた
記録層（Ｃ）と、この記録層（Ｃ）全面に設けられた保
護層（ｄ）とでその主要部が構成され、かつ、この光記
録媒体（ｅ）への記録情報の入力は、第１２図に示すよ
うに集光レンズ（ｆ）により集光された半導体レーザ等
光源からの記録用集束光（ｇ）を上記記録層（Ｃ）の所
定部位へ照射し、その照射部位について記録層（Ｃ）の
相変化、磁化反転、あるいは変形等を起こさせ非照射部
とは反射率若しくはカー回転角の異なる記録ドツト（ｈ
）（第１１図参照）を形成して行なわれるものである。

この場合、光源からの集束光（（Ｊ）を上記記録層（Ｃ
）の所定部位へ確実に照射させるため上記プリグループ
（ａ）を利用してフォーカシング、並びにトラッキング
サーボ制御を行うと共に、上記記録ドツト（ｈ）の幅寸
法（Ｂ）を第１３図に示すように記録用集束光スポット
（ｉ）における強度変化が最も急峻な値を示す半値幅（
Ω２）程度に設定し、略同−サイズの記録ドツト（ｈ）
が安定して形成されるように調整されている。

一方、上記記録情報の再生時においては、第１４図〜第
１５図に示すように再生用集束光（ｇ）を光記録媒体（
ｅ）の記録面へ照射し、この反射光を光ダイオード等受
光素子（ｊ）へ入力させて再生するものである。この場
合、再生用集束光スポット全体の光が再生に利用されて
おり、第１３図に示すように代表的には再生用集束光ス
ポットに）における１／ｅ２全幅（Ωｅ）領域の光が再
生信号に寄与するものと考えられる。

［発明が解決しようとする課題１ ところで、従来の光記録媒体（ｅ）は上述のように基板
（ｂ）の全面に記録層（Ｃ）を備えているため、以下に
示すような種々の問題点を有するものであった。

先ず、光記録媒体（ｅ）におけるトラックピッチ（ＴＰ
）は再生信号に隣接トラック上の信号が混入しないとこ
ろまで狭く設定することができ、その最小値（ＴＰ　　
・　）は再生時における隣接ト１ｎ ラックとのクロストークのみを考慮すると、第１６図（
ｄ）から （ＴＰｌｎ） ＝８／２＋　（Ωｅ−８）／２＋８／２＝（Ｂ＋Ωｅ）
／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツト（ｈ）の幅寸法、（Ωｅ）は
再生用集束光スポット（ｉ）における１／ｅ２全幅を示
している。

一方、従来において記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）は
上述のように記録用集束光スポット（ｉ）の半値幅（Ω
２）程度に設定されているため、光記録媒体におけるト
ラック密度を向上させるには、結局、上記集束光（Ｑ）
のスポット径（Ωｅ１Ω２）を小さく設定するといった
方法しか無く、かつ、上記スポット径（Ω２）について
もこれを余り小さく設定すると基板表面の僅かな誤差で
記録誤動作を起こすことから一定以下に設定できない制
約があるため、上記密度向上には一定の限界を有する問
題点があった。

また、上記記録層（Ｃ）を構成する記録材料は通常熱伝
導性を有しているため、この熱伝導性の影響により記録
スポットの走査が進むにつれ熱が周辺に漏れ易くなって
記録幅が増大し、第１７図に示すように記録ドツト（ｈ
）の形状が所謂「涙滴形ドツトＪとなる場合があった。

このため、第５図においてαで示すように再生信号が歪
んでしまって大きなジッターが発生し易いと共に、Ｃ／
Ｎ比が低下するといった問題点があった。

更に、再生用集束光スポット（ｉ）の径寸法（Ωｅ）は
上述のように記録ドツト（１１）の径寸法（Ｂ）より大
きく、しかも、上記光記録媒体（ｅ）についてはその基
板（ｂ）全面に記録層（Ｃ）が設けられているため、再
生時において光記録媒体（ｅ）ノイズが再生信号に大き
く影響を及ぼすといった欠点があった。

すなわち、第１８図に示すように光記録媒体（ｅ）の記
録層（Ｃ）面には、媒体自体の欠陥、結晶粒等に基因す
る反射率の異なるノイズ発生部位（ｎｌ）〜（ｎｌ）が
多数存在し、かつ、上記記録ドツト（ｈ）の周縁部にも
ドツト形状のむらに基因するノイズ発生部位（ｎ２）〜
（ｎ２）が存在してこれ等ノイズが再生信号に混入する
ため、再生信号におけるＣ／Ｎ比向上の大きな障害とな
っていた（第７図においてαで示されたＣ／Ｎ比参照。

但し、Ｃはキャリア信号レベル、Ｎはノイズ信号レベル
を夫々示している）。

また、記録・再生・消去用の光記録媒体においては、記
録情報を消去する場合、経時劣化を基因とする記録層の
感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラッキン
グずれ等の原因によって第１９図に示すように記録情報
を完全に消去できなくなるといった欠点があり、一方、
この欠点を解消するため消去用集束光のスポット径（Ω
）を記録用集束光のスポット径（Ω２）より大きく設定
すると、トラック密度の低下を招くといった問題点があ
った。

また、従来の光記録媒体においてはその基板（ｂ）全面
に記録１！（ｃ）が形成されているため、記録層（Ｃ）
形成時におけるストレスや基板（ｂ）と記録層（Ｃ）と
の膨張率の違い等によって、第２０図に示すように記録
層（Ｃ）に二次元的な内部ストレス（ｓＢが加わり易く
経時的に記録性能が劣化し易い問題点があった。

［課題を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等が高く
、かつ、再生ノイズ、サーボ信号ノイズが小さく、しか
も長期に戸って記録性能が劣化しない光記録媒体を提供
することにある。

すなわち本発明は、集束光を照射させて光学的に情報の
記録再生、あるいは記録再生消去を行う光記録媒体を前
提とし、基板と、この基板の少なくとも一面に複数間隔
を介し形成されたトラック溝と、このトラック溝内で該
トラック溝の両側面に沿って形成された記録層とで構成
され、上記トラック溝の幅寸法が記録用集束光スポット
の半値幅と同程度以下に設定されていることを特徴とす
るものである。

この様な技術的手段において上記基板としては、この基
板側から集束光を照射させる関係上光透過性の材料が望
ましく、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリアク
リロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、エポキシ樹脂
、ポリベンテン等が挙げられる。また、単一の光透過性
材料でもって上記基板を構成してもよく、あるいは上記
光透過性材料を複数積層して基板としても当然のことな
がらよい。更に、上記基板の形状については通常円形状
とするが、カード型の光記録媒体とする場合には矩形状
とするのが好ましい。尚、基板の反対側から集束光を照
射させて記録・再生、あるいは記録・再生・消去を行う
光記録媒体においては、当然のことながら上記光透過性
以外の光不透過性の材料でもって基板を構成してもよい
。

また、上記基板の少なくとも一面に複数間隔を介し形成
されるトラック溝は、従来においてフォーカシング、ト
ラッキングサーボ制御用に形成されるプリグループと同
様のもので構成されており、円形基板においては渦巻き
状、若しくは同心円状に形成され、一方矩形基板におい
ては互いに平行に形成された凹溝群により構成される。

そして、このトラック溝の形成法としては、基板に直接
凹溝を形成する方法と、基板上に複数の凸條を固着しこ
の凸條と基板とで凹溝を形成する方法が挙げられる。す
なわち、前者の方法としては、例えばガラス基板上に紫
外線硬化型等の硬化型樹脂を塗布し、この塗布面に予め
レーザカッティングマシーン等の精密機器により作成し
たマスター盤を密着させてその溝パターンを転写形成し
、次いで上記樹脂を硬化させて直接凹溝を形成する、所
ＷＩ２　Ｐ　（Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ　）法、上
記マスター５Ｊを元に作成した成形型内に熱可塑性樹脂
を流し込み、直接凹溝の形成された基板を得るインジェ
クション法、キャスティング法、あるいはガラス基板上
に７オトレジストをパターン状に形成しこれをエツチン
グして直接凹溝を形成するエツチング法等があり、一方
、後書の方法としては、ガラス基板上に上記硬化型樹脂
の薄層を形成すると共に、この薄層をパターン状に除去
して凸條を形成し、この凸條と基板とで凹溝を形成する
方法等がある。

尚、これ等手段によって形成されるトラック溝の幅寸法
Ｔは、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等を上げるため記録用集
束光スポットの半値幅（Ω２）程度以下、好ましくはΩ
２／３〜２×Ω２／３程度に設定するものであり、一方
、上記トラック溝間距離ＴＰについては、記録用集束光
スポットの１／ｅ２全幅をＧｅとした場合において、ト
ラック密度を上げるため略（Ｔ＋Ωｅ）／２に設定する
ことが望ましい。

次に、上記記録層を構成する記録材料としては、光記録
材料として広く知られている全ての材料を使用すること
ができる。

すなわち、Ｔｅ、Ｓｅ、５１ＳｂＳＡｓ１Ｐ。

Ｐｂ、Ｓｎ、Ｑｅ、３ｉ１Ｔｊ、Ｉｎ、Ｇａ。

ＡＩ、７ｎ、ＡＵ、ＡＧ、Ｃｕ、Ｐｔ、ＭＯｌＴ　ｉ　
、Ｎ　ｉ　、Ｃ’　ｓ及びＷ等の元素のうち少なくとも
一成分以上を含む単体、若しくは化合物、あるいはそれ
らが伯の材料中に分散された材料を使用することができ
る。このうちＴｅ、５ｅ−Ｔｅ１Ｐｂ−３ｅ−Ｔｅ、Ｔ
ｅ−Ｃ等は書換不能な記録・再生タイプである穴開は形
の材料に適しており、ＴｅＯ、Ｔｅａｘ　（Ｇｅ、Ｓｎ
添加）、’ｌｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−８ｂ、Ｉｎ−Ｔｅ、５ｂ
２Ｓ　　ｅ　　。

Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ−Ａｕ。

Ａｓ２Ｓ３．５ｂ−Ｔｅ１Ｔｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｔｅ。

ＡＱ−１ｎ、Ａａ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａｌ、Ａｇ−Ａｊ−Ｃ
ｕ、Ｃｕ−Ａｊ−Ｎｉ１Ａｕ−Ｔｉ、及びＣｒ−Ｔｉ等
は書換可能な記録・再生・消去タイプである相変化形記
録材料に適している。

また、書換可能な光磁気記録材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ、ｖｎ等の遷移金属、及びＴ、ｂ、Ｇｄ、Ｎｄ、
Ｐ、ｍ、Ｓｍ、Ｅｎ、Ｄｙ、Ｈｏ。

Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ｌｕ等の希土類元素のうち少なくと
も一成分以上を含む磁気材料、代表的にはＴｂ−Ｆｅ−
Ｇｏ、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ。

Ｍｎ−Ｂ　ｉ　、　Ｐｔ−Ｍｎ−８ｂ等が適用できる。

更に、記録層を構成する材料としては、上記以外にシア
ニン色素、フタロシアニン、ナフトキノン、スクアリリ
ウム、ポリチオフェン、ポリジアセチレンに代表される
有機色素材料、及びスピロピラン、フルギド、アゾベン
ゼン等に代表されるフォトクロミック材料等が使用可能
である。

また、上記トラック溝内に記録層を設ける手段としては
、原則として基板上に記録材料を一様に形成し、次いで
、トラック溝以外の部位の記録材料を除去して形成する
手段が適用できる。

具体的には記録材料を一様に形成する手段として、例え
ば、上記記録材料を直接基板上に形成する蒸着法、スパ
ッタリング法等のドライプロセスが、また、溶剤に溶解
若しくは分散された記録材料を基板上に塗布形成するウ
ェットプロセスが適用できる。

一方、上記トラック溝部以外に形成された余分な記録材
料を除去する手段としては、溶剤などを用いて部分的に
除去するエツチング法や、パフ研磨、レーザカッティン
グ等の機械的除去法等が適用できる。

また、この技術的手段は片面側にのみ記録層を備える光
記録媒体に適用できる他、両面側に記録層を備える光記
録媒体にも適用できる。この場合後者のものは、記録層
を向い合せにし接着剤を介して２枚貼り合せて形成する
ことができ、また、この接着剤としては、ウレタン系接
着剤、エポキシ系接着剤、硬化性シリコーン樹脂、エチ
レン−酢酸ビニル樹脂等のホットメルト型接着剤、ポリ
塩化ビニル樹脂等の高周波接着剤等が利用できる。

一方、前者のものにおいては上記記録層を保護するため
の保護層を記録層側基板全面に設けてもよく、この材料
としてＳｉＯ２、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｓ　ｉ　３　Ｎ　
４　、Ａ　ｊ　Ｎ等が利用できる。

また、この光記録媒体の記録層へ集束光を照射させて情
報の記録・再生、あるいは記録・再生・消去を行う光源
としては、従来法において利用されている光源が使用で
き、具体的にはＧａＡｌＡｓ系半導体レーザ、ＧａＡ　
Ｉ　Ｉ　ｎＰ系半導体レーザ、Ｇａ１ｎＡｓＰ系半導体
レーザ等の半導体レーザや、ｔｌ　ｅ　−Ｎ　ｅレーザ
、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ等のガスレーザ等が挙
げられる。

更に、本発明に係る光記録媒体は、コンパクトディスク
等の音楽用、ビデオデスク等の画像用に加えて計算機用
光デイスク等各種用途に適用できる。

［作用］ 上述したような技術的手段によればこの光記録媒体は、
基板と、この基板の少なくとも一面に複数間隔を介し形
成されたトラック溝と、このトラック溝内で該トラック
溝の両側面に沿って形成された記録層とで構成されてお
り、互いに隣接するトラック溝間には記録層が形成され
ていないため、再生時における媒体ノイズが減少し、か
つ、記録情報の消去時における消し残りが発生し難いと
共に、上記トラック溝内の記録層は長さ方向においての
み連続し幅方向においては連続してないため記録層の内
部ストレスが減少し、一方、上記トラック溝の幅寸法は
記録用集束光スポットの半値幅と同程度以下に設定され
ているためトラックピッチを小さめに設定でき、かつ、
記録ドツトの形状を略矩形状に近似させることが可能と
なる。

［実施例］ 以下、片面側に記録層を備える光記録媒体に本発明を適
用した実施例について図面を参照して詳細に説明すると
、この光記録媒体（１）は、第１図〜第２図に示すよう
に円形のガラス板に紫外線硬化型樹脂を積層した基板（
２）と、この基板（２）の紫外線硬化型樹脂面に同心円
状に設けられたトラック溝（３）と、このトラック溝（
３）内に設けられた記録層（４）と、基板（２）の紫外
線硬化型樹脂面上に一様に形成された保護層（５）とで
その主要部が構成されるものである。

また、上記トラック溝（３）についてはその幅Ｔが記録
用半導体レーザスポットの半値幅（Ω２）［第３図（ｂ
）及び（ｃ）参照］以下の５０００オングストローム、
その深さが３０００オングストロームに設定されており
、一方、上記記録層（４）については３００オングスト
ローム厚のＴｅＯにより構成されている。

そして、上記トラック溝（３）を利用して従来同様フォ
ーカシング、並びにトラッキング制御を行いながら第２
図〜第３図に示すように、記録層（４）の所定部位に記
録用半導体レーザを照射してその径が半導体レーザスポ
ットの半値幅（Ω２）程度の記録ドツト（６）を形成し
記録情報の入力を行うと共に、この記録ドツト（６）を
再生用半導体レーザにより読取って再生信号を得るもの
である。

尚、第１図中（７）は再生用の光ヘッドを示しており、
半導体レーザ（７１）と、このレーザ光を光記録媒体（
１）面へ結像させる集光レンズ（７２）と、光記録媒体
（１）からの反射ビームを偏光させるビームスプリッタ
（７３）、ハーフミラ−（７４）と、及びサーボ信号検
出器（７５）並びに再生信号受光器（７６）とでその主
要部が構成されているものである。また、従来同様再生
用半導体レーザスボッ１〜の１／ｅ２全幅（Ωｅ）領域
の光が再生信号に寄与しているものと考えられる。

ここでこの光記録媒体（１）は、基板全面に記録層の形
成された従来の光記録媒体と比較して以下に示すような
種々の効果を有している。

先ずこの光記録媒体（１）は、従来の光記録媒体と較べ
てトラックピッチ（ＴＰ）を著しく小さく設定すること
が可能となる。

すなわち、光記録媒体のトラックピッチの最小値（ＴＰ
、）は上述したように、 １１ｎ （ＴＰｌｏ） ＝８／２＋　（Ωｅ−Ｂ）／２＋Ｂ／２＝（Ｂ＋Ωｅ）
／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツトの幅寸法、（Ωｅ）は再生用
集束光スポットにおける１／ｅ２全幅を示している。

一方、この光記録媒体（１）においては、第３図（ｂ）
及び（ｄ）に示すように上記記録ドツト（６）の幅寸法
（Ｂ）がトラック溝（３）の幅寸法（Ｔ）と同一となっ
ており、かつ、この幅寸法（Ｔ）は従来の光記録媒体に
おける記録ドツト径（Ω２）より小さく設定されている
ため、実施例に係る光記録媒体（１）のトラックピッチ
の最小値（ＴＰ’　　・　）と、従来における光記録媒
体のａｎ トラックピッチの最小値（ＴＰ、）との関係は、ａｎ （ＴＰ’　　−）＜　（ＴＰ　　・　）１１１ｎ　　　
　　　　　　　　　１ｌｌｌｎとなり、従来と較べてト
ラックピッチ（ＴＰ）を著しく小さく設定でき、トラッ
ク密度の向上が図れる利点を有している。

また、実施例に係る光記録媒体（１）においてはその記
録層（４）がトラック溝（３）の形状に規制されるため
、第４図に示すように従来のｒ涙滴形状」と異なって矩
形状に近い形状の記録ドツト（６）を形成することがで
きる。

従って、第５図においてβで示すように再生時における
再生信号波形が歪まないため、従来と比較してＣ／Ｎ比
、及びジッター共向上する利点を有している。

更に、この光記録媒体（１）においては、上記トラック
溝（３）以外の部位に記録層（４）を有していないため
媒体ノイズが低減し、しかも、記録ドツト（６）の形状
はトラック溝（３）により規制されてばらつかないため
、記録ドツト（６）の境界部における反射率むらや磁区
分布むらが低減して再生信号におけるＣ／Ｎ比が向上す
る長所を有している。

すなわち再生時における再生信号ノイズは、半導体レー
ザ等光源のノイズを充分に押えた場合、一般的には光記
録媒体の欠陥、結晶粒等に基因する媒体ノイズと、記録
ドツト形状のむらに基因する記録ノイズとが支配的とな
る。そしてこの光記録媒体においては、トラック溝（３
）以外の部位に記録層（４）を有していないため上記媒
体ノイズが低減すると共に、第６図に示すように記録層
（４）の両側縁は高い精度で形成されたトラック溝（３
）により規制されて記録ドツト（６）の形状むらが起こ
り難いため記録ノイズも低減する。

従って、再生信号に上記のノイズ信号が混入し難くなる
ため、第７図においてβにて示すようにＣ／Ｎ比が著し
く向上する長所を有するものである。

尚、この光記録媒体（１）においては記録ドツト（６）
の幅寸法（Ｔ）が従来のそれより狭くなるため、第７図
で示すようにキャリア信号レベルＣが若干減少するが、
ノイズ信号レベルＮについても大幅に減少するため結果
的にＣ／Ｎ比は増加することとなる。また、サーボ信号
ノイズも同様に減少するため、サーボ制御の安定化にも
貢献することとなる。特に、トラッキングサーボ制御は
、トラック部とトラック間との反射率差を大きく設定で
きることと相まって大きく安定化する長所を有している
。

また更に、本発明を記録・再生・消去用の光記録媒体に
適用した場合、従来においては経時劣化を基因とする記
録層の感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラ
ッキングずれ等の原因によって記録情報を完全に消去で
きなくなるといった欠点が存したが、第８図に示すよう
に消し残りが発生する領域には記録層（４）が存在しな
いため、消し残りが生じない長所を有している。

また、トラック溝（３）内の記録層（４）は長さ方向に
おいてのみ連続し幅方向においては連続していないため
、第８図に示すように記録層（４）の内部ストレス（Ｓ
ｔ）は−次元的とな°つて大幅に緩和されると共に、記
録材料が相変化タイプの場合、記録消去工程における結
晶化、アモルファス化という原子移動過程も一次元的に
進行するため、記録層（４）内の組成変動や組成の面内
ばらつきが生じ難くなり、記録層（４）や記録ピットの
安定性の他に、繰返し書換え性も改善され長期に亘って
記録性能が安定する長所を有しており、かつ、−次元的
に記録・消去の過程が進行するため、各過程の高速化が
図れて高速の記録・消去が可能となる長所を有している
。

◎光記録媒体の製造 以下、実施例に係る光記録媒体（１）の製造法について
説明する。

まず、円形状のガラス板（１０）上に紫外線硬化型樹脂
（１１）を塗布形成し、この塗布面に予めレーザカッテ
ィングマシーンにより作成したマスター盤（図示せず）
を密着させてその溝パターンを転写形成し、次いで紫外
線を照射させて上記樹脂（１１）を硬化させてトラック
溝（３）を有する基板（２）を作成する（第９ａａ参照
）。ここで、上記トラック溝（３）の幅寸法（Ｔ　）は
５０００オングストローム、その深さ寸法は３０００オ
ングストロームに設定されている。尚、記録材料の種類
によっで上記トラック溝〈３）の深さ寸法は設定される
もので、通常５００〜１０００オングストローム、好ま
しくは２０００〜５０００オングストロームに設定され
る。

次いで、上記基板（２）の紫外線硬化型樹脂（１１）面
上に３００オングストローム厚のＴｅＯｘ簿層（Ｇｅ、
Ｓｎ添加）（１２）を蒸着法により均一に形成する（第
９図す参照）。尚、この薄層（１２）の層厚は記録材料
の種類により異なるが、通常１００〜２０００オングス
トローム程度に設定される。また、上記樹脂（１１）面
と記録材料との親和性が弱い場合には、必要に応じ樹脂
（１１）面上に下地材料を塗布形成するとよい。

次に、上記樹脂（１１）面上にスピンコード法によりフ
ォトレジスト材料（ヘキスト社製　商品名ＡＺ　１３５
０Ｊ）を塗布して５０００オングストローム厚のフォト
レジスト層（１３）を形成（第９図Ｃ参照）すると共に
、このフォトレジストＩＩ（１３）側からドライエツチ
ング処理を施して上記トラック溝（３）以外の部位に存
在するＴｅＯｘ薄層（１２）とフォトレジスト層（１３
）を除去づる（第９図Ｃ参照）。

尚、ドライエツチング条件は、 エツチング材料：ＣＣｌ２ト１２ガス、ガス圧：１０−
２〜１０１１Ｏｒｒ、 パワー密度：　　０．５Ｗ／ｃＩｉ に設定した。また、エツチング材料については使用され
る記録材料の種類によって適宜選定され、例えばＣＦ４
、あるいはＣＣｌ４をベースに０２、Ｎ２、Ｎ２を適量
添加したガス等が利用できる。

次いで、上記トラック溝（３）内に存在づる余分なフォ
トレジスト層（１３）をアセトン等の有機溶剤により溶
解除去（第９図Ｃ参照）した後、上記樹脂（１１）面上
にＳｉＯ２て構成される保″ｆｉ層（１４）を均一に形
成し、トラック溝（３）に記録層（４）を有する光記録
媒体（１）を製造した。

［発明の効果１ 本発明は以上のように、トラックピッチを小さめに設定
でき、媒体ノイズの減少が図れ、かつ、記録ドツトの形
状を矩形状に近似させることが可能となるため、トラッ
ク密度、Ｃ／Ｎ比、並びにジッターの向上を図ることが
可能になると共に、再生ノイズ等を減少できる効果を有
しており、しかも、記録層の内部ストレスが減少するた
め長期に亘って記録性能が劣化しない効果を有している
。

特に、本発明では記録層をトラック溝の両側面に沿って
設は記録層の幅方向がトラック溝に規制されるため、Ｃ
／Ｎ比、並びにジッターをより向上させることが可能と
なり、再生ノイズ、及び内部ストレスをより減少させる
ことができる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第９図は本発明の実施例を示しており、第１図
は実施例に係る光記録媒体の斜視図、第２図はその部分
断面斜視図、第３図（ａ）は光記録媒体の部分断面図、
第３図（ｂ）はその部分平面図、第３図（Ｃ）は記録、
再生用半導体レーザスポットの照度分布、第３図（ｄ）
はトラックピッチを最小にした場合の光記録媒体の部分
平面図、第４図、第６図、及び第８図はトラック溝、記
録層、及び記録ドツトの形状を示す平面図、第５図は再
生信号レベルと時間との関係図、第７図は再生信号にお
けるキャリア信号レベルとノイズ信号レベルとの関係を
示す関係図、第９図（ａ）〜（ｆ）は光記録媒体の製造
工程を示す工程説明図を夫々示し、第１０図〜第２０図
は従来における光記録媒体を示しており、第１０図はそ
の斜視図、第１１図及び第１４図はその部分断面斜視図
、第１２図は半導体レーザ等光源の照度分布とその収束
光スポットの照疫分布、第１３図は第１２図における■
の拡大図、第１５図は光記録媒体の再生時における説明
図、第１６図（ａ）は光記録媒体の部分断面図、第１６
図（ｂ）はその部分平面図、第１６図（Ｃ）は記録、再
生用半導体レーザスポットの照度分布、第１６図（ｄ）
はトラックピッチを最小にした場合の光記録媒体の部分
平面図、第１７図〜第１９図はトラック、記録層、及び
記録ドツトの形状を示す平面図、及び第２０図は記録層
に加わる内部ストレスを示す説明図である。 ［符号説明］ （１）・・・光記録媒体 （２）・・・基板 （３）・・・トラック溝 （４）・・・記録層 （５）・・・保護層 （６）・・・記録ドツト （７）・・・光ヘッド 特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　廣　（外３名
）第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 再生信号 、　　　時間 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１２図 番 第１３図 第１４図 第１５図 第１７図 り 第１８図 第１９図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）集束光を照射させて光学的に情報の記録再生、あ
   るいは記録再生消去を行う光記録媒体であつて、基板と
   、この基板の少なくとも一面に複数間隔を介し形成され
   たトラック溝と、このトラック溝内で該トラック溝の両
   側面に沿つて形成された記録層とを備え、上記トラック
   溝の幅寸法が記録用集束光スポットの半値幅と同程度以
   下に設定されていることを特徴とする光記録媒体。
2. （２）上記トラック溝が、基板に直接設けられた凹溝に
   より構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の光記録媒体。
3. （３）上記トラック溝が、基板とこの基板上に固着され
   た凸條とで構成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の光記録媒体。
4. （４）上記トラック溝の幅寸法をＴ、記録用集束光スポ
   ットの１／ｅ＾２全幅をΩｅとした場合において、上記
   トラック溝間距離が略（Ｔ＋Ωｅ）／２に設定されてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録
   媒体。