JPH04113530A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH04113530A JPH04113530A JP2233031A JP23303190A JPH04113530A JP H04113530 A JPH04113530 A JP H04113530A JP 2233031 A JP2233031 A JP 2233031A JP 23303190 A JP23303190 A JP 23303190A JP H04113530 A JPH04113530 A JP H04113530A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学的手段により情報の記録、再生。
消去を行なう元記会媒体に関する。
近年、情報記録の高密度化、大容量化ｌこ対する要求が
高まり、５１内外でその研究開発が盛んに行なわれてい
るが、特ｌこレーザを光源として用いる光記録媒体は従
来の磁気記録媒体に比べておよそ１０−１００倍の記録
密度を有し、しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非
接触状態で情報の記録。
高まり、５１内外でその研究開発が盛んに行なわれてい
るが、特ｌこレーザを光源として用いる光記録媒体は従
来の磁気記録媒体に比べておよそ１０−１００倍の記録
密度を有し、しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非
接触状態で情報の記録。
再生ができるために記録媒体の損傷も少なく、長寿命で
あるなどの特徴があることから、膨大な情報量を記録、
再生する手段として有望である。
あるなどの特徴があることから、膨大な情報量を記録、
再生する手段として有望である。
この光記録媒体は用途に応じて再生専用型、追記量、書
き換え製の３樵類に大別することができる。再生専用型
は情報の読み出しのみが可能な再生専用記録媒体であり
、追記型は必要に応じて情報を記録、再生することは、
できるが、記録した情報の消去は不可能なものである。
き換え製の３樵類に大別することができる。再生専用型
は情報の読み出しのみが可能な再生専用記録媒体であり
、追記型は必要に応じて情報を記録、再生することは、
できるが、記録した情報の消去は不可能なものである。
これに対して書き換え屋は情報の記録、再生とさらに記
鍮済みの情報を消去して書き換えることが可能であり、
コンビ畠−タ用のデータファイルとしての利用が望まれ
最も期待の大きいものである。
鍮済みの情報を消去して書き換えることが可能であり、
コンビ畠−タ用のデータファイルとしての利用が望まれ
最も期待の大きいものである。
書き換え型の光記録媒体は、光磁気方式と相変化方式の
二つの記録方式の開発が進められているが、ここではこ
れら二つの記録方式のうち、相変化方式について述べる
。
二つの記録方式の開発が進められているが、ここではこ
れら二つの記録方式のうち、相変化方式について述べる
。
相変化方式は一般ｌこレーザ光を光記録媒体の記録面に
集光して加熱し、レーザ光のパルス出力とパルス幅を制
御することによって生ずる記録材料の相変化、即ち結晶
状態から非結晶状態への移行または相転移などを起こさ
せ、それぞれの状態における反射率の違いから情報の記
録と消去を行なうものである。
集光して加熱し、レーザ光のパルス出力とパルス幅を制
御することによって生ずる記録材料の相変化、即ち結晶
状態から非結晶状態への移行または相転移などを起こさ
せ、それぞれの状態における反射率の違いから情報の記
録と消去を行なうものである。
この相変化方式を用いる光記録媒体の構造の一例を第３
図の模式断面図に示す。第３図において、この光記録媒
体は１図示を省略した多くのトラッキング溝を設けたｐ
ｃ基板ｌの上に、セラミックスなどからなる厚さ１１０
ｎｍの第１の保護膜２．この第１の保護＄２の上に厚さ
３０ｎｍの記録用材料即ちＧｅ１ＳｂｘＴｅｓなどの記
録膜３．さらにその上に第１の保１！ＩＩ！２と同じセ
ラミックスなどの厚さ１９０ｎｍの第２の保護膜４と厚
さ１１００ｎのＡ１などの反射冷却膜５および厚さ１０
ｎｍの紫外線硬化樹脂の有機保護膜６をｌｌ１１次積層
９た構造としたものである。
図の模式断面図に示す。第３図において、この光記録媒
体は１図示を省略した多くのトラッキング溝を設けたｐ
ｃ基板ｌの上に、セラミックスなどからなる厚さ１１０
ｎｍの第１の保護膜２．この第１の保護＄２の上に厚さ
３０ｎｍの記録用材料即ちＧｅ１ＳｂｘＴｅｓなどの記
録膜３．さらにその上に第１の保１！ＩＩ！２と同じセ
ラミックスなどの厚さ１９０ｎｍの第２の保護膜４と厚
さ１１００ｎのＡ１などの反射冷却膜５および厚さ１０
ｎｍの紫外線硬化樹脂の有機保護膜６をｌｌ１１次積層
９た構造としたものである。
そしてレーザ光は基板の積層膜を有する側と反対の面か
ら入射させるのが普通である。
ら入射させるのが普通である。
通常の相変化型光記録媒体では、初期状態は記録膜を結
晶状態としておき、情報記録時にこれにレーザ光を照射
し、照射部を浴融した後急冷して非結晶状態のスポット
を形成する。消去時にはこの非結晶状態のスポットをレ
ーザ光によりアニールし結晶状態へ戻すのである。また
再生時には記録スポットの非結晶状ａｔこ変化を与えな
いように。
晶状態としておき、情報記録時にこれにレーザ光を照射
し、照射部を浴融した後急冷して非結晶状態のスポット
を形成する。消去時にはこの非結晶状態のスポットをレ
ーザ光によりアニールし結晶状態へ戻すのである。また
再生時には記録スポットの非結晶状ａｔこ変化を与えな
いように。
消去レーザ光より強度の弱い再生レーザ光を照射し、結
晶状態と非結晶状態とで異なるレーザ光の反射率を光検
出素子により検出して信号の再生を行なうことができる
。
晶状態と非結晶状態とで異なるレーザ光の反射率を光検
出素子により検出して信号の再生を行なうことができる
。
以上のような積層膜構成を持つ光記録媒体の記録、消去
の繰り返し回数に対するＣＮ比、消去比の関係を＠４図
の線図に示す。このときのオーバーライド条件は記録パ
ワー１５ｍＷ、ｉ去パワー７ｍＷであり、ＣＮ比、消去
比のいずれかが３ｄＢ低下したときを寿命とすると、こ
の積層膜構成では光記録媒体の記録、消去の繰り返し寿
命は１０回程度である。
の繰り返し回数に対するＣＮ比、消去比の関係を＠４図
の線図に示す。このときのオーバーライド条件は記録パ
ワー１５ｍＷ、ｉ去パワー７ｍＷであり、ＣＮ比、消去
比のいずれかが３ｄＢ低下したときを寿命とすると、こ
の積層膜構成では光記録媒体の記録、消去の繰り返し寿
命は１０回程度である。
しかしながら、上記の積層膜構造の光記録媒体は、記録
、消去の繰り返し寿命に関して次のような問題がある。
、消去の繰り返し寿命に関して次のような問題がある。
この構造を持つ光記録媒体は記録、消去の繰り返しを行
なう際、これに伴ない記録膜３の非結晶状態と結晶状態
との変化も繰り返されるので、記録膜３に含まれる蒸気
圧の高いＴｅが蒸発するとき体積膨張し、冷却のとき気
泡が残る。このように体積膨ｔｉｌｌ起こしたり気泡が
残存したりすることは。
なう際、これに伴ない記録膜３の非結晶状態と結晶状態
との変化も繰り返されるので、記録膜３に含まれる蒸気
圧の高いＴｅが蒸発するとき体積膨張し、冷却のとき気
泡が残る。このように体積膨ｔｉｌｌ起こしたり気泡が
残存したりすることは。
記録膜３はもとより第１の保護膜２． ！＠２の保護＄
４および反射冷却膜５の各積層膜の界面における剥離、
もしくはこれら各積層膜のうち特に記録＠３が損傷を受
け、積層膜に不可逆的変化を住する。その結果１元記録
媒体の記録、消去の繰り返し寿命が短く、前述のように
１０回程度の寿命をさらに伸ばすことが望まれている。
４および反射冷却膜５の各積層膜の界面における剥離、
もしくはこれら各積層膜のうち特に記録＠３が損傷を受
け、積層膜に不可逆的変化を住する。その結果１元記録
媒体の記録、消去の繰り返し寿命が短く、前述のように
１０回程度の寿命をさらに伸ばすことが望まれている。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的は機械的補強膜を加えることにより、記録膜の体積膨
張に伴なう各積層膜の機械的変化を抑制し、記録、消去
の繰り返しに際して劣化を生ずることなく、長寿命を維
持する光記録媒体を提供することにある。
的は機械的補強膜を加えることにより、記録膜の体積膨
張に伴なう各積層膜の機械的変化を抑制し、記録、消去
の繰り返しに際して劣化を生ずることなく、長寿命を維
持する光記録媒体を提供することにある。
上記の課題を解決するために１本発明の光記録媒体は、
基板上に形成した積層膜の反射冷却膜と有機保護膜との
間に１機械的補強膜を設けたものである。
基板上に形成した積層膜の反射冷却膜と有機保護膜との
間に１機械的補強膜を設けたものである。
本発明の光記録媒体は、上記のように構成したために、
有機保Ｓ膜では抑えきれなかった記録膜の体積変化など
に起因する各積層膜の変形もしくは破損を、強度の高い
ダイヤモンド状薄膜やセラミックス薄膜に−よって防止
し、記録、消去の繰り返し回数を大幅に伸ばすことがで
きる。
有機保Ｓ膜では抑えきれなかった記録膜の体積変化など
に起因する各積層膜の変形もしくは破損を、強度の高い
ダイヤモンド状薄膜やセラミックス薄膜に−よって防止
し、記録、消去の繰り返し回数を大幅に伸ばすことがで
きる。
以下１本発明を実施例に基づき説明する。
第１図は本発明の光記録媒体の構造を示す模式断面図で
あり、第３図と共通部分を同一符号で表わしである。第
１図が第３図と異なる点は、反射冷却膜５と有機保護膜
６との間に機械的補強膜７を設けたことである。
あり、第３図と共通部分を同一符号で表わしである。第
１図が第３図と異なる点は、反射冷却膜５と有機保護膜
６との間に機械的補強膜７を設けたことである。
本発明の光記録媒体は例えば次のようにして得ることが
できる。即ち基板１の上にＲＦマグネトロンスパッタ法
を用いて、厚さ１１０ｎｍの（ＺｎＳ）ｇ。
できる。即ち基板１の上にＲＦマグネトロンスパッタ法
を用いて、厚さ１１０ｎｍの（ＺｎＳ）ｇ。
（ＳｉＯｚ）２０の第１の保換膜２．厚さ３０ ｎｒｎ
ＣＤＧｅｚＳｂｚＴｅ５の記録膜３．厚さ１９０ ｎ
ｍの（ＺｎＳ ） ｓ。
ＣＤＧｅｚＳｂｚＴｅ５の記録膜３．厚さ１９０ ｎ
ｍの（ＺｎＳ ） ｓ。
（ＳｉＣｈ ）２０ （’）第２の保＃［４，Ｊよび厚
さ１１００ｎの・すの反射冷却膜５を順次形成した後、
、ＣＶＤ法を用いて、厚さ５００ ｎｍのダイヤモンド
状薄膜からなる機械的補強膜７を成膜し、その上に厚さ
１０μｍの紫外線硬化樹脂の有機保護ｌｉ［６をスピン
コータを用いて形成することにより作製される。ダイヤ
モンド状薄膜は鮎晶得造上はダイヤモンドと炭素が混在
している状態のものである。
さ１１００ｎの・すの反射冷却膜５を順次形成した後、
、ＣＶＤ法を用いて、厚さ５００ ｎｍのダイヤモンド
状薄膜からなる機械的補強膜７を成膜し、その上に厚さ
１０μｍの紫外線硬化樹脂の有機保護ｌｉ［６をスピン
コータを用いて形成することにより作製される。ダイヤ
モンド状薄膜は鮎晶得造上はダイヤモンドと炭素が混在
している状態のものである。
このようにして得られた本発明の光記録媒体の記録、消
去の繰り返し回数に対するＣＮ比、消去比の関係を第２
図の耐図番こ示す。第２図は第４図と比較対照されるも
のであり、オーバーライド条件はｗｃ４図と同様、記録
パワー１５ｍＷ、消去パワー７ｍＷとしであるが、第４
図との比較から明らかなようｌこ、本発明の光記録媒体
は１０回の繰り返し後もＣＮ比、消去比ともに３ ｄＢ
の低下が認められず、機械的補強膜７としてダイヤモン
ド状薄膜を那えることにより、記録、消去の繰り返し寿
命を伸ばすことが可能である。
去の繰り返し回数に対するＣＮ比、消去比の関係を第２
図の耐図番こ示す。第２図は第４図と比較対照されるも
のであり、オーバーライド条件はｗｃ４図と同様、記録
パワー１５ｍＷ、消去パワー７ｍＷとしであるが、第４
図との比較から明らかなようｌこ、本発明の光記録媒体
は１０回の繰り返し後もＣＮ比、消去比ともに３ ｄＢ
の低下が認められず、機械的補強膜７としてダイヤモン
ド状薄膜を那えることにより、記録、消去の繰り返し寿
命を伸ばすことが可能である。
機械的補強膜７は、前述のように反射冷却膜５と表面保
ｉｌ！膜６との間に設けるものであり、光記録媒体が機
械的に変形するのを抑制するのに十分な強度を持ってい
ればよ＜、Ｘ学的性質は必要としないから、ダイヤモン
ド状薄膜のほかに、例えば窒化物や酸化物などの無機系
セラミックス薄膜もしくは金属薄膜をスパッタ形成して
用いることもできるが、耐蝕性など種々の条件を考慮す
ればダイヤモンド状薄膜のほかにはセラミックス薄膜が
適している。この場合も光記録媒体の記録、消去の繰り
返し特性はほぼ第４図と同様の結果を得ることができる
。
ｉｌ！膜６との間に設けるものであり、光記録媒体が機
械的に変形するのを抑制するのに十分な強度を持ってい
ればよ＜、Ｘ学的性質は必要としないから、ダイヤモン
ド状薄膜のほかに、例えば窒化物や酸化物などの無機系
セラミックス薄膜もしくは金属薄膜をスパッタ形成して
用いることもできるが、耐蝕性など種々の条件を考慮す
ればダイヤモンド状薄膜のほかにはセラミックス薄膜が
適している。この場合も光記録媒体の記録、消去の繰り
返し特性はほぼ第４図と同様の結果を得ることができる
。
〔発明の効果〕
従来、積層膜構造を有する光記録媒体は、記録膜の非結
晶状態と結晶状態との繰り返しにより、記録膜の体積膨
張や気泡の発生に起因する各積層膜の変形や破損のため
に、記録、消去の繰り返し数として１０５回程程度あっ
たが１本発明によれば実施例で述べた如く、反射冷却膜
と有機保護膜との間に、ダイヤモンド状薄膜やセラミッ
クス薄膜などの強度の高い薄膜を介在させたことにより
、各種／ｉｌＫの剥離や不可逆的な変形が生ずるのを防
止し、その結果１０回の記録、消去の繰り返しに対して
劣化を生ずることなく、安定な長寿命す光記録媒体を得
ることができた。
晶状態と結晶状態との繰り返しにより、記録膜の体積膨
張や気泡の発生に起因する各積層膜の変形や破損のため
に、記録、消去の繰り返し数として１０５回程程度あっ
たが１本発明によれば実施例で述べた如く、反射冷却膜
と有機保護膜との間に、ダイヤモンド状薄膜やセラミッ
クス薄膜などの強度の高い薄膜を介在させたことにより
、各種／ｉｌＫの剥離や不可逆的な変形が生ずるのを防
止し、その結果１０回の記録、消去の繰り返しに対して
劣化を生ずることなく、安定な長寿命す光記録媒体を得
ることができた。
Ｗ、１図は本発明の光記録媒体の構造を示す模式断面図
、第２図は本発明の光記録媒体の記録、消去の繰り返し
回数とＣＮ比、消去比との関係線図。 第３色は従来の光記録媒体の構造を示す模式断面図、纂
４図は従来の光記録媒体の記録、消去の繰り返し回数と
ＣＮ比、消去比との関係線図である。 に基板、２：第１の保ｉ！！膜、３：記録膜。 ４：第２の保ａ膜、５：反射冷却膜、６：有機保壬 閃 篤 圀 ９シ１％、５１＆褐ζ撮り」【し藪（田）第２区 言て＠ 」去Ｊの３１すＪゴＵ数 （ロ）＋ｆν 覇 閃
、第２図は本発明の光記録媒体の記録、消去の繰り返し
回数とＣＮ比、消去比との関係線図。 第３色は従来の光記録媒体の構造を示す模式断面図、纂
４図は従来の光記録媒体の記録、消去の繰り返し回数と
ＣＮ比、消去比との関係線図である。 に基板、２：第１の保ｉ！！膜、３：記録膜。 ４：第２の保ａ膜、５：反射冷却膜、６：有機保壬 閃 篤 圀 ９シ１％、５１＆褐ζ撮り」【し藪（田）第２区 言て＠ 」去Ｊの３１すＪゴＵ数 （ロ）＋ｆν 覇 閃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に第１の保護膜、記録膜、第２の保護膜、反
射冷却膜、機械的補強膜および有機保護膜をこの順に形
成したことを特徴とする光記録媒体。 ２）請求項１記載の光記録媒体において、機械的補強膜
がダイヤモンド状薄膜であることを特徴とする光記録媒
体。 ３）請求項１または２記載の光記録媒体において、機械
的補強膜がＣＶＤ法を用いて形成したダイヤモンド状薄
膜であることを特徴とする光記録媒体。 ４）請求項１記載の光記録媒体において、機械的補強膜
がセラミックス薄膜であることを特徴とする光記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233031A JP2643566B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233031A JP2643566B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113530A true JPH04113530A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2643566B2 JP2643566B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=16948723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233031A Expired - Lifetime JP2643566B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643566B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2233031A patent/JP2643566B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2643566B2 (ja) | 1997-08-20 |
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