JPH01199943A - インドール類の製造法 - Google Patents
インドール類の製造法Info
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- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- MLPVBIWIRCKMJV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylaniline Chemical compound CCC1=CC=CC=C1N MLPVBIWIRCKMJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 6
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 iron silicates Chemical class 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 description 3
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003797 essential amino acid Substances 0.000 description 2
- 235000020776 essential amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical group C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALEKNMMRSUEYCJ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-4-methylaniline Chemical compound CCC1=CC(C)=CC=C1N ALEKNMMRSUEYCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCYRVFJDASAJTG-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-n-methylaniline Chemical compound CCC1=CC=CC=C1NC CCYRVFJDASAJTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVGATIVFWRYUIY-UHFFFAOYSA-N 3-amino-4-ethylbenzonitrile Chemical compound CCC1=CC=C(C#N)C=C1N FVGATIVFWRYUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZENTDXPBYLGKF-UHFFFAOYSA-N 4-amino-3-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC(O)=CC=C1N ZZENTDXPBYLGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTMVFRKAMOUORT-UHFFFAOYSA-N 4-ethylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC=C(N)C=C1N PTMVFRKAMOUORT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJGMBLNIHDZDGS-UHFFFAOYSA-N N-ethyl-N-phenylamine Natural products CCNC1=CC=CC=C1 OJGMBLNIHDZDGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001657 ferrierite group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 238000005839 oxidative dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFGCUJZIWBUILZ-UHFFFAOYSA-N sodium 2-[[2-[[hydroxy-(3,4,5-trihydroxy-6-methyloxan-2-yl)oxyphosphoryl]amino]-4-methylpentanoyl]amino]-3-(1H-indol-3-yl)propanoic acid Chemical compound [Na+].C=1NC2=CC=CC=C2C=1CC(C(O)=O)NC(=O)C(CC(C)C)NP(O)(=O)OC1OC(C)C(O)C(O)C1O IFGCUJZIWBUILZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M tetrapropylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960004799 tryptophan Drugs 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Catalysts (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は動物飼料のアミノ酸強化剤等として用いられる
L−1−リブトファンの原料であるインドール類の効率
的な製造法に関する。
L−1−リブトファンの原料であるインドール類の効率
的な製造法に関する。
[従来技術及び発明が解決しようとする課題]動物飼料
などの原料として用いられる穀類には必須アミノ酸が不
足しており、その供給が重要な課題となっている。必須
アミノ酸の1つであるL−トリプトファンを安価に供給
するために、その原料であるインドール類を大量、かつ
安価に製造する技術の確立が望まれている。これまでイ
ンドール類の製造法としてはアニリンとエチレングリコ
ールとの反応(特開昭59−73567号公報)、アニ
リンとエタノールアミンとの反応(カナダ特許第114
9395号明細書、米国特許第4376205号明細書
)、0−エチルアニリンの脱水素環化反応(特開昭48
−78163号公報、同52−31089号公報、同5
7−139064号公報)などの方法が知られている。
などの原料として用いられる穀類には必須アミノ酸が不
足しており、その供給が重要な課題となっている。必須
アミノ酸の1つであるL−トリプトファンを安価に供給
するために、その原料であるインドール類を大量、かつ
安価に製造する技術の確立が望まれている。これまでイ
ンドール類の製造法としてはアニリンとエチレングリコ
ールとの反応(特開昭59−73567号公報)、アニ
リンとエタノールアミンとの反応(カナダ特許第114
9395号明細書、米国特許第4376205号明細書
)、0−エチルアニリンの脱水素環化反応(特開昭48
−78163号公報、同52−31089号公報、同5
7−139064号公報)などの方法が知られている。
しかしながら、これらの方法のうちエチレングリコール
、エタノールアミンを用いる方法は、これら化合物の分
解、縮合などの反応を起こし易く、これを防ぐ目的で一
般にはアニリン大過剰下で反応を行なっている。したが
って、アニリン転化率を増大させることはできない。す
なわち、空時収量(STY)が小さい。
、エタノールアミンを用いる方法は、これら化合物の分
解、縮合などの反応を起こし易く、これを防ぐ目的で一
般にはアニリン大過剰下で反応を行なっている。したが
って、アニリン転化率を増大させることはできない。す
なわち、空時収量(STY)が小さい。
また、0−エチルアニリンの脱水素環化反応によるイン
ドール類の製造法は、いずれも原料供給量に対して可成
り多量の触媒(重量時空間速度換算で約0.16〜0.
5hr−’)を使用しなければならないという共通の問
題点がある上に、インドール類の収率な向上させるため
には分子状酸素の共存を必要とするため、反応条件が複
雑になり、製造コストも高くなる。
ドール類の製造法は、いずれも原料供給量に対して可成
り多量の触媒(重量時空間速度換算で約0.16〜0.
5hr−’)を使用しなければならないという共通の問
題点がある上に、インドール類の収率な向上させるため
には分子状酸素の共存を必要とするため、反応条件が複
雑になり、製造コストも高くなる。
[課題を解決するための手段]
叙上の問題点を解決するために、本発明者らは鋭意研究
を進めた結果、特定の構造を有する触媒を用いれば、分
子状酸素をあえて存在させなくてニ も好収率でインドール類が得られることを見出し、かか
る知見に基いて本発明を完成した。
を進めた結果、特定の構造を有する触媒を用いれば、分
子状酸素をあえて存在させなくてニ も好収率でインドール類が得られることを見出し、かか
る知見に基いて本発明を完成した。
すなわち本発明は、0−アルキルアニリン類の脱水素環
化反応によりインドール類を製造する方法において、触
媒としてSiO□と金属酸化物[M2znO(ここでn
は金属Mの原子価を示す。)]とのモル比(Sf02/
M2/。0)が12以上である結晶性金属シリケートを
用い、450℃以上の温度で反応を行なうことを特徴と
するインドール類の製造法を提供するものである。
化反応によりインドール類を製造する方法において、触
媒としてSiO□と金属酸化物[M2znO(ここでn
は金属Mの原子価を示す。)]とのモル比(Sf02/
M2/。0)が12以上である結晶性金属シリケートを
用い、450℃以上の温度で反応を行なうことを特徴と
するインドール類の製造法を提供するものである。
本発明で触媒として用いる結晶性金属シリケー −はS
iO2と他の金属酸化物[M2/nO(ここでnは金属
Mの原子価を示す。)]とのモル比、すなわちS i0
2/M27nOが12以上のものが好ましく、特に好ま
しくは40〜3,000である。このモル比が12以下
では、インドール類が生成しにくい。また、この金属シ
リケートは酸素10員環の主空洞を有するもの、特にペ
ンタシル型構造が好ましい。さらに、この結晶性金属シ
リケート中の金属Mとしては種々のものを挙げることが
できるが、特にGa。
iO2と他の金属酸化物[M2/nO(ここでnは金属
Mの原子価を示す。)]とのモル比、すなわちS i0
2/M27nOが12以上のものが好ましく、特に好ま
しくは40〜3,000である。このモル比が12以下
では、インドール類が生成しにくい。また、この金属シ
リケートは酸素10員環の主空洞を有するもの、特にペ
ンタシル型構造が好ましい。さらに、この結晶性金属シ
リケート中の金属Mとしては種々のものを挙げることが
できるが、特にGa。
八R,B 、 Fe、 In、 La、 Sc、 Y
、 Cr、 Ti等の3価金属が好ましく、中でもGa
、 Aρが好ましく、特にGaが好ましい。通常、これ
らの金属は1種単独でもよいし、2種以上の組合せでも
よい。
、 Cr、 Ti等の3価金属が好ましく、中でもGa
、 Aρが好ましく、特にGaが好ましい。通常、これ
らの金属は1種単独でもよいし、2種以上の組合せでも
よい。
なお、酸素lO員環の主空洞を有する結晶性金属シリケ
ートとしては、例えばZSM−5(特公昭46−100
64号公報) 、 ZSM−8(特開昭47−2509
7号公報) 、 ZSM−21(米国特許第4,001
,346号明細書) 、 ZSM−35(特開昭52−
139029号公報)などの結晶性アルミノシリケート
、 ZSM−5型またはZSM−11型構造を有する結
晶性ボロシリケート(特開昭53755500号公報、
特開昭55−7588号公報)。
ートとしては、例えばZSM−5(特公昭46−100
64号公報) 、 ZSM−8(特開昭47−2509
7号公報) 、 ZSM−21(米国特許第4,001
,346号明細書) 、 ZSM−35(特開昭52−
139029号公報)などの結晶性アルミノシリケート
、 ZSM−5型またはZSM−11型構造を有する結
晶性ボロシリケート(特開昭53755500号公報、
特開昭55−7588号公報)。
フェリエライトなどの結晶性鉄シリケート(特開昭50
−127898号公報、特開昭55−85415号公報
)およびZSM−5型構造を有する結晶性ガロシリケー
トなどが知られている。
−127898号公報、特開昭55−85415号公報
)およびZSM−5型構造を有する結晶性ガロシリケー
トなどが知られている。
本発明に用いられる結晶性金属シリケートは公知の方法
により調製できる。例えばシリカ源と金属酸化物源およ
び必要に応じてアルカリ金属化合物や有機結晶化剤を含
む混合物を用いて水熱合成によって調製できる。これら
の触媒調製における出発物質は特に限定されず、既知の
ものを任意に使用できる。例えばシリカ源としては、コ
ロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ酸またはその
縮合物あるいはケイ酸塩などがあり、金属酸化物源とし
ては、金属の硫酸塩、硝酸塩などの塩あるいは酸素酸塩
などがある。
により調製できる。例えばシリカ源と金属酸化物源およ
び必要に応じてアルカリ金属化合物や有機結晶化剤を含
む混合物を用いて水熱合成によって調製できる。これら
の触媒調製における出発物質は特に限定されず、既知の
ものを任意に使用できる。例えばシリカ源としては、コ
ロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ酸またはその
縮合物あるいはケイ酸塩などがあり、金属酸化物源とし
ては、金属の硫酸塩、硝酸塩などの塩あるいは酸素酸塩
などがある。
触媒は反応に使用する際にはHゝ型で用いることが好ま
しいが、一部もしくは全部が他の陽イオンで置き換った
ものでもよい。他の陽イオンとしては、例えばマグネシ
ウムイオン、カルシウムイオン、ランタンイオン、銅イ
オン、亜鉛イオン。
しいが、一部もしくは全部が他の陽イオンで置き換った
ものでもよい。他の陽イオンとしては、例えばマグネシ
ウムイオン、カルシウムイオン、ランタンイオン、銅イ
オン、亜鉛イオン。
鉄イオン、ガリウムイオン、クロムイオンなどがあるが
、ガリウムイオンが特に好ましい。
、ガリウムイオンが特に好ましい。
また、本発明の結晶性金属シリケートは、必要に応じて
さらに他の種々の金属成分を担持して用いることもでき
る。他の金属成分としては、例えばマンガン、鉄、ニッ
ケル、クロム、コバルトおよびガリウムなどがあるが、
特にガリウムが好ましい。金属成分の担持方法は種々の
ものが使用できるが、例えば含浸、吸着、蒸着などがあ
る。また、前記結晶性金属シリケートはシリカ、シリカ
アルミナ、アルミナ、カオリンなどのバインダーを用い
て成形して用いてもよい。触媒の形状は特に制限はなく
、いずれの形状であっても使用できる。
さらに他の種々の金属成分を担持して用いることもでき
る。他の金属成分としては、例えばマンガン、鉄、ニッ
ケル、クロム、コバルトおよびガリウムなどがあるが、
特にガリウムが好ましい。金属成分の担持方法は種々の
ものが使用できるが、例えば含浸、吸着、蒸着などがあ
る。また、前記結晶性金属シリケートはシリカ、シリカ
アルミナ、アルミナ、カオリンなどのバインダーを用い
て成形して用いてもよい。触媒の形状は特に制限はなく
、いずれの形状であっても使用できる。
触媒の焼成温度は500〜800℃であるが、高温焼成
したもの程、不用な副反応を抑える作用があるので好適
である。
したもの程、不用な副反応を抑える作用があるので好適
である。
本発明では以上のようにして得られた結晶性金属シリケ
ートを用いて、原料の0−アルキルアニリン類からイン
ドール類を得る。
ートを用いて、原料の0−アルキルアニリン類からイン
ドール類を得る。
ここで用いる原料の0−アルキルアニリン類としては0
−エチルアニリンおよび反応を阻害しない置換基を有す
る0−エチルアニリン誘導体が挙げられる。反応を阻害
しない置換基としては、例えばアルキル基、アミノ基、
ヒドロキシル基、ハロゲン、シアノ基、アルコキク亀、
ニトロ基、アルキルアミノ基などがある。これらの化合
物の具体例としては、0−エチルアニリン、0−イソプ
ロピルアニリン、o−nプロピルアニリン、2−エチル
−4−メチルアニリン、2−エチル−4−ヒドロキシア
ニリン、2.4−ジアミノエチルベンゼン、2−エチル
−5−シアノアニリン、2−エチル−メチルアミノベン
ゼンなどが挙げられるが、特に0−エチルアニリンが好
ましい。
−エチルアニリンおよび反応を阻害しない置換基を有す
る0−エチルアニリン誘導体が挙げられる。反応を阻害
しない置換基としては、例えばアルキル基、アミノ基、
ヒドロキシル基、ハロゲン、シアノ基、アルコキク亀、
ニトロ基、アルキルアミノ基などがある。これらの化合
物の具体例としては、0−エチルアニリン、0−イソプ
ロピルアニリン、o−nプロピルアニリン、2−エチル
−4−メチルアニリン、2−エチル−4−ヒドロキシア
ニリン、2.4−ジアミノエチルベンゼン、2−エチル
−5−シアノアニリン、2−エチル−メチルアミノベン
ゼンなどが挙げられるが、特に0−エチルアニリンが好
ましい。
次に、本発明の方法を、原料として0−エチルアニリン
を使用した場合を例として具体的に説明する。
を使用した場合を例として具体的に説明する。
原料の0−エチルアニリンはそのまま使用することがで
きるが、必要に応じて適当な希釈ガスと共に用いてもよ
い。ここで希釈ガスとしては窒素、ヘリウム、アルゴン
などの不活性ガスのほか、転化率を高めたり触媒寿命を
延長できる等の効果を有する空気(酸化脱水素反応)や
水素ガスなどを使用することができる。さらには、本発
明の目的を阻害しないものであれば、その他のガスを利
用することも可能である。希釈ガスを用いる場合、その
使用量は希釈ガス10−エチルアニリン(モル比)=1
〜20の範囲が適当である。
きるが、必要に応じて適当な希釈ガスと共に用いてもよ
い。ここで希釈ガスとしては窒素、ヘリウム、アルゴン
などの不活性ガスのほか、転化率を高めたり触媒寿命を
延長できる等の効果を有する空気(酸化脱水素反応)や
水素ガスなどを使用することができる。さらには、本発
明の目的を阻害しないものであれば、その他のガスを利
用することも可能である。希釈ガスを用いる場合、その
使用量は希釈ガス10−エチルアニリン(モル比)=1
〜20の範囲が適当である。
また、本発明の脱水素環化反応は450℃以上の温度で
行なうべ咎であり、通常は450〜800℃、好ましく
は500〜750℃で行なう。ここで、反応温度が45
0℃未満ではインドール類は全く生成せず、800℃を
越える高温では原料や生成物の分解が起こる上に触媒の
失活が速くなるので好ましくない。
行なうべ咎であり、通常は450〜800℃、好ましく
は500〜750℃で行なう。ここで、反応温度が45
0℃未満ではインドール類は全く生成せず、800℃を
越える高温では原料や生成物の分解が起こる上に触媒の
失活が速くなるので好ましくない。
次に、反応圧力については、常圧〜100kg/cm2
の範囲が適当であるが、本発明の方法が1モルの0−エ
チルアニリンから水素2モルを生成する反応であること
から、常圧あるいはそれに近い圧力が好適である。この
際の重量時空間速度(WH5V)、すなわち0−エチル
アニリン重量/触媒重量は0.01〜100hr−’
、好ましくは0.1〜1Ohr−’が適当である。すな
わち、本発明の触媒系ではt hr−’以上でも十分な
活性を示すことにおいて、前記従来法と著しい差異があ
る。
の範囲が適当であるが、本発明の方法が1モルの0−エ
チルアニリンから水素2モルを生成する反応であること
から、常圧あるいはそれに近い圧力が好適である。この
際の重量時空間速度(WH5V)、すなわち0−エチル
アニリン重量/触媒重量は0.01〜100hr−’
、好ましくは0.1〜1Ohr−’が適当である。すな
わち、本発明の触媒系ではt hr−’以上でも十分な
活性を示すことにおいて、前記従来法と著しい差異があ
る。
本発明により生成したインドール類は常法により所望程
度に精製して用いられる。また、未反応原料などは適当
な手段によって回収し、再利用することができる。
度に精製して用いられる。また、未反応原料などは適当
な手段によって回収し、再利用することができる。
[実施例]
次に、実施例により本発明の詳細な説明する。
参考例1 結晶性ガロシリケートの調製水ガラス[Jケ
イ酸ソーダ3号1日本化学工業■製] 300 gを水
476gに溶解させてA液とし、硝酸ガリウム(Ga(
NO3)a・nH2O,Ga 18.5重量%)14.
7gを水476gに溶解させ、さらにこれに濃硫酸33
.6gおよびテトラプロピルアンモニウムブロマイド5
0.4 gを溶解させてB液とし、また塩化ナトリウム
150.4 gを水232gに溶解させてC液とする。
イ酸ソーダ3号1日本化学工業■製] 300 gを水
476gに溶解させてA液とし、硝酸ガリウム(Ga(
NO3)a・nH2O,Ga 18.5重量%)14.
7gを水476gに溶解させ、さらにこれに濃硫酸33
.6gおよびテトラプロピルアンモニウムブロマイド5
0.4 gを溶解させてB液とし、また塩化ナトリウム
150.4 gを水232gに溶解させてC液とする。
A液とB液とを室温にて20分間にわたりC液に滴下し
、得られた混合液をオートクレーブに入れ、125℃で
48時間加熱処理した。冷却後、内容物を濾過、水洗し
、120℃で12時間乾燥させた。
、得られた混合液をオートクレーブに入れ、125℃で
48時間加熱処理した。冷却後、内容物を濾過、水洗し
、120℃で12時間乾燥させた。
生成物をX線回折分析したところ、ZSM−5構造であ
ることが確認された。
ることが確認された。
これを550℃で6時間焼成し、さらにIN硝酸アンモ
ニウム水溶液による80℃、4時間の還流操作を4回く
り返してイオン交換を行ない、濾過、水洗の後、120
℃で12時間乾燥してアンモニウム型結晶性ガロシリケ
ートを得た。このもののStO□/Ga203(モル比
)は75であった。これを800℃で4時間焼成してH
型結晶性ガロシリケートを得た。
ニウム水溶液による80℃、4時間の還流操作を4回く
り返してイオン交換を行ない、濾過、水洗の後、120
℃で12時間乾燥してアンモニウム型結晶性ガロシリケ
ートを得た。このもののStO□/Ga203(モル比
)は75であった。これを800℃で4時間焼成してH
型結晶性ガロシリケートを得た。
参考例2 結晶性アルミノシリケートの調製上記参考例
1において硝酸ガリウム(Ga (NO3) 3・nl
(2o、 Ga 1B、5重量%)の代わりに硫酸アル
ミニウム14〜18水和物12.6gを用いたこと以外
は参考例1と同様の操作を行なって最終的にアンモニウ
ム型結晶性アルミノシリケートを得た。このものの5i
027ARzO5(モル比)は75であった。これを8
00℃で4時間焼成してH型結晶性アルミノシリケート
を得た。
1において硝酸ガリウム(Ga (NO3) 3・nl
(2o、 Ga 1B、5重量%)の代わりに硫酸アル
ミニウム14〜18水和物12.6gを用いたこと以外
は参考例1と同様の操作を行なって最終的にアンモニウ
ム型結晶性アルミノシリケートを得た。このものの5i
027ARzO5(モル比)は75であった。これを8
00℃で4時間焼成してH型結晶性アルミノシリケート
を得た。
実施例1
常圧固定床流通式反応管に参考例1で得られた結晶性ガ
ロシリケート2.0gを充填し、反応温度600℃に保
ちながら0−エチルアニリン/窒素ガス(そル比)=1
/9の割合で原料を供給し、0−エチルアニリン基準の
WIISV 2.8hr−’で反応を行なった。反応開
始後2時間目および100時間目結果を第1表に示す。
ロシリケート2.0gを充填し、反応温度600℃に保
ちながら0−エチルアニリン/窒素ガス(そル比)=1
/9の割合で原料を供給し、0−エチルアニリン基準の
WIISV 2.8hr−’で反応を行なった。反応開
始後2時間目および100時間目結果を第1表に示す。
実施例2
実施例1において反応温度を650℃にしたほかは実施
例1と同様にして反応を行なった。結果を第1表に示す
。
例1と同様にして反応を行なった。結果を第1表に示す
。
実施例3
実施例1において触媒を参考例2で得られた結晶性アル
ミノシリケート2.Ogに代え、かつ反応温度を650
℃としたこと以外は実施例1と同様にして反応を行なっ
た。結果を第1表に示す。
ミノシリケート2.Ogに代え、かつ反応温度を650
℃としたこと以外は実施例1と同様にして反応を行なっ
た。結果を第1表に示す。
実施例4
実施例3において反応温度を700枳陣tにしたほかは
実施例3と同様にして反応を行なった。結果を第1表に
示す。
実施例3と同様にして反応を行なった。結果を第1表に
示す。
実施例5
参考例2で得られた結晶性アルミノシリケート100重
量部に対して酸化ガリウム(Ga20s) として2
重量部となるように硝酸ガリウム水溶液を結晶性アルミ
ノシリケートに含浸担持し、これを800℃で焼成した
。この触媒2.0gを反応管に充填し、反応温度650
℃に保ちながら0−エチルアニリン/窒素ガ?s/Jy
llCモル比)の割合で原料を供給し、〇−エチルアニ
リン基準のWHSV2.8hr’−’で反応を行なった
。反応開始後1時間目の結果を第1表に示す。
量部に対して酸化ガリウム(Ga20s) として2
重量部となるように硝酸ガリウム水溶液を結晶性アルミ
ノシリケートに含浸担持し、これを800℃で焼成した
。この触媒2.0gを反応管に充填し、反応温度650
℃に保ちながら0−エチルアニリン/窒素ガ?s/Jy
llCモル比)の割合で原料を供給し、〇−エチルアニ
リン基準のWHSV2.8hr’−’で反応を行なった
。反応開始後1時間目の結果を第1表に示す。
比較例1
実施例1において反応温度を425℃にしたこと以外は
実施例1と同様にして反応を行なったところ、インドー
ルは全く生成しなかった。
実施例1と同様にして反応を行なったところ、インドー
ルは全く生成しなかった。
比較例2
実施例3において反応温度を425℃にしたこと以外は
実施例3と同様にして反応を行なったところ、インドー
ルは全く生成しなかった。
実施例3と同様にして反応を行なったところ、インドー
ルは全く生成しなかった。
比較例3
実施例3において参考例2で得られた結晶性アルミノシ
リケートの代わりにH−Yゼオライト(Si(h/Al
1203=:5.O)を用いたこと以外は実施例3と同
様に反応を行なったところ、インドールは全く生成しな
かった。
リケートの代わりにH−Yゼオライト(Si(h/Al
1203=:5.O)を用いたこと以外は実施例3と同
様に反応を行なったところ、インドールは全く生成しな
かった。
[発明の効果]
本発明によれば、0−エチルアニリンなどの0−アルキ
ルアニリン類を原料としてインドール類を製造するにあ
たり、触媒の使用量を従来法よりも少なくすることがで
き、しかも分子状酸素等を共存させる必要もない。好収
率で得られたインドール類はL−トリプトファンなどの
製造に供される。
ルアニリン類を原料としてインドール類を製造するにあ
たり、触媒の使用量を従来法よりも少なくすることがで
き、しかも分子状酸素等を共存させる必要もない。好収
率で得られたインドール類はL−トリプトファンなどの
製造に供される。
Claims (3)
- (1)o−アルキルアニリン類の脱水素環化反応により
インドール類を製造する方法において、触媒としてSi
O_2と金属酸化物[M_2_/_nO(ここでnは金
属Mの原子価を示す。)]とのモル比(SiO_2/M
_2_/_nO)が12以上である結晶性金属シリケー
トを用い、450℃以上の温度で反応を行なうことを特
徴とするインドール類の製造法。 - (2)結晶性金属シリケートが結晶性ガロシリケートで
ある請求項1記載の製造法。 - (3)結晶性金属シリケートがガリウム成分を保持して
いるものである請求項1記載の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63022699A JP2516888B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | インド―ル類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63022699A JP2516888B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | インド―ル類の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01199943A true JPH01199943A (ja) | 1989-08-11 |
JP2516888B2 JP2516888B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=12090114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63022699A Expired - Lifetime JP2516888B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | インド―ル類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2516888B2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP63022699A patent/JP2516888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2516888B2 (ja) | 1996-07-24 |
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